CN219979295U - 一种组合式共轭电抗器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种组合式共轭电抗器，属于电抗器技术领域，包括上铁轭、下铁轭、铁芯和线包；所述上铁轭和下铁轭通过拉紧杆连接，所述线包套接在铁芯的外侧；其特征在于，每个线包分为主线包和副线包两部分；在所述主线包和副线包之间设置有隔离用的隔离层；在所述主线包和副线包的下方设置有风机；其中：所述隔离层包括隔离铁芯和固定夹紧件；所述隔离铁芯由若干个矩形结构的B铁芯片叠加而成的隔离铁芯；所述铁芯包括交替叠放的X型铁芯层和Y型铁芯层；所述主线包设置有与外设连接的主触点；所述副线包设置有与外设连接的副触点。能够在一台电抗器上集成两台电抗器的功能，通过对铁芯片进行优化，能够最大程度地发挥其电磁转换的功能。
Description
技术领域
本实用新型属于电抗器技术领域，具体涉及一种组合式共轭电抗器。
背景技术
目前，电抗器在电路中的应用十分广泛，在电路中，因为存在电磁感应的效果，所以存在一定的电感性，能够起到阻止电流变化的作用。一个导体通电时就会在其所占据的一定空间范围产生磁场，所以，所有能载流的电导体都有一般意义上的感性。然而通电长直导体的电感较小，所产生的磁场不强，因此实际的电抗器是导线绕成螺线管形式，称空心电抗器；有时为了让这只螺线管具有更大的电感，便在螺线管中插入铁心，称铁心电抗器。
传统电抗器主要包括上铁轭、下铁轭和铁芯，在每根铁芯外侧套接有一个完整的线包；所述上铁轭和下铁轭通过拉紧杆连接；但是在光伏储能的工况环境中，为了满足大容量，大波动电能的存储需求，需要同时使用两台电抗器；显然，当使用两台电抗器时，极大地增加了电抗器的占地空间，为此，设计开发一种结构紧凑的组合式共轭电抗器具有重要的意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于满足实际需求，提供一种组合式共轭电抗器，能够在一台电抗器集成两台电抗器的功能，通过对铁芯片进行优化，能够最大程度地发挥其电磁转换的功能。
为实现上述技术目的，本实用新型的目的是提供一种组合式共轭电抗器，包括上铁轭、下铁轭、铁芯和线包；所述上铁轭和下铁轭通过拉紧杆连接，所述线包套接在铁芯的外侧；每个线包分为主线包和副线包两部分；在所述主线包和副线包之间设置有隔离用的隔离层；在所述主线包和副线包的下方设置有风机，其中：所述隔离层包括隔离铁芯和固定夹紧件；所述隔离铁芯由若干个矩形结构的B铁芯片叠加而成的隔离铁芯；所述铁芯包括交替叠放的X型铁芯层和Y型铁芯层；所述主线包设置有与外设连接的主触点；所述副线包设置有与外设连接的副触点。
优选地，每个X型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
优选地，所述上E形部的两块C铁芯片短边拼接于E铁芯片长边两侧；两块C铁芯片的长边分别与F铁芯片拼接；两块F铁芯片通过树脂板与一块A铁芯片拼接；所述E铁芯片的短边与第三块A铁芯片拼接。
优选地，每个Y型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
优选地，所述上E形部的两块E铁芯片长边拼接于D铁芯片短边两侧；两块E铁芯片的短边分别通过树脂板与A铁芯片拼接；所述D铁芯片的长边与A铁芯片的一个短边拼接，所述A铁芯片的另一个短边通过树脂板与第三块A铁芯片拼接。
优选地，所述主线包位于副线包的下方。
与现有技术相比，本申请具有的优点和积极效果是：
上述技术方案中，通过将传统的单一线包分为主线包和副线包两部分；同时在所述主线包和副线包之间设置有隔离用的隔离层；在主线包设置有与外设连接的主触点；所述副线包设置有与外设连接的副触点；进而能够在一台电抗器集成两台电抗器的功能；与传统的两台独立的电抗器相比较，结构更加紧凑，节省占地空间；
上述技术方案中，通过对铁芯片进行优化，能够最大程度地发挥其电磁转换的功能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的主视图；
图2为本实用新型实施例的左视图；
图3为本实用新型实施例中X型铁芯的结构图；
图4为本实用新型实施例中Y型铁芯的结构图。
其中：1、上铁轭；2、铁芯；3、副线包；4、隔离层；5、主线包；6、下铁轭；7、风机；8、树脂板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型创造的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型创造和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型创造的限制。
在本实用新型创造的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型创造中的具体含义。
实施例，如图1至图4所示，本发明提供的一种组合式共轭电抗器，包括位于顶部的上铁轭1、位于底部的下铁轭6、位于上铁轭1和下铁轭6之间的铁芯2和线包；所述上铁轭1和下铁轭6通过拉紧杆连接，拉紧杆为传统的连接技术，因此图示中并未画出，但是并不影响本领域技术人员的理解和方案的实现；所述线包套接在铁芯2的外侧；
为了实现结构紧凑，将每个线包划分为主线包5和副线包3两部分；在所述主线包5和副线包3之间设置有隔离用的隔离层4；由于结构紧凑，集成度高，因此散热问题更加严重，为了提高换热效率，在所述主线包5和副线包3的下方设置有风机7，工作时，通过风机7向上吹动，进而加快热气流的上升效率；其中：所述隔离层4包括隔离铁芯和固定夹紧件；所述隔离铁芯由若干个矩形结构的B铁芯片叠加而成的隔离铁芯；所述铁芯2包括交替叠放的X型铁芯层和Y型铁芯层；所述主线包5设置有与外设连接的主触点；所述副线包3设置有与外设连接的副触点。所述主线包5位于副线包3的下方。主线包5的工作参数为900A，0.18mH；副线包3的工作参数为900A，0.04mH。
如图3所示，每个X型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
所述上E形部的两块C铁芯片短边拼接于E铁芯片长边两侧；两块C铁芯片的长边分别与F铁芯片拼接；两块F铁芯片通过树脂板8与一块A铁芯片拼接；所述E铁芯片的短边与第三块A铁芯片拼接。
如图4所示，每个Y型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
所述上E形部的两块E铁芯片长边拼接于D铁芯片短边两侧；两块E铁芯片的短边分别通过树脂板8与A铁芯片拼接；所述D铁芯片的长边与A铁芯片的一个短边拼接，所述A铁芯片的另一个短边通过树脂板8与第三块A铁芯片拼接。
为了提高安全性能，组合式共轭电抗器组装完成后，需要进行整体真空浸漆工艺。
工作原理：
电抗器的原理是基于电磁感应定律和判断由电磁感应而产生的电动势的方向的楞次定律，感应电流具有这样的方向：即感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化。感应电流的效果总是反抗引起感应电流的原因。其构造主要由线圈和铁芯组成。当通电后，线圈中会产生磁场，随着电流变化，磁场也会随之发生变化，进而感应出自身电动势来抵消外部的电压，从而形成对电路中电流的反抗，这就是电抗器的感性特性。电抗器主要有以下两个作用：a.降低电流：在工业应用中，电抗器可用于限制大电流的诱发和转移，从而避免过高电压、断路以及设备烧毁。b.提高功率因数：电抗器可以通过在电路中串联或并联一个合适的电阻来改善电力系统的质量，增加总体功率因数。
该组合式共轭电抗器主要应用于大型风能、光伏电源之中，这两种新能源电网的电压和电流波动比较大，该组合式共轭电抗器能够根据电网电流电压状况，分别利用主线包和次线包来辅助完成滤波，进而滤除髙次谐波，梳整电压和电流，实现保护设备，为电网输出符合标准电流的目的。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出的是，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种组合式共轭电抗器，包括上铁轭(1)、下铁轭(6)、铁芯(2)和线包；所述上铁轭(1)和下铁轭(6)通过拉紧杆连接，所述线包套接在铁芯(2)的外侧；其特征在于，每个线包分为主线包(5)和副线包(3)两部分；在所述主线包(5)和副线包(3)之间设置有隔离用的隔离层(4)；在所述主线包(5)和副线包(3)的下方设置有风机(7)；其中：所述隔离层(4)包括隔离铁芯和固定夹紧件；所述隔离铁芯由若干个矩形结构的B铁芯片叠加而成的隔离铁芯；所述铁芯(2)包括交替叠放的X型铁芯层和Y型铁芯层；所述主线包(5)设置有与外设连接的主触点；所述副线包(3)设置有与外设连接的副触点。
2.根据权利要求1所述的组合式共轭电抗器，其特征在于，每个X型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块C铁芯片、一块E铁芯片和两块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
3.根据权利要求2所述的组合式共轭电抗器，其特征在于，所述上E形部的两块C铁芯片短边拼接于E铁芯片长边两侧；两块C铁芯片的长边分别与F铁芯片拼接；两块F铁芯片通过树脂板(8)与一块A铁芯片拼接；所述E铁芯片的短边与第三块A铁芯片拼接。
4.根据权利要求1所述的组合式共轭电抗器，其特征在于，每个Y型铁芯层包括由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的上E形部、由三块A铁芯片、两块E铁芯片、一块D铁芯片和一块F铁芯片拼接而成的下E形部；所述上E形部和下E形部的结构相同，所述上E形部和下E形部对称设置于B铁芯片的两侧。
5.根据权利要求4所述的组合式共轭电抗器，其特征在于：所述上E形部的两块E铁芯片长边拼接于D铁芯片短边两侧；两块E铁芯片的短边分别通过树脂板(8)与A铁芯片拼接；所述D铁芯片的长边与A铁芯片的一个短边拼接，所述A铁芯片的另一个短边通过树脂板(8)与第三块A铁芯片拼接。
6.根据权利要求1所述的组合式共轭电抗器，其特征在于：所述主线包(5)位于副线包(3)的下方。
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