CN218585958U - 一种晶圆加工台 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆加工台，包括基座，所述基座上设置有工作台和外框，所述外框可升降地设置在工作台的外周，所述外框与所述工作台之间设置有间隙，所述外框的底部设置有密封胶圈，所述密封胶圈延伸至所述工作台的底部，所述工作台底部外缘沿径向凸出设置有一圈凸台，所述密封胶圈可选择地与所述凸台抵接。本方案提高了膜与外框的贴合度以及膜的平整度，同时，利用真空吸附结合均匀设置在工作台外缘的支撑凸台，减少了去环过程中的力矩，防止晶圆损坏，便于去环。

Description

一种晶圆加工台

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工领域，尤其涉及一种晶圆加工台。

背景技术

Taiko减薄工艺是一种成熟工艺，其主要包含贴膜，减薄，揭膜，背 面工艺，切割膜(Dicing tape)贴附，环切，取环等步骤。其中，取环过程中，晶圆和膜的定位精准度，取环工艺都是亟需解决的难点，在取环之前需要将晶圆外环和膜分离，现有的切环工艺中，通常将卡爪伸入晶圆外环与膜之间，通过卡爪旋转将晶圆外环与其底部的膜分离，由于卡爪在工作过程中产生的力矩较大，受力不均，容易破环晶圆。

实用新型内容

因此，为解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆加工台。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种晶圆加工台，包括基座，所述基座上设置有工作台和外框，所述外框可升降地设置在工作台的外周，所述外框与所述工作台之间设置有间隙，所述外框的底部设置有密封胶圈，所述密封胶圈延伸至所述工作台的底部，所述工作台底部外周沿其径向凸出设置有一圈凸台，所述密封胶圈可选择地与所述凸台抵接。

优选的，所述密封胶圈为环形，所述密封胶圈的底部还设置有用于固定所述密封胶圈的压板。

优选的，所述凸台包括自所述工作台底部向外延伸的一段倒角，在所述密封胶圈与所述凸台抵接状态下，所述密封胶圈的顶部与所述倒角贴合。

优选的，所述外框上设置有连接槽，所述连接槽内设置有真空气孔。

优选的，所述外框顶部设置有一圈或多圈环形真空槽，所述连接槽沿环形真空槽的径向穿设，每条环形真空槽与每条连接槽均相通。

优选的，所述真空气孔的孔径是所述环形真空槽的宽度的1-2倍。

优选的，所述外框的上表面沿其内周的边缘处等间距地凸起设置有一圈用于支撑晶圆外环的支撑凸台。

优选的，所述支撑凸台设置在所述外框的上表面最内侧的两条环形真空槽之间。

优选的，所述支撑凸台靠近外框最内侧的一条环形真空槽的一侧。

优选的，所述外框的四周设置有固定槽，所述固定槽内设置有支撑块，所述支撑块的高度低于所述外框的高度。

本实用新型技术方案的有益效果主要体现在：

1、在外框的底部向所述工作台方向延伸设置密封胶圈，并在工作台底部边缘处向外框方向凸起设置有一圈凸台，所述密封胶圈可选择地与所述凸台抵接，在工作过程中，外框带动密封胶圈和支撑密封胶圈的压板上升，使密封胶圈与凸台接触，并使凸台挤压密封胶圈，凸台的倒角与密封胶圈的上表面紧密贴合，实现工作台与外框之间的间隙处的密封。

2、外框上开设有穿过所述环形真空槽的连接槽，所述连接槽与外框表面的环形真空槽相通，所述连接槽内设置有真空气孔，可以抽去连接槽和环形真空槽内的空气，同时确保晶圆外环内、外周的膜的平整性和贴合度，同时真空气孔的孔径大于环形真空槽的宽度，可以进一步提高吸附效率。

3、在工作台上表面的边缘处均匀设置一圈支撑凸台，支撑凸台的位置正好对应晶圆外环的位置，支撑凸台与工作台上表面形成高度差，支撑凸台撑起晶圆外环，配合真空气孔对膜的吸附，可以确保晶圆和膜分离过程中受力均匀，同时，环的高度大于其内部切割后的晶圆的高度，便于取环。

4、支撑块的高度低于所述外框的高度，为膜架的放置提供一段高度位置，防止因膜架和膜的高度落差造成切割过程中出现膜不平整的问题。

附图说明

图1是晶圆加工台的结构示意图；

图2是工作台3与框架交界处的局部剖视图；

图3是图2中A部分的放大图；

图4是晶圆加工台的俯视图局部示意图；

图5是图4中B部分的放大图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、优点和特点能够更加清楚、详细地展示，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。该实施例仅是应用本实用新型技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。

同时声明，在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，本方案中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或者暗示对重要性的排序，或者隐含指明所示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型中，“多个”的含义是两个或者两个以上，除非另有明确具体的限定。

晶圆底部通常贴有一层膜，膜的外周设置有膜架，在晶圆外环切割后，需要先将晶圆外环与其底部的膜分离，然后利用机械手将晶圆外环移除。

如图1-图5所示，本实用新型揭示了一种晶圆加工台，包括基座1，所述基座1上设置有工作台3和外框2，所述外框2可升降地设置在工作台3的外周，所述外框2与所述工作台3之间设置有间隙10，所述外框2的底部设置有密封胶圈6，所述密封胶圈6延伸至所述工作台3的底部，所述工作台3底部外周沿其径向凸出设置有一圈凸台301，所述凸台301向外框2方向凸出，所述密封胶圈6可选择地与所述凸台301抵接，所述凸台301向外框2方向凸起的长度小于所述外框2与所述工作台3之间的间隙10的宽度。

如图2、图3所示，所述密封胶圈6为环形，所述密封胶圈6的底部还设置有用于固定所述密封胶圈6的压板7，所述密封胶圈6设置在外框2与压板7之间，所述密封胶圈6的内径小于所述外框2和压板7的内径，确保所述密封胶圈6向工作台方向伸出，并延伸至所述工作台3的底部，具体地，所述密封胶圈6至少需要延伸至超过凸台的倒角的位置，确保密封胶圈6与倒角处贴合，在一优选实施例中，所述外框2和压板7的内外径相同。

其中，在初始状态下，所述工作台3的底部的高度高于所述密封胶圈6顶部的高度，所述外框2上表面高度低于所述工作台3上表面的高度；在工作状态下，所述外框2带动所述密封胶圈6和压板7上升，直至密封胶圈6的顶部与工作台3底部抵接，且工作台3底部，包括其外缘凸出的凸台301挤压密封胶圈6的上表面，所述凸台301包括自所述工作台3底部向外延伸的一段倒角302，在所述密封胶圈6与所述凸台301相抵接的状态下，所述密封胶圈6的上表面受力形变，其形变弯曲处正好与所述倒角302相贴合，凸台301的设置增加了所述密封胶圈6和所述工作台3底部的接触面积，同时倒角302与形变后的密封胶圈6贴合，增强了密封胶圈6与凸台301之间的贴合度，使密封胶圈6与工作台3外缘的线接触变为密封胶圈6与倒角302之间的面接触，从而提升了间隙10处的密封效果，当晶圆放置在工作台3上时，晶圆外周的膜覆盖在外框2顶部，切割完成后的晶圆底部的膜覆盖工作台3以及间隙10的顶部，此时，外框2与工作台3之间的间隙10处通过设置在两侧的外框2和工作台3以及底部的密封胶圈6和顶部的膜形成了一个密闭空间。

所述外框2顶部设置有一圈或多圈环形真空槽201，如图1、图4、图5所示，所述外框2上开设有穿过所述环形真空槽201的连接槽8，所述连接槽8内设置有真空气孔801，所述连接槽8沿环形真空槽201的径向穿设，当具有多圈环形真空槽201时，每条环形真空槽201与每条连接槽8均相通，所述真空气孔801与真空气路相连，确保在工作状态下自所述真空气孔801抽取连接槽8以及环形真空槽201内的空气，防止覆盖在外框2表面的膜被多余空气顶起，增加膜与外框2表面的贴合度，为保持美观，所述连接槽801均匀地设置在所述外框2表面，如图4、图5所示，在一实施例中，所示外框2表面均匀设置有四条连接槽8，每条连接槽8内设置一个真空气孔801，每条连接槽8穿过每条环形真空槽201，并分别与每条环形真空槽201相通，在其他实施例中，连接槽8的位置和数量可以根据实际情况进行调整，在此不做赘述。

其中，所述真空气孔801的孔径是所述环形真空槽201的宽度的1-2倍，在优选实施例中，所述真空气孔801的孔径是所述环形真空槽201的宽度的1.5-2倍，便于快速抽取环形真空槽201内的空气，增强外框2表面的吸附效果。

所述外框2的上表面沿其内周的边缘处等间距地凸起设置有一圈用于支撑晶圆外环的支撑凸台9，所述支撑凸台9均匀设置在外框2的上表面的边缘处，确保晶圆外环在切割过程中受力均匀，具体地，当具有多圈环形真空槽201时，所述支撑凸台9设置在所述外框2的上表面最内侧的两条环形真空槽201之间，所述连接槽8自相邻两个支撑凸台9之间的间隔处穿过，分别连通所述支撑凸台内、外周的两条环形真空槽201，在一实施例中，所述支撑凸台9为一圈呈点状等距离设置在外框内周的边缘处的小凸块，支撑凸台9与工作台3和外框2的上表面形成一段高度差，在真空吸附过程中，将完成切环的晶圆缓慢放置在工作台3表面，支撑凸台9顶部对准晶圆外环的位置，且通过机械手的微调卡爪使晶圆与工作台3同心，由于支撑凸台9与工作台3同心设置，因此晶圆外环与整个支撑凸台9结构也基本同心，且仍位于支撑凸台9之上，使晶圆外环与切割后的晶圆之间形成高度差，便于后续取环，具体地，在取环过程中，由于晶圆外环底部内、外周设置的膜通过支撑凸台9内、外周设置的环形真空槽201的真空负压作用，紧密贴合在外框2表面，同时晶圆外环被支撑凸台9顶起与两侧的膜之间形成高度差，便于卡爪在伸入晶圆外环底部后分离晶圆外环与其底部的膜，卡爪无需多次旋转取环，减少了取环时卡爪工作的力矩，防止晶圆在加工过程中被损坏。

所述工作台3表面连接真空气路，在工作状态下，开启真空气路，所述工作台3表面通过真空气路形成真空负压，使晶圆底部的膜吸附在工作台表面。

在一实施方式中，在晶圆调整位置之前先打开真空气路，待晶圆放置在加工台上时，外框2上设置的环形真空槽201和连接槽8通过真空气孔801抽取槽内空气，使膜与外框2表面快速贴合，提高取环效率。

在一优选实施方式中，在晶圆调整好位置之后再打开真空气路，此时，晶圆底部的膜覆盖在外框2和工作台3上，但由于支撑凸台9与外框2表面具有一定高度差，支撑凸台9周围的膜此时并未完全与外框2贴合，因此，在抽取连接槽8以及环形真空槽201的同时，外框2与工作台3之间的间隙10内的空气会在膜逐渐与外框2表面和间隙10顶部贴合的过程中自膜与工作台3以及外框2之间的空隙处被抽出。

所述外框2的四周设置有固定槽4，所述固定槽4内设置有用于固定基座1和外框2的支撑块，所述支撑块还用于支撑、固定膜架，当晶圆放置在加工台上时，设置在晶圆和膜的外周用于固定膜的膜架放置在所述支撑块的顶部，所述支撑块的高度低于所述外框2的高度，支撑块与外框2的高度差优选为模架的厚度，为膜架的放置提供一段高度位置，防止因膜架和膜的高度落差造成切割过程中出现膜不平整的问题。

所述外框2的四周还设置有用于固定膜架的抱爪5，所述抱爪5用于在工作过程中抱紧膜架，防止位移。

本实用新型尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆加工台，其特征在于：包括基座，所述基座上设置有工作台和外框，所述外框可升降地设置在工作台的外周，所述外框与所述工作台之间设置有间隙，所述外框的底部设置有密封胶圈，所述密封胶圈延伸至所述工作台的底部，所述工作台底部外周沿其径向凸出设置有一圈凸台，所述密封胶圈可选择地与所述凸台抵接。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述密封胶圈为环形，所述密封胶圈的底部还设置有用于固定所述密封胶圈的压板。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述凸台包括自所述工作台底部向外延伸的一段倒角，在所述密封胶圈与所述凸台抵接状态下，所述密封胶圈的顶部与所述倒角贴合。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述外框上设置有连接槽，所述连接槽内设置有真空气孔。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述外框顶部设置有一圈或多圈环形真空槽，所述连接槽沿环形真空槽的径向穿设，每条环形真空槽与每条连接槽均相通。

6.根据权利要求5所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述真空气孔的孔径是所述环形真空槽的宽度的1-2倍。

7.根据权利要求1所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述外框的上表面沿其内周的边缘处等间距地凸起设置有一圈用于支撑晶圆外环的支撑凸台。

8.根据权利要求7所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述支撑凸台设置在所述外框的上表面最内侧的两条环形真空槽之间。

9.根据权利要求8所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述支撑凸台靠近外框最内侧的一条环形真空槽的一侧。

10.根据权利要求1所述的一种晶圆加工台，其特征在于：所述外框的四周设置有固定槽，所述固定槽内设置有支撑块，所述支撑块的高度低于所述外框的高度。

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