CN219372582U - 一种限位音膜组件及双音圈双磁路的扬声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种限位音膜组件及双音圈双磁路的扬声器。一种限位音膜组件，包括第一复合振膜，设置在第一复合振膜一侧的第一音圈；所述第一音圈的端部与第一复合振膜的振动方向的一侧固定连接；所述第一音圈的外侧设置有弹波；所述弹波用于限制第一音圈在设定范围内运动。整个扬声器的频率响应宽，灵敏度高，总谐波失真小。

Description

一种限位音膜组件及双音圈双磁路的扬声器

技术领域

本实用新型涉及电声技术领域，更具体地说是一种限位音膜组件及双音圈双磁路的扬声器。

背景技术

随着声学产品快速速更新迭代，消费者对声学产品的要求变得愈加苛刻，尤其是往舒适、便携、声音优质的方向发展。目前入耳式耳机多数采用单振动系统与单磁路系统的扬声器，基本上能够满足声学设计需求。但在半入耳或开放式音频领产品中，传统方式设计出来的小口径扬声器能量不足，难以做出好的高频与低频声学效果。另外，由于在高磁场下工作的振膜的动能比较大，所以振膜经常会以为振动幅度较大而移位。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种限位音膜组件及双音圈双磁路的扬声器。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种限位音膜组件，包括第一复合振膜，设置在第一复合振膜一侧的第一音圈；所述第一音圈的端部与第一复合振膜的振动方向的一侧固定连接；所述第一音圈的外侧设置有弹波；所述弹波用于限制第一音圈在设定范围内运动。

其进一步技术方案为：所述弹波与第一复合振膜固定的位置靠近于第一复合振膜。

一种双音圈双磁路的扬声器，包括盆架，上述的限位音膜组件，与限位音膜组件相互作用的第一磁路组件，第二音膜组件，及与第二音膜组件相互作用的第二磁路组件；所述限位音膜组件、第二音膜组件设置于盆架两侧，所述第一磁路组件、第二磁路组件设置于盆架内侧。

其进一步技术方案为：所述第二音膜组件包括第二复合振膜，与第二复合振膜一侧固定连接的第二音圈；所述第二音膜组件的有效振动面积为扬声器横截面积的1/5至4/5。

其进一步技术方案为：所述第一复合振膜、第二复合振膜设置于盆架的两侧。

其进一步技术方案为：所述第二音圈外侧设置有弹波；所述弹波产生弹力的一端与第二音圈固定，另一端与盆架固定。

其进一步技术方案为：所述第一磁路组件包括设置于盆架的第一磁体；所述第一磁体、第二磁路组件及第一复合振膜之间形成有第一音腔；所述第一复合振膜固定于盆架，并且所述第一音圈位于第一音腔内，所述第一复合振膜振动的内侧朝向第一音腔。

其进一步技术方案为：所述第二音膜组件包括第二复合振膜，与第二复合振膜一侧固定连接的第二音圈；所述第二音膜组件与第二磁路组件之间形成有第二音腔；所述第二音圈位于第二音腔之内，所述第二复合振膜的振动内侧朝向第二音腔。

其进一步技术方案为：所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内的第二磁体、第三磁体；所述磁轭、第二磁体、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔；或，

所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内的第三磁体；所述磁轭、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔；或，

所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内第三磁体；所述磁轭、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔。

其进一步技术方案为：所述第一磁体包围于第二磁体，并且第一磁体与第二磁体之间的间隙为所述第一音腔的一部分；或/和，所述第二磁体包围于第三磁体，并且第二磁体与第三磁体之间的间隙为所述第二音腔的一部分。

其进一步技术方案为：所述盆架一侧为开口结构，另一侧设置有安装孔；所述安装孔的截面面积小于开口结构的截面面积；所述第一复合振膜设置于开口端外侧，并且第一磁体设置于开口结构的内壁；所述第二复合振膜设置于安装孔外侧，并且磁轭固定于安装孔内；所述磁轭位于第一复合振膜与第二复合振膜之间。

本实用新型与现有技术相比的有益效果是：本实用新型第一音圈和第二音圈在叠加的磁场下工作，使得第一复合振膜和第二复合振膜具有比较大的动能，而第一复合振膜在限位结构的作用下运动，体现出较好的低频效果，第二复合振膜面积比较小，体现出比较好高频效果，同时避免振幅过大。因此，整个扬声器的频率响应宽，灵敏度高，总谐波失真小。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型的一种双音圈双磁路的扬声器的立体结构图；

图2为本实用新型的一种双音圈双磁路的扬声器另一视角的立体结构图；

图3为本实用新型的一种双音圈双磁路的扬声器的爆炸图；

图4为本实用新型的一种双音圈双磁路的扬声器的剖视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不应理解为必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。

图1至4为本实用新型的附图。

本实施提供了一种双磁路扬声器，请参阅图1至4，包括盆架10，设置在盆架10一侧的第一音膜组件20，与第一音膜组件20相互作用的第一磁路组件30，设置在盆架10另一侧的第二音膜组件40，与第二音膜组件40相互作用的第二磁路组件50。第一音膜组件20的有效振动面积与第二音膜组件40的有效振动面积不相同，具体的，第一音膜组件20的有效振动面积接近扬声器横截面积，第二音膜组件40的有效振动面积为扬声器横截面积的1/5至4/5，使得第一音膜组件20具有较好的高频延伸性，第二音膜组件40具有较好的低频效果。

第一音膜组件20的振动方向上设置有限位结构。由于第一音膜组件20存在限位结构，所以第一音膜组件20能够在设定的范围内振动，也即第一音膜组件20的振动幅度受到限制，防止振幅过大，避免移位。

由于第一音膜组件20振动幅度受到限位结构的作用，使得低频还原能够得到改善，再加上其自身的结构特征，第一音膜组件20可以作为一个低音振源。第二音膜组件40的振动没有受到限制，振动幅度根据接收到的信号来产生，并且有效振动的面积比较小，所以第二音膜组件40作为一个高频振源。第一磁路组件30与第一磁路组件30的作用下形成双磁路的叠加效应，接收到同一信号源时，设置在盆架10两侧的第一音膜组件20和第二音膜组件40往扬声器相反的方向运动，使得扬声器受到的力相互抵消，所以扬声器具有平稳的对称振动，总谐波失真减小，同时电耦合因数BL值增大，对应的灵敏度也增加，实现高水平的高频与低频声学效果。

具体的，第一音膜组件20包括第一复合振膜21，固定在第一复合振膜21一侧的第一音圈22。第一音圈22外侧设置有用于限制第一复合振膜21在设定范围内振动的弹波23。弹波23为上述的限位结构。其中，弹波23具有类似弹簧的作用，在第一复合振膜21的振动幅度过大时，弹波23就发挥保护性作用，抑制第一复合振膜21的振动幅度。第一音圈22通过信号时，在第一磁路组件30的磁场作用下，第一音圈22带动第一复合振膜21振动，从而发出声音。第一复合振膜21的振动情况根据第一音圈22内的信号强弱决定，需要说明的是，第一复合振膜21的运动幅度过大时，受到弹波23抑制作用。

优选的，弹波23一端与第一音圈22外侧固定连接，另一端与盆架10固定连接。

第一磁路组件30包括固定在盆架10内的第一磁体31。第一复合振膜21的边缘与盆架10固定，所述第一音圈22延伸至第一磁体31的磁场，使得第一音圈22在通过信号时，第一音圈22受到第一磁体31磁场作用而运动。

具体的，第一磁体31为磁铁，也可以为其他的磁性物体。

优选的，由于第一磁体31与第二磁路组件50相互靠近设置，二者共同作用产生磁场，力电耦合因数BL值比单个的第一磁体31或第二磁路组件50大，因此第一音圈22共同的磁场作用下运动，振动极为容易过大，弹波23此时就可以起到抑制作用。

第一磁体31、第二磁路组件50之间及第一复合振膜21形成有第一音腔24。第一音圈22延伸至第一音腔24内，并且悬挂于第一音腔24内，第一音圈22通电时能够在第一音腔24内运动。第一复合振膜21振动的内侧朝向第一音腔24。

优选的，为了能调节第一音腔24内的气流，盆架10设有与第一音腔24连通的通孔，使得第一音腔24内的气流能够在第一复合振膜21振动时进行流动。更加优选的，通孔均布在盆架10上，使得扬声器具有平衡性。

更加优选的，在通孔生设置有阻尼布，通过阻尼布来控制第一音腔24内的气流。

具体的，第一复合振膜21边缘与盆架10的边缘固定，如同盖在盆架10上。第一复合振膜21为波浪状结构，第一音圈22与第一复合振膜21的朝向盆架10内部的“波谷”处固定连接，另一端为悬挂状态，并且悬挂端延伸至第二磁路组件50与第一磁体31形成的磁场内。

第二音膜组件40包括第二复合振膜41，设置在第二复合振膜41一侧的第二音圈42。第二复合振膜41的边缘与盆架10固定。具体的，第二音圈42一端与第二复合振膜41的侧边固定，

优选的，第二复合振膜41为波浪状结构，第二音圈42的另一端与第二复合振膜41的朝向盆架10内部的“波谷”处固定连接，并且处于悬挂状态，悬挂端延伸至第二磁路组件50内。

第二磁路组件50包括固定于盆架10内的磁轭51，固定在磁轭51内的第二磁体52、第三磁体53。磁轭51、第二磁体52、第三磁体53及第二复合振膜41之间形成有第二音腔54，并且第二音圈42延伸至第二音腔54内。

磁轭51用来安装的作用，第二磁体52、第三磁体53固定在磁轭51后，磁轭51在固定在盆架10上。在优选的实施例中，磁轭51为碗状结构，第二磁体52固定在磁轭51的内壁，第三磁体53固定在磁轭51的中间位置，并且第二磁体52与第三磁体53之间形成有间隙，第二音圈42延伸至该间隙中。需要说明的是，该间隙为第二音腔54的一部分。当然磁轭51用来安装的作用之外，还具有导磁的作用，使得磁场强度增加的作用。

其中，第二磁体52、第三磁体53为磁铁，也可以为其他的磁性物体。

同样的，由于第二音腔54为封闭结构，气体与外界不能相互流动，再加上第二复合振膜41面积比较小，使得第二复合振膜41的振动频率可以比较高，因此高频效果比较明显。

其中，第一音腔24与第二音腔54相互隔绝。磁轭51将盆架10分隔成两个空间，其中之一的空间与第一复合振膜21、盆架10等形成第一音腔24，另外一空间与第二复合振膜41、盆架10等形成第二音腔54。

盆架10内部为阶梯结构，并且两侧为开口结构。第一复合振膜21、第二复合振膜41分别固定在两侧的开口结构。第一磁体31、磁轭51固定于阶梯结构。具体的，盆架10内部设置有凸缘，磁轭51固定在凸缘上，并且是密封连接。碗状的盆架10开口侧朝向第二复合振膜41一侧，使得第二磁体52、第三磁体53能够与第二音圈42能相互作用。整个磁轭51位于盆架10内，碗状磁轭51的外侧与第一复合振膜21、盆架10内壁形成上述的第一音腔24。

优选的，第一磁体31、第二磁体52、第三磁体53均与相应的第一华司32、第二华司55、第三华司56匹配，增加磁场的均匀性。

具体的，第一音圈22所在的磁场称为第一磁场，第二音圈42所在的磁场称为第二磁场。其中，第一磁体31、第二磁体52、第三磁体53设置的位置比较近，所以三者也能两两形成磁场，相互叠加，使得扬声器的总谐波失真减小，同时电耦合因数BL值增大，对应的灵敏度也增加。

在其他实施例中，第二磁路组件50包括固定于盆架10内的磁轭51，固定在磁轭51内的第三磁体53。磁轭51、第三磁体53及第二复合振膜41之间形成有第二音腔54，并且第二音圈42延伸至第二音腔54内。在本实施例中，第三磁体53通过磁轭51增大磁场强度，第一磁体31与磁轭51的间隙为第一音腔24的一部分，第一音圈22在此间隙内做切割磁场运动。第三磁体53设置在磁轭51中间，使得磁轭51与第三磁体53之间形成有间隙，该间隙为第二音腔54的一部分，并且该间隙形成有叠加磁场，第二音圈42在该间隙内做切割磁场运动。本实施例降低成本，提高加工的方便性。

在其他实施例中，第二磁路组件50包括固定于盆架10内的磁轭51，固定在磁轭51内的第二磁体52。磁轭51、第二磁体52及第二复合振膜41之间形成有第二音腔54，并且第二音圈42延伸至第二音腔54内。第二磁体52固定在磁轭51上，磁轭51能够加强第二磁体52的磁通量。其中，第一磁体31与磁轭51的间隙为第一音腔24的一部分，第一音圈22在此间隙内做切割磁场运动；第二磁体52内部形成有空间，第一磁体31与第二磁体52在该空间内形成有叠加磁场，第二音圈42在该空间内做切割磁场运动。本实施例降低成本，提高加工的方便性。

在其他实施例中，第二音膜组件40的第二音圈42因为在叠加的磁场下，受到的弹力较大，所以在第二音圈42外设置限位结构，即弹波。第二音圈42外侧设置有弹波，弹波产生弹力的一端与第二音圈42固定，另一端与盆架10固定。本实施例的弹波的弹性系数根据实际要求选取，一般情况下，根据弹波的材质、形状、支撑面积大小、硬度等需要设计出符合要求的等效顺性，满足第二音圈42的在扬声器中使用。另外，第二音圈42外的弹波弹性系数要比第一音圈22外的弹波的弹性系数小得多。

与现有技术相比，本实用新型第一音圈22和第二音圈42在叠加的磁场下工作，使得第一复合振膜21和第二复合振膜41具有比较大的动能，而第一复合振膜21在限位结构的作用下运动，体现出较好的低频效果，第二复合振膜41面积比较小，体现出比较好高频效果，同时避免振幅过大。因此，整个扬声器的频率响应宽，灵敏度高，总谐波失真小。

上述仅以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本实用新型的实施方式仅限于此，任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造，均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。

Claims (10)

1.一种限位音膜组件，其特征在于，包括第一复合振膜，设置在第一复合振膜一侧的第一音圈；所述第一音圈的端部与第一复合振膜的振动方向的一侧固定连接；所述第一音圈的外侧设置有弹波；所述弹波用于限制第一音圈在设定范围内运动。

2.根据权利要求1所述的一种限位音膜组件，其特征在于，所述弹波与第一复合振膜固定的位置靠近于第一复合振膜。

3.一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，包括盆架，权利要求1或2所述的限位音膜组件，与限位音膜组件相互作用的第一磁路组件，第二音膜组件，及与第二音膜组件相互作用的第二磁路组件；所述限位音膜组件、第二音膜组件设置于盆架两侧，所述第一磁路组件、第二磁路组件设置于盆架内侧。

4.根据权利要求3所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第二音膜组件包括第二复合振膜，与第二复合振膜一侧固定连接的第二音圈；所述第二音膜组件的有效振动面积为扬声器横截面积的1/5至4/5。

5.根据权利要求4所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第一复合振膜、第二复合振膜设置于盆架的两侧。

6.根据权利要求4所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第二音圈外侧设置有弹波；所述弹波产生弹力的一端与第二音圈固定，另一端与盆架固定。

7.根据权利要求3所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第一磁路组件包括设置于盆架的第一磁体；所述第一磁体、第二磁路组件及第一复合振膜之间形成有第一音腔；所述第一音圈位于第一音腔内，所述第一复合振膜振动的内侧朝向第一音腔。

8.根据权利要求7所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第二音膜组件包括第二复合振膜，与第二复合振膜一侧固定连接的第二音圈；所述第二音膜组件与第二磁路组件之间形成有第二音腔；所述第二音圈位于第二音腔之内，所述第二复合振膜的振动内侧朝向第二音腔。

9.根据权利要求8所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内的第二磁体、第三磁体；所述磁轭、第二磁体、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔；

或，

所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内的第三磁体；所述磁轭、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔；

或，

所述第二磁路组件包括固定于盆架的磁轭，固定于磁轭内第三磁体；所述磁轭、第三磁体及第二复合振膜之间形成所述的第二音腔。

10.根据权利要求9所述的一种双音圈双磁路的扬声器，其特征在于，所述盆架一侧为开口结构，另一侧设置有安装孔；所述安装孔的截面面积小于开口结构的截面面积；所述第一复合振膜设置于开口端外侧，并且第一磁体设置于开口结构的内壁；所述第二复合振膜设置于安装孔外侧，并且磁轭固定于安装孔内；所述磁轭位于第一复合振膜与第二复合振膜之间。