CN219752426U - 一种淀积设备高效率保养装置 - Google Patents
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- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 69
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种淀积设备高效率保养装置，属于集成电路制造技术领域。包括底板，所述底板上设有腐蚀盖板，所述腐蚀盖板底部开设凹槽，所述腐蚀盖板边缘支撑于底板上，所述凹槽与底板之间的间隙作为腐蚀腔；所述腐蚀盖板上压设压紧块；所述腐蚀盖板上开设酸瓶孔，所述酸瓶孔内设有加酸瓶，所述加酸瓶出口与腐蚀腔连通，所述加酸瓶内的酸液流入腐蚀腔内并均匀覆盖于底板表面；所述底板上开设氮气孔单元，所述底板下方设有氮气吹扫装置；所述腐蚀盖板上设有排风单元，所述排风单元与腐蚀腔连通，所述排风单元将酸气外排。本申请结构简单，操作便捷，减少了底板腐蚀时间，减少了保养时间，提高了保养效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种淀积设备高效率保养装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。
背景技术
常压化学气相淀积广泛应用于半导体晶圆生产，是半导体晶圆制造的关键设备之一，其原理是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。常压化学气相淀积的特点是反应简单、低温但是淀积速度快，因此产出率并不低。
常压化学气相淀积设备在运行一段时间后腔体底板表面会生成一层二氧化硅结晶，结晶过多会导致底板氮气孔被堵塞，设备膜厚均匀性会随着氮气孔的堵塞程度会逐渐变差，所以需要定期对底板进行清洁、对底板氮气孔进行疏通。通常我们采用自动HF酸清洗腔体底板功能，来减少粉尘结晶的堆积，由于该功能是将HF酸瓶连接氮气管路，通过酸瓶底部的吹扫氮气来进行鼓泡，由氮气鼓泡后挥发出来的酸气通过氮气吹扫装置来对底板进行腐蚀，由于酸气浓度低，导致腐蚀底板时间较长，需要36小时才可腐蚀完成，保养耗时较长，极大的影响了设备的产能。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种淀积设备高效率保养装置，结构简单，操作便捷，减少保养时间，提高保养效率。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种淀积设备高效率保养装置，包括底板，所述底板上设有腐蚀盖板，所述腐蚀盖板底部中心开设凹槽，所述腐蚀盖板边缘支撑于底板上，所述凹槽与底板之间的间隙作为腐蚀腔；所述腐蚀盖板上压设压紧块，所述压紧块对腐蚀盖板具有向下的压力；所述腐蚀盖板上开设酸瓶孔，所述酸瓶孔内设有加酸瓶，所述加酸瓶出口与腐蚀腔连通，所述加酸瓶内的酸液流入腐蚀腔内并均匀覆盖于底板表面；所述底板上开设氮气孔单元，所述底板下方设有氮气吹扫装置，所述氮气吹扫装置吹出的氮气经氮气孔单元流入腐蚀腔，使得底板上的酸液鼓泡，后挥发出来的酸气对底板进行腐蚀；所述腐蚀盖板上设有排风单元，所述排风单元与腐蚀腔连通，所述排风单元将酸气外排。
所述腐蚀盖板底部边缘设有密封圈。
所述排风单元包括排风管道，所述排风管道一端与腐蚀腔连通，所述排风管道另一端设有增压风机，所述排风管道上设有蝶阀。
所述氮气吹扫装置底部设有加热模块。
所述腐蚀盖板为氟龙材质制成件。
所述加酸瓶和排风管道为聚四氟乙烯材质制成件。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：一种淀积设备高效率保养装置，结构简单，操作便捷，减少了底板腐蚀时间，减少了保养时间，提高了保养效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例一种淀积设备高效率保养装置的示意图；
图中1腐蚀盖板、1.1凹槽、2压紧块、3加酸瓶、4排风管道、5底板、6氮气吹扫装置、7加热模块、8密封圈、9氮气孔、10蝶阀、11增压风机。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示，本实施例中的一种淀积设备高效率保养装置，包括底板5，底板5上设有腐蚀盖板1，腐蚀盖板1底部中心开设向内凹陷的凹槽1.1，腐蚀盖板1边缘支撑于底板5上，凹槽1.1与底板5之间的间隙作为腐蚀腔。腐蚀盖板1底部边缘设有密封圈8，当腐蚀盖板1支撑于底板5时，密封圈8对腐蚀腔进行密封。腐蚀盖板1上压设压紧块2，压紧块2对腐蚀盖板1具有向下的压力。腐蚀盖板1上开设酸瓶孔，酸瓶孔内设有加酸瓶3，加酸瓶3出口与腐蚀腔连通，加酸瓶3内的酸液流入腐蚀腔并均匀覆盖于底板5表面。底板5上开设氮气孔单元，底板5下方设有氮气吹扫装置6，氮气吹扫装置6吹出的氮气经氮气孔单元流入腐蚀腔，使得底板5上的酸液鼓泡，后挥发出来的酸气对底板5进行腐蚀、清洗。腐蚀盖板1上设有排风单元，排风单元与腐蚀腔连通，排风单元将腐蚀腔内产生的酸气排出。
上述排风单元包括排风管道4，排风管道4一端与腐蚀腔连通，排风管道4另一端设有增压风机11，排风管道上设有蝶阀10。
氮气吹扫装置6底部设置加热模块7，加热模块7对底板5上残留的酸液进行加热而蒸发成酸气，进而排入排风管道。
氮气孔单元包括若干氮气孔9。
加酸瓶内加入HF酸液，加酸瓶设于酸瓶孔内，打开加酸瓶前端的开关阀门，将HF酸液流入腐蚀腔内，通过设定开关阀门的流量，使得HF酸液均匀覆盖在底板表面。先流入20ml的HF酸液，确保底板有充分的HF酸液浸润，之后再将HF酸液流速调节至1.5-2ml/min，保证底板覆盖的HF酸液不被完全挥发。另外，开启增压风机，通过控制蝶阀的角度，使排风压力达到300Pa，使得腐蚀腔内产生的酸气经排风管道抽走。底板腐蚀2小时后，打开加热模块，设定温度为200°，通过蝶阀的控制，使排风压力提升至500Pa，加热模块的高温将腐蚀腔内残余的酸液全部蒸发成酸气排入排风管道内，完成底板腐蚀。底板腐蚀时间缩短至2小时左右，且底板腐蚀效果跟之前相当，当天就可恢复生产。
针对HF酸液的腐蚀特性，腐蚀盖板使用特氟龙耐高温、耐腐蚀材质，加酸瓶、排风管采用PTFE聚四氟乙烯耐高温、耐腐蚀材质，实现隔离的同时不影响腐蚀效果，避免了设备其他部件被酸气氛腐蚀。本申请结构简单，操作便捷，减少了底板腐蚀时间，减少了保养时间，提高了保养效率。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：包括底板，所述底板上设有腐蚀盖板，所述腐蚀盖板底部中心开设凹槽，所述腐蚀盖板边缘支撑于底板上，所述凹槽与底板之间的间隙作为腐蚀腔；所述腐蚀盖板上压设压紧块，所述压紧块对腐蚀盖板具有向下的压力；所述腐蚀盖板上开设酸瓶孔，所述酸瓶孔内设有加酸瓶，所述加酸瓶出口与腐蚀腔连通，所述加酸瓶内的酸液流入腐蚀腔内并均匀覆盖于底板表面；所述底板上开设氮气孔单元，所述底板下方设有氮气吹扫装置，所述氮气吹扫装置吹出的氮气经氮气孔单元流入腐蚀腔，使得底板上的酸液鼓泡，后挥发出来的酸气对底板进行腐蚀；所述腐蚀盖板上设有排风单元，所述排风单元与腐蚀腔连通，所述排风单元将酸气外排。
2.根据权利要求1所述的一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：所述腐蚀盖板底部边缘设有密封圈。
3.根据权利要求1所述的一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：所述排风单元包括排风管道，所述排风管道一端与腐蚀腔连通，所述排风管道另一端设有增压风机，所述排风管道上设有蝶阀。
4.根据权利要求1所述的一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：所述氮气吹扫装置底部设有加热模块。
5.根据权利要求1所述的一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：所述腐蚀盖板为氟龙材质制成件。
6.根据权利要求3所述的一种淀积设备高效率保养装置，其特征在于：所述加酸瓶和排风管道为聚四氟乙烯材质制成件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320364870.1U CN219752426U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 一种淀积设备高效率保养装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320364870.1U CN219752426U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 一种淀积设备高效率保养装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219752426U true CN219752426U (zh) | 2023-09-26 |
Family
ID=88089962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320364870.1U Active CN219752426U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 一种淀积设备高效率保养装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219752426U (zh) |
-
2023
- 2023-03-02 CN CN202320364870.1U patent/CN219752426U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |