CN218959104U - 头戴设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其中，在所述支架上设置有出声孔，所述发声装置设置在所述出声孔上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置的振膜面向所述出声孔设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置。利用本实用新型，能解决现有头戴设备高频音效差以及漏音等问题。

Description

头戴设备

技术领域

本实用新型涉及电子产品技术领域，更为具体地，涉及一种头戴设备。

背景技术

目前，随着VR(Virtual Reality，虚拟现实技术)、AR(Augmented Reality，增强现实)眼镜等头戴设备的发展，对发声装置的性能提出了更高的要求，既要求靠近人耳端响度高、音效好，又要求远端响度小，保持好的私密性。

但现有技术主要存在如下问题：

1)靠近人耳部分一般为侧出声结构，导致高频截止频率较低，影响高频音质，不利于整机效果调试。

2)远端泄漏响度较大，私密性差。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种头戴设备，以解决现有头戴设备高频音效差以及漏音等问题。

本实用新型提供的头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其中，

在所述支架上设置有出声孔，所述发声装置设置在所述出声孔上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置的振膜面向所述出声孔设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置。

此外，优选的结构是，所述支架包括支架主体和支架盖，所述支架盖与所述支架主体合围形成容纳发声装置的容纳空间；

所述支架主体包括顶壁、底壁以及连接在所述顶壁与底壁之间的侧壁，其中，所述出声孔设置在所述底壁上。

此外，优选的结构是，所述底壁包括平面区域和斜面区域，所述出声孔设置在所述斜面区域。

此外，优选的结构是，所述斜面区域为弧形，所述出声孔为弧形，所述发声装置的形状以及所述发声装置的振膜均为弧形。

此外，优选的结构是，在所述出声孔上设置有防尘网。

此外，优选的结构是，所述发声装置包括壳体、振动系统以及磁路系统，所述壳体形成用于收容所述振动系统和所述磁路系统的空腔，其中，

所述振动系统包括振膜和扁平音圈，其中，

所述振膜与所述壳体相固定，并且与所述壳体的出声通孔相对应，所述扁平音圈的一端与所述振膜抵接，所述音圈呈扁平状且沿所述振膜的长度方向延伸，所述振膜的振动方向与所述扁平音圈的轴线相垂直。

此外，优选的结构是，所述振膜包括位于中心位置的球顶部、设置在所述球顶部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述音圈与所述球顶部连接，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。

此外，优选的结构是，所述磁路系统包括相互平行设置的两组磁路组件以及与两组磁路组件相固定的导磁轭，其中，所述磁路系统与所述壳体相固定；

在两组磁路组件之间设置有磁间隙，所述扁平音圈插入在所述磁间隙中。

此外，优选的结构是，每组磁路组件包括层叠设置两块磁铁以及两块导磁板，磁铁与导磁板相互间隔设置，其中一块磁铁固定于所述导磁轭。

此外，优选的结构是，所述发声装置还包括支撑架，所述支撑架为环形结构，所述支撑架设置在两组磁路组件与所述振膜之间，形成所述振膜的振动空间。

从上面的技术方案可知，本实用新型提供的头戴设备，发声装置设置在支架内部的出声孔上，发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，发声装置的振膜面向出声孔设置，并且发声装置的振动方向与支架的长度方向呈夹角设置。这种设置方式不但能够提高高频音质，还能够解决远端漏音的问题，从而提高用户体验。

为了实现上述以及相关目的，本实用新型的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本实用新型的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本实用新型的原理的各种方式中的一些方式。此外，本实用新型旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为根据本实用新型实施例的头戴设备分解图；

图2为根据本实用新型实施例的支架结构示意图；

图3为根据本实用新型实施例的发声装置分解示意图；

图4为根据本实用新型实施例的头戴设备分解图立体结构示意图；

图5为图4的剖面结构示意图；

图6为图5的局部放大示意图。

其中的附图标记包括：1、主体，2、右支架，21、顶壁，22、第一侧壁，23、第二侧壁，24、底壁，241、平面区域，242、斜面区域，3、右支架盖，4、左支架，5、左支架盖，6、出声孔，7、防尘网，8、发声装置，81、出声通孔，82、壳体，84、支撑件，85、扁平音圈，86、球顶部，871、固定部，872、折环部，88、第一磁路组件，89、第二磁路组件，881、第一磁铁、882、第一导磁板、883、第二磁铁，884、第二导磁板，891、第三磁铁，892、第三导磁板，893、第四磁铁，894、第四导磁板，90、导磁轭，91、磁间隙。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

针对前述提出的现有头戴设备由现有头戴设备高频音效差以及漏音等问题，本实用新型提供了一种头戴设备。

以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

为了说明本实用新型提供的头戴设备的结构，图1-图6分别从不同角度对头戴设备进行了示例性标示。具体地，图1示出了根据本实用新型实施例的头戴设备分解结构；图2示出了根据本实用新型实施例的支架结构；图3示出了根据本实用新型实施例的发声装置分解结构；图4示出了根据本实用新型实施例的头戴设备分解图立体结构；图5示出了图4的剖面结构；图6示出了图5的局部放大结构。

如图1至图6共同所示，本实用新型提供的头戴设备，包括主体1、分别设置在所述主体1的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其中，在所述支架上设置有出声孔6，所述发声装置8设置在所述出声孔6上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置8的振膜面向所述出声孔6设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置

在本实用新型的实施例中，主体1两端的支架分别为左支架4和右支架2，在左支架4和右支架2内均设置有一个发声装置8，或者只设置在左支架4内，或者只设置在右支架2内，在具有应用中，根据实际需求，将发声装置8设置在合适的支架内。

其中，发声装置的形状与出声孔的形状相适配，发声装置覆盖设置在出声孔上，并且，发声装置的振膜面向出声孔，这种设置方式可以使得发声装置8发声方向正对用户耳朵，不但能够提高高频音质，还能够解决远端漏音的问题。

本实用新型提供的头戴设备可以是但不限于VR(虚拟现实)、AR(增强现实)、MR(混合现实)、XR(扩展现实)、智能眼镜等。

在图1和2所示的实施例中，每个支架包括支架主体和支架盖，支架盖与支架主体合围形成容纳发声装置的容纳空间。其中，左支架4包括左支架主体和左支架盖5，右支架2包括右支架主体和右支架盖3。

其中，每个支架主体包括顶壁21、底壁24以及用于连接所述顶壁21与底壁24之间的侧壁(第一侧壁22和第二侧壁23)，其中，所述出声孔6设置在所述底壁24上。其中，所述底壁2包括平面区域241和斜面区域242，所述出声孔6设置在所述斜面区域242。在本实用新型的实施例中，斜面区域242为弧形，出声孔6为弧形，所述发声装置的形状以及所述发声装置的振膜均为弧形。

在本实用新型的实施例中，在所述出声孔6上设置有防尘网7，所述防尘网7用于防止异物进入所述容纳空腔内，从而进一步防止进入到发声装置8中，避免影响发声装置8的声学性能。

为了进一步说明发声装置8的具体结构，图3至图6详细示出了发声装置的具体结构。

如图3至图6共同所示，发声装置8包括发声装置包括壳体82、振动系统、磁路系统以支撑架84，其中，在壳体82上设置有出声通孔，并且所述壳体82形成用于收容所述振动系统和所述磁路系统的空腔。

其中，所述振动系统包括振膜和扁平音圈85，振膜包括位于中心位置的球顶部86、设置在所述球顶部86的边缘的折环部872、设置在所述折环部872周边的固定部871，其中，所述扁平音圈85与所述球顶部86连接，所述固定部871与所述壳体82相固定，所述折环部872为凸起或者凹陷结构。

其中，所述振膜与所述壳体82相固定，并且与所述壳体82的出声通孔81相对应，所述扁平音圈85的一端与所述振膜抵接，所述扁平音圈85呈扁平状且沿所述振膜的长度方向延伸，所述振膜的振动方向与所述扁平音圈的轴线相垂直扁平音圈85。

其中，所述磁路系统包括相互平行设置的两组磁路组件以及与两组磁路相固定的导磁轭90，其中，所述磁路系统与所述壳体82相固定；两组磁路组件之间设置有磁间隙91，所述扁平音圈85插入在所述磁间隙91中。每组磁路组件包括层叠设置两块磁铁以及两块导磁板，磁铁与导磁板相互间隔设置，其中一块磁铁固定于所述导磁轭90。

也就是说，两组磁路组件分别为第一磁路组件88和第二磁路组件89，第一磁路组件88与第二磁路组件89之间设置有磁间隙91。其中，第一磁路组件88包括依次层叠设置的第一磁铁881、第一导磁板882、第二磁铁882以及第二导磁板884，即：第一导磁板882设置在第一磁铁881与第二磁铁883之间，第一磁铁881靠近导磁轭90设置。第二磁路组件89包括依次层叠设置的第三磁铁891、第三导磁板892、第四磁铁893以及第四导磁板894，其中，第三导磁板892设置在第三磁铁891与第四磁铁894之间，第三磁铁891靠近导磁轭90设置。这种设置方式能够使得第一磁路组件88的两块磁铁(第一磁铁881和第二磁铁883)和第二磁路组件89的两块磁铁(第三磁铁891和第四磁铁893)提供最大的磁感线密度，从而增大扁平音圈85长轴的磁通量，既能提高发声装置8的高灵敏度，又能充分利用内部空间，从而实现产品的小型化设计。

在本实用新型的实施例中，扁平音圈85邻近振膜一端的磁通量主要来自于第一磁路组件88和第二磁路组件89的相对设置的第二磁铁883和第四磁铁893，扁平音圈85远离振膜一端的磁通量主要来自于第一磁路组件88和第二磁路组件89的相对设置的第一磁铁881和第三磁铁891，使得扁平音圈85在竖直方向振动时通过足够的磁通量，以提高发声装置8的BL值，从而提升发声装置8的高音灵敏度，以提高发声装置8的声学性能。

其中，支撑件84为环形结构，所述支撑件84设置在两组磁路组件与所述壳体82内壁之间，形成所述振膜的振动空间。即：通过将支撑件84设置于第二导磁板884、第四导磁板894和壳体82内壁之间，使得支撑件4、第二导磁板884、第四导磁板894以及壳体82内壁合围形成振膜的振动空间，如此既可以利用支撑件84与壳体82的配合实现振动系统的安装，有利于利用支撑件84对磁路系统的第一磁路组件88和第二磁路组件89支撑和固定，从而确保振膜的振动空间，提高发声装置的发声效果。

在本实用新型的实施例中，壳体82用于安装、固定和保护振动系统、磁路系统及支撑件84等部件，即：壳体82为振动系统、磁路系统及支撑件84等部件提供安装基础。通过在壳体82上设有出声通孔81，使得振动系统的振膜与出声通孔81正对，以形成正出声结构的发声装置，从而方便振膜振动发出的声音顺利从出声通孔81传出。出声通孔81可以是壳体82上开设的通孔结构，也可以是壳体82的一端开口形成出声通孔结构，在此不做限定。

通过上述实施方式可以看出，本实用新型提供的头戴设备，发声装置设置在支架内部的出声孔上，发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，发声装置的振膜面向出声孔设置，这种设置方式不但能够提高高频音质，还能够解决远端漏音的问题，从而提高用户体验。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的头戴设备。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的头戴设备，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

Claims (9)

1.一种头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其特征在于，

在所述支架上设置有出声孔，所述发声装置设置在所述出声孔上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置的振膜面向所述出声孔设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置；

所述支架包括支架主体，所述支架主体包括底壁，所述底壁包括平面区域和斜面区域，所述出声孔设置在所述斜面区域。

2.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

所述支架还包括支架盖，所述支架盖与所述支架主体合围形成容纳所述发声装置的容纳空间；

所述支架主体还包括顶壁以及连接在所述顶壁与底壁之间的侧壁，其中，所述出声孔设置在所述底壁上。

3.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

所述斜面区域为弧形，所述出声孔为弧形，所述发声装置的形状以及所述发声装置的振膜均为弧形。

4.如权利要求2所述的头戴设备，其特征在于，

在所述出声孔上设置有防尘网。

5.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

所述发声装置包括壳体、振动系统以及磁路系统，所述壳体形成收容所述振动系统和所述磁路系统的空腔，其中，

所述振动系统包括振膜和扁平音圈，其中，

所述振膜与所述壳体相固定，并且与所述壳体的出声通孔相对应，所述扁平音圈的一端与所述振膜抵接，所述扁平音圈沿所述振膜的长度方向延伸，所述振膜的振动方向与所述扁平音圈的轴线相垂直。

6.如权利要求5所述的头戴设备，其特征在于，

所述振膜包括位于中心位置的球顶部、设置在所述球顶部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述音圈与所述球顶部连接，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。

7.如权利要求5所述的头戴设备，其特征在于，

所述磁路系统包括相互平行设置的两组磁路组件以及与所述两组磁路组件相固定的导磁轭，其中，所述磁路系统与所述壳体相固定；

在所述两组磁路组件之间设置有磁间隙，所述扁平音圈插入在所述磁间隙中。

8.如权利要求7所述的头戴设备，其特征在于，

每组磁路组件包括层叠设置两块磁铁以及两块导磁板，磁铁与导磁板相互间隔设置，其中一块磁铁固定于所述导磁轭。

9.如权利要求7所述的头戴设备，其特征在于，

所述发声装置还包括支撑架，所述支撑架为环形结构，所述支撑架设置在两组磁路组件与所述振膜之间，形成所述振膜的振动空间。

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