CN219534519U - 一种用于氮化铝半导体的散热封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，包括装置本体，所述装置本体的左右两侧均设置有散热组件，所述散热组件包括嵌入设置在装置本体内侧壁的制冷芯片和位于装置本体外侧壁的风扇，所述装置本体的内侧壁安装有多个与制冷芯片连通的扩散板，使制冷芯片工作，并启动风扇，使左右两侧的风扇相对吹风，进而可将制冷芯片的冷气吹向装置本体内，降低装置本体内部的温度，且同时实现对氧化铝半导体的散热封装，通过多个扩散板可增大冷风的扩散面积，使氧化铝半导体以及装置本体内部快速冷却，通过导热板吸收装置本体内的热量，并将热量传递给多个散热翅片，且因散热翅片位于外部与空气接触，从而提高散热效率以及生产速度。
Description
技术领域
本实用新型涉及氮化铝半导体生产技术领域，具体为一种用于氮化铝半导体的散热封装结构。
背景技术
氧化铝是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，是在高温下可电离的离子晶体，常用于制造耐火材料，同时氧化铝也适用于半导体工业领域，在半导体生产工艺中，晶圆清洗工艺对电子工业，尤其是半导体工业极其重要。
随着经济水平的不断提高，半导体得到了广泛的应用，半导体是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，其可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换，在半导体器件生产的过程中，需要对其进行封装，氧化铝半导体封装结构包括机架、放置板、封装模具以及散热板，放置板、封装模具以及散热板均安装在机架内部，且封装模具位于放置板的上方，因此在对氧化铝半导体进行散热封装时，仅仅依靠单一的散热板散热，达不到高效率的散热。
目前氧化铝半导体封装结构在使用的过程中大多通过简单的散热结构实现散热封装，导致散热效果差，并且因散热结构无法与外部空气接触，降低了散热效率，因此有必要提出一种用于氮化铝半导体的散热封装结构来解决上述提出的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，具有使氧化铝半导体以及装置本体内部快速冷却，以及增强散热性能，从而提高散热效率以及生产速度的特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，包括装置本体，所述装置本体的内部安装有封装腔，所述封装腔的上端面安装有基板，所述装置本体的左右两侧均设置有散热组件；
所述散热组件包括嵌入设置在装置本体内侧壁的制冷芯片和位于装置本体外侧壁的风扇，所述装置本体的内侧壁安装有多个与制冷芯片连通的扩散板；
所述装置本体内侧的顶部安装有导热板，所述导热板的上端面安装有多个均匀分布且延伸至装置本体上方的散热翅片。
为了辅助散热组件散热，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述装置本体内部的下端面安装有位于封装腔下端面的吸热板，所述装置本体的下端面开设有储水腔。
为了提高散热效率，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述封装腔的内部嵌入设置有多个与封装腔外形相匹配的冷却管，且封装腔上端面的左右两侧均安装有与多个冷却管连通的进液口。
为了实现封装工作，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述装置本体的上端面安装有气缸，所述气缸的输出端贯穿装置本体的上端面并延伸至装置本体的内部且安装有封装模具。
为了向储水腔内部加水或排水，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述装置本体的左侧安装有与储水腔连通的连接管。
为了控制散热组件和气缸正常工作，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述装置本体的右侧上方安装有控制器，所述散热组件和气缸均与控制器电性连接。
为了将需要封装的氧化铝半导体放入或拿出，作为本实用新型的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构优选的，所述装置本体的前端面铰接有箱门。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型首先使制冷芯片工作，并启动风扇，使左右两侧的风扇相对吹风，进而可将制冷芯片的冷气吹向装置本体内，降低装置本体内部的温度，且同时实现对氧化铝半导体的散热封装，通过多个扩散板可增大冷风的扩散面积，使氧化铝半导体以及装置本体内部快速冷却，通过导热板吸收装置本体内的热量，并将热量传递给多个散热翅片，且因散热翅片位于装置本体的外部与空气接触，可增强散热性能，从而提高散热效率以及生产速度。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构图；
图2为本实用新型的整体结构剖视结构图；
图3为本实用新型的封装腔立体结构图。
图中：1、装置本体；2、封装腔；201、冷却管；202、基板；3、散热组件；301、风扇；302、制冷芯片；303、扩散板；4、导热板；401、散热翅片；5、气缸；501、封装模具；6、吸热板；601、储水腔；602、连接管；7、控制器。
具体实施方式
请参阅图1至图3，一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，包括装置本体1，装置本体1的内部安装有封装腔2，封装腔2的上端面安装有基板202，装置本体1的左右两侧均设置有散热组件3；
散热组件3包括嵌入设置在装置本体1内侧壁的制冷芯片302和位于装置本体1外侧壁的风扇301，装置本体1的内侧壁安装有多个与制冷芯片302连通的扩散板303；
装置本体1内侧的顶部安装有导热板4，导热板4的上端面安装有多个均匀分布且延伸至装置本体1上方的散热翅片401。
本实施例中：将需要封装的氧化铝半导体放置在基板202的上端面，同时两个制冷芯片302工作，并启动风扇301，使左右两侧的风扇301相对吹风，进而可将制冷芯片302的冷气吹向装置本体1内，降低装置本体1内部的温度，且同时实现对氧化铝半导体的散热封装，通过多个扩散板303可增大冷风的扩散面积，使氧化铝半导体以及装置本体1内部快速冷却，通过导热板4吸收装置本体1内的热量，并将热量传递给多个散热翅片401，且因散热翅片401位于装置本体1的外部与空气接触，可增强散热性能，从而提高散热效率以及生产速度。
作为本实用新型的一种技术优化方案，装置本体1内部的下端面安装有位于封装腔2下端面的吸热板6，装置本体1的下端面开设有储水腔601。
本实施例中：将水由连接管602通入储水腔601内，同时使吸热板6吸收封装腔2表面以及装置本体1内部的热量，并将热量传递给储水腔601内的水，使水与吸热板6热交换，进而可辅助散热组件3散热，从而提高散热封装的效率。
作为本实用新型的一种技术优化方案，封装腔2的内部嵌入设置有多个与封装腔2外形相匹配的冷却管201，且封装腔2上端面的左右两侧均安装有与多个冷却管201连通的进液口。
本实施例中：将冷却液由多个进液口输送至与其相匹配的冷却管201内，促使冷却液在冷却管201内部流动，从而可对封装腔2上端面放置的氧化铝半导体进行冷却散热，从而可进一步提高散热效率。
作为本实用新型的一种技术优化方案，装置本体1的上端面安装有气缸5，气缸5的输出端贯穿装置本体1的上端面并延伸至装置本体1的内部且安装有封装模具501。
本实施例中：通过启动气缸5，使气缸5推动封装模具501下移，促使封装模具501与基板202上的半导体接触，从而实现封装工作。
作为本实用新型的一种技术优化方案，装置本体1的左侧安装有与储水腔601连通的连接管602。
本实施例中：通过连接管602以便于向储水腔601内部加水或排水，从而使储水腔601正常工作。
作为本实用新型的一种技术优化方案，装置本体1的右侧上方安装有控制器7，散热组件3和气缸5均与控制器7电性连接。
本实施例中：通过控制器7可控制散热组件3和气缸5正常工作。
作为本实用新型的一种技术优化方案，装置本体1的前端面铰接有箱门。
本实施例中：通过打开箱门可将需要封装的氧化铝半导体放入或拿出装置本体1。
工作原理：首先将需要封装的氧化铝半导体放置在基板202的上端面，使冷却液在冷却管201内部流动，接着启动气缸5，使气缸5推动封装模具501下移，促使封装模具501与基板202上的半导体接触，实现封装工作，同时两个制冷芯片302工作，并启动风扇301，使左右两侧的风扇301相对吹风，进而可将制冷芯片302的冷气吹向装置本体1内，通过多个扩散板303可增大冷风的扩散面积，其次导热板4吸收装置本体1内的热量，并将热量传递给多个散热翅片401，可提高散热性能，并通过连接管602以便于向储水腔601内部加水，使吸热板6吸收封装腔2表面以及装置本体1内部的热量，并将热量传递给储水腔601内的水，使水与吸热板6热交换，进而可辅助散热组件3散热。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，包括装置本体(1)，其特征在于：所述装置本体(1)的内部安装有封装腔(2)，所述封装腔(2)的上端面安装有基板(202)，所述装置本体(1)的左右两侧均设置有散热组件(3)；
所述散热组件(3)包括嵌入设置在装置本体(1)内侧壁的制冷芯片(302)和位于装置本体(1)外侧壁的风扇(301)，所述装置本体(1)的内侧壁安装有多个与制冷芯片(302)连通的扩散板(303)；
所述装置本体(1)内侧的顶部安装有导热板(4)，所述导热板(4)的上端面安装有多个均匀分布且延伸至装置本体(1)上方的散热翅片(401)。
2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述装置本体(1)内部的下端面安装有位于封装腔(2)下端面的吸热板(6)，所述装置本体(1)的下端面开设有储水腔(601)。
3.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述封装腔(2)的内部嵌入设置有多个与封装腔(2)外形相匹配的冷却管(201)，且封装腔(2)上端面的左右两侧均安装有与多个冷却管(201)连通的进液口。
4.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述装置本体(1)的上端面安装有气缸(5)，所述气缸(5)的输出端贯穿装置本体(1)的上端面并延伸至装置本体(1)的内部且安装有封装模具(501)。
5.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述装置本体(1)的左侧安装有与储水腔(601)连通的连接管(602)。
6.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述装置本体(1)的右侧上方安装有控制器(7)，所述散热组件(3)和气缸(5)均与控制器(7)电性连接。
7.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝半导体的散热封装结构，其特征在于：所述装置本体(1)的前端面铰接有箱门。
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Denomination of utility model: A heat dissipation packaging structure for aluminum nitride semiconductors Granted publication date: 20230815 Pledgee: Bank of Jiangsu Co.,Ltd. Nantong Branch Pledgor: Jinci Xinzhi Technology Development (Nantong) Co.,Ltd. Registration number: Y2024980011028 |
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