CN213846619U - 一种射频功率放大器的偏置结构 - Google Patents
一种射频功率放大器的偏置结构 Download PDFInfo
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Abstract
一种射频功率放大器的偏置结构，适用于放大管采用双极型晶体管的电路中，采用电感实现放大管的直流偏置，实现射频信号通路与偏置电路的隔离，使射频信号不会进入偏置电路；同时参与射频信号的输入匹配，减少匹配器件的使用；电感L的寄生电阻很小，能极大的减小偏置器件对大信号DC电流的负反馈作用，提高PA的饱和输出功率。
Description
技术领域
本实用新型属于射频集成电路设计技术领域，更具体地，涉及一种射频功率放大器的偏置结构。
背景技术
功率放大器(Power Amplifier，PA)是射频收发机中的关键模块，负责把射频信号放大到一定水平辐射出去。输出功率(Power in Saturation，Psat)是PA最为关键的一个技术指标，决定PA能输出的功率的水平。
传统的使用双极型晶体管作为放大管的PA的结构如图1所示。其中，M1为放大器件，用于将射频信号放大，偏置电路提供一个固定的电压vb，通过电阻R给M1提供直流电流Ic，同时电阻R实现射频信号与偏置电路的隔离。Ic的大小与PA的饱和输出功率大小强相关，Ic越大，能推出的功率越大。
当PA工作在饱和输出功率时，器件本身会产生很大的非线性电流，由于器件非线性特性，大信号工作时，器件的直流电流会增大，有利于提高输出功率。而传统的偏置方式下，电阻R对直流电流有负反馈作用，限制了直流电流的增大，从而降低了PA的饱和输出功率。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于，提供一种射频功率放大器的偏置结构，适用于放大管采用双极型晶体管的电路中，采用电感实现放大管的直流偏置，实现射频信号通路与偏置电路的隔离，使射频信号不会进入偏置电路；同时参与射频信号的输入匹配，减少匹配器件的使用；电感L的寄生电阻很小，能极大的减小偏置器件对大信号DC电流的负反馈作用，提高PA的饱和输出功率。
本实用新型采用如下的技术方案。
一种射频功率放大器的偏置结构，包括放大管、偏置电路、直流供电电源、输入匹配网络和输出匹配网络；还包括一个电感，电感的一端与偏置电路连接，电感的另一端同时与输入匹配网络的输出端、放大管的基极相连接；
优选地，
放大管是双极型晶体管。
优选地，
电感的电感值L>50pH。
优选地，
电感的寄生电阻阻值R<10Ω。
本实用新型的有益效果在于，与现有技术相比：
1、使用电感偏置放大管，使大信号工作时，放大管的电流能明显增大，提高饱和输出功率的水平。
2、偏置电感参与输入网络的射频匹配，能减小输入匹配器件的数目。
附图说明
图1是现有技术中一种射频功率放大器的偏置结构的电路原理图；
图2是本实用新型一种射频功率放大器的偏置结构的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本申请的保护范围。
如图2，一种射频功率放大器的偏置结构，包括放大管、偏置电路、直流供电电源、输入匹配网络和输出匹配网络；还包括一个电感，电感的一端与偏置电路连接，电感的另一端同时与输入匹配网络的输出端、放大管的基极相连接；
具体地，
放大管是双极型晶体管；
具体地，
电感的电感值L>50pH。
具体地，
电感的寄生电阻阻值R<10Ω。
本实用新型的有益效果在于，与现有技术相比：
1、使用电感偏置放大管，使大信号工作时，放大管的电流能明显增大，提高饱和输出功率的水平。
2、偏置电感参与输入网络的射频匹配，能减小输入匹配器件的数目。
本实用新型申请人结合说明书附图对本实用新型的实施示例做了详细的说明与描述，但是本领域技术人员应该理解，以上实施示例仅为本实用新型的优选实施方案，详尽的说明只是为了帮助读者更好地理解本实用新型精神，而并非对本实用新型保护范围的限制，相反，任何基于本实用新型的发明精神所作的任何改进或修饰都应当落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种射频功率放大器的偏置结构，包括放大管、偏置电路、直流供电电源、输入匹配网络和输出匹配网络，其特征在于，
所述射频功率放大器的偏置结构还包括一个电感，电感的一端与偏置电路连接，电感的另一端同时与输入匹配网络的输出端、放大管的基极相连接。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置结构，其特征在于，
所述放大管是双极型晶体管。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置结构，其特征在于，
所述电感的电感值L>50pH。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置结构，其特征在于，
所述电感的寄生电阻阻值R<10Ω。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022944656.2U CN213846619U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种射频功率放大器的偏置结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022944656.2U CN213846619U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种射频功率放大器的偏置结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213846619U true CN213846619U (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=76997033
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202022944656.2U Active CN213846619U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种射频功率放大器的偏置结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213846619U (zh) |
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2020
- 2020-12-10 CN CN202022944656.2U patent/CN213846619U/zh active Active
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