CN219239757U - 一种低压气相沉积用硅片载舟 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体硅片生产技术领域，具体为一种低压气相沉积用硅片载舟，包括舟体和靠板，舟体包括支架、下刻槽石英棒、与下刻槽石英棒相连的左刻槽石英棒、右刻槽石英棒，靠板尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。本实用新型可以实现卧式低压气相炉沉积过程中硅片“背靠背”生长，极大的提高了加工效率，硅片倾斜放置可以避免生长多晶硅膜一面与石英舟的直接接触，略小于加工硅片的尺寸可以减少在沉积后取样过程中对多晶硅薄膜的物理破坏。本实用新型具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体硅片生产技术领域，具体为一种低压气相沉积用硅片载舟。
背景技术
半导体硅片是半导体产业链的上游，是制作芯片的核心材料，贯穿了芯片制作的全过程，半导体硅片的质量和数量制约下游终端领域行业的发展。半导体硅片的加工过程有时需要经过低压气相沉积(LPCVD)生长薄膜层(如SiO2、Poly-Si等)。LPCVD的反应过程会在硅片正面和背面都沉积上薄膜，但是仅需要保留背面的薄膜，正面的薄膜则需通过后续的抛光过程去除。为了保护背面膜的完整性应尽量避免硅背面与载舟舟体部分的接触。现有的载舟通常为单片放置，生产效率相对较低，并且载舟的槽体有可能会与硅片背面接触，在沉积结束后相接触位置就被沉积的薄膜连接为一体，在取片时会对硅片背面薄膜造成物理破坏、且容易造成硅片边缘缺口。因此需要设计新的载舟提高生产效率，减少背面膜划伤及擦伤、避免硅片的崩边及缺口的产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低压气相沉积用硅片载舟，以解决上述背景技术中提出硅片背面与舟体的接触易产生擦伤和缺口的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种低压气相沉积用硅片载舟，包括舟体和靠板，所述舟体包括支架、下刻槽石英棒、与下刻槽石英棒相连的左刻槽石英棒、右刻槽石英棒，所述靠板尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。
作为优选，所述靠板和舟体均采用耐高温的石英材质制成。
作为优选，所述下刻槽石英棒、左刻槽石英棒、右刻槽石英棒的槽体深度均为1-3mm，槽体呈倒三角结构，槽体向上开口角度为3-6°。
作为优选，所述左刻槽石英棒、右刻槽石英棒设置于舟体两侧的位置且高度对称。
作为优选，所述靠板的小于所需加工硅片尺寸的2-5mm。
作为优选，所述靠板的形状为三棱柱，三个矩形面分别为A1，A2和B，两个三角形面为C1和C2且为等边三角形，A1和A2的夹角为2-5°，B面中心位置与下刻槽石英棒连接，且下刻槽石英棒的倾斜面与靠板倾斜面连成一个平面。
作为优选，所述左刻槽石英棒与靠板右侧连接为一体，右刻槽石英棒与靠板右侧连接为一体。
作为优选，所述靠板数量至少包括两个，每两个石英槽中间放置一个靠板。
作为优选，所述舟体两端为探出的下刻槽石英棒，每一端设置一个刻槽。
作为优选，所述支架安装在舟体的下方，支架为棒状结构，直径大于下刻槽石英棒。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本低压气相沉积用硅片载舟可以实现卧式低压气相炉沉积过程中硅片“背靠背”生长，极大的提高了加工效率，硅片倾斜放置可以避免生长多晶硅膜一面与石英舟的直接接触，略小于加工硅片的尺寸可以减少在沉积后取样过程中对多晶硅薄膜的物理破坏。本实用新型具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起做进一步的详细解释，但并不构成对本实用新型的限制。
图1是本实用新型的侧面结构示意图；
图2是本实用新型的正面结构示意图。
图中各标号的含义：
10、靠板；
20、左刻槽石英棒；
30、右刻槽石英棒；
40、支架；
50、下刻槽石英棒；
60、舟体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例和说明书附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“竖向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
一种低压气相沉积用硅片载舟，如图1和图2所示，包括舟体60和靠板10，舟体60包括支架40、下刻槽石英棒50、与下刻槽石英棒50相连的左刻槽石英棒20、右刻槽石英棒30，靠板10尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱，可以实现卧式低压气相炉沉积过程中硅片“背靠背”生长，极大的提高了加工效率，硅片倾斜放置可以避免生长多晶硅膜一面与石英舟的直接接触，略小于加工硅片的尺寸可以减少在沉积后取样过程中对多晶硅薄膜的物理破坏。本实用新型具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。
值得说明的是，靠板10和舟体60均采用耐高温的石英材质制成，LPCVD的反应温度通常在580-680℃之间，石英材质制可以确保载舟在沉积过程中不会发生变形及损坏。
进一步的，下刻槽石英棒50、左刻槽石英棒20、右刻槽石英棒30的槽体深度均为1-3mm，槽体呈倒三角结构，槽体向上开口角度为3-6°，槽体的设计可以很好的固定硅片的位置，倒三角设计可以减少去放过程中硅片与载舟的摩擦。
值得说明的是，左刻槽石英棒20、右刻槽石英棒30设置于舟体60两侧的位置且高度对称，左右对称的设计可以很好的固定硅片，避免硅片向两侧的滚动，靠板10的小于所需加工硅片尺寸的2-5mm，避免在沉积过程中硅片边缘与靠板的接触而导致的多晶薄膜的损坏。
具体的，靠板10的形状为三棱柱，三个矩形面分别为A1，A2和B，两个三角形面为C1和C2且为等边三角形，A1和A2的夹角为2-5°，B面中心位置与下刻槽石英棒50连接，且下刻槽石英棒50的倾斜面与靠板10倾斜面连成一个平面，带倾斜角度的设计可以确保硅片背面不与载舟接触且具有良好的稳定性。
此外，左刻槽石英棒20与靠板10右侧连接为一体，右刻槽石英棒30与靠板10右侧连接为一体，可以确保靠板与舟体连接为一个整体，靠板10数量至少包括两个，每两个石英槽中间放置一个靠板10，可以根据LPCVD炉体的长度选择不同数量的载舟。
值得注意的是，舟体60两端为探出的下刻槽石英棒50，每一端设置一个刻槽，支架40安装在舟体60的下方，支架40为棒状结构，直径大于下刻槽石英棒，宽度与LPCVD设备浆的内部宽度相同，可以在放置载舟时确定载舟刚好处于浆的中心位置，避免因温区不对称而造成的薄膜内部均匀性不良。
本低压气相沉积用硅片载舟的工作原理：硅片倾斜放置于带有角度的靠板10上，硅片背面朝外，硅片参考面方向朝上，石英棒刻槽间距相等，并且左、右、下石英棒刻槽与靠板10在一个平面上，石英承载舟体60可以根据生产数量需要延长或缩短，靠板10尺寸比所需加工的硅片尺寸略小。例如：下刻槽石英棒50、左刻槽石英棒20、右刻槽石英棒30为等规格22.6cm长度，每个石英棒均有26个刻槽，刻槽为下窄上宽的倒梯形结构，每个槽体下部间距为1mm，每个隔板的下部宽度为8mm，每个靠板10的倾斜角度为3°，每个靠板10面可放置1枚硅片，则整个载舟可以放置50枚硅片。完成装载硅片后，则将载舟平放在LPCVD的浆上，将下侧两个石英棒两侧嵌入浆中即可。如整个反应浆的长度可放置4个载舟，则浆4个载舟头尾紧靠一起放置即可。待LPCVD沉积过程结束，用真空吸笔或取片夹将硅片逐个取出。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：包括舟体(60)和靠板(10)，所述舟体(60)包括支架(40)、下刻槽石英棒(50)、与下刻槽石英棒(50)相连的左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)，所述靠板(10)尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。
2.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)和舟体(60)均采用耐高温的石英材质制成。
3.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述下刻槽石英棒(50)、左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)的槽体深度均为1-3mm，槽体呈倒三角结构，槽体向上开口角度为3-6°。
4.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)设置于舟体(60)两侧的位置且高度对称。
5.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)的小于所需加工硅片尺寸的2-5mm。
6.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)的形状为三棱柱，三个矩形面分别为A1，A2和B，两个三角形面为C1和C2且为等边三角形，A1和A2的夹角为2-5°，B面中心位置与下刻槽石英棒(50)连接，且下刻槽石英棒(50)的倾斜面与靠板(10)倾斜面连成一个平面。
7.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述左刻槽石英棒(20)与靠板(10)右侧连接为一体，右刻槽石英棒(30)与靠板(10)右侧连接为一体。
8.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)数量至少包括两个，每两个石英槽中间放置一个靠板(10)。
9.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述舟体(60)两端为探出的下刻槽石英棒(50)，每一端设置一个刻槽。
10.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述支架(40)安装在舟体(60)的下方，支架(40)为棒状结构，直径大于下刻槽石英棒(50)。
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2022
- 2022-11-28 CN CN202223166032.8U patent/CN219239757U/zh active Active
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