CN218959124U - Mems麦克风 - Google Patents

Mems麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN218959124U
CN218959124U CN202223606035.9U CN202223606035U CN218959124U CN 218959124 U CN218959124 U CN 218959124U CN 202223606035 U CN202223606035 U CN 202223606035U CN 218959124 U CN218959124 U CN 218959124U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mems microphone
vibrating diaphragm
basement
diaphragm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202223606035.9U
Other languages
English (en)
Inventor
赵转转
王凯杰
张睿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Holdings Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202223606035.9U priority Critical patent/CN218959124U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN218959124U publication Critical patent/CN218959124U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种MEMS麦克风,其包括具有背腔的基底及设置在所述基底上的电容系统,所述电容系统包括背板以及与所述背板相对设置的振膜,所述背板和所述振膜之间形成间隙,所述背板设有本体部和自所述本体部向远离所述基底方向延伸的第一凸起,所述振膜设有主体部和自所述主体部向远离所述基底方向延伸的第二凸起,所述第一凸起和所述第二凸起对应设置,所述基底包括靠近所述电容系统的上端和远离所述电容系统的下端,所述背腔位于所述基底的上端的开口大于位于所述基底的下端的开口。与相关技术相比,本实用新型提供的MEMS麦克风可提高共振频率。

Description

MEMS麦克风
【技术领域】
本实用新型涉及电声转换领域,尤其涉及一种MEMS麦克风。
【背景技术】
近年来移动通信技术已经得到快速发展,消费者越来越多地使用移动通信设备,例如便携式电话、能上网的便携式电话、个人数字助理或专用通信网络进行通信的其他设备,其中麦克风则是其中重要的部件之一,特别是MEMS麦克风。
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)麦克风是一种利用微机械加工技术制作出来的电能换声器,其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、轻薄化发展,MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。另外,随着MEMS麦克风的不断迭代更新,客户对MEMS麦克风的要求越来越严格,不再仅仅局限于信噪比,高共振频率的麦克风同样日益重要。
相关技术中的MEMS麦克风包括具有背腔的基底以及设置在所述基底上的电容系统,所述电容系统包括背板及与所述背板相对设置的振膜。增加振膜刚度可提高MEMS麦克风的共振频率的同时,也会降低MEMS麦克风的灵敏度,进而信噪比降低。
因此,有必要提供一种改进的MEMS麦克风来解决上述问题。
【实用新型内容】
本实用新型要解决的技术问题是提供一种高共振频率的MEMS麦克风。
为解决上述技术问题,提供了一种MEMS麦克风,其包括具有背腔的基底及设置在所述基底上的电容系统,所述电容系统包括背板以及与所述背板相对设置的振膜,所述背板和所述振膜之间形成间隙,所述背板设有本体部和自所述本体部向远离所述基底方向延伸的第一凸起,所述振膜设有主体部和自所述主体部向远离所述基底方向延伸的第二凸起,所述第一凸起和所述第二凸起对应设置,所述基底包括靠近所述电容系统的上端和远离所述电容系统的下端,所述背腔位于所述基底的上端的开口大于位于所述基底的下端的开口。
优选的,所述振膜位于所述背板靠近所述基底的一侧。
优选的,所述第一凸起和第二凸起为环状结构。
优选的,所述背板设有若干连通外部和所述间隙的贯通孔,所述贯通孔贯穿所述第一凸起。
优选的,所述振膜设有贯穿所述第二凸起的狭缝,所述间隙与所述背腔通过所述狭缝连通。
优选的,所述背腔的孔径在自所述基底的上端到基底的下端的方向上逐渐变大。
优选的,所述第二凸起沿振膜的振动方向的投影全部位于所述基底。
优选的,所述振膜和所述基底之间设有牺牲层,所述牺牲层与振膜的外边缘和基底连接。
与相关技术相比,由于背腔位于所述基底的上端的开口大于位于所述基底的下端的开口,并且背板和振膜分别设有第一凸起和第二凸起,提高了MEMS麦克风的共振频率。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本实用新型的MEMS麦克风剖视图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1所示,为本实用新型的MEMS麦克风100,其包括具有背腔11的基底10及设置在所述基底10上的电容系统20。电容系统20包括背板21以及与所述背板21相对设置的振膜22,背板21和振膜22之间形成间隙201。当声压作用于振膜22时,正对背板21与背对背板21的振膜22两面存在压强差,使得振膜22做靠近背板21或远离背板21的运动,从而引起振膜22与背板21间电容的变化,实现声音信号到电信号的转换。具体的,所述振膜22位于所述背板21靠近所述基底10的一侧,在其它实施例中,所述振膜也可位于背板远离所述基底的一侧。
所述基底10包括靠近所述电容系统20的上端111和远离所述电容系统20的下端112,所述背腔11位于所述基底10的上端111的开口大于位于所述基底10的下端111的开口,优选的,背腔11的孔径在自所述基底10的上端111到基底10的下端112的方向上逐渐变大,通过减小背腔11的体积,也可提高MEMS麦克风100的共振频率。
另外,所述背板21设有本体部211和自所述本体部211向远离所述基底10延伸的第一凸起212,所述振膜22设有主体部221和自所述主体部221向远离所述基底10延伸的第二凸起222,所述第一凸起212和所述第二凸起222对应设置,由此可以抬高振膜22和基底10之间的高度,振膜22和基底10之间设有牺牲层30,牺牲层30可以相应的抬高,可提高共振频率。另外,所述第二凸起222沿振膜22的振动方向的投影全部位于所述基底10,牺牲层30与振膜22的外边缘和基底10连接,即气流通过振膜22和基底10之间的间隙时,抬高的牺牲层30可以降低振膜22和基底10之间的压膜阻尼。
在本实施方式中,第一凸起212和第二凸起222均为环状结构,在其它实施方式,第一凸起212和第二凸起222也可为若干个,并且相互间隔设置。所述背板21设有若干连通外部和所述间隙201的贯通孔210,所述贯通孔210贯穿所述第一凸起212。所述振膜22设有贯穿所述第二凸起222的狭缝220,所述间隙201与所述背腔11通过所述狭缝220连通。狭缝220可用于调节振膜22的阻尼。
与相关技术相比,由于背腔11位于所述基底10的上端111的开口大于位于所述基底10的下端112的开口,并且背板21和振膜22分别设有第一凸起212和第二凸起222,提高了MEMS麦克风100的共振频率。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

Claims (8)

1.一种MEMS麦克风,其包括具有背腔的基底及设置在所述基底上的电容系统,所述电容系统包括背板以及与所述背板相对设置的振膜,所述背板和所述振膜之间形成间隙,其特征在于,所述背板设有本体部和自所述本体部向远离所述基底方向延伸的第一凸起,所述振膜设有主体部和自所述主体部向远离所述基底方向延伸的第二凸起,所述第一凸起和所述第二凸起对应设置,所述基底包括靠近所述电容系统的上端和远离所述电容系统的下端,所述背腔位于所述基底的上端的开口大于位于所述基底的下端的开口。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述振膜位于所述背板靠近所述基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述第一凸起和第二凸起为环状结构。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述背板设有若干连通外部和所述间隙的贯通孔,所述贯通孔贯穿所述第一凸起。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述振膜设有贯穿所述第二凸起的狭缝,所述间隙与所述背腔通过所述狭缝连通。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述背腔的孔径在自所述基底的上端到基底的下端的方向上逐渐变大。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述第二凸起沿振膜的振动方向的投影全部位于所述基底。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述振膜和所述基底之间设有牺牲层,所述牺牲层与振膜的外边缘和基底连接。
CN202223606035.9U 2022-12-29 2022-12-29 Mems麦克风 Active CN218959124U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202223606035.9U CN218959124U (zh) 2022-12-29 2022-12-29 Mems麦克风

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202223606035.9U CN218959124U (zh) 2022-12-29 2022-12-29 Mems麦克风

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218959124U true CN218959124U (zh) 2023-05-02

Family

ID=86140027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202223606035.9U Active CN218959124U (zh) 2022-12-29 2022-12-29 Mems麦克风

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN218959124U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9264815B2 (en) Silicon condenser microphone
WO2023202417A1 (zh) 一种麦克风组件及电子设备
US20150189443A1 (en) Silicon Condenser Microphone
US11496820B2 (en) MEMS device with quadrilateral trench and insert
WO2023202418A1 (zh) 一种麦克风组件及电子设备
CN101321413A (zh) 电容式麦克风
CN217363312U (zh) Mems麦克风
CN101835080B (zh) 硅基麦克风
CN219124365U (zh) Mems麦克风
CN218959124U (zh) Mems麦克风
CN216649990U (zh) 电容式麦克风
US9420365B2 (en) Silicon condenser microphone
CN115334389A (zh) 一种麦克风组件及电子设备
CN101959109A (zh) 微机电系统麦克风
CN112689229B (zh) 硅基麦克风及其制造方法
CN219659911U (zh) Mems麦克风
CN217693708U (zh) Mems麦克风
WO2022007100A1 (zh) Mems 声传感器
CN114422924A (zh) Mems扬声器及扬声器的装配结构
CN216960188U (zh) Mems麦克风
CN201345734Y (zh) 硅基麦克风
CN2896767Y (zh) 超薄型高稳定性电容式麦克风
CN112702684B (zh) 硅基麦克风及其制造方法
CN217335911U (zh) Mems麦克风芯片
CN217428355U (zh) 一种麦克风组件及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant