CN219016750U - 显示面板和显示装置 - Google Patents

显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN219016750U
CN219016750U CN202223212336.3U CN202223212336U CN219016750U CN 219016750 U CN219016750 U CN 219016750U CN 202223212336 U CN202223212336 U CN 202223212336U CN 219016750 U CN219016750 U CN 219016750U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
spacer
display panel
orthographic projection
boss
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202223212336.3U
Other languages
English (en)
Inventor
江亮亮
李淑君
张正林
徐竹青
王炎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Boe Display Technology Co ltd
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Boe Display Technology Co ltd
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Boe Display Technology Co ltd, BOE Technology Group Co Ltd filed Critical Nanjing Boe Display Technology Co ltd
Priority to CN202223212336.3U priority Critical patent/CN219016750U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN219016750U publication Critical patent/CN219016750U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板上的第一隔垫物朝向第二基板,第二基板包括第二基底和薄膜晶体管,还包括位于薄膜晶体管上的有机材料层,有机材料层的表面包括凸台部和平坦部,凸台部所在区域包含薄膜晶体管所在区域,凸台部的上端面与第一隔垫物的下端面在第二基底上的正投影至少部分交叠;第二基板还包括位于平坦部表面的支撑部,支撑部沿凸台部的至少部分外围设置,支撑部在第二基底上的正投影的外边缘位于第一隔垫物的靠近凸台部的端面在第二基底上的正投影的外围。本公开可以改善第一隔垫物由于受力不均导致的DNU和黑Gap不良。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)包括相对设置的显示面板和彩膜基板,以及填充在显示面板和彩膜基板之间的液晶。在LCD制备过程中,通过控制显示面板和彩膜基板之间的液晶量,调节两个基板之间的盒厚(Cell Gap),来控制LCD加电状态下的明暗和透过率。
相关技术中,为了保持盒厚的均一性,在显示面板和彩膜基板之间设置柱形隔垫物(Post Spacer,PS)。在显示面板或者彩膜基板受外力按压后,显示面板容易出现暗态不均(Dark Not Uniformity,DNU)和局部发黑不良(黑Gap)。
实用新型内容
本公开实施例提供一种显示面板和显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括:
第一基板,包括第一基底以及设置在第一基底一侧的多个第一隔垫物;
第二基板,与第一基板相对设置,第一隔垫物朝向第二基板,第二基板包括第二基底以及设置在第二基底的朝向第一基板一侧的薄膜晶体管,第二基板还包括位于薄膜晶体管的朝向第一基底一侧的有机材料层,有机材料层的远离第二基底一侧的表面包括多个凸台部以及位于凸台部之外的平坦部,凸台部在第二基底上的正投影包含薄膜晶体管在第二基底上的正投影,凸台部的朝向第一基板一侧的端面在第二基底上的正投影与第一隔垫物的朝向第二基板一侧的端面在第二基底上的正投影至少部分交叠;
第二基板还包括辅助层,辅助层位于平坦部表面,辅助层包括支撑部,支撑部在第二基底上的正投影沿凸台部在第二基底上的正投影的至少部分外围设置,支撑部在第二基底上的正投影的外边缘位于第一隔垫物的朝向第二基板一侧的端面在第二基底上的正投影的外围。
在一个实施例中,支撑部的靠近凸台部一侧的边界与凸台部之间的距离小于或等于6μm。
在一个实施例中,支撑部的厚度小于或等于凸台部与平坦部之间的段差。
在一个实施例中,第二基板设置有过孔,支撑部在第二基底上的正投影边界与过孔在第二基底上的正投影边界之间的距离大于或等于5μm。
在一个实施例中,第二基板具有与黑矩阵相对应的遮光区,辅助层在第二基底上的正投影位于遮光区内。
在一个实施例中,黑矩阵设置在第一基底的朝向第二基板的一侧,第一隔垫物设置在黑矩阵的朝向第二基板的一侧,第一隔垫物在第一基底上的正投影位于黑矩阵在第一基底上的正投影范围内,黑矩阵在第二基底上的正投影为遮光区,辅助层在第二基底上的正投影边界与遮光区的边界之间的距离大于或等于2μm。
在一个实施例中,凸台部的数量为多个,支撑部的数量为多个,且支撑部与凸台部一一对应,第二基板还包括多条栅线,栅线沿第一方向延伸,辅助层还包括第一连接部,在第一方向上相邻的两个支撑部通过第一连接部连接。
在一个实施例中,第二基板还包括多条数据线,数据线沿第二方向延伸,辅助层还包括第二连接部,在第二方向上相邻的两个支撑部通过第二连接部连接,第二连接部在第二基底上的正投影位于数据线在第二基底上的正投影的范围内,第二方向与第一方向相垂直。
在一个实施例中,辅助层的材料包括导电材料,辅助层与显示面板的公共电极信号连接。
在一个实施例中,第二基板还包括第一绝缘层、第一电极层和第一配向膜,第一绝缘层位于有机材料层和辅助层的背离第二基底的一侧,第一电极层位于第一绝缘层的背离第二基底的一侧,第一配向膜位于第一电极层的背离第二基底的一侧。
在一个实施例中,薄膜晶体管的有源层的材质包括氧化物。
作为本公开实施例的第二方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括本公开实施例中的显示面板。
本公开实施例的技术方案,在显示面板受到外力按压发生变形时,第一隔垫物即使发生错位移动和变形,凸台部和支撑部所在区域的相对平坦的表面也足够支撑第一隔垫物,使得第一隔垫物能够均匀落在段差稳定区域,使得第一隔垫物可以有效支撑显示面板的盒厚,改善第一隔垫物由于受力不均导致的DNU和黑Gap不良。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1为一种相关技术中LCD面板的截面示意图;
图2A为一种采用氧化物TFT的阵列基板的平面示意图;
图2B为图2A对应的显示面板的A-A截面示意图;
图2C为一种采用氧化物TFT的阵列基板中凸台及其周围区域表面相对于像素开口区表面的段差分布;
图3A为本公开一实施例显示面板中阵列基板的平面示意图;
图3B为本公开另一实施例显示面板中阵列基板的平面示意图;
图4为图3A对应的显示面板在一个实施例中的B-B截面示意图;
图5为图3A对应的显示面板在另一个实施例中的B-B截面示意图。
附图标记说明:
20、第一基板;21、第一基底;22、彩膜;23、黑矩阵;30、第二基板;31、第二基底;32、薄膜晶体管;33、有机材料层;331、平坦部;332、凸台部;34、辅助成;341、支撑部;342、第一连接部;342、第二连接部;35、第一绝缘层;36、过孔;411、栅电极;412、栅线;42、第二绝缘层;43、有源层;441、源电极;442、漏电极;443、数据线;45、第三绝缘层;48、第一电极层。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例,不同的实施例在不冲突的情况下可以任意结合。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
在本文中,隔垫物的站位为隔垫物的朝向对侧基板的端面在对侧基板上的接触位置,隔垫物的站位区域为隔垫物的朝向对侧基板的端面在对侧基板上的正投影。
LCD中会涉及到隔垫物(PS)、凸台(Pillow)、宽/间比(W/S)、DNU、PS Mura、黑Gap,下面对这些专用词进行一定的解释,便于对本文内容更好地理解。
PS:Photo Spacer,隔垫物。相关技术中,PS被设置在彩膜基板朝向显示面板一侧的表面,隔垫物的材质为具有一定弹性的树脂,起到稳定支撑LCD盒厚的功能。
Pillow:凸台。通常,凸台位于阵列基板表面。在垂直于基板的方向上,PS与凸台的位置相对应,PS的站位位于凸台表面。凸台表面相对于像素开口区的高度差异,称为凸台段差。当显示面板或彩膜基板发生错位变形时,Pillow高度越高,PS划伤对侧配向膜的可能性越低;Pillow面积越大,PS站位越稳定,显示面板和彩膜基板之间液晶盒厚稳定性越好。
W/S:宽/间比,薄膜晶体管开关器件的有效比,与像素充电率直接相关。W/S越大,充电率越高。氧化物薄膜晶体管的充电率较非晶硅(a-Si)薄膜晶体管的充电率高20倍左右,因此氧化物(Oxide)薄膜晶体管器件的W/S可以小于非晶硅薄膜晶体管器件的W/S。例如,a-Si薄膜晶体管,一般采用“U”型TFT器件,其沟道采用“U”型结构,W/S为30/5;Oxide薄膜晶体管,采用“I”型TFT器件,其沟道采用“I”型结构,W/S为10/5。
DNU:Dark Not Uniformity,暗态不均。DNU,指液晶显示面板在外力按压下出现的黑态不均现象。显示面板在外力按压作用下,彩膜基板或显示面板错位后,支撑盒厚功能的隔垫物PS发生移动,无法迅速恢复至初始稳定的区域,导致局部盒厚支撑和液晶配向异常,引起暗态下亮度局部异常,不均一。
PS Mura:液晶显示面板在剧烈外力按压下,错位后的PS划伤对侧基板位置的配向膜,液晶配向出现异常,而引起黑态下的液晶配向异常。一旦划伤区域侵入用于显示的开口区,会明显出现PS Mura不良,引起液晶配向异常,出现蓝绿红亮斑。目前,受材料和工艺限制,可以通过加宽PS位置附近的局部黑矩阵宽度和尺寸,物理遮蔽配向膜划伤区域,这种方式导致像素的有效开口率下降,产品透过率和规格明显下降,竞争力下降。
黑Gap:液晶显示面板靠具有弹性的隔垫物(PS)来有效支撑盒厚。隔垫物包括主隔垫物(Main PS)和副隔垫物(Sub PS)。当液晶显示面板受剧烈外力按压时,Main PS逐步压缩,先起到支撑作用;随着压力增加,盒厚持续降低,Sub PS逐步起到支撑,持续稳定盒厚并保护Main PS。如果Main PS处于过度压缩,无法迅速恢复至初始状态,按压区域的液晶盒厚偏低,就会出现局部发黑不良。
相关技术中,隔垫物设置在彩膜基板的黑矩阵上。当将彩膜基板与阵列基板对盒设置后,隔垫物位于阵列基板和彩膜基板之间。隔垫物包括主隔垫物(Main PS)和副隔垫物(Sub PS)。正常情况下,主隔垫物处于一定压缩状态,以保持盒厚的均一性,副隔垫物与阵列基板之间具有一定的间距。当面板受到垂直外力压迫或者处于低温条件下,面板的盒厚降低,彩膜基板向阵列基板靠近,使得主隔垫物受压过度无法提供足够支撑。此时,副隔垫物随着彩膜基板向阵列基板逐步靠近并接触阵列基板,提供足够的支撑来保持盒厚的均一性。
相关技术中,隔垫物设置在黑矩阵上,为了避免隔垫物引起显示缺陷,需要加宽隔垫物周边的黑矩阵宽度,以便使隔垫物在彩膜基板的正投影位于黑矩阵内。黑矩阵宽度的增加,降低了开口率和透过率。为了维持足够的开口率和透过率,可以将主隔垫物设置在薄膜晶体管位置,也就是说,将主隔垫物在阵列基板上的正投影设置在薄膜晶体管所在区域内,使得主隔垫物的站位位于薄膜晶体管所在区域表面,薄膜晶体管所在区域表面对隔垫物形成支撑。在阵列基板中,薄膜晶体管所在区域形成的凸起可以叫做凸台或者凸台部,凸台的高度大于像素开口区的高度,从而,即使主隔垫物相对于凸台发生错位移动,主隔垫物与阵列基板的像素开口区表面的配向膜仍存在一定距离,使得主隔垫物不易划伤配向膜。这样的方式,即使额外增加黑矩阵的宽度,由于不需要另外考虑隔垫物错位移动,对开口率也不会产生太大影响。可以理解的是,像素区域的透光区为像素开口区。
图1为一种相关技术中LCD面板的截面示意图。LCD显示面板包括相对设置的彩膜基板11和阵列基板12。相关技术中,阵列基板12包括第二基底121、设置在第二基底121上的薄膜晶体管122,以及设置在薄膜晶体管122上的有机材料层。有机材料层的上表面在薄膜晶体管122位置形成凸台部125,在凸台部125之外的区域为平坦部124。彩膜基板11包括第一基底111、设置在第一基底111的朝向阵列基板12一侧的彩膜112和黑矩阵113,还包括设置在黑矩阵113的朝向第二基板12一侧的第一隔垫物114。第一隔垫物114也可以叫做主隔垫物。薄膜晶体管122采用a-Si TFT,a-Si TFT一般采用“U”型结构,TFT的沟道采用U型结构,这就使得凸台部125的面积相比于第一隔垫物114面积比较大,第一隔垫物114在阵列基板12上的站位全部位于凸台部125的上端面。第一隔垫物114不容易移动到凸台部125之外。
图2A为一种采用氧化物TFT的阵列基板的平面示意图,图2A中示出了第一隔垫物在阵列基板上的站位区域;图2B为图2A对应的显示面板的A-A截面示意图,图2C为一种采用氧化物TFT的阵列基板中凸台及其周围区域表面相对于像素开口区表面的段差分布。对于氧化物TFT,氧化物TFT器件的迁移率相对于a-Si TFT器件的迁移率显著提升10~20倍,从而,氧化物TFT采用“I”型结构,其沟道采用“I”型结构,如图2A所示。采用“I”型结构的氧化物TFT的W/S相对于a-Si TFT的W/S偏小,可以有效提升开口率。采用“I”型结构的TFT器件形成的凸台部125相对于阵列基板20的像素开口区表面的段差d1一般在0.2μm~0.5μm。凸台部125的上端面的有效均一尺寸为8μm~9μm,第一隔垫物114的朝向阵列基板20一侧的端面的尺寸为8μm~15μm,凸台部125的尺寸相对于第一隔垫物114的尺寸明显偏小。从而,第一隔垫物114在阵列基板上的站位虽然位于凸台部125的上端面,但第一隔垫物114的站位区域超出凸台部125上端面所在区域,凸台部332无法对第一隔垫物24的整个下端面进行支撑,凸台部332对第一隔垫物24的有效支撑面积较小,使得阵列基板对第一隔垫物114的有效支撑面积缩小,无法对第一隔垫物24形成足够支撑,如图2A和图2B所示。
图2C中对应的凸台部125的端面的尺寸约为8μm,从图2C可以看出,凸台部125与像素开口区的段差d1约为0.2μm,凸台部125周围区域表面与像素开口区的段差变化比较大,因此,凸台部125周围区域的段差不均匀。第一隔垫物114的站位区域超出凸台部125上端面所在区域,使得第一隔垫物114的站位区域对应的阵列基板表面的均一性和平整性显著下降。当阵列基板20或者彩膜基板10受外力按压时,基板发生变形,导致第一隔垫物114受力不均,第一隔垫物114容易发生错位移动,甚至脱离凸台部125的端面而无法迅速恢复,从而导致暗态不均(Dark Not Uniformity,DNU)和局部发黑不良(黑Gap)。
另一种相关技术中,改变第一隔垫物在阵列基板上的站位,将第一隔垫物的站位从薄膜晶体管位置移动到相对平坦的单层金属位置,但这种方法需要额外增加黑矩阵宽度,导致开口率下降,降低了透过率和产品竞争力。
在一个实施例中,显示面板还可以包括第二隔垫物,第一隔垫物可以叫做主隔垫物(Main PS),第二隔垫物可以叫做副隔垫物(Sub PS)。第一隔垫物与凸台部的高度之和大于第二隔垫物的高度。在正常情况下,显示面板的盒厚依靠第一隔垫物支撑。当显示面板受垂直外力压迫或者处于低温条件下,显示面板的盒厚降低,第一基板向第二基板靠近,导致第一隔垫物受压过度而无法提供足够支撑,或者,第一隔垫物的站位区域划出凸台部,第一隔垫物没有与第二基板接触而无法提供足够支撑。此时,第二隔垫物会与第二基板逐步靠近并接触,提供足够的支撑而保持盒厚的均一性。
图3A为本公开一实施例显示面板中阵列基板的平面示意图,图3B为本公开另一实施例显示面板中阵列基板的平面示意图;图4为图3A对应的显示面板在一个实施例中的B-B截面示意图;图5为图3A对应的显示面板在另一个实施例中的B-B截面示意图。需要说明的是,图3A和图3B中示出了一个第一隔垫物24和一个凸台部332,但并不代表第一隔垫物24和凸台部332的数量为一个,第一隔垫物24和凸台部332的数量可以根据需要设置。如图3A和图4所示,显示面板可以包括相对设置的第一基板20和第二基板30。
其中,如图3A和图4所示第一基板20包括第一基底21以及设置在第一基底21一侧的多个第一隔垫物24。第一隔垫物24朝向第二基板30。
如图3A和图4所示,第二基板30包括第二基底31以及设置在第二基底31的朝向第一基板20一侧的薄膜晶体管32。第二基板30还包括位于薄膜晶体管32的朝向第一基板20一侧的有机材料层33,也就是说,有机材料层33位于薄膜晶体管32的背离第二基底31的一侧。薄膜晶体管32包括栅电极411、有源层43、源电极441、漏电极442,所以薄膜晶体管32所在区域的高度偏高,从而,薄膜晶体管32所在区域的有机材料层33的表面偏高。
如图4所示,有机材料层33的远离第二基底31一侧的表面包括多个凸台部332以及位于凸台部332之外的平坦部331。凸台部332在第二基底31上的正投影包含薄膜晶体管32在第二基底31上的正投影。凸台部332的朝向第一基板一侧的端面(在图4实施例中为凸台部332的上端面)在第二基底31上的正投影与第一隔垫物24的朝向第二基板30一侧的端面(在图4实施例中为第一隔垫物24的下端面)在第二基底31上的正投影至少部分交叠,也就是说,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影与第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影至少部分交叠。从而,凸台部332可以支撑第一隔垫物24,第一隔垫物24的站位位于凸台部332的上端面。
凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影与第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影至少部分交叠,应当理解为,在凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影面积小于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影面积的情况下,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影的全部或者一部分与第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影的一部分交叠;在凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影面积等于或大于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影面积的情况下,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影的一部分与第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影的一部分交叠。
凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影与第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影至少部分交叠,还可以理解为,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影面积等于或大于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影面积,且第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影位于凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影范围内。
如图3A、图3B和图4所示,第二基板30还包括辅助层34,辅助层34位于平坦部331表面。辅助层34包括支撑部341,支撑部341在第二基底31上的正投影沿凸台部332在第二基底31上的正投影的至少部分外围设置。示例性地,支撑部341可以围绕凸台部332的整个外围设置,或者,支撑部341可以围绕凸台部332的部分外围设置。
在一个实施例中,如图3A、图3B和图4所示,支撑部341在第二基底31上的正投影的外边缘位于第一隔垫物24的朝向第二基板30一侧的端面在第二基底31上的正投影的外围。这就使得第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影位于支撑部341的外边缘限定的区域内,第一隔垫物24的站位位于支撑部341的外边缘限定的区域内。
可以理解的是,平坦部331虽然叫做平坦部,并不代表平坦部331的背离第二基底31一侧的表面绝对平坦,平坦部331的表面是相对平坦的表面。
本公开实施例的显示面板,通过在凸台部332周围设置支撑部341,对凸台部332周围的结构进行了优化,提升了凸台部332周围区域表面与像素开口区表面的段差,降低了凸台部332与周围区域的段差,提升了凸台部332与周围区域段差的均一性,提升了第一隔垫物24站位区域的平坦化,提升了第一隔垫物24站位区域的表面均一性和平整性;有利于增大了第二基板30对第一隔垫物24的有效支撑面积。从而,在显示面板受到外力按压发生变形时,第一隔垫物24即使发生错位移动和变形,凸台部332和支撑部341所在区域的相对平坦的表面也足够支撑第一隔垫物24,使得第一隔垫物24能够均匀落在段差稳定区域,使得第一隔垫物24可以有效支撑显示面板的盒厚,改善第一隔垫物24由于受力不均导致的DNU和黑Gap不良。并且,在外力消除后,凸台部332和支撑部341所在区域的相对平坦的表面有利于第一隔垫物24迅速恢复到初始稳定状态,改善显示面板的性能。
示例性地,凸台部332的朝向第一基板20一侧的端面(在图4实施例中为凸台部332的上端面)在第二基底31上的正投影与第一隔垫物24的朝向第二基板30一侧的端面(在图4实施例中为第一隔垫物24的下端面)在第二基底31上的正投影部分交叠。
在图3A和图3B实施例中,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影位于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影范围内。由于凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影面积小于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影,所以,凸台部332的上端面与第一隔垫物24的下端面的一部分抵接,亦即,第一隔垫物24的下端面的一部分与凸台部332的上端面抵接,从而,凸台部332可以支撑第一隔垫物24。
在其它实施例中,凸台部332的上端面在第二基底31上的正投影的一部分位于第一隔垫物24的下端面在第二基底31上的正投影范围内。
在一个实施例中,第一基板20可以为彩膜基板,第二基板30可以为阵列基板。
示例性地,第一基底21的材质可以包括玻璃或者有机材料等。例如,第一基底21的材料可以为玻璃。第二基底31的材质可以包括玻璃或者有机材料等。例如,第二基底31的材料可以为玻璃。
可以理解的是,平坦部331虽然叫做平坦部331,并不代表平坦部331的背离第二基底31一侧的表面绝对平坦,平坦部331的设置是为了得到相对平坦的表面。
在一种实施方式中,如图3A和图3B所示,支撑部341的靠近凸台部332一侧的边界与凸台部332之间的距离w1小于或等于6μm。可以理解的是,现有工艺中,第一隔垫物24的下端面的尺寸通常为8μm~15μm。将支撑部341的靠近凸台部332一侧的边界与凸台部332之间的距离w1设置为小于或等于6μm,那么,在第一隔垫物24发生错位移动脱离凸台部332的同时,第一隔垫物24可以被支撑部341支撑,使得第一隔垫物24能够落在段差均匀稳定区域,避免了第一隔垫物24受力不均,进一步改善了显示面板的DNU和黑Gap不良。并且,支撑部341对第一隔垫物24的支撑,使得第一隔垫物24的下端面仍旧被限定在与凸台部332上端面接近的高度,有利于第一隔垫物24在外力消除后迅速恢复到初始稳定状态。
示例性地,支撑部341的靠近凸台部332一侧的边界与凸台部332之间的距离w1可以为5μm~6μm(包括端点值)。这样的设置方式,可以最大限度地增大凸台部332周围区域平坦表面的面积,可以为第一隔垫物24提供更大范围的支撑,使得第一隔垫物24发生错位移动时始终落在段差稳定区域。
在一种实施方式中,支撑部341的厚度小于或等于凸台部332与平坦部331之间的段差d2。示例性地,段差d2为0.2μm~0.5μm(包括端点值),例如段差d2为0.2μm。如果支撑部341的厚度大于凸台部332与平坦部331之间的段差d2,那么,支撑部341所在区域的高度会大于凸台部332的高度,如果第一隔垫物24由于变形错位移动时,支撑部341会限制第一隔垫物24的移动,可能会损坏第一隔垫物24。将支撑部341的厚度设置为小于或等于凸台部332与平坦部331之间的段差d2,使得凸台部332周围区域的高度小于或等于凸台部332的高度。从而,在显示面板受到压力按压使得第一隔垫物24变形时,第一隔垫物24可以向凸台部332之外的区域错位移动,降低第一隔垫物24由于无法移动而变形过量损坏的风险。
在一个实施例中,如图5所示,支撑部341的靠近凸台部332一侧的边界与凸台部332的边界可以重合。从而,当支撑部341的厚度等于凸台部332与平坦部331之间的段差d2时,支撑部341的上表面与凸台部332的上表面可以连接成平坦的表面,进一步降低了凸台部332与周围区域的段差,提升了凸台部332与周围区域段差的均一性,提升了第一隔垫物24站位区域的平坦化,增大了阵列基板对第一隔垫物24的有效支撑面积,更好地改善第一隔垫物24由于受力不均导致的DNU和黑Gap不良。
在一种实施方式中,如图3A和图3B所示,第二基板30设置有过孔36,支撑部341在第二基底31上的正投影与过孔36在第二基底31上的正投影不交叠,从而,支撑部341可以避让过孔36。可以理解的是,在过孔36位置,平坦部331表面会有一定程度的凹陷,如果支撑部341位于过孔36位置,那么过孔36位置的支撑部341会由于凹陷而无法起到弥补段差的作用。通过使支撑部341避让过孔36,可以节省材料。
在一个实施例中,如图3A和图3B所示,支撑部341在第二基底31上的正投影边界与过孔36在第二基底31上的正投影边界之间的距离d3大于或等于5μm。这样的设置方式,支撑部341不仅可以很好地避让过孔36,而且支撑部341的膜层也不会对过孔36位置的膜层结构产生影响。示例性地,过孔36可以包括贯穿平坦部331的第一过孔361,像素电极可以通过第一过孔361与薄膜晶体管32连接。将支撑部341在第二基底31上的正投影边界与第一过孔361在第二基底31上的正投影边界之间的距离d3设置为大于或等于5μm,使得支撑部341不会对第一过孔361的导电膜层的信号产生影响。
在一种实施方式中,如图3A和图3B所示,第二基板30具有与黑矩阵23相对应的遮光区231,图3A和图3B中示出了遮光区231的边界。辅助层34在第二基底31上的正投影位于遮光区内。图3A和图3B中示出了遮光区的边界。从图3A和图3B中可以看出,支撑部341在第二基底31上的正投影位于遮光区231内。将辅助层34在第二基底31上的正投影设置在遮光区231内,可以避免辅助层34影响显示面板的开口率和透过率。
在一种实施方式中,黑矩阵23位于第一基板20,如图4所示,黑矩阵23设置在第一基底21的朝向第二基板30的一侧。第一隔垫物24设置在黑矩阵23的朝向第二基板30的一侧。第一隔垫物24在第一基底21上的正投影位于黑矩阵23在第一基底21上的正投影范围内。第二基板30上的遮光区231为黑矩阵23在第二基底31上的正投影区域。辅助层34在第二基底31上的正投影边界与遮光区的边界之间的距离d4大于或等于2μm。示例性地,支撑部341在第二基底31上的正投影边界与遮光区的边界之间的距离d4大于或等于2μm。将d4设置为大于或等于2μm,可以满足工艺需求,避免在制备过程中由于误差使得支撑部341超出遮光区,保证支撑部341不会对开口率和透过率产生影响。
在图4所示实施例中,黑矩阵23设置在第一基板20上。在其它实施例中,黑矩阵23可以设置在中,例如在阵列基板与有机材料层33之间设置黑矩阵23。当黑矩阵23设置在第二基板30中时,黑矩阵23所在区域即为遮光区。
在一种实施方式中,如图4所示,第二基板30还可以包括第一绝缘层35,第一绝缘层35位于有机材料层33和辅助层34的背离第二基底31的一侧。从而,第一绝缘层35可以覆盖有机材料层33和辅助层34,第一隔垫物24的站位位于第一绝缘层35的表面。第一绝缘层35可以填补凸台部332与支撑部341之间的间隙,进一步提高凸台部332与支撑部341所在区域的平坦性,进一步改善显示面板的DNU和黑Gap不良。
在一种实施方式中,凸台部332的数量为多个,支撑部341的数量为多个,且支撑部341与凸台部332一一对应。
在一个实施例中,如图3A和图3B所示,第二基板30还包括多条栅线412,栅线412沿第一方向X延伸。辅助层34还包括第一连接部342,在第一方向上相邻的两个支撑部341通过第一连接部342连接。
在一种实施方式中,如图3A和图3B所示,第二基板30还包括多条数据线443,数据线443大体沿第二方向Y延伸。辅助层34还包括第二连接部343,在第二方向Y上相邻的两个支撑部341通过第二连接部343连接。第二连接部343在第二基底31上的正投影位于数据线443在第二基底31上的正投影的范围内,第二方向Y与第一方向X相垂直。
需要说明的是,图3A和图3B中只示出了沿第一方向X的遮光区231,可以理解的是,第二基板30还包括大体沿第二方向Y的遮光区,第二基板中的数据线443和第二连接部343可以位于沿第二方向Y的遮光区中。
这样的设置方式,第一连接部342在第二基底31上的正投影位于遮光区231,第二连接部343在第二基底31上的正投影也位于遮光区231。第一连接部342和第二连接部343均不会影响显示面板的开口率和透过率。
这样的结构,支撑部341通过第一连接部342和第二连接部343相互连接,使得辅助层34呈网格状,如图3A所示。
在一种实施方式中,辅助层34的材料可以包括导电材料。示例性地,辅助层34的材料可以包括金属,例如铜或铝等金属。辅助层34可以与显示面板的公共电极信号连接。辅助层34在整个面内呈网格状结构,并且辅助层34与公共电极信号连接,可以改善公共信号的面内均一性,改善信号串扰。
在一种实施方式中,如图3A、图3B和图4所示,第二基板30还可以包括第一电极层48和第一配向膜。第一电极层48位于第一绝缘层35的背离第二基底31的一侧,第一配向膜位于第一电极层48的背离第二基底31的一侧。示例性地,第一电极层48可以为像素电极,像素电极可以通过第一过孔与薄膜晶体管32连接。
在一种实施方式中,如图4所示,薄膜晶体管32可以包括栅电极411、有源层43、源电极441和漏电极442。示例性地,有源层43的材质可以包括氧化物。例如,有源层43的材料可以包括氧化铟镓锌材料(IGZO)或者非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)。有源层43的沟道区域可以为“I”型,如图3A和图3B所示,也就是说,有源层43的沟道区域为条状结构。
下面通过图4中所示第二基板30的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是,本文中所说的“图案化”,当图案化的材质为无机材质或金属时,“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺,当图案化的材质为有机材质时,“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺,本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
在第二基底31的一侧制备薄膜晶体管32。示例性地,该步骤可以包括:在第二基底31的一侧依次形成第一金属层、第二绝缘层42、有源层43、第二金属层和第三绝缘层45,如图4所示。其中,第一金属层包括栅电极411和栅线412。第二绝缘层42也可以叫做栅绝缘层(GI)。第二金属层包括源电极441、漏电极442、连接线(未示出)和数据线443,连接线与漏电极442连接。第三绝缘层45可以叫做第一钝化层(PVX1)。
在第三绝缘层45的背离第二基底31的一侧涂布形成有机材料层33,由于薄膜晶体管32位置包括栅电极411、有源层43、源电极441和漏电极442,因此,有机材料层33的远离第二基底31一侧的表面包括凸台部332以及位于凸台部332之外的平坦部331。凸台部332在第二基底31上的正投影包含薄膜晶体管32在第二基底31上的正投影,如图4所示。
在有机材料层33的平坦部331表面形成辅助层34,辅助层34包括支撑部341,如图4所示。示例性地,可以在有机材料层33的背离第二基底31的一侧沉积辅助薄膜,对辅助薄膜进行图案化处理,形成辅助层34。
在辅助层34的背离第二基底31的一侧沉积第一绝缘层35,可以对第一绝缘层35进行图案化处理来形成需要的过孔。第一绝缘层35可以叫做第二钝化层(PVX2)。
在第一绝缘层35的背离第二基底31的一侧形成第一电极层48,第一电极层48可以包括像素电极,像素电极可以通过过孔与对应的薄膜晶体管32连接。示例性地,第一电极层48的材质可以包括透明导电材料,例如,第一电极层48的材质可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
在第一电极层48的背离第二基底31的一侧涂布第一配向膜。第一配向膜的材质可以包括聚酰亚胺(PI)。
在示例性实施例中,第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种,可以是单层、多层或复合层。栅电极、源电极、漏电极可以采用金属材料,如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb),可以是单层结构,或者多层复合结构,如Ti/Al/Ti等。
基于前述实施例的发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括前述实施例的显示面板,还可以包括位于第一基板和第二基板之间的液晶。
显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一基板,包括第一基底以及设置在所述第一基底一侧的多个第一隔垫物;
第二基板,与所述第一基板相对设置,所述第一隔垫物朝向所述第二基板,所述第二基板包括第二基底以及设置在所述第二基底的朝向所述第一基板一侧的薄膜晶体管,所述第二基板还包括位于所述薄膜晶体管的朝向所述第一基板一侧的有机材料层,所述有机材料层的远离所述第二基底一侧的表面包括多个凸台部以及位于所述凸台部之外的平坦部,所述凸台部在所述第二基底上的正投影包含所述薄膜晶体管在所述第二基底上的正投影,所述凸台部的朝向所述第一基板一侧的端面在所述第二基底上的正投影与所述第一隔垫物的朝向所述第二基板一侧的端面在所述第二基底上的正投影至少部分交叠;
所述第二基板还包括辅助层,所述辅助层位于所述平坦部表面,所述辅助层包括支撑部,所述支撑部在所述第二基底上的正投影沿所述凸台部在所述第二基底上的正投影的至少部分外围设置,所述支撑部在所述第二基底上的正投影的外边缘位于所述第一隔垫物的朝向所述第二基板一侧的端面在所述第二基底上的正投影的外围。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述支撑部的靠近所述凸台部一侧的边界与所述凸台部之间的距离小于或等于6μm。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述支撑部的厚度小于或等于所述凸台部与所述平坦部之间的段差。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板设置有过孔,所述支撑部在所述第二基底上的正投影边界与所述过孔在所述第二基底上的正投影边界之间的距离大于或等于5μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板具有与黑矩阵相对应的遮光区,所述辅助层在所述第二基底上的正投影位于所述遮光区内。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述黑矩阵设置在所述第一基底的朝向所述第二基板的一侧,所述第一隔垫物设置在所述黑矩阵的朝向所述第二基板的一侧,所述第一隔垫物在所述第一基底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第一基底上的正投影范围内,所述黑矩阵在所述第二基底上的正投影为所述遮光区,所述辅助层在所述第二基底上的正投影边界与所述遮光区的边界之间的距离大于或等于2μm。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸台部的数量为多个,所述支撑部的数量为多个,且所述支撑部与所述凸台部一一对应,所述第二基板还包括多条栅线,所述栅线沿第一方向延伸,所述辅助层还包括第一连接部,在第一方向上相邻的两个所述支撑部通过所述第一连接部连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板还包括多条数据线,所述数据线沿第二方向延伸,所述辅助层还包括第二连接部,在所述第二方向上相邻的两个所述支撑部通过所述第二连接部连接,所述第二连接部在所述第二基底上的正投影位于所述数据线在所述第二基底上的正投影的范围内,所述第二方向与所述第一方向相垂直。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层的材料包括导电材料,所述辅助层与所述显示面板的公共电极信号连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板还包括第一绝缘层、第一电极层和第一配向膜,所述第一绝缘层位于所述有机材料层和所述辅助层的背离所述第二基底的一侧,所述第一电极层位于所述第一绝缘层的背离所述第二基底的一侧,所述第一配向膜位于所述第一电极层的背离所述第二基底的一侧。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层的材质包括氧化物。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11中任一项所述的显示面板。
CN202223212336.3U 2022-11-29 2022-11-29 显示面板和显示装置 Active CN219016750U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202223212336.3U CN219016750U (zh) 2022-11-29 2022-11-29 显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202223212336.3U CN219016750U (zh) 2022-11-29 2022-11-29 显示面板和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN219016750U true CN219016750U (zh) 2023-05-12

Family

ID=86248383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202223212336.3U Active CN219016750U (zh) 2022-11-29 2022-11-29 显示面板和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN219016750U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10139685B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
US7113234B2 (en) Liquid crystal display without storage capacitance electrode lines
EP3214492A1 (en) Coa substrate and manufacturing method thereof and display device
US7829897B2 (en) Array substrate of liquid crystal display device having thin film transistor on color filter and method of fabricating the same
US20080023717A1 (en) Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same
US8405807B2 (en) Liquid crystal display
US9735181B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, display panel, and display device
US8698148B2 (en) Display devices and fabrication methods thereof
US20090117333A1 (en) Method of manufacturing display device and display device therefrom
CN212569352U (zh) 显示面板及显示装置
EP3690927A1 (en) Manufacturing method of tft array substrate and structure of tft array substrate
US11581339B2 (en) Pixel structure and manufacturing method therefor, array substrate, and display device
CN219016750U (zh) 显示面板和显示装置
KR101085443B1 (ko) 박막 보호막 및 박막 보호막을 갖는 표시기판
US11971620B2 (en) Display panel and electronic device
US20190198679A1 (en) Thin film transistor substrate, liquid crystal display device including same, and method for producing thin film transistor substrate
US20100315573A1 (en) Liquid crystal panel, application and manufacturing method thereof
JP4722538B2 (ja) 表示装置
US10996502B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same
US20230152635A1 (en) Display panel and display device
CN115877614A (zh) 显示面板和显示装置
US20110205473A1 (en) Liquid crystal display panel
CN219122550U (zh) 显示面板和显示装置
KR20070035270A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102226051B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant