CN219819302U - 一种硅单晶片研磨承载台 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种硅单晶片研磨承载台，包括底座支撑架，所述底座支撑架的上侧面倾斜设置有斜撑座，所述斜撑座的水平端设置有横撑支架，倾斜设置所述斜撑座和水平设置有横撑支架构成支撑台架，所述支撑台架的上表面设置有安装底板，所述安装底板上设置有通风导孔，所述安装底板上的通风导孔对应设置有导风罩，所述导风罩的上表面设置有研磨下底板，本申请采用真空吸附的方式抓取硅片，避免了硅片在研磨过程中的直接接触，减少破损与污染，增加研磨精度，具有良好的实用性，本申请采用组合式方式进行装卸硅片，在减少破损风险的同时提高研磨精度，可广泛应用于硅片精密研磨设备，具有较高的使用价值和推广潜力。
Description
技术领域
本申请涉及硅单晶片制造技术领域，具体为一种硅单晶片研磨承载台。
背景技术
在半导体器件制造工艺中，硅单晶片研磨是一道关键工序。为获得高质量的硅片，需使用精密的研磨设备对硅单晶片进行初始研磨。现有的研磨设备中，硅片的放置主要依靠机械夹具或手工完成，这种方式操作复杂，硅片放置位置精度难以保证。特别是大直径硅片放置更为困难，很容易在移动和定位过程中造成硅片的碰撞滑动，进而产生破损。同时，硅片在研磨过程中直接接触研磨转盘及抓取部件，无法保证绝对平整的受力面，也增加了破损的风险。上述问题的根源在于现有设备无法实现对硅片的精密定位、平整支承与限位，特别是大直径硅片的操作难度更大，存在较高的破损风险，这限制了研磨工序的质量与效率。为解决这些问题，亟需一种新的硅片研磨承载装置，能够精密定位硅片，保证研磨过程中的平整支承，同时减少直接接触而引起的破损。
发明内容
本申请要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种硅单晶片研磨承载台，用真空吸附原理固定硅片的方式，可以避免硅片在放置、研磨过程中与其他移动部件的直接接触，大大减少硅片破损与滑动的风险。采用组合式夹具实现高精度的硅片定位，为后续的硅片的抓取提供便利，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种硅单晶片研磨承载台，包括底座支撑架，所述底座支撑架的上侧面倾斜设置有斜撑座，所述斜撑座的水平端设置有横撑支架，倾斜设置的斜撑座和水平设置有横撑支架构成支撑台架，所述支撑台架的上表面设置有安装底板，所述安装底板上设置有导风孔，所述安装底板上的导风孔对应设置有导风罩，所述导风罩的上表面设置有研磨下底板，所述研磨下底板的滑槽内设置有物料放置板，所述物料放置板的圆形凹槽设置有硅片放置座，所述硅片放置座上设置有通风导孔，所述底座支撑架的上表面设置有抽真空系统。
作为本申请的一种优选技术方案，所述硅片放置座的外侧面设置有耳板。
作为本申请的一种优选技术方案，所述研磨下底板和安装底板的边角处之间设置有支撑垫块。
作为本申请的一种优选技术方案，所述底座支撑架上设置有竖撑，所述竖撑的数量为两个，两个竖撑间隔设置。
作为本申请的一种优选技术方案，所述竖撑的两侧设置有抽真空系统，且抽真空系统包括真空泵、安装架和管路组，所述真空泵位于安装架上，其输出端连接有管路组。
作为本申请的一种优选技术方案，所述竖撑之间设置有电控组。
作为本申请的一种优选技术方案，所述底座支撑架包括支撑架和外包覆层，所述外包覆层位于支撑架外侧，所述支撑架由型材构成，且其下表面四周设置有垫撑。
作为本申请的一种优选技术方案，位于相邻通风导孔之间的研磨下底板上设置有定位孔，所述定位孔内套设有导杆。
与现有技术相比：本采用真空吸附的方式抓取硅片，避免了硅片在研磨过程中的直接接触，减少破损与污染，增加研磨精度，具有良好的实用性，本发明采用组合式方式进行装卸硅片，在减少破损风险的同时提高研磨精度，可广泛应用于硅片精密研磨设备，具有较高的使用价值和推广潜力。
附图说明
图1为本申请结构示意图；
图2为本申请主视图；
图3为本申请左视图。
图中：1耳板、2通风导孔、3研磨下底板、4安装底板、5导风罩、6横撑支架、7定位孔、8抽真空系统、9斜撑座、10垫撑、11底座支撑架、12硅片放置座、13物料放置板、14支撑垫块、15竖撑。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例（为描述与理解方便，以下以图2的上方为上方进行描述）。本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1-2，本申请提供一种技术方案：一种硅单晶片研磨承载台，包括底座支撑架11，所述底座支撑架11的上侧面倾斜设置有斜撑座9，所述斜撑座9的水平端设置有横撑支架6，倾斜设置的斜撑座9的水平设置有横撑支架6构成支撑台架。
具体的，底座支撑架11是该设备的基础支撑部件，其上侧面倾斜设置的斜撑座9和横撑支架6组成的支撑台架则是用于支撑、固定相关组件。通过支撑台架的结构，保证以上各部件的稳定性，从而保证了研磨的精准度和稳定性。
所述支撑台架的上表面设置有安装底板4，所述安装底板4上设置有导风孔，所述安装底板4上的导风孔对应设置有导风罩5。
具体的，安装底板4导风孔的目的是将物料放置板13处于负压，将物料放置板13和导风罩5内气流导出，保证其处于负压状态，保证单晶硅片平稳放置在硅片放置座12，而且负压还能对生产中的粉尘颗粒，进行吸附，利用负压作用将产生的粉尘颗粒快速收集和清理。
所述导风罩5的上表面设置有研磨下底板3，所述研磨下底板3的滑槽内设置有物料放置板13，所述物料放置板13的圆形凹槽设置有硅片放置座12，所述硅片放置座12上设置有通风导孔2。
具体的，导风罩5还可以作为支撑待加工硅单晶片的一种底座。物料放置板13设置有多个孔，可以一次加工多个硅单晶片进行批量加工。硅片放置座12用来固定硅单晶片的一种座位。为了保证硅单晶片在加工过程中的温度控制，硅片放置座12上均布有通风导孔2，这样实现硅单晶片与硅片放置座12贴合，保持加工稳定。
所述底座支撑架11的上表面设置有抽真空系统8。
具体的，抽真空系统8能够在硅单晶片与研磨下底板3之间形成真空吸附状态，以确保硅单晶片在加工过程中的稳定性和精度。由于硅单晶片本身具有一定的脆弱性，在加工过程中需要尽可能减少其翘曲或碎裂的风险，因此抽真空系统8中的控制阀体，控制气流的大小，以便能够有效地降低硅单晶片在加工过程中受到的冲击和振动，从而提高加工过程的效率和稳定性。
进一步的，所述通风导孔2的外侧面设置有耳板1。
具体的，耳板1的使用便于与导风罩5相连，保证硅片放置座12和导风罩5之间的密封性。
进一步的，所述研磨下底板3和安装底板4的边角处之间设置有支撑垫块14。
具体的，撑垫块14的作用是为了在加工过程中提供额外的稳定支撑，以确保硅单晶片的精度和平衡性。
进一步的，所述底座支撑架11上设置有竖撑15，所述竖撑15的数量为两个，两个竖撑15间隔设置。
具体的，竖撑15不但提高该装置的稳定性和强度，除此之外，竖撑15还可以起到防止硅单晶片所受的振动和冲击对其造成损坏。保证加工过程的稳定性和精度。
进一步的，所述竖撑15的两侧设置有抽真空系统8，且抽真空系统8包括真空泵、安装架和管路组，所述真空泵位于安装架上，其输出端连接有管路组。
具体的，抽真空系统8的作用是在加工过程中将承载台内部的空气抽出，形成真空环境，以确保硅单晶片与研磨盘之间的紧密贴合，从而提高加工的精度和效率。在真空环境下，硅单晶片与研磨盘之间的接触面积变大，可以有效降低摩擦和表面变形，避免产生不良的摩擦热和划痕等问题。
进一步的，所述竖撑15之间设置有电控组。
进一步的，所述底座支撑架11包括支撑架和外包覆层，所述外包覆层位于支撑架外侧，所述支撑架由型材构成，且其下表面四周设置有垫撑10。
具体的，外包覆层可以采用塑料、金属、橡胶等材料制成，以提高其耐用性和防水性能。垫撑10可以根据需要进行调整，以适应不同的场地和应用环境。保证底座支撑架11的稳定性。
进一步的，位于相邻通风导孔2之间的研磨下底板3上设置有定位孔7，所述定位孔内套设有导杆。
在使用时：将待研磨的硅单晶片放置在硅片放置座12的凹槽内，其厚度高于硅片放置座12的凹槽深度，待研磨的硅单晶片的研磨面裸露在外，将硅片放置座12放置在物料放置板13的通孔内，在外置转运装置下，将物料放置板13穿过定位孔7内的导杆，使硅片放置座12位于导风罩5的正上方，通过紧固件穿过硅片放置座12上的耳板1与和导风罩5进行连接，使两者之间密封，通过紧固件将研磨下底板3和安装底板4进行连接，此时抽真空系统8工作，使硅片放置座12处于负压状态，使硅单晶片附于硅片放置座12的表面，而硅片放置座12的凹槽限制其运动，保证研磨的稳定性，待完成研磨后，将硅片放置座12取出，在外置的顶出装置的作用下，将研磨好的硅单晶片取出。
尽管已经示出和描述了本申请的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本申请的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种硅单晶片研磨承载台，包括底座支撑架（11），所述底座支撑架（11）的上侧面倾斜设置有斜撑座（9），所述斜撑座（9）的水平端设置有横撑支架（6），倾斜设置的斜撑座（9）和水平设置有横撑支架（6）构成支撑台架，其特征在于：所述支撑台架的上表面设置有安装底板（4），所述安装底板（4）上设置有导风孔，所述安装底板（4）上的导风孔对应设置有导风罩（5），所述导风罩（5）的上表面设置有研磨下底板（3），所述研磨下底板（3）的滑槽内设置有物料放置板（13），所述物料放置板（13）的圆形凹槽设置有硅片放置座（12），所述硅片放置座（12）上也设置有通风导孔（2），所述底座支撑架（11）的上表面设置有抽真空系统（8）。
2.根据权利要求1所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述硅片放置座（12）的外侧面设置有耳板（1）。
3.根据权利要求1所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述研磨下底板（3）和安装底板（4）的边角处之间设置有支撑垫块（14）。
4.根据权利要求1所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述底座支撑架（11）上设置有竖撑（15），所述竖撑（15）的数量为两个，两个竖撑（15）间隔设置。
5.根据权利要求4所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述竖撑（15）的两侧设置有抽真空系统（8），且抽真空系统（8）包括真空泵、安装架和管路组，所述真空泵位于安装架上，其输出端连接有管路组。
6.根据权利要求4所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述竖撑（15）之间设置有电控组。
7.根据权利要求1所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：所述底座支撑架（11）包括支撑架和外包覆层，所述外包覆层位于支撑架外侧，所述支撑架由型材构成，且其下表面四周设置有垫撑（10）。
8.根据权利要求1所述的一种硅单晶片研磨承载台，其特征在于：位于相邻通风导孔（2）之间的研磨下底板（3）上设置有定位孔（7），所述定位孔内套设有导杆。
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