CN218957683U - 晶圆识别装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种晶圆识别装置，包括：光源、透镜组、第一光电检测接收端以及第二光电检测接收端；所述光源的发射光沿发射光路照射在所述透镜组一侧，所述发射光通过所述透镜组色散后的色散光沿色散光路从透镜组的另一侧照射到晶圆上，所述色散光通过所述晶圆反射后的反射光沿反射光路照射到所述第二光电检测接收端上，所述色散光通过所述晶圆折射后的透射光沿透射光路照射到所述第一光电检测接收端上。本申请通过长带宽的光源，比如白光光源等取代单波长光源，增加一个透镜组使光源散射，同时在碳化硅晶圆反射和折射端都接收光信号的结构，解决了传统晶圆识别装置识别检测碳化硅晶圆识别能力不足的情况。
Description
技术领域
本实用新型涉及检测装置结构领域，具体地，涉及晶圆识别装置。
背景技术
原有的碳化硅晶圆识别器：由单波长光源透过碳化硅晶圆通过识别器接收端，当存在碳化硅晶圆时，接收端的光通量就会发生变化，以此判断是否有晶圆存在。
但是由于碳化硅晶圆存在两个光学检测问题，一是碳化硅晶圆的透光率比较强，与传统硅片相比，接收端的光通量变化会比较小，导致检测不出来，二是碳化硅晶圆的会因生产工艺等因素存在自身透光率并不一致。所以原有的晶圆识别器，只能通过单一波长的光，经过晶圆折射透过晶圆的光才被收集，会产生经常识别不到的现象。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种晶圆识别装置。
根据本实用新型提供的一种晶圆识别装置，包括：光源、透镜组、第一光电检测接收端以及第二光电检测接收端；
所述光源的发射光沿发射光路照射在所述透镜组一侧，所述发射光通过所述透镜组色散后的色散光沿色散光路从透镜组的另一侧照射到晶圆上，所述色散光通过所述晶圆反射后的反射光沿反射光路照射到所述第二光电检测接收端上，所述色散光通过所述晶圆折射后的透射光沿透射光路照射到所述第一光电检测接收端上。
优选地，所述透镜组一侧设置为平面，另一侧设置为凸面。
优选地，所述发射光路照射在所述透镜组的平面一侧，所述色散光路从所述透镜组的凸面一侧照射到所述晶圆上。
优选地，所述透镜组和所述第二光电检测接收端设置在所述晶圆的同一侧，所述晶圆的另一侧设置所述第一光电检测接收端。
优选地，所述光源为白光光源，波长范围在200nm-1000nm。
所述第一光电检测接收端和所述第二光电检测接收端设置为单个整体接受端或多个接收端并联。
与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：
1、本申请通过长带宽的光源，比如白光光源等取代单波长光源，增加一个透镜组使光源散射，同时在碳化硅晶圆反射和折射端都设置接收光信号的结构，解决了传统晶圆识别装置识别检测碳化硅晶圆识别能力不足的情况。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为晶圆识别装置的原理图；
图中所示：
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。
如图1所示，本实施例包括：光源1、透镜组2、第一光电检测接收端4以及第二光电检测接收端5；透镜组2一侧设置为平面，另一侧设置为凸面，发射光路照射在透镜组2的平面一侧，色散光路从透镜组2的凸面一侧照射到晶圆3上。透镜组2和第二光电检测接收端5设置在晶圆3的同一侧，晶圆3的另一侧设置第一光电检测接收端4。在本实施例中，第一光电检测接收端4和第二光电检测接收端5为现有的一种光电传感器，第一光电检测接收端4和第二光电检测接收端4设置为单个整体接受端或多个接收端并联。色散后不同波长的光偏转角度不同，到达晶圆3的位置不同，在不同的位置单独使用光电检测的接收端，还可以得到，那个波段的光可以引起接收端信号变化，从而知道此工艺状态下的晶圆3适合使用什么波段的光来检测，因为本实施例不仅仅要检测碳化硅晶圆3，还要在晶圆3上沉积氧化层、沉积金属等工艺后能检测出晶圆3，所以这样改进还可以检测出不同工艺下晶圆3在那个波长附近透光率较低。
光源1的发射光沿发射光路照射在透镜组2一侧，发射光通过透镜组2色散后的色散光沿色散光路从透镜组2的另一侧照射到晶圆3上，色散光通过晶圆3反射后的反射光沿反射光路照射到第二光电检测接收端5上，色散光通过晶圆3折射后的透射光沿透射光路照射到第一光电检测接收端4上。
在一种实施方式中，光源1采用的是白光光源，波长范围为200nm-1000nm，通过透镜组2根据波长不同，将各个波长的发射光色散到碳化硅的晶圆3表面，利用第二光电检测接收端5收集经过晶圆3表面发生光的反射后的各个波长的反射光，利用第一光电检测接收端4收集经过晶圆3折射后的各个波长的透射光。这样的原来单波长只检测透射光的结构，就变成了多波长可以同时检测反射光和透射光，利用碳化硅晶圆3在各个波长光下反射率和折射率不同大大增加了识别的能力。
第三代半导体材料的碳化硅晶圆3是宏观透明的，透光率很大，接收端有无碳化硅晶圆时光通量变化小，不易于检测。但是，透光率是跟波长有关系的，在不同波长下，碳化硅的透光率是不一致的。在本实施例中，将单波长改为了多个单波长，相当于将无数个不同波长的光源放到上方进行了检测。由于晶圆3上方的结构空间有限，把一个常见的LDLS白光光源色散，形成各个单波长光源入射到晶圆3，解决了空间不足的问题，还能通过不同波长的光透光率不同解决碳化硅难检测的问题。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。
Claims (5)
1.一种晶圆识别装置，其特征在于，包括：光源(1)、透镜组(2)、第一光电检测接收端(4)以及第二光电检测接收端(5)；
所述光源(1)的发射光沿发射光路照射在所述透镜组(2)一侧，所述发射光通过所述透镜组(2)色散后的色散光沿色散光路从透镜组(2)的另一侧照射到晶圆(3)上，所述色散光通过所述晶圆(3)反射后的反射光沿反射光路照射到所述第二光电检测接收端(5)上，所述色散光通过所述晶圆(3)折射后的透射光沿透射光路照射到所述第一光电检测接收端(4)上。
2.根据权利要求1所述晶圆识别装置，其特征在于：所述透镜组(2)一侧设置为平面，另一侧设置为凸面。
3.根据权利要求2所述晶圆识别装置，其特征在于：所述发射光路照射在所述透镜组(2)的平面一侧，所述色散光路从所述透镜组(2)的凸面一侧照射到所述晶圆(3)上。
4.根据权利要求1所述晶圆识别装置，其特征在于：所述透镜组(2)和所述第二光电检测接收端(5)设置在所述晶圆(3)的同一侧，所述晶圆(3)的另一侧设置所述第一光电检测接收端(4)。
5.根据权利要求1所述晶圆识别装置，其特征在于：所述第一光电检测接收端(4)和所述第二光电检测接收端(5)设置为单个整体接受端或多个接收端并联。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202223241495.6U CN218957683U (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 晶圆识别装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202223241495.6U CN218957683U (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 晶圆识别装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218957683U true CN218957683U (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=86104793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202223241495.6U Active CN218957683U (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 晶圆识别装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218957683U (zh) |
-
2022
- 2022-11-30 CN CN202223241495.6U patent/CN218957683U/zh active Active
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