CN220401961U - 扬声器组件、扬声器模组及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于电声转换设备技术领域，具体涉及一种扬声器组件、扬声器模组及电子设备。本申请的扬声器组件包括m个扬声器单体，任一个扬声器单体分别沿第一方向振动，m个扬声器单体沿第二方向并排设置为n列，至少一列中包括沿第一方向层叠设置的两个扬声器单体，且层叠设置的两个扬声器单体的振膜朝向方向相反，至少一列层叠设置的两个扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，其中，F2大于F1，第一方向与第二方向相交设置，m≥3，m/2≤n＜m，且m和n分别为正整数。根据本申请的扬声器组件，可减少电子设备漏音现象的发生，同时可以提升扬声器组件在低频、中频、高频段的性能，使电子设备在全频段的音质更好。

Description

扬声器组件、扬声器模组及电子设备

技术领域

本实用新型属于电声转换设备技术领域，具体涉及一种扬声器组件、扬声器模组及电子设备。

背景技术

近年来，随着人们对电子产品(电脑，平板，手机、VR和AR等)的音质要求的提升，电子产品技术也日新月异地发展，所使用的扬声器产品也要做设计上的优化变更。

现有的扬声器模组为了同时兼顾低音效果和中高音效果，通常采用双面扬声器，即通过相对应的两侧分别实现低频音效和中高频音效的输出。然而，由于双面扬声器对应的前声腔和后声腔发射的声音信号的幅值存在差异，扬声器模组的前声腔和后声腔发射的声音信号在水平方向(即接近人群的方向)不能完全干涉抵消，从而导致扬声器模组在水平方向上存在较大的声压级，这也直接导致电子产品的漏音现象，降低了电子产品的私密性。

实用新型内容

本申请的目的是至少解决部分上述问题。该目的是通过以下方式实现的。

本申请的第一方面提出了一种扬声器组件，所述扬声器组件包括m个扬声器单体，任一个所述扬声器单体分别沿第一方向振动，m个所述扬声器单体沿第二方向并排设置为n列，至少一列中包括沿所述第一方向层叠设置的两个所述扬声器单体，且层叠设置的两个所述扬声器单体的振膜朝向方向相反，至少一列层叠设置的两个所述扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个所述扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，其中，F2大于F1，所述第一方向与所述第二方向相交设置，m≥3，m/2≤n＜m，且m和n分别为正整数。

根据本申请的扬声器组件，将本申请的扬声器组件置于电子设备的扬声器模组中，由于层叠设置的两个扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，且F2大于F1，可以将具有第一谐振频率F1的扬声器单体设置为低频扬声器，将具有第二谐振频率F2的扬声器单体设置为中高频扬声器，从而可实现电子设备的低频音效和中高频音效的同时输出，而且具有第一谐振频率F1的两个扬声器单体层叠设置，从而可通过控制层叠设置的两个扬声器单体振动方向实现音效的叠加和消除，当两个扬声器单体的振动方向相一致时，可提升电子设备的音效强度，当两个扬声器单体的振动方向相反时，可实现电子设备外部音效的减小或抵消，从而减少电子设备漏音现象的发生，同时可以提升扬声器组件在低频、中频、高频段的性能，使电子设备在全频段的音质更好。

另外，根据本申请的扬声器组件，还可具有如下附加的技术特征：

在本申请的一些实施方式中，所述第一谐振频率F1的取值范围是10hZ≤F1≤800Hz。

在本申请的一些实施方式中，具有所述第一谐振频率F1的所述扬声器单体设有第一音圈，所述第一音圈的线圈为铜包铝线圈。

在本申请的一些实施方式中，所述第二谐振频率F2的取值范围是800hZ≤F2≤3000Hz。

在本申请的一些实施方式中，具有所述第二谐振频率F2的所述扬声器单体设有第二音圈，所述第二音圈的线圈为铜线圈。

在本申请的一些实施方式中，至少一列层叠设置的两个所述扬声器单体包括第一扬声器单体和第二扬声器单体，所述第一扬声器单体的内部设有第一磁路组件，所述第二扬声器单体的内部设有第二磁路组件，所述第一磁路组件和所述第二磁路组件的磁场方向相反设置。

在本申请的一些实施方式中，所述第一扬声器单体和第二扬声器单体之间还设有磁轭，所述第一磁路组件和所述第二磁路组件分别与所述磁轭的相背设置的两个板面连接。

本申请的第二方面还提出了一种扬声器模组，所述扬声器模组具有上述任一项所述的扬声器组件，所述扬声器模组还包括：

模组外壳，所述模组外壳的内部形成有容纳腔，所述扬声器组件设于所述容纳腔，并将所述容纳腔分隔成至少两个前声腔和至少一个后声腔，所述至少两个前声腔包括第一前声腔和第二前声腔，具有所述第一谐振频率F1且层叠设置的两个所述扬声器单体分别与所述第一前声腔和所述第二前声腔相连通。

在本申请第二方面的一些实施方式中，所述至少一个后声腔包括第一后声腔和第二后声腔，至少一个具有所述第一谐振频率F1的所述扬声器单体与所述第一后声腔相连通，所述第一后声腔的容积L1的取值范围是0.5cm³≤L1；

和/或，至少一个具有所述第二谐振频率F2的所述扬声器单体与所述第二后声腔相连通，所述第二后声腔的容积L2的取值范围是0.01cm³≤L2≤1cm³。

本申请的第三方面还提出了一种电子设备，所述电子设备具有上述任一项所述扬声器模组。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其它的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。其中：

图1为根据本申请一实施方式的扬声器组件的结构示意图；

图2为根据本申请一实施方式的扬声器组件的A-A剖面结构示意图；

图3为根据本申请一实施方式的扬声器组件的分解结构示意图；

图4为根据本申请另一实施方式的扬声器组件的结构示意图；

图5为根据本申请一实施方式的扬声器模组的结构示意图。

附图中各标号表示如下：

100、扬声器模组；

1、扬声器组件；

11、第一扬声器单体；111、第一振膜；112、第一壳体；113、第一磁路组件；1131、第一中心磁铁；1132、第一边磁铁；1133、第一中心导磁板；1134、第一边导磁板；114、第一音圈；115、补强部；116、磁轭；

12、第二扬声器单体；121、第二振膜；122、第二磁路组件；1221、第二中心磁铁；1222、第二边磁铁；

13、第三扬声器单体；131、第三振膜；

14、第四扬声器单体；141、第四振膜；

2、模组外壳；

21、第一前声腔；211、第一出声孔；22第二前声腔；221、第二出声孔；23、第一后声腔。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。

应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。

尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。

为了便于描述，在本说明书的上下文中，当一个元件被称为位于另一个元件“上”时，它可以直接位于另一个元件上或在其间插入有一个或多个中间元件的情况下间接位于另一个元件上。而且，在本说明书的上下文中，当一个元件被称为“连接”或“联接”或“附接”到另一个元件时，它可以直接连接或联接或附接到另一个元件或在其间插入有一个或多个中间元件的情况下间接连接、联接或附接到另一个元件。此外，当一个元件被称为与另一个元件“接合”时，它可以与另一个元件直接接合或接触，或在其间插入有一个或多个中间元件的情况下与另一个元件间接接合或接触。

也可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。

为至少解决如何减少电子产品的漏音现象的问题，本申请提出了一种扬声器组件、具有该扬声器组件的扬声器模组、以及具有该扬声器模组的电子设备。

结合图1至图3所示，在本申请的一些实施方式中，扬声器组件1包括m个扬声器单体，任一个扬声器单体分别沿第一方向振动，m个扬声器单体沿第二方向并排设置为n列，至少一列中包括沿第一方向层叠设置的两个扬声器单体，且层叠设置的两个扬声器单体的振膜朝向方向相反，至少一列层叠设置的两个扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，其中，F2大于F1，第一方向与第二方向相交设置，m≥3，m/2≤n＜m，且m和n分别为正整数。

具体地，为描述方便，本申请的实施方式中仅以扬声器组件包括4个扬声器单体进行举例说明。其中，四个扬声器单体沿第二方向排成两列，任一列分别包括两个层叠设置的扬声器单体。如图2所示的左侧一列的两个扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，且两个扬声器单体的振膜分别与第一方向相垂直，并能够沿第一方向往复振动。如图2所示的右侧一列的两个扬声器单体分别具有第二谐振频率F2，且两个扬声器单体的振膜分别与第一方向相垂直，并能够沿第一方向往复振动。其中，左侧一例的两个扬声器单体分别为第一扬声器单体11和第二扬声器单体12，第一扬声器单体11的第一振膜111沿第一方向朝上设置，第二扬声器单体12的第二振膜121沿第一方向朝下设置。右侧一例的两个扬声器单体分别为第三扬声器单体13和第四扬声器单体14，第三扬声器单体13的第三振膜131沿第一方向朝上设置，第四扬声器单体14的第四振膜141沿第一方向朝下设置。通过上述结构设置，本实施方式中的扬声器组件1可实现四面发声。且，至少一列层叠设置的两个扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，第二谐振频率大于第一谐振频率，可以提升扬声器组件1在低频、中频、高频段的性能，使电子设备在全频段的音质更好.

结合图1至图3所示，在本申请的一些实施方式中，第一扬声器单体11、第二扬声器单体12、第三扬声器单体13和第四扬声器单体14的结构基本一致或一致。为描述方便，仅以第一扬声器单体11的结构进行举例说明。

其中，第一扬声器单体11包括第一壳体112，第一壳体112的沿第一方向的两端敞开设置，其中一端设有第一振膜111，另一端设有磁轭116。第一壳体112、第一振膜111和磁轭116间形成容纳腔，容纳腔中设有第一磁路组件113和第一音圈114。第一磁路组件113包括第一中心磁铁1131和沿第二方向设于第一中心磁铁1131两侧的第一边磁铁1132，两侧的第一边磁铁1132与第一中心磁铁1131间形成有磁间隙，第一音圈114的一端与第一振膜111相连，第一音圈114的另一端插接于磁间隙中。第一音圈114还连接有导线，导线可与外部电源相连通，从而用于向第一音圈114供电。通电后的第一音圈114能够在第一磁路组件113的磁场作用下沿第一方向往复振动，从而带动第一振膜111振动发声。

进一步地，在本申请的一些实施方式中，为了提高第一磁路组件113的磁场强度，第一磁路组件113还设有第一中心导磁板1133和第一边导磁板1134，第一中心导磁板1133贴合设于第一中心磁铁1131背离磁轭116的表面，第一边导磁板1134贴合设于第一边磁铁1132背离磁轭116的表面，从而用于增强第一磁路组件113的磁场强度。在本申请的一些实施方式中，第一振膜111上还贴合设有补强部115，补强部115用于增加第一振膜111的质量，从而用于提高第一振膜111的振动幅度。

根据本申请的扬声器组件1，将本申请的扬声器组件1置于电子设备的扬声器模组中，由于如图2所示的左侧层叠设置的第一扬声器单体11和第二扬声器单体12分别具有第一谐振频率F1，右侧层叠设置的第三扬声器单体13和第四扬声器单体14分别具有第二谐振频率F2，且F2大于F1，可以将第一扬声器单体11和第二扬声器单体12分别设置为低频扬声器，将第三扬声器单体13和第四扬声器单体14设置为中高频扬声器，从而可实现电子设备的低频音效和中高频音效的同时输出，而且由于第一扬声器单体11和第二扬声器单体12层叠设置，从而可通过控制第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的振动方向实现音效的叠加和消除。其中，第二扬声器单体12内还设有第二磁路组件122，且第二磁路组件122的磁场方向与第一磁路组件113的磁场方向相反设置。当第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的振动方向相一致时，可提升电子设备的音效强度，当第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的振动方向相反时，可实现电子设备外部音效的减小或抵消，从而减少电子设备漏音现象的发生。同时，第一扬声器单体11、第二扬声器单体12、第三扬声器单体13和第四扬声器单体14相组合工作，可以提升扬声器组件1在低频、中频、高频段的性能，使电子设备在全频段的音质更好。

结合图2和图3所示，在本申请的一些实施方式中，第一音圈114的线圈为铜包铝线圈，即在铝线的外部包覆铜线，第一谐振频率F1的取值范围是10hZ≤F1≤800Hz，F1可以为10hZ…50hZ…200hZ…800hZ期间内的任意值。

结合图2和图3所示，本申请的一些实施方式中，第二音圈的线圈为铜线圈，第二谐振频率F2的取值范围是800hZ≤F2≤3000Hz，F2可以为10hZ…50hZ…200hZ…800hZ期间内的任意值。

结合图1至图3所示，在本申请的一些实施方式中，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12可以分别为独立且完整的扬声器单体结构，并层叠连接在一起，具体可以为焊接、粘接或卡接。在本申请的一些实施方式中，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12之间还设有磁轭116，第一磁路组件113和第二磁路组件122分别与磁轭116的相背设置的两个板面连接，从而形成双面扬声器，磁轭116同时作为第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的一部分结构。同样地，第三扬声器单体13和第四扬声器单体14也可以分别为独立且完整的扬声器单体结构，或通过磁轭116连接形成双面扬声器。其中，第二磁路组件122包括第二中心磁铁1221和第二边磁铁1222，两个第二边磁铁1222沿第二方向分别设于第二中心磁铁1221的两侧，并与第二中心磁铁1221间形成磁间隙。

如图4所示，在本申请的一些实施方式中，扬声器单体的数量还可以为奇数个，如3个，分别为第一扬声器单体11、第二扬声器单体12和第三扬声器单体13，其中，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12沿第一方向层叠设置，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12分别为低频扬声器，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的分别为铜包铝线圈，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的第一谐振频率F1的取值范围是10hZ≤F1≤800Hz，且第一振膜111和第二振膜121分别沿第一方向朝向相反方向设置。第一扬声器单体11和第三扬声器单体13沿第二方向并排设置，第三扬声器单体13为高频扬声器，第三扬声器单体13的线圈为铜线圈，第二谐振频率F2的取值范围是800hZ≤F2≤3000Hz，且第三振膜131与第一振膜111的朝向方向相同。

结合图1、图2、图3和图5所示，本申请的第二方面还提出了一种扬声器模组100，扬声器模组100具有上述任一项实施方式的扬声器组件1，扬声器模组100还包括模组外壳2，模组外壳2的内部形成有容纳腔，扬声器组件1设于容纳腔，并将容纳腔分隔成至少两个前声腔和至少一个后声腔，至少两个前声腔包括第一前声腔21和第二前声腔22，具有第一谐振频率F1且层叠设置的两个扬声器单体分别与第一前声腔21和第二前声腔22相连通。其中，第一前声腔21通过第一出声孔211与外部相连通，第二前声腔22通过第二出声孔221与外部相连通。

具体地，第一扬声器单体11可以与第一前声腔21相连通，第二扬声器单体12可以与第二前声腔22相连通，且第一扬声器单体11和第二扬声器单体12层叠设置，从而可通过控制第一扬声器单体11和第二扬声器单体12的振动方向实现音效的叠加和消除。而第三扬声器单体13可以与第一扬声器单体11共用第一前声腔21，也可以通过设置隔板结构将第一前声腔21继续分隔成互不连通的两个腔体，第一扬声器单体11和第三扬声器单体13分别与分隔后的两个腔体对应连通。第四扬声器单体14可以与第二扬声器单体12共用第二前声腔22，也可以通过设置隔板结构将第二前声腔22继续分隔成两个腔体，第四扬声器单体14和第二扬声器单体12分别与分隔后的两个腔体对应连通。

结合图1、图2、图3和图5所示，在本申请的一些实施方式中，至少一个后声腔包括第一后声腔23和第二后声腔，至少一个具有第一谐振频率F1的扬声器单体与第一后声腔23相连通，第一后声腔23的容积L1的取值范围是0.5cm³≤L1。

具体地，第一扬声器单体11和第二扬声器单体12分别与第一后声腔23相连通。

结合图1、图2、图3和图5所示，在本申请的一些实施方式中，至少一个具有第二谐振频率F2的扬声器单体与第二后声腔(图中未示出)相连通，第二后声腔的容积L2的取值范围是0.01cm³≤L2≤1cm3。

具体地，第二后声腔与第一后声腔23为不同的两个腔体，第三扬声器单体13和第四扬声器单体14分别与第二后声腔相连通，第三振膜131和第四振膜141之间的部分与第二后声腔相对设置且连通。其中，第二后声腔可通过隔板继续分隔成两个腔体，且第三扬声器单体13和第四扬声器单体14分别与分隔后的两个腔体相连通。

本申请的第三方面还提出了一种电子设备，电子设备具有上述任一实施方式的扬声器模组100。其中，该电子设备可以为手机、平板电脑、AR或VR等多种电子设备。

以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种扬声器组件，其特征在于，包括m个扬声器单体，任一个所述扬声器单体分别沿第一方向振动，m个所述扬声器单体沿第二方向并排设置为n列，至少一列中包括沿所述第一方向层叠设置的两个所述扬声器单体，且层叠设置的两个所述扬声器单体的振膜朝向方向相反，至少一列层叠设置的两个所述扬声器单体分别具有第一谐振频率F1，m个所述扬声器单体中的至少一个扬声器单体具有第二谐振频率F2，其中，F2大于F1，所述第一方向与所述第二方向相交设置，m≥3，m/2≤n＜m，且m和n分别为正整数。

2.根据权利要求1所述的扬声器组件，其特征在于，所述第一谐振频率F1的取值范围是10hZ≤F1≤800Hz。

3.根据权利要求2所述的扬声器组件，其特征在于，具有所述第一谐振频率F1的所述扬声器单体设有第一音圈，所述第一音圈的线圈为铜包铝线圈。

4.根据权利要求1所述的扬声器组件，其特征在于，所述第二谐振频率F2的取值范围是800hZ≤F2≤3000Hz。

5.根据权利要求4所述的扬声器组件，其特征在于，具有所述第二谐振频率F2的所述扬声器单体设有第二音圈，所述第二音圈的线圈为铜线圈。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的扬声器组件，其特征在于，至少一列层叠设置的两个所述扬声器单体包括第一扬声器单体和第二扬声器单体，所述第一扬声器单体的内部设有第一磁路组件，所述第二扬声器单体的内部设有第二磁路组件，所述第一磁路组件和所述第二磁路组件的磁场方向相反设置。

7.根据权利要求6所述的扬声器组件，其特征在于，所述第一扬声器单体和第二扬声器单体之间还设有磁轭，所述第一磁路组件和所述第二磁路组件分别与所述磁轭的相背设置的两个板面连接。

8.一种扬声器模组，其特征在于，具有根据权利要求1至7中任一项所述的扬声器组件，所述扬声器模组还包括：

模组外壳，所述模组外壳的内部形成有容纳腔，所述扬声器组件设于所述容纳腔，并将所述容纳腔分隔成至少两个前声腔和至少一个后声腔，所述至少两个前声腔包括第一前声腔和第二前声腔，具有所述第一谐振频率F1且层叠设置的两个所述扬声器单体分别与所述第一前声腔和所述第二前声腔相连通。

9.根据权利要求8所述的扬声器模组，其特征在于，所述至少一个后声腔包括第一后声腔和第二后声腔，至少一个具有所述第一谐振频率F1的所述扬声器单体与所述第一后声腔相连通，所述第一后声腔的容积L1的取值范围是0.5cm³≤L1；

和/或，至少一个具有所述第二谐振频率F2的所述扬声器单体与所述第二后声腔相连通，所述第二后声腔的容积L2的取值范围是

0.01cm³≤L2≤1cm³。

10.一种电子设备，其特征在于，具有根据权利要求8或9所述的扬声器模组。