CN219715977U - 车用域控制器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种车用域控制器，其中转换模块包括第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元，第一开关单元与第一处理模块连接，第二开关单元与第二处理模块连接，第三开关单元与第三处理模块连接、第一开关单元和第二开关单元连接；第一开关单元接收第一信号，响应第一信号导通或者关断与第三开关单元之间的电通路；第二开关单元接收第二信号，响应第二信号导通或者关断与第三开关单元之间的电通路；第三开关单元响应第一开关单元、第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，在导通的情况下输出第三处理模块的供电信号。通过本申请解决了车用域控制器内实现电平和逻辑转换的电路成本高的问题，实现了电平和逻辑转换电路成本的降低。

Description

车用域控制器

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别是涉及一种车用域控制器。

背景技术

随着汽车智能化的发展，域控制器的设计越来越复杂，域控制器中需要用到的逻辑芯片也越来越多，而汽车级芯片的供应愈加紧张。目前汽车域控器往往会搭载各种类型的SOC(System on Chip，系统级芯片)联合使用，各SOC需要不同类型的内核供电电平和复杂的上下电时序。

SOC内核电压存在低于SOC其他电源域供电电压的情况，通常SOC其他电源域供电电压又需要SOC内核电压通过逻辑电路后使能，对设计的通用性以及成本提出了挑战。车用域控制器直接采用电平转换芯片和对应的逻辑芯片，实现电平和逻辑转换的电路，存在成本高的问题。

目前针对相关技术中车用域控制器内实现电平和逻辑转换的电路成本高的问题，尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种车用域控制器，以至少解决相关技术中车用域控制器内电平和逻辑转换电路的成本高的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种车用域控制器，包括：转换模块、第一处理模块、第二处理模块和第三处理模块，所述转换模块包括第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元，所述第一开关单元与所述第一处理模块连接，所述第二开关单元与所述第二处理模块连接，所述第三开关单元与所述第三处理模块连接，所述第三开关单元还分别与所述第一开关单元、所述第二开关单元连接；其中，

所述第一开关单元用于接收第一信号，并响应所述第一信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，所述第一信号为所述第一处理模块的供电信号；

所述第二开关单元用于接收第二信号，并响应所述第二信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，所述第二信号为所述第二处理模块的供电信号；

所述第三开关单元能够响应所述第一开关单元、所述第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，并且在导通的情况下，输出所述第三处理模块的供电信号。

在其中一些实施例中，所述第一开关单元响应所述第一信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，包括：

当所述第一信号的电压满足所述第一开关单元的导通条件时，所述第一开关单元置于导通状态；

当所述第一信号的电压不满足所述第一开关单元的导通条件时，所述第一开关单元置于关断状态。

在其中一些实施例中，所述第二开关单元响应所述第二信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，包括：

当所述第二信号的电压满足所述第二开关单元的导通条件时，所述第二开关单元置于导通状态；

当所述第二信号的电压未满足所述第二开关单元的导通条件时，所述第二开关单元置于关断状态。

在其中一些实施例中，所述第三开关单元能够响应所述第一开关单元、所述第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，包括：

当所述第一开关单元和所述第二开关单元中，存在至少一个开关单元的工作状态置于导通状态时，所述第三开关单元置于导通状态；

在所述第一开关单元和所述第二开关单元均置于关断状态的情况下，所述第三开关单元置于关断状态。

在其中一些实施例中，所述第一开关单元包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极用于接收所述第一信号，所述第一晶体管的漏极与所述第三开关单元连接，所述第一晶体管的源极与接地端连接；

所述第二开关单元包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极用于接收所述第二信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三开关单元连接，所述第二晶体管源极与接地端连接；

所述第三开关单元包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极用于输出所述第三处理模块的供电信号。

在其中一些实施例中，所述第一晶体管包括NMOS晶体管，所述第二晶体管包括NMOS晶体管，所述第三晶体管包括PMOS晶体管。

在其中一些实施例中，所述转换模块还包括：第一电阻；其中，所述第一电阻的一端与所述第三晶体管的源极连接，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极连接。

在其中一些实施例中，所述转换模块还包括：第二电阻；其中，所述第二电阻的一端与所述第三晶体管的漏极连接，所述第二电阻的另一端与接地端连接。

在其中一些实施例中，所述车用域控制器还包括：供电模块；其中，所述供电模块与所述转换模块连接，所述供电模块输出信号的电压值等于所述第三处理模块供电信号的电压值。

在其中一些实施例中，所述第一处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，所述第二处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，所述第三处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元。

相比于相关技术，本申请实施例提供的车用域控制器，包括：转换模块、第一处理模块、第二处理模块和第三处理模块，转换模块包括第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元，第一开关单元与第一处理模块连接，第二开关单元与第二处理模块连接，第三开关单元与第三处理模块连接，第三开关单元还分别与第一开关单元、第二开关单元连接；其中，第一开关单元用于接收第一信号，并响应第一信号导通或者关断与第三开关单元之间的电通路，第一信号为第一处理模块的供电信号；第二开关单元用于接收第二信号，并响应第二信号导通或者关断与第三开关单元之间的电通路，第二信号为第二处理模块的供电信号；第三开关单元能够响应第一开关单元、第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，并且在导通的情况下，输出第三处理模块的供电信号，解决了车用域控制器内实现电平和逻辑转换的电路成本高的问题，实现了车用域控制器内，电平和逻辑转换电路成本的降低。

本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是相关技术的电平转换和或门逻辑转化电路图；

图2是本申请一实施例中车用域控制器结构示意图；

图3是本申请一实施例中转换模块和供电模块电路示意图；

图4是本申请一实施例中一种车用域控制器电路示意图。

附图标记：10、第一处理模块；20、第二处理模块；30、转换模块；40、第三处理模块；50、供电模块；31、第一开关单元；32、第二开关单元；33、第三开关单元；Q1、第一晶体管；Q2、第二晶体管；Q3、第三晶体管；R1、第一电阻；R2、第二电阻。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行描述和说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，还可以理解的是，虽然这种开发过程中所作出的努力可能是复杂并且冗长的，然而对于与本申请公开的内容相关的本领域的普通技术人员而言，在本申请揭露的技术内容的基础上进行的一些设计，制造或者生产等变更只是常规的技术手段，不应当理解为本申请公开的内容不充分。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域普通技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例在不冲突的情况下，可以与其它实施例相结合。

除非另作定义，本申请所涉及的技术术语或者科学术语应当为本申请所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请所涉及的“一”、“一个”、“一种”、“该”等类似词语并不表示数量限制，可表示单数或复数。本申请所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含；例如包含了一系列步骤或模块(单元)的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可以还包括没有列出的步骤或单元，或可以还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本申请所涉及的“连接”、“相连”、“耦接”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电气的连接，不管是直接的还是间接的。本申请所涉及的“多个”是指大于或者等于两个。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。本申请所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序。

图1是相关技术中电平转换和或门逻辑转化电路图，在车用域控制器中先采用电平转换芯片再通过逻辑芯片，其中，先通过A端口将0.85V电压信号输入传统电平转换芯片，传统电平转换芯片输出转换后的A端口信号，转换后的A端口信号和B端口输入的3.3V电压信号，通过专用或门芯片SN74LVC1G97-Q1进行或门逻辑运算并输出，实现B端输入电压和A端输入电压的电平转换和或门逻辑转换。但B端输入电压只支持3.3V，支持的高电平电压范围比较窄，电路应用范围小，且采用传统芯片导致电路成本高。

本实施例提供了一种车用域控制器，图2是本申请一实施例中车用域控制器结构示意图，如图2所示，车用域控制器包括：转换模块30、第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40，转换模块30包括第一开关单元31、第二开关单元32和第三开关单元33，第一开关单元31与第一处理模块10连接，第二开关单元32与第二处理模块20连接，第三开关单元33与第三处理模块40连接，第三开关单元33还分别与第一开关单元31、第二开关单元32连接。

车用域控制器搭载各类型SOC联合使用，包括控制车辆某一功能模块的电子电气架构的集合，如：动力域控制器、车身域控制器、底盘域控制器、座舱控制器、自动驾驶域控制器等。转换模块30用于在域控制器内实现电压的逻辑转换和电平转换，解决域控制器内不同供电电平和上下电时序的芯片连接或芯片内不同电源域使能的问题。开关单元通过分离器件响应于电压信号实现电通路的导通和关断。

可选地，处理模块包括SOC芯片中的处理单元或车用域控制器中的芯片，包括：第一处理模块10和第二处理模块20属于SOC芯片内不同的电源域，第三处理模块40是下一级芯片；第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40分别属于SOC芯片内不同的电源域；第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40是车用域控制器中的不同芯片。

其中，第一开关单元31用于接收第一信号，并响应第一信号导通或者关断与第三开关单元33之间的电通路，第一信号为第一处理模块10的供电信号。第一信号为电压信号，可以由第一处理模块10的信号端输入，也可以由第一处理模块10的电源端输入。

第二开关单元32用于接收第二信号，并响应第二信号导通或者关断与第三开关单元33之间的电通路，第二信号为第二处理模块20的供电信号。第二信号为电压信号，可以由第二处理模块20的信号端输入，也可以由第二处理模块20的电源端输入。

第三开关单元33能够响应第一开关单元31、第二开关单元32的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，并且在导通的情况下，输出第三处理模块40的供电信号。第一开关单元31、第二开关单元32响应第一信号和第二信号转换工作状态，第三开关单元33响应第一开关单元31、第二开关单元32的工作状态，实现了逻辑运算和电压电平转换。

本实施例中的车用域控制器中，转换模块30对第一处理模块10、第二处理模块20输入的第一信号和第二信号进行逻辑运算，同时，转换模块30对输入第三处理模块40的信号实现了电平转换，由第三开关单元33输出第三处理模块40所需的电压信号。通过分立元器件替代传统电平转换和逻辑运算芯片，分立元器件的通用性和可选性高，降低了车用域控制器中实现逻辑运算和电平转换的电路成本，并解决了传统芯片输入电压范围有限所导致的高电平电压输入范围窄，适用性差的问题。

在其中一些实施例中，第一开关单元31响应第一信号导通或者关断与第三开关单元33之间的电通路，包括：当第一信号的电压满足第一开关单元31的导通条件时，第一开关单元31置于导通状态；当第一信号的电压不满足第一开关单元31的导通条件时，第一开关单元31置于关断状态。其中，第二开关单元32响应第二信号导通或者关断与第三开关单元33之间的电通路，包括：当第二信号的电压满足第二开关单元32的导通条件时，第二开关单元32置于导通状态；当第二信号的电压未满足第二开关单元32的导通条件时，第二开关单元32置于关断状态。

可选的，开关单元包括晶体管、晶闸管、三极管等用于控制电路通断的元器件。其中，当开关单元为MOS管时，开关单元的导通条件为MOS管的导通条件。

第三开关单元33能够响应第一开关单元31、第二开关单元32的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，包括：当第一开关单元31和第二开关单元32中，存在至少一个开关单元的工作状态置于导通状态时，第三开关单元33置于导通状态；在第一开关单元31和第二开关单元32均置于关断状态的情况下，第三开关单元33置于关断状态。

第三开关单元33响应第一开关单元31和第二开关单元32的工作状态，实现了对第一信号和第二信号的或门逻辑运算。示例性地，当第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40是SOC芯片内的不同电源域时，由于SOC分为很多个区域，每个区域需要不同的电源供电，而各个电源域需要严格按照上电先后顺序，比如A电源域有电或B电源域有电后，C电源域才能供电，因此需要通过转换模块30对A和B的电源实现逻辑运算和电平转换，从而控制C电源域的供电。

在其中一些实施例中，图3本申请实施例的一种转换模块30和供电模块50电路示意图。如图3所示，第一开关单元31包括第一晶体管Q1，第一晶体管Q1是NMOS晶体管，第一晶体管Q1的栅极用于接收第一信号，第一晶体管Q1的漏极与第三开关单元33连接，第一晶体管Q1的源极与接地端连接。当第一信号大于第一晶体管Q1的阈值电压时，第一晶体管Q1的栅极和源极电压差大于第一晶体管Q1的阈值电压时，第一晶体管Q1导通。当第一信号小于第一晶体管Q1的阈值电压时第一晶体管Q1截止，对应的电通路不导通。

第二开关单元32包括第二晶体管Q2，所述第二晶体管Q2是NMOS晶体管，第二晶体管Q2的栅极用于接收第二信号，第二晶体管Q2的漏极与第三开关单元33连接，第二晶体管Q2源极与接地端连接。当第二信号大于第二晶体管Q2的阈值电压时，第二晶体管Q2的栅极和源极电压差大于第二晶体管Q2的阈值电压，第二晶体管Q2导通。当第二信号小于第二晶体管Q2的阈值电压时第二晶体管Q2截止，对应的电通路不导通。

第三开关单元33包括第三晶体管Q3，所述第三晶体管Q3是PMOS晶体管，第三晶体管Q3的栅极与第一晶体管Q1的漏极、第二晶体管Q2的漏极连接，第三晶体管Q3的漏极用于输出第三处理模块40的供电信号。当第一晶体管Q1和第二晶体管Q2中存在一个晶体管处于导通状态时，第三晶体管Q3栅极电压小于第三晶体管Q3源极电压，第三晶体管Q3处于导通状态。当第一晶体管Q1和第二晶体管Q2皆处于截止状态时，第三晶体管Q3栅极电压等于第三晶体管Q3源极电压，第三晶体管Q3处于截止状态，不输出供电信号。

在其中一些实施例中，转换模块30还包括：第一电阻R1；其中，第一电阻R1的一端与第三晶体管Q3的源极连接，第一电阻R1的另一端与第一晶体管Q1的漏极、第二晶体管Q2的漏极连接。其中，转换模块30还包括：第二电阻R2；其中，第二电阻R2的一端与第三晶体管Q3的漏极连接，第二电阻R2的另一端与接地端连接。第一电阻R1和第二电阻R2为限流电阻，用于保护第一开关单元31、第二开关单元32和第三开关单元33中的元器件。可选的，第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值为10k欧姆。

在其中一些实施例中，车用域控制器还包括：供电模块50；其中，供电模块50与转换模块30连接，供电模块50输出信号的电压值等于第三处理模块40供电信号的电压值。供电模块50分别与第一晶体管Q1的漏极、第二晶体管Q2的漏极、第三晶体管Q3的源极连接。

其中，第一处理模块10包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，第二处理模块20包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，第三处理模块40包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元。可选地，第一处理模块10和第二处理模块20是SOC芯片内的不同电源域下的处理单元，第三处理模块40是车用域控制器的下一级芯片，供电模块50输出的电压值等于车用域控制器中SOC的供电电压。或者，第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40是SOC芯片内的不同电源域下的处理单元，供电模块50输出的电压值等于车用域控制器中SOC的供电电压。或者，第一处理模块10、第二处理模块20和第三处理模块40是车用域控制器中的不同芯片，供电模块50输出的电压值等于第三处理模块40所需的电压值。

在其中一些实施例中，图4是本申请一实施例中一种车用域控制器电路示意图，如图4所示，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2选用NMOS管，其中，NMOS管的栅极阈值电压UGS(th)可选0.8V，第三晶体管Q3选用PMOS管，其中，PMOS管的阈值电压UGS(th)可选-1.0V。第一电阻R1和第二电阻R2阻值为10kΩ，供电模块50的输出电压为3.3V。

第一晶体管Q1通过A端口连接第一处理模块10并接收第一信号，第一信号的电压范围为0.8V-3.3V，第二晶体管Q2通过B端口连接第二处理模块20并接收第二信号，第二信号的电压范围为0.8V-3.3V，第三晶体管Q3通过D端口连接第三处理模块40，电路逻辑如下表所示：

当第一信号和第二信号的电压值大于阈值电压UGS(th)0.8V时，A端口和B端口输入为高电平，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2导通，C点为低电平。第三晶体管Q3的栅极和源极电压差UGS等于-3.3V，第三晶体管Q3导通，通过D端口输出3.3V的高电平。

当第一信号电压值大于阈值电压UGS(th)0.8V时，第二信号的电压值小于阈值电压UGS(th)0.8V时，A端口输入为高电平，B端口输入为低电平，第一晶体管Q1导通，第二晶体管Q2截止，C点为低电平。第三晶体管Q3的栅极和源极电压差UGS等于-3.3V，第三晶体管Q3导通，通过D端口输出3.3V的高电平。

当第一信号电压值小于阈值电压UGS(th)0.8V时，第二信号的电压值大于阈值电压UGS(th)0.8V时，A端口输入为低电平，B端口输入为高电平，第一晶体管Q1截止，第二晶体管Q2导通，C点为低电平。第三晶体管Q3的栅极和源极电压差UGS等于-3.3V，第三晶体管Q3导通，通过D端口输出3.3V的高电平。

当第一信号和第二信号的电压值小于阈值电压UGS(th)0.8V时，A端口和B端口输入为低电平，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2截止，C点为高电平。第三晶体管Q3的栅极和源极电压差UGS等于0V，第三晶体管Q3不导通，D端口输出为0V。

可选地，本实施例中车用域控制器中SOC采用TI的TDA4VH芯片，根据TDA4VH芯片电源分配网络的上电时序要求，第一晶体管Q1通过A端口连接第一处理模块10的网络VDD_MCU_0V85，由MCU域提供0.85V的内核电源供电电压。第二晶体管Q2通过B端口连接第二处理模块20的网络EN_GPIO_RET_3V3，由MCU域Retention区域的GPIO端口使能，提供3.3V电压。第三晶体管Q3通过D端口连接第三处理模块40的网络VDD_MCU_GPIORET_0V8，由MCU域Retention区域提供0.8V电压。第一处理模块10中的网络VDD_MCU_0V85和第二处理模块20的网络EN_GPIO_RET_3V3需要通过转换模块30，实现或门逻辑运算和电平转换，控制第三处理模块40的网络VDD_MCU_GPIORET_0V8。本实施例的车用域控制器中，省去电平转换芯片和逻辑或门芯片，直接用分立元器件搭建实现电平和逻辑转换，元器件可选性较多且能够降低成本。同时，利用对应型号MOS栅极低导通门限值得特点，或门逻辑实现时的高电平支持0.8～3.3V宽电压输入，扩大了高电平电压范围。

本领域的技术人员应该明白，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种车用域控制器，其特征在于，包括：转换模块、第一处理模块、第二处理模块和第三处理模块，所述转换模块包括第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元，所述第一开关单元与所述第一处理模块连接，所述第二开关单元与所述第二处理模块连接，所述第三开关单元与所述第三处理模块连接，所述第三开关单元还分别与所述第一开关单元、所述第二开关单元连接；其中，

所述第一开关单元用于接收第一信号，并响应所述第一信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，所述第一信号为所述第一处理模块的供电信号；

所述第二开关单元用于接收第二信号，并响应所述第二信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，所述第二信号为所述第二处理模块的供电信号；

所述第三开关单元能够响应所述第一开关单元、所述第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，并且在导通的情况下，输出所述第三处理模块的供电信号。

2.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述第一开关单元响应所述第一信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，包括：

当所述第一信号的电压满足所述第一开关单元的导通条件时，所述第一开关单元置于导通状态；

当所述第一信号的电压不满足所述第一开关单元的导通条件时，所述第一开关单元置于关断状态。

3.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述第二开关单元响应所述第二信号导通或者关断与所述第三开关单元之间的电通路，包括：

当所述第二信号的电压满足所述第二开关单元的导通条件时，所述第二开关单元置于导通状态；

当所述第二信号的电压未满足所述第二开关单元的导通条件时，所述第二开关单元置于关断状态。

4.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述第三开关单元能够响应所述第一开关单元、所述第二开关单元的工作状态，将自身置为导通或者关断状态，包括：

当所述第一开关单元和所述第二开关单元中，存在至少一个开关单元的工作状态置于导通状态时，所述第三开关单元置于导通状态；

在所述第一开关单元和所述第二开关单元均置于关断状态的情况下，所述第三开关单元置于关断状态。

5.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述第一开关单元包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极用于接收所述第一信号，所述第一晶体管的漏极与所述第三开关单元连接，所述第一晶体管的源极与接地端连接；

所述第二开关单元包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极用于接收所述第二信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三开关单元连接，所述第二晶体管源极与接地端连接；

所述第三开关单元包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极用于输出所述第三处理模块的供电信号。

6.根据权利要求5所述的车用域控制器，其特征在于，所述第一晶体管包括NMOS晶体管，所述第二晶体管包括NMOS晶体管，所述第三晶体管包括PMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的车用域控制器，其特征在于，所述转换模块还包括：第一电阻；其中，所述第一电阻的一端与所述第三晶体管的源极连接，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极连接。

8.根据权利要求6所述的车用域控制器，其特征在于，所述转换模块还包括：第二电阻；其中，所述第二电阻的一端与所述第三晶体管的漏极连接，所述第二电阻的另一端与接地端连接。

9.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述车用域控制器还包括：供电模块；其中，所述供电模块与所述转换模块连接，所述供电模块输出信号的电压值等于所述第三处理模块供电信号的电压值。

10.根据权利要求1所述的车用域控制器，其特征在于，所述第一处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，所述第二处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元，所述第三处理模块包括域控制器芯片或芯片内部的处理单元。