CN218744043U - 一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具 - Google Patents

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陈李广
仲兆文
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Shanghai Simat Microelectronics Technology Co ltd
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Abstract

本实用新型属于半导体制造辅助装置技术领域,具体涉及一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,包括上模板和下模板,所述上模板与下模板活动连接,所述上模板和下模板上均一一对应开设有多个上模板腔体和多个下模板腔体,所述上模板还开设有多个定位孔,且所述下模板上还对应设有多个定位针,本实用新型大大减少了人工操作环节,可避免弧度偏低压线而导致短路、铝带弧度变形、镊子误碰产品芯片以及人为漏检的问题,大大减少了产品质量异常的情况发生,有效提升了产品的合格率。

Description

一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具
技术领域
本实用新型属于半导体制造辅助装置技术领域,具体涉及一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具。
背景技术
一种半导体铝带键合弧高超标的产品返工工装治具,应用在铝带键合生产中因为设备、工艺、弧度参数不够优化、人为操作不当导致的产品弧度超标的产品返工流程,铝带键合产品由于铝带宽度和厚度和铝带不好旋转扭曲等原因,目前铝带键合的弧度的稳定性控制是行业内一大难点,在本行业内目前没有能彻底杜绝该现象。
现有技术对铝带键合产品弧度超标的处理方法如下:1.铝带规格比较小(窄而薄)的产品弧度超标检验人员在显微镜下面用镊子将超标的弧度按压下去;2.返工的产品要在高倍显微镜重新测量弧高,合格的保留,不合格的打废处理;3.铝带规格比较大(又厚又宽)的产品弧度超标直接用镊子将铝带挑断拔掉;4.打废的产品用墨笔做打废标记。然而,上述处理方法会存在如下缺陷:1.对于铝带规格比较小的产品弧度超标在显微镜下面进行返工容易有按压过度铝带压线的风险存在,导致产品短路的质量风险;2.对于铝带规格比较小的产品弧度超标,在显微镜下面进行返工,容易出现将铝带弄变形的风险;3.对于铝带规格比较小的产品弧度超标,在显微镜下面进行返工,容易出现镊子碰到芯片的现象,导致产品失效;4.人为在显微镜下返工,容易出现漏检的现象,出现不良品外流导致客户投诉发生;5.人为在普通显微镜下面返工、以及在高倍显微镜复测弧高,大大增加了人力成本;6.打废的产品用墨笔标记,增加了生产成本的投入;7.操作流程比较复杂,产品流程比较慢,影响客户的交期;8.返工流程必须在显微镜下和高倍显微镜下面操作,员工一直盯着普通显微镜和高倍显微镜,员工感觉眼睛疲劳,员工流失率比较大;9.返工的合格率不高,偶尔会出现达不到客户要求的良率,导致客户抱怨发生;10.返工的合格率不高,次品多,导致原材料的浪费;11.人为返工容易导致铝带划伤异常的发生。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述不足之处,本实用新型提供了一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,用以解决上述现有的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用了如下技术方案:
一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,包括上模板和下模板,所述上模板与下模板活动连接,所述上模板和下模板上均一一对应开设有多个上模板腔体和多个下模板腔体,所述上模板还开设有多个定位孔,且所述下模板上还对应设有多个定位针。
进一步,所述上模板与下模板铰链连接。
进一步,所述上模板腔体和下模板腔体均等距分布。
进一步,所述多个定位孔呈上中下三排等距分布于上模板腔体间隙处。
进一步,所述多个定位针呈上中下三排等距分布于下模板腔体间隙处。
本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:
1.本实用新型大大减少了人工操作环节,可避免弧度偏低压线而导致短路、铝带弧度变形、镊子误碰产品芯片以及人为漏检的问题,大大减少了产品质量异常的情况发生,有效提升了产品的合格率;
2.本实用新型无需人工在显微镜下返工,不需要重新在高倍下测量弧高,大大降低了员工的的工作量,降低了人力成本,员工的稳定性更强;
3.本实用新型无需再用墨笔打废不合格产品,大大降低了生产成本;
4.本实用新型操作流程比较简单,产品流程比较快,提升了客户的交期;
5.本实用新型按照塑封体厚度的要求设计,对塑封后的质量更有保障。
附图说明
图1为本实用新型一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具实施例的立体结构示意图(视角一);
图2为本实用新型一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具实施例的立体结构示意图(视角二);
说明书附图中的附图标记包括:
上模板1、下模板2、铰链3、上模板腔体4、定位孔5、下模板腔体6、定位针7。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型,下面结合附图和实施例对本实用新型技术方案进一步说明。
其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本专利的限制;为了更好地说明本实用新型的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本实用新型实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本实用新型的描述中,需要理解的是,若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本实用新型的描述中,除非另有明确的规定和限定,若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系,该术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例:
如图1-图2所示,本实用新型的一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,包括上模板1和下模板2,上模板1与下模板2活动连接,上模板1和下模板2上均一一对应开设有多个上模板腔体4和多个下模板腔体6,上模板1还开设有多个定位孔5,且下模板2上还对应设有多个定位针7,上模板1与下模板2铰链3连接,上模板腔体4和下模板腔体6均等距分布,多个定位孔5呈上中下三排等距分布于上模板腔体4间隙处,多个定位针7呈上中下三排等距分布于下模板腔体6间隙处。
上模板腔体4和下模板腔体6的规格尺寸可根据需纠正产品的规格做相应调整。
上模板1(定位孔5、上模板腔体4):金属材质,与下模板2对应,腔体为固定深度,用于合模时对纠正铝带框架的限位,从而达到对铝带的纠正,定位孔5与下模板2的定位针7对应,保证纠正的产品位置准确。
下模板2(定位针7、下模板腔体6):金属材质,板面上加工对应产品框架的腔体,安装对应的定位针7,实际操作时将需要纠正的铝带框架PAD放入对应腔体中,框架的定位孔5放入下模板2的定位针7中,实现对需要纠正产品的定位。
铰链3:用于上模板1与下模板2的合模,对铝带进行纠正。
具体工作原理如下:第一步将需要纠正铝带的框架手工放入下模板2中,框架定位孔5需放入下模板2的定位针7中;第二步合上上模板1,用力按压一下,铝带在固定模板的腔体中进行限位,实现纠正功能;第三步将上模板1打开,取出框架完成作业。
以上的仅是本实用新型的实施例,方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述,所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前实用新型所属技术领域所有的普通技术知识,能够获知该领域中所有的现有技术,并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力,所属领域普通技术人员可以在本申请给出的启示下,结合自身能力完善并实施本方案,一些典型的公知结构或者公知方法不应当成为所属领域普通技术人员实施本申请的障碍。应当指出,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本实用新型结构的前提下,还可以作出若干变形和改进,这些也应该视为本实用新型的保护范围,这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。

Claims (5)

1.一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,其特征在于:包括上模板和下模板,所述上模板与下模板活动连接,所述上模板和下模板上均一一对应开设有多个上模板腔体和多个下模板腔体,所述上模板还开设有多个定位孔,且所述下模板上还对应设有多个定位针。
2.如权利要求1所述的一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,其特征在于:所述上模板与下模板铰链连接。
3.如权利要求2所述的一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,其特征在于:所述上模板腔体和下模板腔体均等距分布。
4.如权利要求3所述的一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,其特征在于:所述多个定位孔呈上中下三排等距分布于上模板腔体间隙处。
5.如权利要求4所述的一种适用于半导体铝带键合弧高超标的纠正治具,其特征在于:所述多个定位针呈上中下三排等距分布于下模板腔体间隙处。
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