CN219195129U - 一种舟片、晶片舟以及沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种舟片、晶片舟以及沉积设备，舟片上设置有沉降槽，通过沉降槽容纳基片，基片的边缘被沉降边沿包围，减少基片非镀膜面与工艺气体的接触，同时，卡点位于沉降区内，更有利于气流的引导，在基片放置于沉降槽后，该结构引导来自气流方向的反应物从基片表面通过，避免等离子体进入基片的背面，从而避免形成绕镀。
Description
技术领域
本实用新型涉及领域半导体设备领域，特别涉及一种舟片、晶片舟以及沉积设备。
背景技术
随着半导体技术的不断发展以及对清洁能源的需求增大，采用沉积技术批量进行硅片沉积而制备太阳能电池板的技术得到了广泛的应用。
在太阳能电池晶片的沉积工艺中，通常采用晶片舟作为载具，晶片进入沉积设备中进行沉积工艺时，晶片处于工艺气体的环境中，不需要镀膜的一面也会接触到工艺气体，进而导致晶片不需要镀膜的一面也镀上膜，这种现象被称为绕镀现象。绕镀现象会影响晶片生产的良率和转换效率等性能，改善并尽可能避免绕镀现象，是太阳能电池沉积设备设计中的一个重要课题。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种舟片、晶片舟以及沉积设备，改善基片绕镀现象。
为实现上述目的，本实用新型有如下技术方案：
一种舟片，包括:
本体；
所述本体上设置有沉降槽，所述沉降槽包括第一沉降区，所述第一沉降区内设置有条形镂空槽；
多个卡点，所述卡点位于所述第一沉降区内，多个卡点位于同一平面上以固定一基片。
可选地，所述第一沉降区内还设置有第二沉降区，且条形镂空槽位于所述第二沉降区中，所述第一沉降区和所述第二沉降区之间形成有沉降边沿，所述沉降边沿用于在所述第一沉降区中容纳基片时与基片边缘形成贴合。
可选地，所述沉降边沿的宽度范围为1-3mm。
可选地，所述第一沉降区容纳基片后，基片的表面基本与本体的表面持平，所述第一沉降区的四周较基片宽0.3-3mm。
可选地，所述沉降边沿形成的基片支撑面呈倾斜设置，倾斜角度为1-3°。
可选地，所述条形镂空槽为多个且呈平行设置。
可选地，基片基本为矩形，所述多个卡点分别设置于所述第一沉降区的底侧和与底侧相邻的两相对侧。
可选地，所述沉降槽相对于本体呈倾斜设置，且两相对侧卡点的位置高度不同。
一种晶片舟，包括多个上述任一项所述的舟片。
一种沉积设备，所述沉积设备的腔室中设置有上述的晶片舟。
本实用新型实施例提供的舟片、晶片舟以及沉积设备，舟片上设置有沉降槽，通过沉降槽容纳基片，基片的边缘被沉降边沿包围，减少基片非镀膜面与工艺气体的接触，同时，卡点位于沉降区内，更有利于气流的引导，在基片放置于沉降槽后，该结构引导来自气流方向的反应物从基片表面通过，避免等离子体进入基片的背面，从而避免形成绕镀。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本实用新型一个实施例的舟片的俯视结构示意图；
图2示出了根据本实用新型另一实施例的舟片的俯视结构示意图；
图3示出了根据本实用新型实施例的舟片放置基片后的俯视结构示意图；
图4示出了根据本实用新型实施例的晶片舟的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术的描述，绕镀现象会影响太阳能电池晶片生产的良率和转换效率等性能，改善并尽可能避免绕镀现象，是太阳能电池晶片沉积设备中需要重点解决的问题之一，为此，本实用新型提出了一种舟片、晶片舟以及沉积设备，通过舟片的设计改善沉积过程中的绕镀现象。
参见图1所示，一种舟片100，包括:本体102；所述本体102上设置有沉降槽，所述沉降槽包括第一沉降区104，所述第一沉降区104内设置有条形镂空槽108；多个卡点110，所述卡点110位于所述第一沉降区104内，多个卡点110位于同一平面上以固定一基片120。
本实用新型实施例提供的舟片，舟片上设置有沉降槽，通过沉降槽容纳基片，基片的边缘被沉降边沿包围，减少基片非镀膜面与工艺气体的接触，同时，卡点位于沉降区内，更有利于气流的引导，在基片放置于沉降槽后，该结构引导来自气流方向的反应物从基片表面通过，避免等离子体进入基片的背面，从而避免形成绕镀。
在本实用新型实施例中，舟片为待加工的基片提供支撑，舟片上可以设置一个沉降槽，也可以设置依次排布成列的多个沉降槽，基片可以是太阳能电池晶片或其他需批量镀膜的基体。
舟片100用于承载基片120，本实用新型实施例中，参见图1-2所示，舟片包括本体102，本体102例如可以为石墨材料，在本体102上设置有沉降槽，沉降槽包括第一沉降区104，第一沉降区104较基片120的表面具有下沉，下沉的深度可以根据待加工基片的厚度来设定，在第一沉降区104中放置基片后，使得基片的表面与本体102的表面基本持平。在一些应用中，基片为硅晶片，硅晶片的厚度大致为50-500um，第一沉降区104的下沉深度的范围也可以大致设置为50-500um。
更优的实施例中，参考图2所示，该沉降槽可以为双沉降结构，第一沉降区104内进一步设置有第二沉降区106，镂空槽108位于第二沉降区106内，这样，在第一沉降区104和第二沉降区106之间就形成了沉降边沿，在沉降槽中容纳基片后，沉降边沿与基片边缘形成贴合。这样的双沉降结构中，基片放置于第一沉降区104之后，基片的边缘与沉降边沿形成贴合，避免形成绕镀，同时第二沉降区106的设置避免基片背面与舟片的接触，进而避免基片背面的污染，同时还能通过镂空槽平衡均匀电场，从而，可以全面提升镀膜工艺性能。
第一沉降区104可以呈略微倾斜的设置，这样，沉降边沿形成的基片支撑面也呈倾斜设置，倾斜角度可以为1-3°。该设置更有利于气流的导向以及绕镀问题的改善。
参见图3所示，第一沉降区104用于容纳基片，可以与基片的形状基本适配，在基片为电池片时，电池片一般为长方形，第一沉降区104可以采用长方形结构，且在设置卡点的位置处适应地形成有卡点的沉降部分，舟片的沉降槽的尺寸可以略大于电池晶片的尺寸，沉降槽的尺寸大于放置于沉降槽中的基片的尺寸范围为0.3mm-3mm，即在沉降槽中放置基片后，基片的边缘与第一沉降区的边沿之间存在一个较小的间隙。该设置下，有利于引导气体在基片表面的流向，有利于改善基片绕镀现象。
在第二沉降区106中设置有条形镂空槽108，条形镂空槽108的数量可以为多个，当为多个时，多个条形镂空槽108可以平行排列，且呈等间距排列，条形镂空槽108的尺寸可以根据需要设置。通过设置该条形镂空槽108，可以使得基片中间区域也有部分本体材料，有利于提高导电的均匀性。
卡点110用于固定放置于沉降槽中的基片，本实用新型中，卡点设置于第一沉降区内，如图1和图2所示，可以在需要设置卡点的区域向外延伸出部分与卡点形状适配的沉降区域，从而形成了卡点和基片沉降区集成为一体的第一沉降区，一体的结构有助于提升气流的均匀性。
卡点110的结构可以根据需要设置，数量通常为多个，该多个卡点110设置于基片旁的不同位置处，以构成一个卡接平面，用于固定放置于沉降槽中的基片。卡点110的位置不应干涉基片的放入，通常可以设置于基片放置入口之外的区域范围，在本实用新型的一些实施例中，基片基本为矩形，多个卡点110可以分别设置于第一沉降区104的底侧和与底侧相邻的两相对侧，这样，形成基本为C型的卡接平面。进一步地，沉降槽相对于本体102呈倾斜设置时，两相对侧的卡点110的位置高度可以不同，倾斜一侧的卡点110可以设置在更高位置处，以形成更为稳固的卡接平面。
在本实用新型实施例中，舟片100上可以设置一个或多个沉降槽，用于放置一个或多个基片，在设置多个沉降槽时，多个沉降槽可以呈列排布。
此外，本实用新型还提供了一种晶片舟，参见图4所示，在晶片舟30中放置有多个上述舟片100。
此外本实用新型还提供了一种沉积设备，在沉积设备的腔室中设置有上述的晶片舟。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种舟片，其特征在于，包括:
本体；
所述本体上设置有沉降槽，所述沉降槽包括第一沉降区，所述第一沉降区内设置有条形镂空槽；
多个卡点，所述卡点位于所述第一沉降区内，多个卡点位于同一平面上以固定一基片。
2.根据权利要求1所述的舟片，其特征在于，所述第一沉降区内还设置有第二沉降区，且条形镂空槽位于所述第二沉降区中，所述第一沉降区和所述第二沉降区之间形成有沉降边沿，所述沉降边沿用于在所述第一沉降区中容纳基片时与基片边缘形成贴合。
3.根据权利要求2所述的舟片，其特征在于，所述沉降边沿的宽度范围为1-3mm。
4.根据权利要求1所述的舟片，其特征在于，所述第一沉降区容纳基片后，基片的表面基本与本体的表面持平，所述第一沉降区的四周较基片宽0.3-3mm。
5.根据权利要求2所述的舟片，其特征在于，所述沉降边沿形成的基片支撑面呈倾斜设置，倾斜角度为1-3°。
6.根据权利要求1或2所述的舟片，其特征在于，所述条形镂空槽为多个且呈平行设置。
7.根据权利要求1所述的舟片，其特征在于，基片基本为矩形，所述多个卡点分别设置于所述第一沉降区的底侧和与底侧相邻的两相对侧。
8.根据权利要求7所述的舟片，其特征在于，所述沉降槽相对于本体呈倾斜设置，且两相对侧卡点的位置高度不同。
9.一种晶片舟，其特征在于，包括多个如权利要求1-8中任一项所述的舟片。
10.一种沉积设备，其特征在于，所述沉积设备的腔室中设置有如权利要求9所述的晶片舟。
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