CN218575955U - 研磨垫 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的目的在于提供一种研磨垫,特别是在增加研磨机的压板的转速或研磨压力的条件下研磨速率优异。本实用新型的研磨垫包括:基材;以及研磨岛,层叠在所述基材的其中一面上且含有研磨粒及粘合剂,所述研磨岛具有其中心轴与所述其中一面正交的圆柱状的多个研磨部,所述研磨部的顶面的面积为10mm2以上且27.5mm2以下。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种研磨垫。
背景技术
例如智能手机的画面的表面由盖玻片覆盖。所述盖玻片对作为原料的玻璃基板进行研磨,使表面平坦化并形成规定的厚度后,经过倒角、开孔、化学强化、印刷等而完成。其中,研磨可使用固定研磨粒方式的研磨垫,所述固定研磨粒方式的研磨垫包括:基材;以及研磨层(研磨岛),层叠在所述基材的其中一面上且含有研磨粒及粘合剂。
且说,伴随着近年来的智能手机的画面的大型化,盖玻片也大型化。伴随着所述大型化,需要大面积下的盖玻片的均匀性,对于作为原料的板玻璃,要求机械及光学品质高。因此,逐渐增大作为原料的板玻璃的厚度。另一方面,伴随着大型化,盖玻片自身的厚度增加,但其程度较低,结果,应研磨作为原料的板玻璃的量增加。
若应研磨的量增加,如此则加工时间会增加,制品的制造效率会降低。因此,提出了一种研磨速率优异且研磨速率经过较长时间而难以降低的研磨垫(例如参照日本专利再表2017/163565号公报)。在所述公报所记载的研磨垫中,通过使用平均粒径不同的多种研磨粒,谋求优异的研磨速率与抑制经过长时间后的研磨速率的降低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利再表2017/163565号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的问题
但是,在所述之前的研磨垫中,无法说与应研磨的量的增加相比研磨速率进行了充分改善,要求研磨速率的进一步改善。为了进一步提高研磨速率,有效的是实现研磨机的压板的转速的增加、或者经由研磨岛施加至玻璃基板的研磨压力的增加的方法。
本实用新型是鉴于所述不良情况而成者,目的在于提供一种研磨垫,特别是在增加研磨机的压板的转速或研磨压力的条件下研磨速率优异。
解决问题的技术手段
本实用新型创作者们对增加研磨机的压板的转速或研磨压力的条件下的研磨速率进行了深入研究,结果发现构成研磨岛的多个研磨部的构成大大提高了研磨速率,从而完成了本实用新型。
即,本实用新型的研磨垫包括:基材;以及研磨岛,层叠在所述基材的其中一面上且含有研磨粒及粘合剂,所述研磨岛具有其中心轴与所述其中一面正交的圆柱状的多个研磨部,所述研磨部的顶面的面积为10mm2以上且 27.5mm2以下。
所述研磨垫的研磨部为圆柱状,因此即使提高研磨压力,研磨部也难以产生缺口或裂纹,可稳定地进行研磨。另外,关于所述研磨垫,通过将研磨部的顶面的面积设为所述范围内,可在确保对基材的密接力的同时,利用研磨部有效地承受研磨压力,因此可提高研磨速率。
所述多个研磨部可配置为圆柱状。藉由如此将多个研磨部配置为圆柱状,可抑制基材的翘曲的产生,因此研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
所述多个研磨部可交错配置。藉由如此交错配置所述多个研磨部,可抑制基材的翘曲的产生,因此研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
作为所述多个研磨部相对于研磨岛整体的面积占有率,优选为40%以上且65%以下。通过如此将所述多个研磨部相对于研磨岛整体的面积占有率设为所述范围内,可确保与被研磨体的适度的接触面积与研磨压力,因此可进一步提高研磨速率。
所述多个研磨部可交错配置。通过如此交错配置所述多个研磨部,可抑制基材的翘曲的产生,因此研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
作为所述研磨部之间的最小间隔,优选为0.3mm以上且2.5mm以下。通过如此将所述研磨部之间的最小间隔设为所述范围内,可确保与被研磨体的适度的接触面积与研磨压力,因此可进一步提高研磨速率。
作为所述研磨岛的平均厚度,优选为0.5mm以上且2mm以下。通过如此将所述设为所述范围内,可抑制研磨部的纵横比变大而在磨削过程中研磨部容易倒塌,并且可延长所述研磨垫的寿命。
此处,所谓具有多个研磨部的“研磨岛”,是指在将研磨部之间的最小间隔设为D时,与最近的研磨部的距离是与D为相同程度、例如为2×D以下的研磨部的集合体。再者,“研磨岛整体的面积”是指在研磨部之间存在槽的情况下,也包含所述槽的面积。另外,所谓“平均厚度”,是指在任意的10 点测定的厚度的平均值。
所谓“多个研磨部为交错配置”,是指如下排列,即,研磨部以等间隔配置在平行的多个行中,并且与一行相邻的行的研磨部的中心不位于通过所述一行中所含的研磨部的中心且与所述一行正交的方向上。
实用新型的效果
如以上所说明,本实用新型的研磨垫特别是在研磨机的压板的转速或研磨压力大的条件下研磨速率优异。
附图说明
图1是表示本实用新型的一实施方式的研磨垫的示意性平面图。
图2是图1的研磨垫的示意性部分放大平面图。
图3是将图2进一步放大的示意性部分放大平面图。
图4是图3的A-A线处的示意性部分剖面图。
图5是表示与图3不同的研磨垫的示意性部分放大平面图。
图6是表示与图4以及图5不同实施方式的研磨垫的示意性部分剖面图。
[符号的说明]
1、2、3:研磨垫
10:基材
10a:狭缝
20:研磨岛
20a:第一研磨岛
20b:第二研磨岛
20c:第三研磨岛
21:研磨部
22:槽
23:研磨粒
24:粘合剂
30:粘接层
31:第二粘接层
40:支撑体
M:研磨部的中心
R:行群组
L:间距
D:最小间隔
具体实施方式
以下,适宜参照附图来对本实用新型的一实施方式进行详细说明。
[第1实施方式]
图1至图3所示的研磨垫1包括:基材10、层叠在所述基材10的其中一面(以下,也简单称为“表面”)的研磨岛20、以及层叠在基材10的另一面(以下,也简单称为“背面”)的粘接层30。另外,研磨岛20具有其中心轴与所述其中一面正交的圆柱状的多个研磨部21、以及配设于所述研磨部21 之间的槽22。
所述研磨垫1可在研磨机的压板的转速或研磨压力大的条件下、特别是在所述转速为50转以上且2000转以下、优选为150转以上且1200转以下的条件下适宜地使用。
<基材>
基材10为用以支撑研磨岛20的板状或片状的构件。
作为基材10的主成分,并无特别限定,可列举:聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚酰亚胺(polyimide, PI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate,PEN)、芳族聚酰胺、铝、铜等。其中,优选为耐热性高的PC。另外,可对基材10的表面进行化学处理、电晕处理、底涂处理等提高粘接性的处理。此处,所谓“主成分”,是指含量最多的成分,是指优选为含量为50质量%以上、更优选为90质量%以上的成分。
另外,基材10可具有挠性或延展性。通过如此基材10具有挠性或延展性,所述研磨垫1追随被研磨体的表面形状,且研磨面与被研磨体的接触面积变大,因此研磨速率进一步提高。作为此种具有挠性的基材10的材质,例如可列举PET或PI等。另外,作为具有延展性的基材10的材质,可列举铝或铜等。
作为基材10的平均厚度的下限,优选为75μm,更优选为100μm,进而优选为150μm。另一方面,作为基材10的平均厚度的上限,优选为3mm,更优选为1mm,进而优选为500μm。若基材10的平均厚度小于所述下限,则有所述研磨垫1的强度或平坦性不足的担心。相反,若基材10的平均厚度超过所述上限,则有所述研磨垫1变得过厚而难以操作的担心。
基材10的形状及大小根据所使用的研磨机的压板的形状及大小而适宜决定。例如,图1所示的研磨垫1的基材10为圆环状。作为圆环状的基材 10,例如可设为外径200mm以上且2022mm以下及内径100mm以上且658 mm以下。再者,基材10的形状并不限定于圆环状,也可设为直径200mm 以上且2022mm以下的圆形状或一边为140mm以上且160mm以下的正方形形状等。
另外,就所述研磨垫1的操作性的观点而言,也可设为将多个基材10支承在研磨机的压板上的构成。在图1所示的研磨垫1中,基材10在其表面具有狭缝10a,通过所述狭缝10a,圆环状的基材10被通过其中心的直线分割成三部分。在狭缝10a上未形成研磨岛20,在所述研磨垫1中,沿着狭缝10a 可容易进行切断。如此在所述研磨垫1中,通过将基材10分割成三个而输送并分别固定在研磨机的压板上,也可构成图1所示的圆环状的研磨垫1。
作为狭缝10a的平均宽度的下限,优选为0.1mm,更优选为1mm,进而优选为3mm。另一方面,作为狭缝10a的平均宽度的上限,优选为4mm,更优选为3.5mm。若狭缝10a的平均宽度小于所述下限,则有在分割时与狭缝10a相邻的研磨岛20一起被切断而容易产生研磨岛20的缺损等的担心。相反,若狭缝10a的平均宽度超过所述上限,则研磨岛20的面积相对减少,因此有研磨速率降低的担心。
再者,所述分割数并不限定于三个,也可为四分割或八分割等其他分割数。另外,并非必须在所述研磨垫1的输送时分割基材10,也可不分割而输送。
<研磨岛>
如图1所示,研磨岛20分别设置在除了三条基材10的狭缝10a以外的多个区域(在图1中为第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c 这三个区域)。第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c实质上为相同形状。通过如此将研磨岛20的各区域设为实质上相同形状,施加至各区域的研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
研磨岛20在研磨部21中包含多个研磨粒23及粘合剂24。
(研磨粒)
作为研磨粒23,可列举金刚石研磨粒、氧化铝研磨粒、二氧化硅研磨粒、氧化铈研磨粒、碳化硅研磨粒等。其中,优选为比其他研磨粒更硬质的金刚石研磨粒。通过将研磨粒23设为金刚石研磨粒,研磨力提高,可进一步提高研磨速率。
再者,金刚石研磨粒的金刚石可为单晶也可为多晶,另外也可为经Ni 涂布等处理的金刚石。其中,优选为单晶金刚石及多晶金刚石。单晶金刚石为比其他金刚石更硬质且磨削力高。另外,多晶金刚石容易以构成多晶的微晶单位劈开而难以进行钝化,因此即使进行长期研磨,研磨速率的降低也小。
研磨粒23的平均粒径是根据研磨速率及研磨后的被研磨体的表面粗糙度的观点而适宜选择。作为研磨粒23的平均粒径的下限,优选为2μm,更优选为10μm,进而优选为20μm。另一方面,作为研磨粒23的平均粒径的上限,优选为200μm,更优选为100μm,进而优选为50μm。若研磨粒23 的平均粒径小于所述下限,则有所述研磨垫1的研磨力不足,研磨速率降低的担心。相反,若研磨粒23的平均粒径超过所述上限,则有研磨精度降低的担心。此处,所谓“平均粒径”,是指利用激光衍射法等来测定的体积基准的累积粒度分布曲线的50%值(50%粒径,D50)。
作为研磨部21中的研磨粒23的含量的下限,优选为3体积%,更优选为4体积%,进而优选为8体积%。另一方面,作为研磨粒23的含量的上限,优选为55体积%,更优选为45体积%,进而优选为35体积%。若研磨粒23 的含量小于所述下限,则有研磨部21的研磨力不足的担心。相反,若研磨粒 23的含量超过所述上限,则有研磨部21无法保持研磨粒23的担心。
(粘合剂)
作为研磨部21的粘合剂24的主成分,并无特别限定,可列举树脂或无机物。
作为所述树脂,可列举:聚氨基甲酸酯、多酚、环氧、聚酯、纤维素、乙烯共聚物、聚乙烯基缩醛、聚丙烯酸、丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酰胺等树脂。其中,优选为容易确保对基材10的良好密接性的聚丙烯酸、环氧、聚酯及聚氨基甲酸酯。再者,所述树脂也可至少一部分进行交联。
另外,作为所述无机物,可列举:硅酸盐、磷酸盐、多价金属烷醇盐等。其中优选为研磨粒保持力高的硅酸盐。作为此种硅酸盐,可列举硅酸钠或硅酸钾等。
粘合剂24的主成分可为无机物。通过如此将粘合剂24的主成分设为无机物,可提高研磨粒23的保持力,抑制研磨粒23在脱落前脱粒。因此,磨削力可进一步提高。
再者,粘合剂24中,也可根据目的而适宜含有分散剂、偶合剂、表面活性剂、润滑剂、消泡剂、着色剂等各种助剂及添加剂等。
(其他)
另外,研磨部21也可包含其他粒子。作为所述其他粒子,可列举填充剂。通过如此在研磨部21中含有所述填充剂,粘合剂24的弹性模量提高,可提高研磨速率。
作为所述填充剂,例如除了金刚石以外,可列举:氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化镁、氧化锆、氧化钛等氧化物及二氧化硅-氧化铝、二氧化硅- 氧化锆、二氧化硅-氧化镁等复合氧化物。这些氧化物可单独使用或视需要组合使用两种以上。其中,优选为可获得高研磨力且比较廉价的氧化铝。
所述填充剂的平均粒径也依存于研磨粒23的平均粒径,但作为所述填充剂的平均粒径的下限,优选为0.01μm,更优选为2μm。另一方面,作为所述填充剂的平均粒径的上限,优选为20μm,更优选为15μm。若所述填充剂的平均粒径小于所述下限,则有因由所述填充剂所得的粘合剂24的弹性模量提高效果不足而研磨速率未提高的担心。另一方面,若所述填充剂的平均粒径超过所述上限,则有填充剂妨碍研磨粒23的研磨力的担心。
另外,所述填充剂的平均粒径可小于研磨粒23的平均粒径。作为所述填充剂的平均粒径相对于研磨粒23的平均粒径的比的下限,优选为0.1,更优选为0.2。另一方面,作为所述填充剂的平均粒径相对于研磨粒23的平均粒径的比的上限,优选为0.8,更优选为0.6。若所述填充剂的平均粒径相对于研磨粒23的平均粒径的比小于所述下限,则有因由所述填充剂所得的粘合剂 24的弹性模量提高效果不足而研磨速率未提高的担心。相反,若所述填充剂的平均粒径相对于研磨粒23的平均粒径的比超过所述上限,则有填充剂妨碍研磨粒23的研磨力的担心。
所述填充剂相对于研磨部21的含量也依存于研磨粒23的含量,但作为所述填充剂的含量的下限,优选为15体积%,更优选为30体积%。另一方面,作为所述填充剂的含量的上限,优选为75体积%,更优选为72体积%。若所述填充剂的含量小于所述下限,则有因由所述填充剂所得的粘合剂24的弹性模量提高效果不足而研磨速率降低的担心。相反,若所述填充剂的含量超过所述上限,则有填充剂妨碍研磨粒23的研磨力的担心。
(研磨部)
如图2及图3所示,研磨岛20所具有的多个研磨部21交错配置。通过如此交错配置多个研磨部21,可抑制基材10的翘曲的产生,因此研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
多个研磨部21配置在平行的多个行(在图2及图3中为横向)中。配置在一行中的研磨部21的间隔(中心间的距离、间距)相等。所述研磨部21 的间隔设为在多个行之间为相同的间隔。另外,与所述一行相邻的行的研磨部21的中心位于自连接一行中相邻的研磨部21的中心的直线的中点起与所述一行正交的方向上。即,相邻行的研磨部21的位置从一行的研磨部21的位置偏移半个间距。因此,作为多个研磨部21的配置,多个行每隔两行重复相同的图案。通过如此配置多个研磨部21,可有效地减少基材10的翘曲。
另外,以一行中相邻的两个研磨部21、以及位于自连接所述研磨部21 的中心的直线的中点起与所述一行正交的方向上的一个研磨部21这三个研磨部21的中心M为顶点而构成的三角形(例如图3的双点划线所示的三角形)优选为生正三角形。通过如此将所述三角形设为正三角形,可提高行方向以及与所述行正交的方向的各向同性,因此可进一步稳定地进行研磨。
在第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c中,与狭缝10a 相邻的研磨部21如图2所示在径向上配置在一条直线上。通过如此将与狭缝 10a相邻的研磨部21配置在一条直线上,在沿着狭缝10a将所述研磨垫1切断为直线状时,可抑制研磨部21被一起切断而产生缺损。
为了使第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c为相同形状且将与狭缝10a相邻的研磨部21在径向上配置在一条直线上,可在狭缝10a附近调整研磨部21的行之间的间隔。例如,在图1所示的研磨垫1中,在各研磨岛区域中,如图2所示,在自以顺时针旋转而与下游侧对应的狭缝10a起相当于4行的研磨部的行群组R中研磨部21的行之间的间隔得到调整。
另外,如图2所示,与第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛 20c的内侧及外侧的弧相邻的研磨部21设置为不产生缺损。具体而言,如上所述,在交错配置研磨部21的情况下,构成为不会配置在内侧及外侧的弧与研磨部21在俯视时为重叠的位置。
作为配置在一行中的研磨部21的平均间距(图3的L)的下限,优选为 4.5mm,更优选为5mm。另一方面,作为所述平均间距L的上限,优选为 6.5mm,更优选为5.5mm。若所述平均间距L小于所述下限,则有无法充分确保研磨部21的顶面的平均面积且研磨部21在研磨时容易倒塌的担心。相反,若所述平均间距L超过所述上限,则有相邻的研磨部21之间的槽22的宽度变大且基材10容易产生翘曲的担心。
作为研磨部21之间的最小间隔(图3的D)的下限,优选为0.3mm,更优选为0.5mm。另一方面,作为所述最小间隔D的上限,优选为2.5mm,更优选为2mm。若所述最小间隔D小于所述下限,则有无法充分确保研磨部21的顶面的平均面积且研磨部21在研磨时容易倒塌的担心。相反,若所述最小间隔D超过所述上限,则有相邻的研磨部21之间的槽22的宽度变大且基材10容易产生翘曲的担心。相对于此,通过将研磨部21之间的最小间隔D设为所述范围内,可确保与被研磨体的适度的接触面积与研磨压力,因此可进一步提高所述研磨垫1的研磨速率。
研磨部21的顶面的面积的下限为10mm2,更优选为12mm2。另一方面,研磨部21的顶面的面积的上限为27.5mm2,更优选为25mm2,进而优选为 20mm2。若研磨部21的顶面的平均面积小于所述下限,则圆柱状的研磨部 21的底面积也变小,因此有研磨部21无法充分地与基材10密接且在研磨时容易倒塌的担心。相反,若研磨部21的顶面的平均面积超过所述上限,则有研磨压力分散,研磨速率降低的担心,或者基材10容易产生翘曲的担心。
作为多个研磨部21相对于研磨岛20整体的面积占有率的下限,优选为 40%,更优选为43%,进而优选为45%。另一方面,作为所述面积占有率的上限,优选为65%,更优选为61%,进而优选为60%。若所述面积占有率小于所述下限,则研磨时施加的压力过度集中于狭窄的研磨部21,因此有研磨部21自基材10上剥离的担心。相反,若所述面积占有率超过所述上限,则在研磨时研磨岛20与被研磨体的接触面积变大,因此有因摩擦阻力导致研磨速率降低的担心。
作为研磨岛20的平均厚度(圆柱状的多个研磨部21的平均高度)的下限,优选为0.5mm,更优选为0.8mm,进而优选为1mm。另一方面,作为研磨岛20的平均厚度的上限,优选为2mm,更优选为1.8mm。若研磨岛20 的平均厚度小于所述下限,则有研磨岛20的耐久性不足且所述研磨垫1的寿命变短的担心。相反,若研磨岛20的平均厚度超过所述上限,则有研磨部 21的纵横比变大且因通过研磨时产生的力矩施加至研磨岛20与基材10的界面的负荷的影响而研磨部21容易倒塌的担心,或者所述研磨垫1的制造成本增加的担心。
(槽)
槽22除了根据其俯视时的大小控制研磨部21的面积占有率以外,还发挥将通过研磨产生的研磨粉排出至所述研磨垫1的外部的作用。
在所述研磨垫1中,如图4所示,槽22的底面由基材10的表面构成。通过如此由基材10的表面构成槽22的底面,可提高研磨粉的排出能力。另外,所述研磨垫1因使用而研磨部21发生磨损,当其顶面接近槽22的底面时,其寿命到头,但通过由基材10的表面构成槽22的底面,可将至寿命到头为止的期间延长。
另一方面,也可设为如下构成,即,槽22的深度小于研磨部21的平均厚度,槽22未到达基材10的表面。通过设为此种构成,使多个研磨部21的下部一体化,因此可使研磨部21难以倒塌。
所述情况下,槽22的深度可为研磨部21的平均高度的50%以上。若槽 22的深度小于所述下限,则有所述研磨垫1的寿命变得过短的担心。
另外,俯视时成为槽22的底面的区域的研磨部21也可设为包含与研磨部21相同的研磨粒23及粘合剂24的构成,但也可仅由粘合剂24构成。由于成为所述槽22的底面的区域实质上无助于研磨,因此通过仅由粘合剂24 构成,可不降低研磨速率而减少所述研磨垫1所需的研磨粒23的量,减少所述研磨垫1的制造成本。
<粘接层>
粘接层30是在支撑所述研磨垫1而用以安装于研磨装置的支撑体上固定所述研磨垫1的层。
所述粘接层30中使用的粘接剂并无特别限定,例如可列举:反应型粘接剂、瞬间粘接剂、热熔粘接剂、作为可重新贴合的粘接剂的粘着剂等。
作为所述粘接层30中使用的粘接剂,优选为粘着剂。通过使用粘着剂作为粘接层30中所使用的粘接剂,可将所述研磨垫1自支撑体剥离并重新贴合,因此容易将所述研磨垫1及支撑体再利用。作为此种粘着剂,并无特别限定,例如可列举:丙烯酸系粘着剂、丙烯酸-橡胶系粘着剂、天然橡胶系粘着剂、丁基橡胶系等合成橡胶系粘着剂、硅酮系粘着剂、聚氨基甲酸酯系粘着剂等。
作为粘接层30的平均厚度的下限,优选为0.05mm,更优选为0.1mm。另一方面,作为粘接层30的平均厚度的上限,优选为0.3mm,更优选为0.2 mm。若粘接层30的平均厚度小于所述下限,则有粘接力不足而所述研磨垫 1自支撑体剥离的担心。相反,若粘接层30的平均厚度超过所述上限,则例如有因粘接层30的厚度而在将所述研磨垫1切成所期望的形状时带来障碍等作业性降低的担心。
<研磨垫的制造方法>
所述研磨垫1例如可通过包括制备步骤、研磨岛形成步骤及粘接层贴付步骤的制造方法来制造。
(制备步骤)
在所述制备步骤中,制备包含研磨粒23与粘合剂24的研磨岛用组合物。
具体而言,准备包含研磨粒23及粘合剂24的形成材料的研磨岛用组合物作为涂敷液。再者,固体成分中的研磨粒23的含量为制造后的研磨部21 的研磨粒23的含量,因此以研磨部21中的含量成为所希望的值的方式适宜决定固体成分的量。
另外,为了控制涂敷液的粘度或流动性,添加水、醇等稀释剂。可通过所述稀释使研磨部21中所含的研磨粒23的一部分自粘合剂24的表面突出。即,通过添加稀释剂,在研磨岛形成步骤中使研磨岛用组合物干燥时粘合剂 24的厚度减少,可增加研磨粒23的突出量。因此,通过所述稀释可自研磨初期开始显现出高研磨速率。
(研磨岛形成步骤)
在研磨岛形成步骤中,通过所述制备步骤中准备的研磨岛用组合物的印刷而形成研磨岛20。研磨岛形成步骤包括涂敷步骤与干燥步骤。
[涂敷步骤]
在涂敷步骤中,将所述研磨岛用组合物涂敷于基材10的表面。
具体而言,使用制备步骤中准备的涂敷液,通过印刷法在基材10的表面上形成研磨岛20,所述研磨岛20具有多个研磨部21以及配设在所述研磨部 21之间的槽22。为了形成所述槽22,准备具有与槽22的形状相对应的形状的掩模,隔着所述掩模来印刷所述涂敷液。作为所述印刷方式,例如可使用丝网印刷、金属掩模印刷等。
作为所述印刷用掩模,优选为SUS制或氟树脂制的掩模。由于SUS制或氟树脂制的掩模可加厚掩模,因此可容易地制作平均厚度大的研磨部21。
研磨部21的高度主要可根据掩模的厚度与涂敷量来调整。因此,在所述涂敷步骤中,可以使研磨部21的平均高度成为所期望的值的方式调整所述研磨岛用组合物的涂敷量。
[干燥步骤]
在干燥步骤中,对所述涂敷步骤后的涂敷液(研磨岛用组合物)进行加热干燥。通过所述加热干燥,涂敷液硬化,形成研磨岛20。所述干燥步骤是去除掩模而进行。
作为所述干燥步骤中的加热温度的下限,优选为80℃,更优选为100℃。另一方面,作为所述加热温度的上限,优选为300℃,更优选为200℃。若所述加热温度小于所述下限,则有研磨岛用组合物未充分硬化且磨损量增加而所述研磨垫1的寿命缩短的担心。相反,若所述加热温度超过所述上限,则有研磨部21因热而变质的担心。
所述干燥步骤中的加热时间也取决于加热温度,作为所述加热时间的下限,优选为2小时,更优选为2.5小时。另一方面,作为所述加热时间的上限,优选为20小时,更优选为18小时。若所述加热时间小于所述下限,则有研磨岛用组合物未充分硬化且磨损量增加而所述研磨垫1的寿命缩短的担心。相反,若所述加热时间超过所述上限,则有所述研磨垫1的制造效率降低的担心。
(粘接层贴付步骤)
在粘接层贴付步骤中,在基材10的背面侧层叠粘接层30。具体而言,例如将预先形成的胶带状的粘接层30贴付于基材10的背面。
<优点>
所述研磨垫1的研磨部21为圆柱状,因此即使提高研磨压力,研磨部 21也难以产生缺口或裂纹,可稳定地进行研磨。另外,关于所述研磨垫1,通过将研磨部21的顶面的面积设为10mm2以上且25mm2以下,可在确保对基材10的密接力的同时,利用研磨部21有效地承受研磨压力,因此可提高研磨速率。
[第2实施方式]
图5所示的研磨垫2包括:基材10、层叠在所述基材10的其中一面的包含研磨粒以及黏合剂的研磨岛20,研磨岛20具有其中心轴与所述其中一面正交的圆柱状的多个研磨部21,研磨部21的顶面的面积为10mm2以上且 27.5mm2以下。
该研磨垫2的多个研磨部21配置为同心圆状。该研磨垫2除了将多个研磨部21配置为同心圆状以外,能够与第1实施方式的研磨垫1为相同的构成,因此省略详细说明,以下对多个研磨部21的配置进行说明。
<研磨部>
研磨部21所配置的同心圆的中心优选与该研磨垫2的中心一致。而且,同心圆优选等间隔。此外,圆柱状的研磨部21以其中心轴为同心圆上的方式配置。
作为与邻接的同心圆的半径差的下限,优选为4.5mm,更优选为5mm。另一方面,作为所述半径差的上限,优选为6.5mm,更优选为5.5mm。若所述半径差小于所述下限,则有无法充分确保研磨部21的顶面的平均面积且研磨部21在研磨时容易倒塌的担心。相反,若所述半径差超过所述上限,则有相邻的研磨部21之间的槽22的宽度变大且基材10容易产生翘曲的担心。
如图5所示,研磨部21优选从所述同心圆的中心于半径方向排列为放射状延伸的直线。此放射状延伸的直线于基材10设有狭缝的情形,以避开此狭缝的方式设置。而且,由研磨压力的面内均匀性的观点,上述直线优选为除去狭缝区域等角度间隔设置。
而且,分别的研磨部21的顶面的平均面积优选为相等。如配置此种的研磨部21,由于位于越内周的研磨部21在圆周上变密,因此如图5所示,内周侧的研磨部21亦可以拉长间隔。图5所示的研磨垫2,例如是从外侧朝向内侧第5列的圆周,间隔一个(研磨部21)而拉长间距,具体而言,必须位于图5的拉长间距区域S的研磨部21被拉长间距。
作为研磨部21之间的圆周方向的最小间隔(图5的D)的下限,优选为 0.3mm,更优选为0.5mm。另一方面,作为所述最小间隔D的上限,优选为 2.5mm,更优选为2mm。若所述最小间隔D小于所述下限,则有无法充分确保研磨部21的顶面的平均面积且研磨部21在研磨时容易倒塌的担心。相反,若所述最小间隔D超过所述上限,则有相邻的研磨部21之间的槽22的宽度变大且基材10容易产生翘曲的担心。相对于此,藉由将研磨部21之间的最小间隔D设为所述范围内,可确保与被研磨体的适度的接触面积与研磨压力,因此可进一步提高所述研磨垫2的研磨速率。尚且,上述研磨部21的拉长间隔,亦能够以研磨部21的最小间隔D在上述范围内的方式进行。
<研磨垫的制造方法>
所述研磨垫2例如可藉由包括制备步骤、研磨岛形成步骤及黏接层贴附步骤的制造方法来制造。由于各步骤与第1实施方式的研磨垫1的制造方法相同,省略详细说明。
<优点>
该研磨垫2藉由将复数的研磨部21配置为同心圆状,可抑制基材10的翘曲的产生,因此研磨压力的面内均匀性提高,可进一步稳定地进行研磨。
[其他实施方式]
本实用新型并不限定于所述实施方式,除了所述形态以外,可以实施了各种变更、改良的形态而实施。
在所述实施方式中,对在基材的表面具有未形成研磨岛的狭缝的情况进行了说明,但狭缝并非必须的构成因素,可省略。
另外,在所述第1实施方式中,对相邻行的研磨部的位置自一行的研磨部的位置偏移半个间距的情况进行了说明,但所述位置的偏移并不限定于半个间距,例如也可为1/3间距。所述情况下,作为多个研磨部的配置,每隔三行重复相同的图案。
在所述实施方式中,对多个研磨部交错配置的情况以及位置为同心圆状的情况进行了说明,但多个研磨部也可不交错配置或不配置为同心圆状。例如多个研磨部也可在晶格点上规则地配置。
在所述实施方式中,对研磨垫具有粘接层的情况进行了说明,但粘接层并非必需的构成要件,可省略。在研磨垫不具有粘接层的情况下,研磨垫的制造方法的粘接层贴付步骤可省略。
或者,如图6所示,所述研磨垫3可包括:经由粘接层30而进一步层叠在基材10的另一面的支撑体40、以及经由所述支撑体40而进一步层叠的第二粘接层31。通过所述研磨垫3包括支撑体40,所述研磨垫2的操作变得容易。再者,所述研磨垫3中,支撑体40及第二粘接层31以外的构成因素与图4所示的研磨垫1相同,因此标注相同的符号并省略说明。
(支撑体)
作为支撑体40的主成分,可列举:聚丙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯等具有热塑性的树脂,或聚碳酸酯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二酯等工程塑料。通过对支撑体40的主成分使用此种材质,支撑体40具有挠性,所述研磨垫3追随被研磨体的表面形状,研磨面与被研磨体容易接触,因此研磨速率进一步提高。其中,作为支撑体40的主成分,就粘接层30及第二粘接层31的粘接性的观点而言,优选为聚氯乙烯。
支撑体40的形状及大小根据所使用的研磨机的压板的形状及大小而适宜决定。也可设为如所述基材10那样并置于平面上的多个支撑体40由研磨机的压板所支撑的构成。
作为支撑体40的平均厚度的下限,优选为0.5mm,更优选为0.8mm。另一方面,作为支撑体40的平均厚度的上限,优选为3mm,更优选为2mm。若支撑体40的平均厚度小于所述下限,则有所述研磨垫3的强度不足的担心。相反,若支撑体40的平均厚度超过所述上限,则有难以将支撑体40安装于研磨机的压板的担心或支撑体40的挠性不足的担心。
(第二粘接层)
第二粘接层31可使用与粘接层30相同的粘接剂。另外,第二粘接层31 可设为与粘接层30相同的平均厚度。
实施例
以下,列举实施例及比较例来对本实用新型进一步详细说明,但所述实用新型并不限定于以下的实施例。
[实施例1]
将金刚石研磨粒(平均粒径61μm)及作为粘合剂的环氧树脂混合,调整固体成分中的金刚石研磨粒的含量使其成为10体积%,获得涂敷液。另外,准备平均厚度500μm的聚碳酸酯板作为基材。
使用所述涂敷液,通过印刷涂敷于所述基材的表面。作为印刷的图案,如图1所示,设为具有相同形状的第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c这三个区域的图案。各研磨岛区域的研磨部为直径4mm(12.56mm2),面积占有率为45%。再者,除了进行了间隔调整的行群组R以外,将研磨部之间的平均间距设为4.98mm,研磨部之间的最小间隔设为0.98mm。另外,将各研磨岛区域的研磨部的个数设为3432个。另外,以研磨部的平均高度成为1mm的方式调整涂敷量。
涂敷液是利用烘箱进行120℃、16小时的干燥而使其硬化。如此获得实施例1的研磨垫。
[比较例1]
除了将印刷的图案设为以下叙述的构成以外,以与实施例1相同的方式获得比较例1的研磨垫。
作为印刷的图案,如图1所示,设为具有相同形状的第一研磨岛20a、第二研磨岛20b及第三研磨岛20c这三个区域的图案。各研磨岛区域的研磨部为直径6mm(28.26mm2),面积占有率为40%。再者,除了进行了间隔调整的行群组R以外,将研磨部之间的平均间距设为8.61mm,研磨部之间的最小间隔设为2.61mm。另外,将各研磨岛区域的研磨部的个数设为1180个。
[研磨条件]
使用所述实施例1及比较例1中所获得的研磨垫,进行玻璃基板(大猩猩(Gorilla)3玻璃、厚度1mm、镜面)的研磨。研磨是在上压板转速550rpm、下压板转速550rpm以及载体转速0.6rpm的条件下进行。此时,作为冷却剂,每分钟供给15L的对则武股份有限公司(Noritake Company Limited)的“CG50-P”进行30倍稀释而得者。
[评价]
在所述条件下进行5秒研磨后,测定所去除的玻璃基板的厚度(去除量) 及表面粗糙度(Ra)。将结果示于表1。再者,玻璃基板的厚度的测定使用测微计。另外,表面粗糙度(Ra)的测定使用接触式表面粗糙度测定器(三丰 (Mitutoyo)股份有限公司制造),按照日本工业标准(Japanese Industrial Standards,JIS)-B-0601:2001记载的方法进行。
[表1]
去除量(μm) | Ra(μm) | |
实施例1 | 200 | 0.54 |
比较例1 | 150 | 0.53 |
根据表1的结果,研磨部的顶面的面积为10mm2以上且25mm2以下的实施例1与研磨部的顶面的面积超过25mm2的比较例1相比虽然表面粗糙度 (Ra)相同,但去除量大。据此可知,通过将研磨部的顶面的面积设为10mm2以上且25mm2以下,可提高研磨速率。
产业上的可利用性
本实用新型的研磨垫特别是在增加研磨机的压板的转速或研磨压力的条件下研磨速率优异。因此,通过使用所述研磨垫,可减少加工时间且提高制品的制造效率。
Claims (4)
1.一种研磨垫,其特征在于,包括:
基材;以及
研磨岛,层叠在所述基材的其中一面上且含有研磨粒及粘合剂,
所述研磨岛具有其中心轴与所述其中一面正交的圆柱状的多个研磨部,
所述研磨部的顶面的面积为10mm2以上且27.5mm2以下,
所述多个研磨部配置为同心圆状。
2.根据权利要求1所述的研磨垫,其特征在于,所述多个研磨部相对于研磨岛整体的面积占有率为40%以上且65%以下。
3.根据权利要求1或2所述的研磨垫,其特征在于,所述研磨部之间的最小间隔为0.3mm以上且2.5mm以下。
4.根据权利要求3所述的研磨垫,其特征在于,所述研磨岛的平均厚度为0.5mm以上且2mm以下。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-004304 | 2019-03-01 | ||
JP2019004304U JP3224896U (ja) | 2019-11-13 | 2019-11-13 | 研磨パッド |
PCT/JP2020/041388 WO2021095639A1 (ja) | 2019-11-13 | 2020-11-05 | 研磨パッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN218575955U true CN218575955U (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=69182811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202090000893.9U Active CN218575955U (zh) | 2019-11-13 | 2020-11-05 | 研磨垫 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP3224896U (zh) |
CN (1) | CN218575955U (zh) |
TW (1) | TWM609055U (zh) |
WO (1) | WO2021095639A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6452295B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2019-01-16 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨パッド及びガラス基板の研磨方法 |
JP6822840B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2021-01-27 | バンドー化学株式会社 | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
JP6316460B2 (ja) * | 2016-01-08 | 2018-04-25 | バンドー化学株式会社 | 研磨材 |
KR101928085B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2018-12-12 | 엠.씨.케이(주) | 연마체 및 이의 제조 방법 |
JP6970493B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-11-24 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法 |
KR101783406B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2017-10-10 | 엠.씨.케이 (주) | 연마 패드 및 이의 제조방법 |
US20200376628A1 (en) * | 2017-12-19 | 2020-12-03 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Grinding material |
JP2019115966A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | バンドー化学株式会社 | 研磨材の製造方法及び研磨材 |
-
2019
- 2019-11-13 JP JP2019004304U patent/JP3224896U/ja active Active
-
2020
- 2020-11-05 JP JP2022600108U patent/JP3241813U/ja active Active
- 2020-11-05 CN CN202090000893.9U patent/CN218575955U/zh active Active
- 2020-11-05 WO PCT/JP2020/041388 patent/WO2021095639A1/ja active Application Filing
- 2020-11-11 TW TW109214874U patent/TWM609055U/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3241813U (ja) | 2023-05-10 |
TWM609055U (zh) | 2021-03-11 |
JP3224896U (ja) | 2020-01-30 |
WO2021095639A1 (ja) | 2021-05-20 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |