CN219657732U - 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具 - Google Patents

一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具 Download PDF

Info

Publication number
CN219657732U
CN219657732U CN202321189291.4U CN202321189291U CN219657732U CN 219657732 U CN219657732 U CN 219657732U CN 202321189291 U CN202321189291 U CN 202321189291U CN 219657732 U CN219657732 U CN 219657732U
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
carbide mos
htgb
clamp
aging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321189291.4U
Other languages
English (en)
Inventor
杨敏红
史元斌
童彤
卞伟伟
刘韵吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sangdest Microelectronics Nanjing Co ltd
Original Assignee
Sangdest Microelectronics Nanjing Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sangdest Microelectronics Nanjing Co ltd filed Critical Sangdest Microelectronics Nanjing Co ltd
Priority to CN202321189291.4U priority Critical patent/CN219657732U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN219657732U publication Critical patent/CN219657732U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/30Nuclear fission reactors

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端正好满足两种碳化硅MOS器件管脚对应输入与输出的插入尺寸。

Description

一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具
技术领域
本实用新型涉及芯片生产技术领域,尤其涉及一种碳化硅MOS器件测试与HTGB老化多用途夹具。
背景技术
芯片的生产未端周期,需要将芯片封装后的器件固定在夹具中进行测试及老化(施加工作电压与电流),现有器件测试用夹具功能单一,导致一个器件夹具仅能适应一个型号的器件,当生产者有多种需要生产的器件时,需要备用多套夹具,从而增加器件测试及老化夹具的投入成本。
随着半导体功率器件国产化趋势的显现以及下游应用领域需求增长的拉升,我国半导体功率器件行业蕴含着巨大的发展契机,尤其在新能源(汽车、光伏、工控)、新材料、生物、高端装备制造、智能电网、轨道交通、风力发电、新一代的信息技术等产业的发展,都离不开半导体功率器件的支撑。以碳化硅器件、晶闸管、MOS、IGBT、第三代半导体器件为核心的半导体功率器件更是发展迅速。
为了保证产品的耐久性能,也就是产品使用的寿命。半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验,以确保产品的长期耐久性能。如HTRB-高温高压反偏测试,HTGB-高温栅偏测试,H3TRB-高温高湿反偏测试,HV-H3TRB高压高温高湿反偏测试,PC-功率循环测试等。
其中对碳化硅TO-247-3和TO-247-4器件封装的MOS器件产品,可靠性试验需要进行一项HTGB-高温栅偏测试,那么测试以及老化实验不可避免用到针对各种封装的专用夹具,以下便是对于各类夹具使用成本低的优化法案。
CN2020205434313涉及一种芯片测试用夹具,包括底板,所述底板上端面的一侧通过螺钉安装固定有第一直角卡块,底板的一侧开设有通槽,且通槽内滑动配合有滑块,滑块的上端面焊接有第二直角卡块,滑块的下端面焊接有第一固定块,底板下端面的中部焊接有第二固定块,第一固定块的一侧与第二固定块的一侧之间安装固定有弹簧。是一种机械辅助电连接的结构,但对产品的电路老化并无作用。
实用新型内容
本实用新型的目的是,为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种两种碳化硅MOS器件测试与老化用夹具。尤其是为了降低碳化硅成品测试夹具以及HTGB老化实验中老化测试板的使用成本,将原来用于TO-247-3和TO-247-4的测试夹具以及老化测试板(夹具)进行优化,使得新的夹具和老化板可以同时满足两种封装的老化测试需求,从而降低后期的使用成本。
本实用新型采用了如下技术方案:一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端正好满足两种碳化硅MOS器件管脚(电极)对应输入与输出的插入尺寸。
两种碳化硅MOS器件(TO-247-3和TO-247-4)的管脚(电极)对应输入与输出的插入尺寸:两种碳化硅MOS器件电压输入端管脚相同,所述两种碳化硅MOS器件的信号输出端管脚分别为甲乙和乙丙两种;乙为公共的一端,本实用新型碳化硅MOS器件的信号输出端管脚则为甲乙丙三个管脚,则两种碳化硅MOS器件(TO-247-3和TO-247-4)均可以插入本实用新型底板,由电压输入端与输出端均可以提供给二种碳化硅MOS器件。甲乙和乙丙两种输出端的器件均接到输出端处理及显示电路,即均能应用于本实用新型。
本实用新型的有益效果是:本实用新型中,通过在此碳化硅MOS器件测试用夹具底板中设置多个测试单元,同时具有电压输入端与输出端,均可以提供给二种碳化硅MOS器件使用,可以更加便捷的应用于两种碳化硅MOS器件,相对降低了同时需要两种碳化硅MOS器件夹具的生产成本,提高了生产效率。
附图说明
图1为现有技术第一种碳化硅MOS器件测试用夹具电连接结构示意图;
图2为现有技术第二种碳化硅MOS器件测试用夹具电连接结构示意图;
图3为本实用新型提出的一种碳化硅MOS器件测试用夹具电连接结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参照图1-3电路图:一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,电连接端的插座可以采用镀金的弹簧接线端子,底板上具有电路输入输出再并联连接到各个单元,每个单元的电压输入端可以串联接一只10K的电阻。夹具可同时满足TO-247-3和TO-247-4两种碳化硅MOS器件的封装需求,并且在电路中额外增设一只电阻,在电路中起到限流的作用,进一步保护碳化硅MOS器件和测试夹具。本实用新型的主要结构同通常的测试座或老化测试座、各单元均采用弹片微针模组。
本实施例中,碳化硅MOS器件测试用夹具在使用时,操作者先将底板1连接好输入输出电路,待测碳化硅MOS器件插入单元的各个相应的管脚,在输出端电路处理及显示碳化硅MOS器件的状态,或者通电一段时间用于老化器件。碳化硅MOS器件的HTGB老化实验测试老化结束后,取出测试后的碳化硅MOS器件。本申请实施例是关于碳化硅MOS器件产品TO-247-3以及TO-247-4封装测试夹具和HTGB实验老化板的优化方案。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,其特征是,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端满足两种碳化硅二极管管脚对应输入与输出的插入尺寸。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,其特征是,每个单元的电压输入端串联接一只10K的电阻,并将三个信号输出端用引线连接。
CN202321189291.4U 2023-05-17 2023-05-17 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具 Active CN219657732U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321189291.4U CN219657732U (zh) 2023-05-17 2023-05-17 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321189291.4U CN219657732U (zh) 2023-05-17 2023-05-17 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN219657732U true CN219657732U (zh) 2023-09-08

Family

ID=87854535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321189291.4U Active CN219657732U (zh) 2023-05-17 2023-05-17 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN219657732U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106771987B (zh) 一种基于子母板的集成电路芯片老化测试装置及测试方法
CN101769964A (zh) 测试封装后的场效应管的导通电阻的方法、装置及系统
Kaplar et al. PV inverter performance and reliability: What is the role of the IGBT?
CN102253324B (zh) 一种mos器件热载流子效应的测试结构及测试方法
CN215833546U (zh) 一种半导体功率模块转接测试结构
CN101315410B (zh) 半导体元件的预烧测试装置
CN202548256U (zh) 短路测试装置
CN219657732U (zh) 一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具
CN205049602U (zh) 一种双面引脚阵列半导体芯片测试治具
CN105277863A (zh) 一种功率放大器老化装置
CN215493906U (zh) 一种用于ipm模块高温工作寿命试验的老化板
CN208638330U (zh) 一种光伏组件iv测试工装
CN201732104U (zh) 测试插板
CN208953650U (zh) 一种防呆的变压器耐压测试装置
CN204347160U (zh) 一种电子产品电性能测试装置
CN217360120U (zh) 一种高电压高温老炼工装
CN116804720A (zh) 适用于ddr5 sdram dimm插槽的检测系统及其方法
CN201392349Y (zh) 贴片式电阻老化试验夹具
CN210182075U (zh) 一种内存条电源电路的短路测试装置
CN107332512B (zh) 一种太阳电池组件测试装置以及方法
CN111208377A (zh) 一种光伏优化器校验装置及其工作方法
CN211905552U (zh) 一种光伏优化器校验装置
CN217385742U (zh) 一种lt1x63系列的集成电路芯片的老炼板
CN219957663U (zh) 一种插拔模块
CN217085118U (zh) 新型老化板

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant