CN219495538U - 微差压传感器和电子烟 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种微差压传感器和电子烟，所述微差压传感器包括：基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，第二表面面向外部空间，第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；功能组件，其位于第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，MEMS芯片与第一通孔相对；膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。本实用新型可防止冷凝液或者烟油通过第一通孔直接进入微差压传感器的内部空间，从而提高微差压传感器的防水防油能力。

Description

微差压传感器和电子烟

技术领域

本实用新型涉及电子烟技术领域，尤其涉及一种微差压传感器和电子烟。

背景技术

微差压传感器是安装在电子烟产品里用来控制电子烟工作的一个重要元器件，在使用过程中烟油容易通过进气孔进入到微差压传感器的内部空间，并且也会出现冷凝液回流至微差压传感器，导致电子烟启动失灵，进而产生误触发或者不触发的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种微差压传感器和电子烟，用以解决现有技术中因烟油和冷凝液导致电子烟启动失灵，产生误触发或者不触发的问题。

第一方面，本实用新型提供一种微差压传感器，所述微差压传感器包括：

基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，所述第二表面面向外部空间，所述第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；

功能组件，其位于所述第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，所述MEMS芯片与所述第一通孔相对；

膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与所述基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。

在本实用新型一实施例中，所述第一膜片位于所述第一基板的第一表面上。

在本实用新型一实施例中，所述第一基板的第一表面设置第一凹槽，所述第一膜片嵌入所述第一凹槽以使得靠近所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第一表面相平。

在本实用新型一实施例中，所述第一基板的第二表面设置第二凹槽，所述第一膜片嵌入所述第二凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第二表面相平。

在本实用新型一实施例中，所述微差压传感器还包括壳体，所述膜片组件还包括第二膜片，其中

所述壳体，其位于所述第一基板的第一表面上并与所述第一基板形成所述内部空间，所述壳体设有在厚度方向上贯通所述壳体的第二通孔；

所述第二膜片，其与所述壳体相接触以用于遮挡所述第二通孔。

在本实用新型一实施例中，所述第二膜片位于所述壳体远离所述MEMS芯片的表面上。

在本实用新型一实施例中，所述第二膜片位于所述壳体靠近所述MEMS芯片的表面上。

在本实用新型一实施例中，所述壳体在远离所述MEMS芯片的表面上设有第三凹槽，所述第二膜片嵌入所述第三凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述壳体的远离所述MEMS芯片的表面相平。

在本实用新型一实施例中，所述基板组件还包括：

第二基板，其贴合于所述第一基板的第二表面，所述第二基板设有在厚度方向上贯通所述第二基板且与所述第一通孔相连通的第三通孔，所述第一膜片位于所述第二基板远离所述MEMS芯片的表面上以用于遮挡所述第三通孔。

在本实用新型一实施例中，所述第一膜片和所述第二膜片均为透气网布材料，且厚度均在0.05mm～0.2mm之间。

在本实用新型一实施例中，所述第一膜片和所述第二膜片的表面均设有防油纳米镀层。

在本实用新型一实施例中，所述功能组件还包括ASIC芯片，所述ASIC芯片位于所述第一基板的所述第一表面上，并通过信号线与所述MEMS芯片电连接，所述ASIC芯片通过所述信号线与所述第一基板电连接。

第二方面，本实用新型还提供一种电子烟，包括如第一方面任一项所述的微差压传感器。

本实用新型提供的微差压传感器和电子烟，通过设置第一膜片，第一膜片与基板组件相接触以用于遮挡该基板组件上的第一通孔，可以直接挡住冷凝液或者烟油，防止冷凝液或者烟油通过所述第一通孔直接进入微差压传感器的内部空间，从而提高微差压传感器的防水防油能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之一；

图2是本实用新型提供的膜片的结构示意图；

图3是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之二；

图4是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之三；

图5是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之四；

图6是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之五；

图7是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之六；

图8是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之七；

图9是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之八；

图10是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之九；

图11是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十；

图12是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十一；

图13是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十二；

图14是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十三；

图15是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十四；

图16是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十五；

图17是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十六；

图18是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十七；

图19是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十八；

图20是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十九；

附图标记：

10：基板组件；20：功能组件；30：膜片组件

40：壳体；

101：第一基板； 1011：第一表面； 1012：第二表面；

102：第一通孔； 103：第一凹槽； 104：第二凹槽；

105：第三凹槽； 106：第二通孔； 107：第二基板；

108：第三通孔；

201：MEMS芯片；202：ASIC芯片； 203：信号线；

301：第一膜片；302：第二膜片；303：无胶区域；

304：有胶区域。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。

为了解决现有技术中因烟油和冷凝液导致电子烟启动失灵，产生误触发或者不触发的问题，本实用新型提供一种微差压传感器和电子烟，通过设置第一膜片，第一膜片与基板组件相接触以用于遮挡该基板组件上的第一通孔，可以直接挡住冷凝液或者烟油，防止冷凝液或者烟油通过所述第一通孔直接进入微差压传感器的内部空间，从而提高微差压传感器的防水防油能力。

下面结合图1-图20描述本实用新型的微差压传感器和电子烟。

实施例一：

请参考图1，图1是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之一。微差压传感器包括基板组件、功能组件以及膜片组件。

示例性地，基板组件包括第一基板101，第一基板101具有第一表面1011和第二表面1012，第一表面1011面向微差压传感器的内部空间，第二表面1012面向外部空间，第一基板101设有在厚度方向上贯通该第一基板101的第一通孔102。

示例性地，功能组件位于第一基板101的第一表面1011上，功能组件包括MEMS芯片201，MEMS芯片201与第一通孔102相对。

示例性地，膜片组件包括第一膜片301，第一膜片301与基板组件相接触以用于遮挡第一通孔102。

可选地，第一膜片301的结构如图2所示，图2是本实用新型提供的膜片的结构示意图。第一膜片301的中部为无胶区域303以用于透气，周围为有胶区域304以用于粘贴在外壳或PCB板上。第一膜片301为透气网布材料，其厚度在0.05mm～0.2mm之间，可以耐SMT高温(例如高于260°)回流，并对透气网布材料表面进行防油纳米镀层处理，以使得第一膜片301的表面设有防油纳米镀层。可以理解的是，本实用新型第一膜片301的材料不限于无纺布材料。

由此可见，本实用新型通过设置第一膜片301，使得第一膜片301与第一基板101相接触以用于遮挡该第一基板101上的第一通孔102，可以直接挡住冷凝液或者烟油，防止冷凝液或者烟油通过第一通孔102直接进入微差压传感器的内部空间。

也就是说，防止在使用过程中烟油通过进气孔进入到微差压传感器的内部空间，并吸附在MEMS芯片上以使得当MEMS芯片上的烟油积累到一定程度后会出现灵敏度减低、误触发甚至是失效的风险，从而能够提高了本实用新型所述微差压传感器的防水防油的能力。

实施例二：

图1示出的第一膜片301位于第一基板101的第一表面1011上(即上表面)。根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图3所示，图3是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之二。第一基板101的第一表面1011设置有第一凹槽103，第一膜片301嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平。

通过在第一基板101上开设第一凹槽103，并贴装第一膜片301，能够很好地对第一膜片301进行定位，以防止第一膜片301翘曲、收缩而影响效果，并且还可以降低产品内部器件高度、降低封装难度等优点。

实施例三：

除了上述图1、图3示出的第一膜片301的位置，本实用新型还提供另外一些的实施例，如图4所示，图4是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之三。第一基板101的第二表面1012设置第二凹槽104，第一膜片301嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平。

同理，通过在第一基板101上开设第二凹槽104，并贴装第一膜片301，能够很好地对第一膜片301进行定位，以防止第一膜片301翘曲、收缩而影响效果，并且还可以降低产品内部器件高度、降低封装难度等优点。

实施例四：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图5所示，图5是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之四。本实用新型所述微差压传感器还包括壳体40，膜片组件30包括第一膜片301和第二膜片302。

示例性地，壳体40位于第一基板101的第一表面1011上并与第一基板101形成所述内部空间，壳体40设有在厚度方向上贯通该壳体40的第二通孔106。

示例性地，第二膜片302与壳体40相接触以用于遮挡第二通孔106。第二膜片302的结构如上述图2所示。第二膜片302的中部为无胶区域303以用于透气，周围为有胶区域304以用于粘贴在外壳或PCB板上。第二膜片302为透气网布材料，其厚度在0.05mm～0.2mm之间，可以耐SMT高温(例如高于260°)回流，并对透气网布材料表面进行防油纳米镀层处理，以使得第一膜片301的表面设有防油纳米镀层。可以理解的是，本实用新型第二膜片302的材料不限于无纺布材料。

由此可见，本实用新型通过设置第一膜片301和第二膜片302，使得第一膜片301与第一基板101相接触以用于遮挡该第一基板101上的第一通孔102，并使得第二膜片302与壳体40相接触以用于遮挡该壳体40上的第二通孔106，从而可以直接挡住冷凝液或者烟油，防止冷凝液或者烟油通过第一通孔102和第二通孔106直接进入微差压传感器的内部空间。

也就是说，防止在使用过程中烟油通过进气孔进入到微差压传感器的内部空间，吸附在MEMS芯片上，久而久之当MEMS芯片上的烟油积累到一定程度后会出现灵敏度减低、误触发甚至是失效的风险，从而能够提高了本实用新型所述微差压传感器的防水防油的能力。

实施例五：

图5示出的第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上(即上表面)，而第一膜片301是位于第一基板101的第一表面1011上。根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图6所示，图6是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之五。第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上，第一基板101的第一表面1011设置有第一凹槽103，第一膜片301嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平。

实施例六：

根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图7所示，图7是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之六。第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上，第一基板101的第二表面1013设置第二凹槽104，第一膜片301嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平。

实施例七：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图8所示，图8是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之七。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线203与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线203与第一基板101电连接。图8示出的第一膜片301是位于第一基板101的第一表面1011上。

实施例八：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图9所示，图9是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之八。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。图9示出的第一膜片301是嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平。

实施例九：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图10所示，图10是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之九。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。图10示出的第一膜片301是嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平。

实施例十：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图11所示，图11是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。图11示出的第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上。

实施例十一：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图12所示，图12是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十一。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。图12示出的第二膜片302位于壳体40靠近MEMS芯片201的表面上。

实施例十二：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图13所示，图13是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十二。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线203与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线203与第一基板101电连接。

图13示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302。第一膜片301是位于第一基板101的第一表面1011上，第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上。

实施例十三：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图14所示，图14是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十三。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。

图14示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平，第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上。

实施例十四：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图15所示，图15是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十四。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。

图15示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平，第二膜片302位于壳体40远离MEMS芯片201的表面上。

实施例十五：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图16所示，图16是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十五。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线203与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线203与第一基板101电连接。

图16示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是位于第一基板101的第一表面1011上，第二膜片302位于壳体40靠近MEMS芯片201的表面上。

实施例十六：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图17所示，图17是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十六。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。

图17示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平，第二膜片302位于壳体40靠近MEMS芯片201的表面上。

实施例十七：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图18所示，图18是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十七。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线与第一基板101电连接。

图18示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平，第二膜片302位于壳体40靠近MEMS芯片201的表面上。

实施例十八：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的实施例，如图19所示，图19是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十八。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线203与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线203与第一基板101电连接。

图19示出的膜片组件包括第一膜片301和第二膜片302，第一膜片301是嵌入第一凹槽103以使得靠近MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第一表面1011相平。可以理解的是，第一膜片301也可以是位于第一基板101的第一表面1011上，或者是嵌入第二凹槽104以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与第一基板101的第二表面1012相平。

可选地，壳体40在远离MEMS芯片201的表面上设有第三凹槽105，第二膜片302嵌入第三凹槽105以使得远离MEMS芯片201的膜片表面与壳体40的远离MEMS芯片201的表面相平。

在第一基板101和壳体40上同时贴装防护膜，为了降低产品总高度以及成本考虑，第二膜片302贴装在了壳体40的外表面，而且在壳体40贴装第二膜片302的位置设置了第三凹槽105，可以降低贴装膜片后的产品总高度，适应有特殊要求的整机应用。

实施例十九：

基于上述实施例，根据实际产品需求，本实用新型还提供另外的一些实施例，如图20所示，图20是本实用新型提供的微差压传感器的结构示意图之十九。本实用新型所述功能组件20包括MEMS芯片201和ASIC芯片202。ASIC芯片202位于第一基板101的第一表面1011上，并通过信号线203与MEMS芯片201电连接，ASIC芯片202通过信号线203与第一基板101电连接。

可选地，本实用新型所述基板组件10包括第一基板101和第二基板107，第二基板107贴合于第一基板101的第二表面1012，第二基板107设有在厚度方向上贯通第二基板107且与第一通孔102相连通的第三通孔108，第一膜片301位于第二基板107远离MEMS芯片201的表面上以用于遮挡第三通孔108。

具体地，第二基板107可以是整机PCBA(Printed Circuit Board Assembly，装配印刷电路板)小板，在整机组装阶段进行设计防护。也可以降低微差压传感器贴装的成本，在整机PCBA上贴装成本更有优势。

在本实用新型的一些实施例中，本实用新型还提供一种电子烟，所述电子烟包括如上任一实施例所述的微差压传感器。

在此需要说明的是，本实用新型实施例提供的电子烟，能够实现上述微差压传感器实施例所实现的功能，且能够达到相同的技术效果，在此不再对本实施例中与微差压传感器实施例相同的部分及有益效果进行具体赘述。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (13)

1.一种微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器包括：

基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，所述第二表面面向外部空间，所述第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；

功能组件，其位于所述第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，所述MEMS芯片与所述第一通孔相对；

膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与所述基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。

2.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一膜片位于所述第一基板的第一表面上。

3.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一基板的第一表面设置第一凹槽，所述第一膜片嵌入所述第一凹槽以使得靠近所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第一表面相平。

4.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一基板的第二表面设置第二凹槽，所述第一膜片嵌入所述第二凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第二表面相平。

5.根据权利要求1～4任一项所述的微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器还包括壳体，所述膜片组件还包括第二膜片，其中

所述壳体，其位于所述第一基板的第一表面上并与所述第一基板形成所述内部空间，所述壳体设有在厚度方向上贯通所述壳体的第二通孔；

所述第二膜片，其与所述壳体相接触以用于遮挡所述第二通孔。

6.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述第二膜片位于所述壳体远离所述MEMS芯片的表面上。

7.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述第二膜片位于所述壳体靠近所述MEMS芯片的表面上。

8.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述壳体在远离所述MEMS芯片的表面上设有第三凹槽，所述第二膜片嵌入所述第三凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述壳体的远离所述MEMS芯片的表面相平。

9.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述基板组件还包括：

第二基板，其贴合于所述第一基板的第二表面，所述第二基板设有在厚度方向上贯通所述第二基板且与所述第一通孔相连通的第三通孔，所述第一膜片位于所述第二基板远离所述MEMS芯片的表面上以用于遮挡所述第三通孔。

10.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一膜片和所述第二膜片均为透气网布材料，且厚度均在0.05mm～0.2mm之间。

11.根据权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一膜片和所述第二膜片的表面均设有防油纳米镀层。

12.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述功能组件还包括ASIC芯片，所述ASIC芯片位于所述第一基板的所述第一表面上，并通过信号线与所述MEMS芯片电连接，所述ASIC芯片通过所述信号线与所述第一基板电连接。

13.一种电子烟，其特征在于，包括如权利要求1～12任一项所述的微差压传感器。