CN2195131Y - 直流运行交流电磁铁 - Google Patents

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Abstract

一种直流运行交流电磁铁，具有衔铁、铁芯、骨架 和电路板，电路板与骨架连接固定，线圈与电路板连 接，其电路由整流电路、开关电路、电容式降压电路、 触发电路组成。本实用新型制作容易、成本低、体积 小、无噪声、能耗少、温升低、运行可靠。

Description

本实用新型涉及电学领域的基本电器元件，特别是一种低压电器的直流运行交流电磁铁。
交流电磁铁在现代工业和其他各个领域应用十分广泛，但它存在噪声大、耗电多、温升高、易烧损、工作稳定性差的缺点，中国专利92217007.X提供了一种低耗、低温、无声运行的交流电磁铁，它的线圈由起动绕组和运行绕组组成，工作在整流电路和延时无触点开关电路提供的直流状态下，具有无噪声、温升低、耗电少等突出优点，但运行线圈绕组线径小，制造困难，耗铜线多，成本高，同时双线圈绕制造成体积庞大、笨重。
本实用新型之目的旨在提供一种制作容易、成本低、体积小、无噪声、能耗少、运行可靠、温度低的直流运行交流电磁铁。
本实用新型的技术解决方案是：这种直流运行交流电磁铁具有衔铁、铁芯、骨架和电路板，电路板与骨架连接固定，其线圈与电路板联结后的电路结构为：线圈并联在整流电路输出两端，整流电路的一个输入端与电源线之间连接有开关电路、电容式降压电路、触发电路。
图1为本实用新型结构外形图；
图2为本实用新型电原理图；
图3为本实用新型电路图。
下面结合附图对本实用新型的技术方案作进一步的具体说明：
如图1所示，本实用新型具有衔铁1、铁芯2、骨架3、线圈L、电路板4，线圈L绕制在骨架3上，电路板4与线圈L连接后的电路结构如图2所示，由整流电路5、线圈L、电容式降压电路6、触发电路7、开关电路8组成，线圈L并联在整流电路与输出两端，整流电路的一个输入端与电源输入线之间接有开关电路8、电容式降压电路6、触发电路7，起动时，由开关电路8导通，运行时，由电容式降压电路6维持。
本实用新型其具体电路如图3所示，整流电路5由二极管D1、D2、D3、D4构成，电容式降压电路6由C1、R2、D5构成，触发电路7由集成电路NE555及D6、D7、N、C2、C3、C4、R3构成，开关电路8由双向可控硅Q1、Q2和电阻R1构成，本实用新型其电路连接关系如图3所示，整流电路（D1－D4）的两个输入端，其中有一个与交流输入线之间接有可控硅Q1、Q2、电容式降压电路C1、R2、D5以及与D5、R2连接的触发电路7（以时基电路NE555为主构成），触发电路7通过二极管D7连接至可控硅Q1的控制极。
工作过程：当交变电流的一个半波经D2、L、D3、C1、R2、D6对C2充电，使IC得到工作电压并输出触发信号经D7施加于Q1的控制极使之导通，由于Q1的导通致使Q2的控制极亦被触发导通，于是电流经D2、L、D3、Q2形成回路，当下一个半波到来时，由于C2的放电，Q1、Q2仍被导通，使电流经D2、D4、L、D1形成回路，上述情况L是处于高电压，大电流的条件下工作，能产生足够大的吸引力，使电磁铁完成“启动”动作，随着C3的不断充电，其对IC施加的电位不断升高直致额定电压时，使IC给Q1的触发中止，Q1、Q2关断，此时电磁铁亦完成了“起动”过程进入“运行”阶段，在“运行”阶段，交变电流的一半波经C2、L、D3、C1、R2、D6、W、C2形成回路，下一半波经D5、R2、C1、D4、L、D1形成回路，使电磁铁处于维持“运行”工作状态。
本实用新型在“运行”阶段由C1、R2的降压作用，使电磁铁线圈处于低电压，小电流的条件下工作，因而能耗低，温升小，同时由于采用一个线圈完成“起动”“运行”两个工作阶段，因而极大地降低了成本，减轻了体积和重量，制作容易，采用直流运行，避免了噪声、吸力大、工作稳定可靠。

Claims (5)

1、一种直流运行交流电磁铁，具有衔铁(1)、铁芯(2)、骨架(3)和线圈(L)，其特征在于还具有电路板(4)，电路板(4)与骨架(3)连接固定，线圈(L)与电路板(4)连结后的电路结构为，线圈(L)并联在整流电路(5)输出两端，整流电路(5)的一个输入端与电源之间连接有开关电路(8)、电容式降压电路(6)、触发电路(7)。
2、根据权利要求1所述的直流运行交流电磁铁，其特征在于电容式降压电路（6）由C1、R2、D5构成。
3、根据权利要求1所述的直流运行交流电磁铁，其特征在于开关电路（8）由双向可控硅（Q1、Q2）和电阻（R1）构成。
4、根据权利要求1或2或3所述的直流运行交流电磁铁，其特征在于整流电路（D1－D4）的两个输入端其中有一个与交流电源输入线之间接有可控硅Q1、Q2、电容式降压电路（C1、R2、D5）以及与D5、R2连接的触发电路（7）。
5、根据权利要求1或2或3所述的直流运行交流电磁铁，其特征在于触发电路（7）通过二极管（D7）连接至可控硅（D1）的控制极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101458987B (zh) * 2007-12-11 2011-05-04 英业达股份有限公司 电感装置及其制造方法

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