CN218679033U - 一种双向通信的韦根接口电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种双向通信的韦根接口电路，包括双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路；所述电平转换电路用于实现双向电平转换，所述RC滤波电路用于实现一阶无源滤波，所述接口防护电路用于对接口进行防护；实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。本实用新型的电路结构简单可靠、成本低且工程安装方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，更具体地说是一种双向通信的韦根接口电路。
背景技术
目前市面上门禁等产品的韦根接口都是单向通信，韦根输入和韦根输出接口分开设计。而韦根输入和韦根输出分开设计存在成本高、不便于工程安装的缺点。
因此，有必要设计一种成本低、工程安装方便的韦根接口电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种双向通信的韦根接口电路，旨在降低成本，提升工程安装的便利性。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种双向通信的韦根接口电路，包括双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路；所述电平转换电路用于实现双向电平转换，所述RC滤波电路用于实现一阶无源滤波，所述接口防护电路用于对接口进行防护；实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。
其进一步技术方案为：所述电平转换电路采用低门限电压的NMOS管进行双向电平转换。
其进一步技术方案为：所述电平转换电路包括MOS管Q1；所述MOS管Q1的漏极与所述RC滤波电路连接，所述MOS管Q1的源极与主控制器连接，所述MOS管Q1的栅极与电源电压连接。
其进一步技术方案为：所述电平转换电路还包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2的一端与所述RC滤波电路连接，所述电阻R2的另一端与电源电压连接；所述电阻R3的一端与电源电压连接，所述电阻R3的另一端连接于所述MOS管Q1的源极与主控制器之间。
其进一步技术方案为：所述MOS管Q1的导通门限电压小于2.0V。
其进一步技术方案为：所述接口防护电路包括半导体放电管D1；所述半导体放电管D1的一端与韦根信号输入端连接，所述半导体放电管D1的另一端接地。
其进一步技术方案为：所述半导体放电管的反向截止电压为6V-10V。
其进一步技术方案为：所述RC滤波电路包括电阻R1和电容C1；所述电阻R1的一端与所述半导体放电管D1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述MOS管Q1的漏极连接；所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接；所述电容C1的一端与所述电阻R1的另一端连接，所述电容C1的另一端接地。
其进一步技术方案为：所述MOS管Q1所采用的型号为L2SK3018WT1G。
其进一步技术方案为：所述半导体放电管D1所采用的型号为P0080SB-LV1。
本实用新型与现有技术相比的有益效果是：本实用新型设计了双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路，当需要实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；当需要实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。由于输入和输出接口共用，因此电路结构更加简单可靠、成本低且工程安装方便。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型具体实施例提供的现有的韦根接口处信号处理与本申请的韦根接口处信号处理的对比示意图；
图2为本实用新型具体实施例提供的一种双向通信的韦根接口电路的电路方框图；
图3为本实用新型具体实施例提供的一种双向通信的韦根接口电路的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型具体实施例，对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
应当理解，当在本说明书和权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型。如在本实用新型说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
本实用新型实施例提供了一种双向通信的韦根接口电路，该电路主要应用于门禁等产品中。
如图2所示，一种双向通信的韦根接口电路，包括双向的电平转换电路1、RC滤波电路2以及接口防护电路3；电平转换电路1用于实现双向电平转换，RC滤波电路2用于实现一阶无源滤波，接口防护电路3用于对接口进行防护；实现韦根输入功能时，韦根输入信号经接口防护电路3和RC滤波电路2处理后，再经电平转换电路1处理后到达主控制器(即图2中的MCU)；实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经电平转换电路1和RC滤波电路2处理后，再经接口防护电路3处理后输出。
如图1所示，图1中左边的图表示的是现有技术中韦根接口处信号的输入输出示意图，图1中右边的图标识的是本实用新型中韦根接口处信号的输入输出示意图。从图1可知，由于本实用新型的输入和输出接口共用，因此电路结构更加简单可靠、成本低且工程安装方便。
在一实施例中，电平转换电路1采用低门限电压的NMOS管进行双向电平转换。
在一实施例中，如图3所示，电平转换电路1包括MOS管Q1；MOS管Q1的漏极与RC滤波电路2连接，MOS管Q1的源极与主控制器连接，MOS管Q1的栅极与电源电压连接。
具体地，MOS管Q1的导通门限电压需小于2.0V。在本实施例中，MOS管Q1的导通门限电压为1.5V。
在一实施例中，如图3所示，电平转换电路1还包括电阻R2和电阻R3；电阻R2的一端与RC滤波电路连接，电阻R2的另一端与电源电压连接；电阻R3的一端与电源电压连接，电阻R3的另一端连接于MOS管Q1的源极与主控制器之间。
在本实施例中，MOS管Q1所采用的型号为L2SK3018WT1G，当然，在其它实施例中，也可以采用与L2SK3018WT1G性能相当的MOS管。
在一实施例中，如图3所述，接口防护电路3包括半导体放电管D1；半导体放电管D1的一端与韦根信号输入端连接，半导体放电管D1的另一端接地。
具体地，半导体放电管的反向截止电压为6V-10V。在本实施例中，半导体放电管的反向截止电压为6V。
在本实施例中，半导体放电管D1所采用的型号为P0080SB-LV1，当然，在其它实施例中，也可以采用与P0080SB-LV1性能相当的半导体放电管。
在一实施例中，如图3所示，RC滤波电路2包括电阻R1和电容C1；电阻R1的一端与半导体放电管D1的一端连接，电阻R1的另一端与MOS管Q1的漏极连接；所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接；电容C1的一端与电阻R1的另一端连接，电容C1的另一端接地。
在本实施例中，当输入低电平时，须保证后级的电压不高于0.2V；当输入高电平时，须保证上升时间不大于30％T，T为韦根协议规定的数据最小时间要求，即20us，由此可得到如何关系式：
5×R2×C1≤30％×20us；
根据上述要求，取值为R1＝10Ω，R2＝1kΩ，C1＝1nF。
综上：本实用新型设计了双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路，当需要实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；当需要实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。由于输入和输出接口共用，因此电路结构更加简单可靠、成本低且工程安装方便。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，包括双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路；所述电平转换电路用于实现双向电平转换，所述RC滤波电路用于实现一阶无源滤波，所述接口防护电路用于对接口进行防护；实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。
2.根据权利要求1所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路采用低门限电压的NMOS管进行双向电平转换。
3.根据权利要求2所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路包括MOS管Q1；所述MOS管Q1的漏极与所述RC滤波电路连接，所述MOS管Q1的源极与主控制器连接，所述MOS管Q1的栅极与电源电压连接。
4.根据权利要求3所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2的一端与所述RC滤波电路连接，所述电阻R2的另一端与电源电压连接；所述电阻R3的一端与电源电压连接，所述电阻R3的另一端连接于所述MOS管Q1的源极与主控制器之间。
5.根据权利要求4所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述MOS管Q1的导通门限电压小于2.0V。
6.根据权利要求4所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述接口防护电路包括半导体放电管D1；所述半导体放电管D1的一端与韦根信号输入端连接，所述半导体放电管D1的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述半导体放电管的反向截止电压为6V-10V。
8.根据权利要求7所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述RC滤波电路包括电阻R1和电容C1；所述电阻R1的一端与所述半导体放电管D1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述MOS管Q1的漏极连接；所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接；所述电容C1的一端与所述电阻R1的另一端连接，所述电容C1的另一端接地。
9.根据权利要求3所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述MOS管Q1所采用的型号为L2SK3018WT1G。
10.根据权利要求6所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述半导体放电管D1所采用的型号为P0080SB-LV1。
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