CN220019634U - 一种用于芯片老化测试系统的高密封机构 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本实用新型涉及芯片老化测试相关技术领域，且公开了一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，包括柜体、驱动板组件和电源组件，所述驱动板组件和电源组件分别安装在柜体的两个工作室内，驱动板组件和电源组件所在腔室之间设置有定位框架，定位框架的内侧安装有多个用于保温密封的高密封组件，所述高密封组件包括高温隔热层一和高温隔热层二，隔热层一和高温隔热层二的配合缝隙之间夹设有硅胶层一，相邻的高密封组件之间夹设有硅胶层二。该用于芯片老化测试系统的高密封机构，最大限度的降低结构之间的配合缝隙，从而实现老化测试设备的高密封效果，有效降低驱动板组件所在工作室的热量外溢，降低设备运行是所产生的能耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片老化测试相关技术领域，具体为一种用于芯片老化测试系统的高密封机构。
背景技术
老化试验箱是环试行业中的一种产品总称，老化试验箱包含:臭氧老化、紫外老化、氙灯老化、换气式热老化、高温老化、盐雾腐蚀老化…等众多老化试验方式。是人工环境气候试验方法中较重要的一种。其中高温老化是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温或恒定试验的温度环境变化后的参数及性能。
其中用于芯片的老化测试系统设备，电源组件和驱动板组件在运行时均会产生一定的热量，但驱动板组件所在工作室一般要求必须保持恒温，对芯片进行老化测试，而电源组件所在工作室在运行时会产生一定的热量外溢进入驱动板组件，可能存在驱动板组件所在工作室热失衡，降低芯片的老化测试精度，而现有技术中的老化测试机一般通过穿墙板进行隔温，穿墙板之间的配合缝隙会导致热量的溢出或溢入，因此实用新型人设计了一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，解决上述技术问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，解决了现有技术中的老化测试机不能有效对穿墙板进行有效密封隔温的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，包括柜体、驱动板组件和电源组件，所述驱动板组件和电源组件分别安装在柜体的两个工作室内，驱动板组件和电源组件所在腔室之间设置有定位框架，定位框架的内侧安装有多个用于保温密封的高密封组件。
所述高密封组件包括高温隔热层一和高温隔热层二，隔热层一和高温隔热层二的配合缝隙之间夹设有硅胶层一，相邻的高密封组件之间夹设有硅胶层二。
优选的，所述高温隔热层一和高温隔热层二均采用保温隔热板制成。
优选的，所述硅胶层一与相对应的高温隔热层一和高温隔热层二完全贴合。最大限度的降低结构之间的配合缝隙，降低工作室的热量外散。
优选的，所述硅胶层二与相对应的高密封组件贴合面完全贴合，降低相邻高密封组件之间配合安装的缝隙，降低工作室的热量外散。
优选的，所述高温隔热层一和高温隔热层二通过螺栓安装定位在定位框架的内侧。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种用于芯片老化测试系统的高密封机构。具备以下
有益效果：
该用于芯片老化测试系统的高密封机构，通过设置高密封组件对驱动板组件所在工作室和电源组件所在工作室进行有效隔温隔离，区别于传统通过穿墙板安装配合的方式，高温隔热层一和高温隔热层二之间通过硅胶层一进行缝隙填充，而相邻的高密封组件之间的缝隙通过硅胶层二有效填充，最大限度的降低结构之间的配合缝隙，从而实现老化测试设备的高密封效果，有效降低驱动板组件所在工作室的热量外溢，降低设备运行是所产生的能耗。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型A-A处结构剖视图；
图3为本实用新型定位框架和高密封组件配合示意图；
图4为图3中B-B处结构剖视图。
图中：1柜体、2驱动板组件、3电源组件、4定位框架、5高密封组件、5.1高温隔热层一、5.2高温隔热层二、5.3硅胶层一、6硅胶层二。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-4所示，本实用新型提供一种技术方案：一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，包括柜体1、驱动板组件2和电源组件3，驱动板组件2和电源组件3分别安装在柜体1的两个工作室内，驱动板组件2和电源组件3所在腔室之间设置有定位框架4，定位框架4的内侧安装有多个用于保温密封的高密封组件5。
高密封组件5包括高温隔热层一5.1和高温隔热层二5.2，隔热层一5.1和高温隔热层二5.2的配合缝隙之间夹设有硅胶层一5.3，相邻的高密封组件5之间夹设有硅胶层二6，高温隔热层一5.1和高温隔热层二5.2均采用保温隔热板制成，硅胶层一5.3与相对应的高温隔热层一5.1和高温隔热层二5.2完全贴合。最大限度的降低结构之间的配合缝隙，降低工作室的热量外散，硅胶层二6与相对应的高密封组件5贴合面完全贴合，降低相邻高密封组件5之间配合安装的缝隙，降低工作室的热量外散，高温隔热层一5.1和高温隔热层二5.2通过螺栓安装定位在定位框架4的内侧。
该文中出现的电器元件均与外界的主控器及220V市电电连接，并且主控器可为计算机等起到控制的常规已知设备。
综上可得，高密封组件5对驱动板组件2所在工作室和电源组件3所在工作室进行有效隔温隔离，高温隔热层一5.1和高温隔热层二5.2之间通过硅胶层一5.3进行缝隙填充，而相邻的高密封组件5之间的缝隙通过硅胶层二6有效填充，最大限度的降低结构之间的配合缝隙。
本实用新型的控制方式是通过控制器来自动控制，控制器的控制电路通过本领域的技术人员简单编程即可实现，电源的提供也属于本领域的公知常识，并且本实用新型主要用来保护机械装置，所以本实用新型不再详细解释控制方式和电路连接。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个引用结构”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，包括柜体、驱动板组件和电源组件，其特征在于：所述驱动板组件和电源组件分别安装在柜体的两个工作室内，驱动板组件和电源组件所在腔室之间设置有定位框架，定位框架的内侧安装有多个用于保温密封的高密封组件；
所述高密封组件包括高温隔热层一和高温隔热层二，隔热层一和高温隔热层二的配合缝隙之间夹设有硅胶层一，相邻的高密封组件之间夹设有硅胶层二。
2.根据权利要求1所述的一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，其特征在于：所述高温隔热层一和高温隔热层二均采用保温隔热板制成。
3.根据权利要求1所述的一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，其特征在于：所述硅胶层一与相对应的高温隔热层一和高温隔热层二完全贴合。
4.根据权利要求1所述的一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，其特征在于：所述硅胶层二与相对应的高密封组件贴合面完全贴合，降低相邻高密封组件之间配合安装的缝隙。
5.根据权利要求1所述的一种用于芯片老化测试系统的高密封机构，其特征在于：所述高温隔热层一和高温隔热层二通过螺栓安装定位在定位框架的内侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321091374.XU CN220019634U (zh) | 2023-05-09 | 2023-05-09 | 一种用于芯片老化测试系统的高密封机构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321091374.XU CN220019634U (zh) | 2023-05-09 | 2023-05-09 | 一种用于芯片老化测试系统的高密封机构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220019634U true CN220019634U (zh) | 2023-11-14 |
Family
ID=88683248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321091374.XU Active CN220019634U (zh) | 2023-05-09 | 2023-05-09 | 一种用于芯片老化测试系统的高密封机构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220019634U (zh) |
-
2023
- 2023-05-09 CN CN202321091374.XU patent/CN220019634U/zh active Active
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