CN220079182U - 具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘 - Google Patents
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- 238000007664 blowing Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009965 odorless effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009967 tasteless effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本实用新型为一种具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,该吹气盘包括:一扩散盘体及一底环框,该扩散盘体布设数个贯通的大气孔及其内部横设数个气通道,该气通道设有数个通向该扩散盘体底面的小气孔;该扩散盘体底端外周缘设有一角环凹槽;该扩散盘体一侧设有一进气通道连通该角环凹槽及外部;该底环框包覆该角环凹槽形成一环通道,该环通道连通该进气通道及该数个气通道;该吹气盘的扩散盘体及底环框的表面设有一加强层;借由上述构造,使该吹气盘表面强化并可抗腐蚀,达到不影响性能及节省成本的功效。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆代工的吹气盘,尤其是指一种吹气盘表面设有加强层,使其强化表面抗腐蚀,达到不影响均匀镀膜或蚀刻及节省成本的具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘。
背景技术
化学气相沉积制程与蚀刻制程广泛地使用在半导体产业中,且晶圆镀膜制程与蚀刻制程的良率及质量取决于薄膜沉积均匀性或蚀刻的均匀性,而薄膜厚度均匀性或蚀刻的均匀性又受反应气体散布于反应腔室影响;其中,化学气相沉积设备与蚀刻设备均设有位于该反应腔室中的吹气盘,用以分散镀膜或蚀刻反应气体气流,使镀膜或蚀刻气体平均散布在该反应腔室中,以向下均匀地沉降至晶圆上,达到均匀镀膜或蚀刻目的。请参阅图1,该吹气盘10主要包括一扩散盘体11及一底环框12,该扩散盘体11包含一侧环板13及一圆底板14,该侧环板13底端连接该圆底板14周缘;其中该圆底板14布设数个贯通的大气孔141及其内部横设数个气通道142,该气通道142设有数个通向该圆底板14底面的小气孔143;该扩散盘体11底端外周缘设有一角环凹槽15;该侧环板13设有一进气通道131连通该角环凹槽15及外部;该底环框12包覆该角环凹槽15形成一环通道16,该环通道16连通该进气通道131及该些气通道142。该吹气盘10进行化学气相沉积制程或蚀刻制程时,其被固定在反应腔中且位于晶圆W的上方,由该吹气盘10上方给予第一气体F1,以及从该吹气盘10侧边的进气通道131给予第二气体F2,因此第一气体F1是通过该大气孔141往下喷向该晶圆W,第二气体F2则是由该小气孔143往下喷向该晶圆W,使来自其上方及侧边的制程气体通过该吹气盘10向下均匀地扩散至该晶圆W表面上。上述的吹气盘10所使用的材料通常为铝制成,制程气体在反应腔中除了对该晶圆W作用外,亦会对该吹气盘10具有侵蚀作用而产生粉尘,进而影响该吹气盘10的性能,使该吹气盘10无法提供良好的气体通道直接影响该晶圆W表面镀膜或蚀刻的一致性,进而影响到制程良率或产能。再者,经使用一段时间,该吹气盘10受到侵蚀表面损伤,原本紧密固定的吹气盘10松动而影响镀膜制程或蚀刻制程,甚至受侵蚀严重者,无法继续使用,昂贵的吹气盘10只能丢弃,着实浪费资源、加重成本负担。
实用新型内容
本实用新型主要目的是在于解决上述问题,而提供一种具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,主要技术、目的为:将吹气盘的表面设有加强层,达到强化盘体、抗腐蚀、避免制程增加成本的功效。
根据本实用新型上述的目的,提供一种具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,该吹气盘包括:一扩散盘体及一底环框,该扩散盘体包含一侧环板及一圆底板,该侧环板底端连接该圆底板周缘;该圆底板布设数个贯通的大气孔及其内部横设数个气通道,该气通道设有数个通向该圆底板底面的小气孔;该扩散盘体底端外周缘设有一角环凹槽;该侧环板设有一进气通道连通该角环凹槽及外部;该底环框包覆该角环凹槽形成一环通道,该环通道连通该进气通道及该数个气通道;该吹气盘的扩散盘体及底环框的表面设有一加强层。
在本实用新型一实施例中,其中该加强层设置于该扩散盘体的外侧表面、该进气通道的内侧表面、数个该大气孔的内侧表面、该数个气通道的内侧表面、数个该小气孔的内侧表面、该底环框的外侧表面及该扩散盘体与该底环框形成的环通道的内侧表面。
在本实用新型一实施例中,其中该加强层的厚度为4纳米至500纳米之间。
借由上述构造,使该吹气盘表面强化并可抗腐蚀,达到不影响性能及节省成本的功效。
附图说明
图1为已知进行镀膜或蚀刻制成气体流通的示意剖视图;
图2为本实用新型中的大气孔部位的局部剖视图;
图3为本实用新型中的小气孔部位的局部剖视图。
附图中的符号说明:
10 吹气盘;
11 扩散盘体;
12 底环框;
13 侧环板;
131 进气通道;
14 圆底板;
141 大气孔;
142 气通道;
143 小气孔;
15 角环凹槽;
16 环通道;
20 吹气盘;
21 扩散盘体;
22 底环框;
23 侧环板;
231 进气通道;
24 圆底板;
241 大气孔;
242 气通道;
243 小气孔;
25 角环凹槽;
26 环通道;
30 加强层;
F1第一气体;
F2第二气体;
W晶圆。
具体实施方式
为使对本实用新型有更进一步了解,兹举一较佳实施例并配合图式,详述如后:
请参阅图2、3,一种具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,该吹气盘20包括:一扩散盘体21及一底环框22,该扩散盘体21包含一侧环板23及一圆底板24,该侧环板23底端连接该圆底板24周缘;该圆底板24布设数个贯通的大气孔241及其内部横设数个气通道242,该气通道242设有数个通向该圆底板24底面的小气孔243;该扩散盘体21底端外周缘设有一角环凹槽25;该侧环板23设有一进气通道231连通该角环凹槽25及外部;该底环框22包覆该角环凹槽25形成一环通道26,该环通道26连通该进气通道231及该数个气通道242;该吹气盘20的扩散盘体21及底环框22的表面设有一加强层30;该加强层30设置于该扩散盘体21的外侧表面、该进气通道231的内侧表面、该些大气孔241的内侧表面、该些气通道242的内侧表面、该些小气孔243的内侧表面、该底环框22的外侧表面及该扩散盘体21与该底环框22形成的环通道26的内侧表面;借由上述构造,该吹气盘20增设该加强层30,使该吹气盘20表面强化并可抗腐蚀,达到不影响性能及节省成本的功效。
上述实施例的组成、作用及功效,细节说明如下:如图2、3所示,本实用新型是以真空蒸镀的方式将该吹气盘20镀设该加强层30,其做法为在真空的环境中将欲蒸镀的氧化铝(Al2O3)材料以电子束加热直至汽化升华,其加热可达3000℃,并使此气体附着于放置在附近的吹气盘20及其内部的气道、孔洞的表面上,而凝结形成该加强层30,该加强层30是一层氧化铝的薄膜层,其厚度为4纳米(nm)至500纳米(nm)之间,氧化铝是一种难溶于水的白色固体,为无臭且无味的中性氧化物,且为零孔隙及致密、质地极硬的两性氧化物,适合拿来制镀强化膜、保护膜,其可保护该吹气盘20不易氧化及被腐蚀,且以蒸镀方式形成的加强层30,其密度高、强度大及抗腐蚀能力好,可保护铝制成的吹气盘20不受制程气体的侵蚀作用而产生粉尘,使该吹气盘20的各气体通道无产生粉尘堵塞问题,如此一来,便不会影响该吹气盘20的性能,令该吹气盘20对晶圆提供良好的均匀一致的表面镀膜或蚀刻,使半导体制程具有很高的良率及产能。再者,既然能保护该吹气盘20不受侵蚀,即能确保其表面无损伤而能被稳固固定,进而确保其均匀镀膜或蚀刻的性能,当然就可以确保该吹气盘20的耐久性,达到节省成本的功效。
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,并非用以局限本实用新型的特征,举凡利用本实用新型相关的技术手段、创设原理的再创作,仍属本实用新型等效结构创意范畴。
Claims (3)
1.一种具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,该吹气盘包括:一扩散盘体及一底环框,该扩散盘体包含一侧环板及一圆底板,该侧环板底端连接该圆底板周缘;该圆底板布设数个贯通的大气孔及其内部横设数个气通道,该气通道设有数个通向该圆底板底面的小气孔;该扩散盘体底端外周缘设有一角环凹槽;该侧环板设有一进气通道连通该角环凹槽及外部;该底环框包覆该角环凹槽形成一环通道,该环通道连通该进气通道及该数个气通道;其特征在于:该吹气盘的扩散盘体及底环框的表面设有一加强层。
2.根据权利要求1所述的具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,其特征在于,该加强层设置于该扩散盘体的外侧表面、该进气通道的内侧表面、数个该大气孔的内侧表面、该数个气通道的内侧表面、数个该小气孔的内侧表面、该底环框的外侧表面及该扩散盘体与该底环框形成的环通道的内侧表面。
3.根据权利要求1或2所述的具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘,其特征在于,该加强层的厚度为4纳米至500纳米之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321412880.4U CN220079182U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321412880.4U CN220079182U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220079182U true CN220079182U (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=88817093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321412880.4U Active CN220079182U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 具有强化构造的晶圆加工用的吹气盘 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220079182U (zh) |
-
2023
- 2023-06-05 CN CN202321412880.4U patent/CN220079182U/zh active Active
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