CN219203184U - 柔性基板结构和记忆柔性led灯 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及LED技术领域，具体而言，涉及一种柔性基板结构和记忆柔性LED灯。柔性基板结构，包括芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架；桥连基座分别连接芯片封装基座与焊接引脚，焊接引脚与工艺框架连接；芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架均采用记忆合金制成。其能够减少了工艺环节，提高了应用产品可靠性及降底了成本。

Description

柔性基板结构和记忆柔性LED灯

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，具体而言，涉及一种柔性基板结构和记忆柔性LED灯。

背景技术

钨丝灯照明已经有一百多年历史了，在LED替代传统照明的今天，因为固化的惯性思维，也对LED照明提出了仿照的需求。在当前的LED封装工艺中，芯片的载体通常高硬度材料及高精度结构便于封装工艺，以上工艺在高柔性及仿古的应用需求中需要另外的结构支撑。

例如专利CN202120757889.3公开了一种薄型化LED线路板结构，其包括耐高温基板、耐高温基板的上表面和下表面均覆盖的超薄铜、超薄铜的上表面上均蚀刻有上线路，上线路上安装有LED芯片；超薄铜上覆盖有保护层，耐高温基板为LCP基板或者PI基板。

然而现有的工艺技术的工艺环节多，且成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的包括，例如，提供了一种柔性基板结构和记忆柔性LED灯，其能够减少了工艺环节，提高了应用产品可靠性及降底了成本。

本实用新型的实施例可以这样实现：

第一方面，本实用新型提供一种柔性基板结构，包括：

芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架；

所述桥连基座分别连接所述芯片封装基座与所述焊接引脚，所述焊接引脚与所述工艺框架连接；

所述芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架均采用记忆合金制成。

本方案的柔性基板结构包括依次连接的芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架；所述芯片封装基座、所述焊接引脚、所述桥连基座和所述工艺框架均部分或全部采用记忆合金制成。即本方案的柔性基板结构仅仅采用了一种基座，没有多层PI板的结构而是用现有的封装工艺装LED芯片封装在本基板上，完成后基板现有特性实相关应用型状；且完成后LED产品因为没有硬质的PI板，因此可以实现了自由的高柔性造型。本结构实现了仿古及高柔性发光形态LED照明灯具中的应用，相较LED陶瓷基板本结构有高柔性的特征，相较PI基板，本结构减化了线路结构，降低了成本。综上，这样的柔性基板结构具有结构简单、操作方便，以及成本低、加工方便，能够大规模流水线生产，因此具有突出的经济效益。

在可选的实施方式中，所述芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架的材料为不锈钢、锰钢、合金铝、磷铜、钛合金中任一种记忆合金。

在可选的实施方式中，所述芯片封装基座的表面具有OSP保护层。

在可选的实施方式中，所述焊接引脚的表面具有第一电镀层；

所述第一电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀镍。

在可选的实施方式中，所述芯片封装基座的表面具有第二电镀层；

所述第二电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀银。

在可选的实施方式中，所述桥连基座采用高分子耐温树脂材料制成，以作用于芯片封装基座正负极性的联连。

在可选的实施方式中，所述芯片封装基座、所述焊接引脚和所述工艺框架采用连续冲压成型在一起。

第二方面，本实用新型提供一种记忆柔性LED灯，所述记忆柔性LED灯包括前述实施方式中任一项所述的柔性基板结构。

在可选的实施方式中，还包括至少一个LED芯片，所述LED芯片均设置在所述芯片封装基座上。

在可选的实施方式中，所述LED芯片通过焊接方式设置在所述焊接引脚上。

本实用新型实施例的有益效果包括，例如：

本方案的柔性基板结构包括依次连接的芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架，且芯片封装基座、焊接引脚、桥连基座和工艺框架均部分或全部采用记忆合金制成。这样的半导体的基板没有PI板等硬质板材，因此减化了线路结构，减少了装配工艺，降低了成本。同时，用现有的封装工艺装LED芯片封装在本基板上，完成后基板现有特性实相关应用型状，完成的半导体产品能够实现了自由的高柔性造型。

本方案的记忆柔性LED灯具有照度好、装配过程简单、且成本低，因此能够大规模生产，因此经济效益出众。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型实施例的柔性基板结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的柔性基板结构的另一视角的结构示意图；

图3为本实用新型实施例的柔性基板结构的单个发光模组单元的结构示意图；

图4为本实用新型实施例的柔性基板结构的单个发光模组单元的局部结构示意图。

图标：10-柔性基板结构；100-芯片封装基座；200-焊接引脚；210-连接线；300-桥连基座；400-工艺框架；500-LED芯片。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例中的特征可以相互结合。

钨丝灯照明已经有一百多年历史了，在LED替代传统照明的今天，因为固化的惯性思维，也对LED照明提出了仿照的需求。在当前的LED封装工艺中，芯片的载体通常高硬度材料及高精度结构便于封装工艺，以上工艺在高柔性及仿古的应用需求中需要另外的结构支撑。

具体的，现有技术中的基板一般为多层板材构成，且至少具有一层硬质板材(例如PI板)。例如，基板包括耐高温基板、超薄铜、保护层，耐高温基板为LCP基板或者PI基板。这样使得现有的工艺技术的工艺环节多，且成本高。

为改善上述技术问题，在下面的实施例中提供一种柔性基板结构和记忆柔性LED灯。

请参考图1，本实施例提供了一种柔性基板结构10，包括芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400；

桥连基座300分别连接芯片封装基座100与焊接引脚200，焊接引脚200与工艺框架400连接；

芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400均采用记忆合金制成。

本方案的柔性基板结构10包括依次连接的芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400；芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400均部分或全部采用记忆合金制成。即本方案的柔性基板结构10仅仅采用了一种基座，没有多层PI板的结构而是用现有的封装工艺装LED芯片500封装在本基板上，完成后基板现有特性实相关应用型状；且完成后LED产品因为没有硬质的PI板，因此可以实现了自由的高柔性造型。本结构实现了仿古及高柔性发光形态LED照明灯具中的应用，相较LED陶瓷基板本结构有高柔性的特征，相较PI基板，本结构减化了线路结构，降低了成本。综上，这样的柔性基板结构10具有结构简单、操作方便，以及成本低、加工方便，能够大规模流水线生产，因此具有突出的经济效益。

请继续参阅图1至图4，以了解柔性基板结构10的更多结构细节。

从图中可以看出，芯片封装基座100，焊接引脚200，工艺框架400，属于冷扎压延材料，经过五金模国连续冲压成型，成型为连接形态如图1。图1中的基板结构经过裁剪加工能够形成多条带状的记忆柔性LED灯带。

图1中示出了相对平行布置在工艺框架400两侧的两组芯片封装基座100。

需要说明的是，为了实现记忆柔性LED灯柔性伸展的目的也是可以使用柔性电路板(Flexible Printed Circuit简称FPC是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性,绝佳的可挠性印刷电路板)，但是使用FPC板需要单独设置支架，又会增加工艺，也不利于降低成本。而一般的陶瓷结构的LED不能够实现柔性布置的需求。

可选的，在本实用新型的本实施例中，芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400的材料为不锈钢、锰钢、合金铝、磷铜、钛合金中任一种记忆合金。具体的，芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400的材料包括不锈钢、锰钢、合金铝、磷铜、钛合金等有一定记忆特性的合金材料。

需要说明的是，在本实施例中，芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400的材料包括但不限于不锈钢、锰钢、合金铝、磷铜、钛合金等有一定记忆特性的合金材料，在其他实施例中，上述结构还能采用其他种类的合金材料。进一步的，芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400，相互之间的材料可以全部相同、部分相同或各部相同，其具体设置方式基于本领域技术人员根据实际功用和需求选定，这里不做限定。

进一步的，在本实用新型的本实施例中，芯片封装基座100的表面具有OSP保护层。

OSP是印刷电路板(PCB)铜箔表面处理的符合RoHS指令要求的一种工艺。OSP是Organic Solderability Preservatives的简称，中译为有机保焊膜，又称护铜剂，英文亦称之Preflux。简单地说，OSP就是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜。

具体的，芯片封装基座100采用连续电镀工艺完成OSP保护层做防氧化处理。在连续电镀工艺中导入橡胶掩模用于其它区域的遮避。在掩模中间腔体用真空溅射实现电镀药液与焊接引脚200区域(如图1中所示)的接触，OSP保护层的作用为防氧化及封装工艺中抗氧化作用，在应用端也有抗氧化的作用，保护产品使用寿命。如此能够显著提升芯片封装基座100的抗氧化保护作用，进而提高记忆柔性发光半导体的寿命。

在本实用新型的本实施例中，焊接引脚200的表面具有第一电镀层；第一电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀镍。具体的，焊接引脚200采用连续电镀工艺完成底层铜中间层镍，表层银或金，在连续电镀工艺中导入橡胶掩模用于其它区域的遮避。在掩模中间腔体用真空溅射实现电镀药液，完成铜层及镍层的电镀。表面银层会用材料整体置入药液中完成电镀，在多层电镀的过程中边缘高电位区会形成聚集阴离子吸附形成局部厚度偏高，偏离的精度会影响封装工艺，因此在电镀工艺后段导入橡胶掩模用于其它区域的遮避功能区，用退镀药液消除高电位区聚集的银层。保障核心层的均匀性及精度。

需要说明的是，这里电镀层靠近焊接引脚200本身的一侧为底层，远离焊接引脚200本身的一侧为表层(同下，不再赘述)。在本实施中，焊接引脚200采用连续电镀工艺完成底层铜中间层镍，表层银或金，在连续电镀工艺中导入橡胶掩模用于其它区域的遮避。在掩模中间腔体用真空溅射实现电镀药液，完成铜层及镍层的电镀。表面银层会用材料整体置入药液中完成电镀，在多层电镀的过程中边缘高电位区会形成聚集阴离子吸附形成局部厚度偏高，偏离的精度会影响封装工艺，因此在电镀工艺后段导入橡胶掩模用于其它区域的遮避功能区，用退镀药液消除高电位区聚集的银层。保障核心层的均匀性及精度。

在本实用新型的本实施例中，芯片封装基座100的表面具有第二电镀层；第二电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀银。

进一步的，芯片封装基座100局部区域也可以采用连续电镀工艺完成底层铜中间层镍，表层银或金，在连续电镀工艺中导入橡胶掩模用于其它区域的遮避。即采用在掩模中间腔体用真空溅射实现电镀药液，完成铜层及镍层的电镀。表面银层会用材料整体置入药液中完成电镀，在多层电镀的过程中边缘高电位区会形成聚集阴离子吸附形成局部厚度偏高，偏离的精度会影响封装工艺，因此在电镀工艺后段导入橡胶掩模用于其它区域的遮避功能区，用退镀药液消除高电位区聚集的银层。保障核心层的均匀性及精度。

可选的，超声压接工艺实现与芯片焊接导通电路。

在本实用新型的本实施例中，桥连基座300采用高分子耐温树脂材料制成，以作用于芯片封装基座100正负极性的联连。采用高分子耐温树脂材料，作用于芯片封装基座100正负极性的联连。桥连基座300用于芯片封装基座100与焊接引脚200(图1)的联接，由连续注塑成型工艺实现，并由裁切模具实现分片(如图2)。

可选的，在本实用新型的本实施例中，芯片封装基座100、焊接引脚200和工艺框架400采用连续冲压成型在一起。

第二方面，本实用新型提供一种记忆柔性LED灯，记忆柔性LED灯包括前述实施方式中任一项的柔性基板结构10。

从图3和图4中可以看出，进一步的，记忆柔性LED灯还包括至少一个LED芯片500，LED芯片500均设置在芯片封装基座100上。

可选的，在本实用新型的本实施例中，LED芯片500通过焊接方式设置在焊接引脚200上。

具体的，具有LED芯片500的发光模组单元形态完成封装工艺，芯片置入基本上(如图3)，铜钯线、金线或银线等连接线210完成焊接(如图3)，末端芯片二焊点焊接于焊接引脚200上(如图3)。以上工艺完成后分切为单体(如图4所示)。随后单体在应用端的形态(如图4)结构强度可实现各类柔性应用。

本实用新型结构的优势在于：用现有的封装工艺装LED芯片500封装在本基板上，完成后基板现有特性实相关应用型状。完成产品后能够实现了自由的高柔性造型。

本方案的记忆柔性LED灯具有照度好、装配过程简单、且成本低，因此能够大规模生产，因此经济效益出众。

综上，本实用新型实施例提供了一种柔性基板结构10和记忆柔性LED灯，至少具有以下优点：

本方案的柔性基板结构10包括依次连接的芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400，且芯片封装基座100、焊接引脚200、桥连基座300和工艺框架400均部分或全部采用记忆合金制成。这样的半导体的基板没有PI板等硬质板材，因此减化了线路结构，减少了装配工艺，降低了成本。同时，用现有的封装工艺装LED芯片500封装在本基板上，完成后基板现有特性实相关应用型状，完成的半导体产品能够实现了自由的高柔性造型。

以上，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种柔性基板结构，其特征在于，包括：

芯片封装基座(100)、焊接引脚(200)、桥连基座(300)和工艺框架(400)；

所述桥连基座(300)分别连接所述芯片封装基座(100)与所述焊接引脚(200)，所述焊接引脚(200)与所述工艺框架(400)连接；

所述芯片封装基座(100)、焊接引脚(200)、桥连基座(300)和工艺框架(400)均采用记忆合金制成。

2.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述芯片封装基座(100)、焊接引脚(200)、桥连基座(300)和工艺框架(400)的材料为不锈钢、锰钢、合金铝、磷铜、钛合金中任一种记忆合金。

3.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述芯片封装基座(100)的表面具有OSP保护层。

4.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述焊接引脚(200)的表面具有第一电镀层；

所述第一电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀镍。

5.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述芯片封装基座(100)的表面具有第二电镀层；

所述第二电镀层包括依次重叠的电镀铜和电镀银。

6.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述桥连基座(300)采用高分子耐温树脂材料制成，以作用于芯片封装基座(100)正负极性的联连。

7.根据权利要求1所述的柔性基板结构，其特征在于：

所述芯片封装基座(100)、所述焊接引脚(200)和所述工艺框架(400)采用连续冲压成型在一起。

8.一种记忆柔性LED灯，其特征在于：

所述记忆柔性LED灯包括权利要求1-7中任一项所述的柔性基板结构。

9.根据权利要求8所述的记忆柔性LED灯，其特征在于：

还包括至少一个LED芯片(500)，所述LED芯片(500)均设置在所述芯片封装基座(100)上。

10.根据权利要求9所述的记忆柔性LED灯，其特征在于：

所述LED芯片(500)通过焊接方式设置在所述焊接引脚(200)上。

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