CN219107399U - 一种脉冲功放偏置电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及到电子电路技术领域，具体涉及到一种脉冲功放偏置电路。本实用新型提供的一种脉冲功放偏置电路，包括供电电源，与供电电源连接的电位器，与电位器连接的第一电阻，电位器与第一电阻之间连接的偏置电路，与第一电阻连接的运算放大器，与运算放大器输出连接的双路场效应管，与双路场效应管连接的功率场效应管和使能信号端口，与双路场效应管连接的功放输出端。采用将偏置电路加在功率场效应管的栅极，通过控制使能信号端口的高低电平，能够迅速控制功率场效应管栅极电压的有无，进而控制功率场效应管工作在脉冲信号下，能够将此电路应用在10MHz‑25MHz之间，具有较高的通用性。
Description
技术领域
本实用新型涉及到电子电路技术领域，具体涉及到一种脉冲功放偏置电路。
背景技术
在各种晶体管构成的放大器中为了放大器不失真地将信号电压放大，需保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。换而言之，需要通过外部电路设置各晶体管的工作点，使各晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位。前述中的外部电路即是偏置电路，偏置电路可分为固定偏置电路、自偏置电路和分压偏置电路。但目前现有的偏置电路中，对于应用在脉冲功放中偏置电路的设计几乎少之又少，可供参考的文献也很难寻找，不能满足在使用脉冲功放电路时对偏置电路的需求。
实用新型内容
为了解决以上现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种脉冲功放偏置电路，能在保证脉冲信号不失真的前提下，具有成本低廉、结构简单、易于装配，且通用性高、开关迅速的特点。
本实用新型采用的技术方案如下：一种脉冲功放偏置电路，包括供电电源，与供电电源连接的电位器，与电位器连接的第一电阻，电位器与第一电阻之间连接的偏置电路，与第一电阻连接的运算放大器，与运算放大器输出连接的双路场效应管，与双路场效应管连接的功率场效应管和使能信号端口，与双路场效应管连接的功放输出端；所述供电电源与电位器之间还有一个接地的第一电容；所述偏置电路包括偏置电阻、第一二极管和第二二极管，偏置电阻的一端连接在电位器与第一电阻之间，偏置电阻的另一端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第二二极管的正极连接，第二二极管的负极接地。
进一步的，供电电源采用+5V电压源。
进一步的，电位器采用3224W-1K型电位器，3224W-1K型电位器的2号端口连接供电电源，3224W-1K型电位器的1号端口作为输出连接第一电阻，3224W-1K型电位器的3号端口置空。
进一步的，运算放大器采用TLV316QDBVTQ1型运算放大器，第一电阻与运算放大器的同向输入端连接，运算放大器的反向输入端连接运算放大器的输出端口。
进一步的，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口连接第七电阻后再连接+5V电压源，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口与第七电阻之间还连接有接地的第二电容，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的负极电源接口接地。
进一步的，双路场效应管采用SI1539CDL型场效应管；SI1539CDL型场效应管的S2端口连接运算放大器的输出，G2端口和D1端口并联后连接第二电阻、再与运算放大器的输出连接，S1端口接地，G1端口与功率场效应管的栅极连接，G1端口还并联连接有第三电阻、第三电容和第四电阻，其中第三电阻和第三电容接地，第四电阻连接使能信号端口；D2端口连接第五电阻后作为功放输出端，D2端口还与功率场效应管的源极连接。
进一步的，功率场效应管采用SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管，SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管的漏极连接第六电阻后接地。
进一步的，第一二极管和第二二极管采用负温度系数的二极管。
值得说明的是，在将该脉冲功放偏置电路用于实际电路中时，最好是将功率场效应管与偏置电阻、第一二极管和第二二极管的位置设置为相邻或相互接近，使得功率场效应管在使用时产生的热量可影响到作为负温度系数器件的第一二极管和第二二极管，以保证当功率场效应管工作时产生的热量会影响到第一二极管和第二二极管。由于二极管为负温度系数器件，当温度升高的时候，二极管阻值降低，此时功率场效应管的栅极电压会降低，以减小功率场效应管静态工作点的温度漂移。这样的设置可提高整个电路的稳定性，进一步稳定功率场效应管的工作状态的特点。
有益效果：
本实用新型提供的一种脉冲功放偏置电路，采用将偏置电路加在功率场效应管的栅极，通过控制使能信号端口的高低电平，能够迅速控制功率场效应管栅极电压的有无，进而控制功率场效应管工作在脉冲信号下。具体的，当功率场效应管工作的时候会产生热量，此时由于二极管为负温度系数器件，当温度升高的时候，二极管阻值降低，此时功率场效应管的栅极电压会降低，以减小功率场效应管静态工作点的温度漂移，偏置电路起到能够随着温度变化稳定功率场效应管的栅极电压从而稳定功率场效应管的工作状态的特点。能够将此电路应用在10MHz-25MHz之间，具有较高的通用性。
附图说明
图1为本实用新型一种脉冲功放偏置电路的电路示意图；
其中VCC-供电电源，U1-电位器，U2-运算放大器，U3-双路场效应管，C1-第一电容，C2-第二电容，C3-第三电容，R-偏置电阻，R1-第一电阻，R2-第二电阻，R3-第三电阻，R4-第四电阻，R5-第五电阻，R6-第六电阻，R7-第七电阻，D1-第一二极管，D2-第二二极管，Q-双路场效应管，TX-使能信号端口，OUT-功放输出端。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。
如图1所示的一种脉冲功放偏置电路，包括供电电源VCC，与供电电源VCC连接的电位器U1，与电位器U1连接的第一电阻R1，电位器U1与第一电阻R1之间连接的偏置电路，与第一电阻R1连接的运算放大器U2，与运算放大器U2输出连接的双路场效应管U3，与双路场效应管U3连接的功率场效应管Q和使能信号端口TX，与双路场效应管Q连接的功放输出端OUT；所述供电电源VCC与电位器U1之间还有一个接地的第一电容C1；所述偏置电路包括偏置电阻R、第一二极管D1和第二二极管D2，偏置电阻R的一端连接在电位器U1与第一电阻R1之间，偏置电阻R的另一端与第一二极管D1的正极连接，第一二极管D1的负极与第二二极管D2的正极连接，第二二极管D2的负极接地。
在本实施例中，供电电源VCC采用+5V电压源。
在本实施例中，电位器U1采用3224W-1K型电位器，3224W-1K型电位器的2号端口连接供电电源VCC，3224W-1K型电位器的1号端口作为输出连接第一电阻R1，3224W-1K型电位器的3号端口置空。
在本实施例中，运算放大器U2采用TLV316QDBVTQ1型运算放大器，第一电阻R1与运算放大器U2的同向输入端连接，运算放大器U2的反向输入端连接运算放大器U2的输出端口。
在本实施例中，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口连接第七电阻R7后再连接+5V电压源，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口与第七电阻R7之间还连接有接地的第二电容C2，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的负极电源接口接地。
在本实施例中，双路场效应管U3采用SI1539CDL型场效应管；SI1539CDL型场效应管的S2端口连接运算放大器U2的输出，G2端口和D1端口并联后连接第二电阻R2、再与运算放大器U2的输出连接，S1端口接地，G1端口与功率场效应管Q的栅极连接，G1端口还并联连接有第三电阻R3、第三电容C3和第四电阻R4，其中第三电阻R3和第三电容C3接地，第四电阻R4连接使能信号端口TX；D2端口连接第五电阻R5后作为功放输出端OUT，D2端口还与功率场效应管Q的源极连接。
在本实施例中，功率场效应管Q采用SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管，SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管的漏极连接第六电阻R6后接地。
在本实施例中，第一二极管D1和第二二极管D2采用负温度系数的二极管。
值得说明的是，在将该脉冲功放偏置电路用于实际电路中时，最好是将功率场效应管Q与偏置电阻R、第一二极管D1和第二二极管D2的位置设置为相邻或相互接近，使得功率场效应管Q在使用时产生的热量可影响到作为负温度系数器件的第一二极管D1和第二二极管D2。由于第一二极管D1和第二二极管D2为负温度系数器件，当温度升高的时候，第一二极管D1和第二二极管D2的阻值降低，此时功率场效应管Q的栅极电压会降低，以减小功率场效应管Q静态工作点的温度漂移。这样的设置可提高整个电路的稳定性，进一步稳定功率场效应管Q的工作状态的特点。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所有的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：包括供电电源，与供电电源连接的电位器，与电位器连接的第一电阻，电位器与第一电阻之间连接的偏置电路，与第一电阻连接的运算放大器，与运算放大器输出连接的双路场效应管，与双路场效应管连接的功率场效应管和使能信号端口，与双路场效应管连接的功放输出端；所述供电电源与电位器之间还有一个接地的第一电容；所述偏置电路包括偏置电阻、第一二极管和第二二极管，偏置电阻的一端连接在电位器与第一电阻之间，偏置电阻的另一端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第二二极管的正极连接，第二二极管的负极接地。
2.根据权利要求1所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述供电电源采用+5V电压源。
3.根据权利要求1所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述电位器采用3224W-1K型电位器，3224W-1K型电位器的2号端口连接供电电源，3224W-1K型电位器的1号端口作为输出连接第一电阻。
4.根据权利要求1所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述运算放大器采用TLV316QDBVTQ1型运算放大器，第一电阻与运算放大器的同向输入端连接，运算放大器的反向输入端连接运算放大器的输出端口。
5.根据权利要求1所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述双路场效应管采用SI1539CDL型场效应管；SI1539CDL型场效应管的S2端口连接运算放大器的输出，G2端口和D1端口并联后连接第二电阻、再与运算放大器的输出连接，S1端口接地，G1端口与功率场效应管的栅极连接，G1端口还并联连接有第三电阻、第三电容和第四电阻，其中第三电阻和第三电容接地，第四电阻连接使能信号端口；D2端口连接第五电阻后作为功放输出端，D2端口还与功率场效应管的源极连接。
6.根据权利要求4所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口连接第七电阻后再连接+5V电压源，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的正极电源接口与第七电阻之间还连接有接地的第二电容，TLV316QDBVTQ1型运算放大器的负极电源接口接地。
7.根据权利要求5所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述功率场效应管采用SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管，SI1315DL-T1-GE3型功率场效应管的漏极连接第六电阻后接地。
8.根据权利要求1所述的一种脉冲功放偏置电路，其特征在于：所述第一二极管和第二二极管采用负温度系数的二极管。
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