CN219496607U - 电池组的电芯电压采集电路及电池管理系统 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种电池组的电芯电压采集电路及电池管理系统。一个实施例的电芯电压采集电路，采集电池组的第一节电芯的电压，包括：运算放大器，运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，运算放大器的输出端与第二输入端连接；第一NMOS晶体管，第一NMOS晶体管作为第一开关，并且通过第一电阻连接至第一节电芯的正端，第一NMOS晶体管连接至运算放大器的第一输入端；以及第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管作为第二开关，并且通过第二电阻连接至第一节电芯的负端，第二NMOS晶体管连接至运算放大器的第一输入端。

Description

电池组的电芯电压采集电路及电池管理系统

技术领域

本公开涉及一种电池组的电芯电压采集电路及电池管理系统。

背景技术

电池组通常由多个电芯串联而成，串联的电芯可以进行充电和放电。在电池组的使用过程中，需要对每个电芯进行检测，以了解每个电芯的工作状态。例如需要对每个电芯的电压进行测量等。

目前在对每个电芯的电压进行测量的过程中，有的方式针对每个电芯采用相同的测量电路。但是，电池组正端的电芯的电压可能高达上百伏，因此在测量电路中需要使用耐高压器件，这样会增加测量成本。也可以采用同一测量电路来测量两个电芯，例如在专利文献一公开了一种电芯电压采集电路、动力电池包和车辆。

专利文献一：中国实用新型专利CN212932761U

实用新型内容

为了解决上述技术问题之一，本公开提供了一种电池组的电芯电压采集电路及电池管理系统。

根据本公开的一个方面，提供了一种电池组的电芯电压采集电路，所述电芯电压采集电路用于采集所述电池组的第一节电芯的电压，包括：

运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述运算放大器的输出端与所述第二输入端连接；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管作为第一开关，并且通过第一电阻连接至所述第一节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端；以及

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管作为第二开关，并且通过第二电阻连接至所述第一节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端。

根据本公开的一个方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，所述第一NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻连接至所述第一节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接并且与所述运算放大器的第一输入端连接，并且所述第二NMOS晶体管的源极经由第二电阻连接所述第一节电芯的负端。

根据本公开的一个方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，还包括保护NMOS晶体管，所述保护NMOS晶体管的漏极连接所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极，所述保护NMOS晶体管的栅极和源极接地。

根据本公开的一个方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，还包括第一保护二极管，所述第一保护二极管的正极接地并且负极连接所述第一NMOS晶体管的漏极。

根据本公开的一个方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，还包括第三保护二极管，所述第三保护二极管的正极连接所述第一节电芯的负端并且负极连接所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极。

根据本公开的第二方面，提供了一种电池组的电芯电压采集电路，所述电芯电压采集电路用于采集所述电池组的第二节电芯的电压，包括：

运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管作为第一开关，并且通过第一电阻连接至所述第二节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管作为第二开关，并且通过第二电阻连接至所述第二节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第二输入端；

第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管作为第三开关，并且与第三电阻构成串联电路，所述串联电路连接至所述运算放大器的输出端与第二输入端之间；以及

第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管作为第四开关，并且与第四电阻构成串联电路，以串联在所述运算放大器的第一输入端和地之间。

根据本公开的第二方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，所述第一NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻连接所述第二节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管的源极连接所述运算放大器的第一输入端，

所述第二NMOS晶体管的漏极经由第二电阻连接至所述第二节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管的源极连接至所述运算放大器的第二输入端，所述第三NMOS晶体管的漏极经由第三电阻连接至所述运算放大器的输出端，

所述第三NMOS晶体管的源极连接至所述运算放大器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管接收控制信号以便导通或断开，

所述第四NMOS晶体管的漏极连接所述运算放大器的第一输入端，所述第四NMOS晶体管的源极经由第四电阻接地。

根据本公开的第二方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，还包括第一保护NMOS晶体管，所述第一保护NMOS晶体管的漏极连接所述控制信号，栅极和源极接地。

根据本公开的第二方面的至少一个实施方式的电芯电压采集电路，还包括第二保护NMOS晶体管，所述第二保护NMOS晶体管的漏极连接所述第二NMOS晶体管的源极，所述第二保护NMOS晶体管的源极接地，并且所述第二保护NMOS晶体管的栅极接收与所述控制信号相反的控制信号。

根据本公开的第三方面，提供了一种电池管理系统，包括如上任一项所述的电芯电压采集电路，其中所述电芯电压采集电路用于采集电池组中的电芯的电压。

附图说明

附图示出了本公开的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本公开的原理，其中包括了这些附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

图2是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

图3是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

图4是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

图5是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

图6是根据本公开的一个实施方式的电池组的电芯电压采集电路的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于解释相关内容，而非对本公开的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本公开相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本公开的技术方案。

除非另有说明，否则示出的示例性实施方式/实施例将被理解为提供可以在实践中实施本公开的技术构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本公开的技术构思的情况下，各种实施方式/实施例的特征可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置。

在附图中使用交叉影线和/或阴影通常用于使相邻部件之间的边界变得清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否均不传达或表示对部件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的部件之间的共性和/或部件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或者要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大部件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的部件。

当一个部件被称作“在”另一部件“上”或“之上”、“连接到”或“结合到”另一部件时，该部件可以直接在所述另一部件上、直接连接到或直接结合到所述另一部件，或者可以存在中间部件。然而，当部件被称作“直接在”另一部件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一部件时，不存在中间部件。为此，术语“连接”可以指物理连接、电气连接等，并且具有或不具有中间部件。

为了描述性目的，本公开可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧(例如，如在“侧壁”中)”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个部件与另一(其它)部件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它部件或特征“下方”或“之下”的部件将随后被定位为“在”所述其它部件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含“上方”和“下方”两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其它类似的术语被用作近似术语而不用作程度术语，如此，它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。

根据本公开的一个实施方式，提供了一种电池组的电芯电压采集电路。电池组通常由多节电芯串联而成，串联的电芯可以向外提供相应的电池组电压。需要对每节电芯的电压进行采集，以便了解每节电芯的工作状态。

第一节电芯和第二节电芯的采集电压通常较低，因此不需要复杂的采集电路和采集控制电路，例如与别的电芯不同，不需要高压器件等。但是现有技术的电芯电压的采集通常选择相同的采集电路和采集控制电路。这样将会造成成本的增加，以及也给控制带来了一些复杂性。

在本申请中专门对第一节电芯的电压采集和第二节电芯的电压采集提供了一种专门的采集控制电路。根据该采集控制电路可以极大地节省成本并且可以提供较高的稳定性。

图1提供了针对第一节电芯的电压采集电路的示意图。如图1所示，第一节电芯为电池组中接地的电芯。相对于其他节的电芯，该第一节电芯的正端的电压最低。

该电压采集电路可以包括运算放大器OTA。该运算放大器的输入端可以接收来自第一节电芯的电压。并且该运算放大器的输出端可以输出该第一电芯电压的采样值，并且将采样值可以提供至ADC，以便进行模数转换。模数转换后的数字信号可以提供给控制电路或逻辑运算单元等。后续处理的内容可以参见现有技术的描述，并不是本申请所关注的内容。

如图1所述，运算放大器OTA的第一输入端inp可以经由第一电阻R11和第一开关S11连接至第一节电芯BAT1的正端。其中第一电阻R11的第一端连接第一节电芯BAT1的正端，第一电阻R11的第二端连接第一开关S11的第一端，第一开关S11的第二端连接运算放大器OTA的第一输入端inp。

另外运算放大器OTA的第一输入端inp可以经由第二电阻R12和第一开关S12连接至第一节电芯BAT1的负端。其中第二电阻R12的第一端连接第一节电芯BAT1的负端，第二电阻R12的第二端连接第二开关S12的第一端，第二开关S12的第二端连接运算放大器OTA的第一输入端inp。

这样，通过运算放大器OTA的第一输入端inp可以采集第一节电芯的电芯电压。此时第一节电芯的电芯电压的采集值可以为Vbat1*(R12/(R12+R11))。其中，Vbat1为第一电芯的电芯电压，R12为第二电阻R12的电阻值，R11为第一电阻R11的电阻值。

运算放大器OTA的第二输入端inn可以连接至运算放大器OTA的输出端out。

根据本公开的实施方式，对于第一节电芯的电芯电压的采集并不需要使用昂贵的耐高压器件。而且可以通过第一电阻和第二电阻的分压采集第一节电芯的电芯电压。

图2示出了根据图1的实施方式的电压采集电路的示意性电路图。

在图2中，与第一开关S11所对应的是第一NMOS晶体管N11，与第二开关S12所对应的是第二NMOS晶体管N12。下面将对电压采集电路的具体内容进行详细的描述。

如图2所示，第一电阻R11的第一端可以连接至第一节电芯的电芯电压的正端，而第一电阻R11的第二端可以连接第一NMOS晶体管N11的漏极，第一NMOS晶体管N11的源极可以连接第二NMOS晶体管N12的漏极。第一NMOS晶体管N11的源极可以连接运算放大器OTA的第一输入端inp。

第二NMOS晶体管N12的源极可以连接第二电阻R12的第二端，而第二电阻R12的第一端可以接地gnd。在本公开中运算放大器OTA的输出端out可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。

这样，第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12可以被控制进行导通或断开。在第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12导通的情况下，电流将会从vp端流入gnd端。这样通过由第一电阻R11和第二电阻R12构成的分压电路来采集第一节电芯的电芯电压。

图3示出了根据图1的电压采集电路的另一实施例的电路图。如图3所示，在该电路中设置了保护电路。

在原有的第一电阻R11的位置处可以设置有第四电阻R14和第一电阻R11构成的串联电路。其中第四电阻R14的第一端可以连接第一节电芯的正端vp，第四电阻R14的第二端可以连接第一电阻R11的第一端。第一电阻R11的第二端可以连接第一NMOS晶体管N11的漏极，第一NMOS晶体管N11的源极可以连接第二NMOS晶体管N12的漏极。第二NMOS晶体管N12的源极可以连接第二电阻R12的第二端，而第二电阻R12的第一端可以连接第一节电芯的负端vn。

同样的，运算放大器OTA的输出端out可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。这样，第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12可以被控制进行导通或断开。在第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12导通的情况下，电流将会从vp端流入gnd端。这样通过由第一电阻R11和第二电阻R12构成的分压电路来采集第一节电芯的电芯电压。

此外，在图3的实施例中，还包括第一二极管D1作为保护二极管，其中第一二极管D1的负极可以连接第一电阻R11的另一端，而第一二极管D1的阴极可以接地gnd。第二二极管D2可以作为保护二极管，其中第二二极管D2的负极连接第四电阻R14的另一端，而第二二极管D2的正极可以接地gnd。此外，可以在运算放大器OTA的第一输入端inp与地gnd之间设置有滤波电容C1。

此外还可以包括保护晶体管N13，保护晶体管N13可以设置在第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12的栅极与地gnd之间。具体地，保护晶体管N13的漏极可以连接第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12的栅极，保护晶体管N13的源极和栅极接地。

另外可以在第一节电芯的负端与第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12的栅极之间连接有第三二极管D3作为保护二极管，第三二极管D3的负极可以连接第一NMOS晶体管N11和第二NMOS晶体管N12的栅极。第三二极管D3的正极可以连接第一节电芯的负端。

根据本公开的进一步实施方式，还提供了第二节电芯的电芯电压的采集电路。第二节电芯是指负端与第一节电芯的正端连接，而正端与第三节电芯的负端连接的电池组的电芯。同样地，在电池组中，第二节电芯的电压同样比较低。因此也可以不采用昂贵的耐高压器件来对其电芯电压进行采集。

图4示出了根据本公开的一个实施方式的第二节电芯的电压采集电路。如图4所示，运算放大器OTA的第一输入端inp可以经由第一开关S21和第一电阻R21连接至第二节电芯的正端vp。运算放大器OTA的第一输入端inp可以经由第四开关S24和第四电阻R24接地gnd。

运算放大器OTA的第二输入端inn可以经由第二开关S22和第二电阻R22连接至第二节电芯的负端vn。第一电阻R21的第一端可以连接至正端vp，第一电阻R21的第二端可以连接至第一开关S21的第一端，第一开关S21的第二端可以连接至运算放大器OTA的第一输入端inp。第二电阻R22的第一端可以连接至负端vn，第二电阻R22的第二端可以连接至第二开关S22的第二端，第二开关S22的第二端可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。

运算放大器OTA的输出端out可以经由第三电阻R23和第三开关S23连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。例如第三电阻R23的第一端可以连接运算放大器OTA的输出端out。第三电阻R23的第二端可以连接至第三开关S23的第一端，第三开关S23的第二端可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。

这样可以通过运算放大器OTA的两个输入端来接收第二节电芯的正端电压和负端电压，从而得到第二节电芯的电压，运算放大器OTA的输出端out可以连接ADC等，将输出端out的信号转换成数字信号，控制器或逻辑运算器等根据该数字信号进行相关的运算或控制等。在本公开中第二电阻R22的阻值可以与第三电阻R23的阻值相等，第二NMOS晶体管的阻抗与第三NMOS晶体管的阻抗相同。第一NMOS晶体管的阻抗等于第四NMOS晶体管的阻抗，第一电阻R21的阻值可以等于第四电阻R24的阻值。

图5示出了根据图4所示结构的电路示意图。在图5中，第一NMOS晶体管N21对应于第一开关S21，第二NMOS晶体管N22对应于第二开关S22。第三NMOS晶体管N23对应于第三开关S23，第四NMOS晶体管N24对应于第四开关S24。

下面将对图5所示的电路进行详细的描述。如图5所示，第一电阻R21的第一端可以连接第二节电芯的正端vp。第一电阻R21的第二端可以连接第一NMOS晶体管N21的漏极。第一NMOS晶体管N21的源极连接运算放大器OTA的第一输入端inp。第二电阻R22的第一端可以连接第二节电芯的负端vn。第二电阻R22的第二段可以连接第二NMOS晶体管N22的漏极。第二NMOS晶体管N22的源极可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。运算放大器OTA的输出端out可以连接第三电阻R23的第一端，第三电阻R23的第二端可以连接第三NMOS晶体管N23的漏极，并且第三NMOS晶体管N23的源极可以连接至运算放大器OTA的第二输入端inn。此外，第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的栅极可以接收控制信号ena，该控制信号ena可以经由第五电阻R25传送至第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的栅极，从而控制第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的导通和断开。第四NMOS晶体管N24的漏极连接第一NMOS晶体管N21的源极连接，第四NMOS晶体管N24的源极经由第四电阻R24接地，并且第四NMOS晶体管N24栅极连接供电电压vdd。

图6示出了第二节电池组的电芯电压采集电路的另一实施例。与图5所述的实施例的区别在于，图6的实施例将会更加稳定可靠。并且可以避免ESD等对电路造成的损害。

与图5的实施例的区别在于以下内容。其中设置有第一保护NMOS晶体管N26，该第一保护NMOS晶体管N26可以设置在第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的栅极与地gnd之间。其中第一保护NMOS晶体管N26的漏极可以连接第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的栅极。第一保护NMOS晶体管N26的源极和栅极可以接地gnd。第二保护NMOS晶体管N26可以设置在第二NMOS晶体管N22和第三NMOS晶体管N23的源极与地之间。其中第二保护NMOS晶体管N26的漏极可以连接第二NMOS晶体管N22和第三NMOS晶体管N23的源极。第二保护NMOS晶体管N26的源极可以接地gnd。第二保护NMOS晶体管N26的栅极可以连接控制信号ena。例如可以包括串联的第一反相器F21和第二反相器F22，第二保护NMOS晶体管N26的栅极可以连接第一反相器F21的输出端，第二反相器F22的输出端可以连接第一NMOS晶体管N21、第二NMOS晶体管N22、第三NMOS晶体管N23的栅极。

此外，如图1和图4所示，本公开还可以提供一种电池管理系统。该电池电压采集电路可以采集第一节电芯和第二节电芯的电压，并且采集的电压可以提供至ADC从而进行后期的运算处理，并且也可以根据采集的电压对电池进行反馈控制等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例/方式”、“一些实施例/方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例/方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例/方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例/方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例/方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例/方式或示例以及不同实施例/方式或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本公开，而并非是对本公开的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述公开的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种电池组的电芯电压采集电路，所述电芯电压采集电路用于采集所述电池组的第一节电芯的电压，其特征在于，包括：

运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述运算放大器的输出端与所述第二输入端连接；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管作为第一开关，并且通过第一电阻连接至所述第一节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端；以及

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管作为第二开关，并且通过第二电阻连接至所述第一节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端。

2.如权利要求1所述的电芯电压采集电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻连接至所述第一节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接并且与所述运算放大器的第一输入端连接，并且所述第二NMOS晶体管的源极经由第二电阻连接所述第一节电芯的负端。

3.如权利要求2所述的电芯电压采集电路，其特征在于，还包括保护NMOS晶体管，所述保护NMOS晶体管的漏极连接所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极，所述保护NMOS晶体管的栅极和源极接地。

4.如权利要求3所述的电芯电压采集电路，其特征在于，还包括第一保护二极管，所述第一保护二极管的正极接地并且负极连接所述第一NMOS晶体管的漏极。

5.如权利要求3所述的电芯电压采集电路，其特征在于，还包括第三保护二极管，所述第三保护二极管的正极连接所述第一节电芯的负端并且负极连接所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极。

6.一种电池组的电芯电压采集电路，所述电芯电压采集电路用于采集所述电池组的第二节电芯的电压，其特征在于，包括：

运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管作为第一开关，并且通过第一电阻连接至所述第二节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第一输入端；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管作为第二开关，并且通过第二电阻连接至所述第二节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管连接至所述运算放大器的第二输入端；

第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管作为第三开关，并且与第三电阻构成串联电路，所述串联电路连接至所述运算放大器的输出端与第二输入端之间；以及

第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管作为第四开关，并且与第四电阻构成串联电路，以串联在所述运算放大器的第一输入端和地之间。

7.如权利要求6所述的电芯电压采集电路，其特征在于，

所述第一NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻连接所述第二节电芯的正端，所述第一NMOS晶体管的源极连接所述运算放大器的第一输入端，

所述第二NMOS晶体管的漏极经由第二电阻连接至所述第二节电芯的负端，所述第二NMOS晶体管的源极连接至所述运算放大器的第二输入端，所述第三NMOS晶体管的漏极经由第三电阻连接至所述运算放大器的输出端，

所述第三NMOS晶体管的源极连接至所述运算放大器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管接收控制信号以便导通或断开，

所述第四NMOS晶体管的漏极连接所述运算放大器的第一输入端，所述第四NMOS晶体管的源极经由第四电阻接地。

8.如权利要求7所述的电芯电压采集电路，其特征在于，还包括第一保护NMOS晶体管，所述第一保护NMOS晶体管的漏极连接所述控制信号，栅极和源极接地。

9.如权利要求7所述的电芯电压采集电路，其特征在于，还包括第二保护NMOS晶体管，所述第二保护NMOS晶体管的漏极连接所述第二NMOS晶体管的源极，所述第二保护NMOS晶体管的源极接地，并且所述第二保护NMOS晶体管的栅极接收与所述控制信号相反的控制信号。

10.一种电池管理系统，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的电芯电压采集电路，其中所述电芯电压采集电路用于采集电池组中的电芯的电压。