CN218568822U - 一种smd器件封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种SMD器件封装结构，包括：陶瓷底座、环框、盖板、电极、热沉、芯片组件和电极板，陶瓷底座和盖板分别盖设在环框相对的两个开口处，陶瓷底座的表面开设有一个芯片安装通孔，陶瓷底座靠近环框的一面开设有两个沉孔，每个沉孔内均开设有一个电极安装通孔，热沉盖设在芯片安装通孔远离环框的一面，芯片组件嵌入安装在芯片安装通孔内且贴紧热沉，所述电极盖设在电极安装通孔远离环框的一面开口处，电极靠近环框的一面设有凸台，所述凸台顶部位于沉孔的底面与陶瓷底座靠近环框的一面之间，所述电极板嵌入在沉孔内且抵紧凸台的顶部，电极板与芯片组件电连接。本实用新型可以提高封装的良品率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种SMD器件封装结构。
背景技术
SMD器件是表面安装技术中必不可少的关键器件。SMD器件的主要特点是其外形结构不同于传统的插装式产品，SMD的体积小，重量轻，无引线或短引线，可靠性高，耐震动冲击，抗干扰性好，易于实现半自动化和自动化的低成本、高密度组装。SMD器件的形状、尺寸精度和一致性高。
现有技术中，影响SMD器件工作性能可靠性的主要因素在于能否向芯片提供稳定的高馈通电流，而高馈通电流在回路中需要依次经过电极、电极片、键合金丝，现有结构中，电极与电极片分别设置在封装结构的外侧和内侧，为了保证气密性，两者在外壳上均需要进行焊接处理，而焊接工艺可以允许一定的缝隙误差，但是当外壳的厚度精度不能满足要求时，若电极尺寸不足则会使电极与电极片之间无法满足良好的接触效果，若电极超出底座表面，则会导致电极片与外壳之间的焊接无法满足气密性要求。
如何克服底座厚度精度不足问题，同时保证电极片与电极之间良好的接触性和封装气密性成为本领域亟需解决的技术问题。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提出了一种SMD器件封装结构。
本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种SMD器件封装结构，包括：陶瓷底座、环框、盖板、电极、热沉、芯片组件和电极板，所述陶瓷底座和盖板分别盖设在环框相对的两个开口处，陶瓷底座的表面开设有一个芯片安装通孔，陶瓷底座靠近环框的一面开设有两个沉孔，每个沉孔内均开设有一个电极安装通孔，所述热沉盖设在芯片安装通孔远离环框的一面，芯片组件嵌入安装在芯片安装通孔内且贴紧热沉，所述电极盖设在电极安装通孔远离环框的一面开口处，电极靠近环框的一面设有凸台，所述凸台顶部位于沉孔的底面与陶瓷底座靠近环框的一面之间，所述电极板嵌入在沉孔内且抵紧凸台的顶部，电极板与芯片组件电连接。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述沉孔的侧边设置有至少一个圆弧凹槽。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述沉孔为矩形，沉孔的四个角处均设置有圆弧凹槽。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述沉孔的深度为0.05-0.15mm。
更进一步优选的，所述凸台的高度高出沉孔底面0-0.15mm。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述电极板的厚度为0.25mm。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述电极板的边缘到沉孔的侧边之间的距离为0.05-0.15mm。
本实用新型相对于现有技术具有以下有益效果：
(1)本实用新型的SMD器件封装结构中，在电极与电极板连接位置的陶瓷底座表面加工出对应的沉孔，沉孔可以同时满足凸台突出于底座表面、电极板与凸台之间紧密贴合、电极板与底座之间具有一定间隙，且该间隙位于沉孔内，此时，通过钎焊的方式可以让电极板与凸台之间达到良好的电接触、且稳定性强，同时沉孔为电极板与底座之间提供了大量的接触面，且接触面位于沉孔内，可以让钎焊边缘美观不外溢，该结构可以达到良好的气密性、高馈通性和良好的结构稳定性；
(2)本实用新型的SMD气检封装结构中，在沉孔的侧壁还设置有圆弧凹槽结构，利用圆弧凹槽可以留出空间，为电极板的安装提供夹持点，便于操作；
(3)进一步，为了让焊接工艺以及各零部件的生产工艺均能够符合要求，对各个结构的尺寸进行了进一步限定，从而使工件的加工生产误差能够符合后期焊接的工艺尺寸要求，通过结构的改变直接提高了SMD器件的封装良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型SMD器件封装结构的轴测图；
图2为本实用新型SMD器件封装结构的爆炸图；
图3为本实用新型SMD器件封装结构的剖面图。
图中：1-陶瓷底座、2-环框、3-盖板、4-电极、5-热沉、6-芯片组件、7-电极板、11-芯片安装通孔、12-热沉、13-电极安装通孔、14-圆弧凹槽、41-凸台。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施方式，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，结合图2-3，本实用新型的SMD器件封装结构，其包括：陶瓷底座1、环框2、盖板3、电极4、热沉5、芯片组件6和电极板7，所述陶瓷底座1和盖板3分别盖设在环框2相对的两个开口处，陶瓷底座1的表面开设有一个芯片安装通孔11，陶瓷底座1靠近环框2的一面开设有两个沉孔12，每个沉孔12内均开设有一个电极安装通孔13，所述热沉5盖设在芯片安装通孔11远离环框2的一面，芯片组件6嵌入安装在芯片安装通孔11内且贴紧热沉5，所述电极4盖设在电极安装通孔13远离环框2的一面开口处，电极4靠近环框2的一面设有凸台41，所述凸台41顶部位于沉孔12的底面与陶瓷底座1靠近环框2的一面之间，所述电极板7嵌入在沉孔12内且抵紧凸台41的顶部，电极板7与芯片组件6电连接。
以上实施方式中，热沉5盖设在陶瓷底座1表面，并封堵芯片安装通孔11，通过焊接进行密封，电极4盖设在陶瓷底座1的表面，并封堵电极安装通孔13的开口，通过焊接进行密封，另一侧，凸台41突出于沉孔12的底面，同时不突出于陶瓷底座1的表面，此时电极板7嵌入在沉孔12内侧，且电极板7可以贴紧凸台41的顶面，通过焊接的方式可以让电极板7与凸台41之间紧固连接，从而实现良好的电性连接，而此时电极板7与沉孔12的底面和侧面均存在缝隙，通焊接的方式将这些缝隙进行填充，从而实现密封，该结构相对于常规未开设沉孔12的SMD封装结构而言，对陶瓷底座1的加工精度要求更低，无需凸台41与陶瓷底座1的表面平齐，零部件加工精度要求不高，同时成品率更高。
在具体实施方式中，所述沉孔12的侧边设置有至少一个圆弧凹槽14。
以上实施方式中，沉孔12的外形优选的，与电极板7的外形相似，当电极板7嵌入在沉孔12内时，可能因为沉孔与电极板7的尺寸相当，导致两者之间的缝隙较小，不利于对电极板7进行夹持操作，此时在沉孔12的侧壁上开设圆弧凹槽14，从而为操作提供空间。
在具体实施方式中，所述沉孔12为矩形，沉孔12的四个角处均设置有圆弧凹槽14。
以上实施方式中，电极板7一般为矩形，因此，沉孔12设计为矩形，可以让电极板7嵌入在沉孔12内后，与沉孔12的侧壁之间保持均匀的检具，同时在四角处开设圆弧凹槽14，便于对电极板7进行操作固定，同时还便于进行后续的焊接操作。
在具体实施方式中，所述沉孔12的深度为0.05-0.15mm。
以上实施方式中，电极板7的厚度一般在0.25mm，保持沉孔12的深度为0.05-0.15mm，可以让电极板7突出于陶瓷底座1的表面，便于进行后续的加工处理，且钎焊的厚度尺寸一般在0.04mm，沉孔12的深度大于该厚度，可以让钎焊位于沉孔12内，钎焊的边缘不会溢出。
在具体实施方式中，所述凸台41的高度高出沉孔12底面0-0.15mm。
以上实施方式中，凸台41高出沉孔12的底面，则可以确保电极板7与凸台41的表面贴紧，从而实现良好的电接触。
在具体实施方式中，所述电极板7的边缘到沉孔12的侧边之间的距离为0.05-0.15mm。
以上实施方式中，预留一定的尺寸用于焊接密封。
以上尺寸范围可以确保封接不产生虚焊，又能确保电极片和电极充分接触连接，同时可以确保焊接后具有良好的气密性。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种SMD器件封装结构，其特征在于，包括：陶瓷底座(1)、环框(2)、盖板(3)、电极(4)、热沉(5)、芯片组件(6)和电极板(7)，所述陶瓷底座(1)和盖板(3)分别盖设在环框(2)相对的两个开口处，陶瓷底座(1)的表面开设有一个芯片安装通孔(11)，陶瓷底座(1)靠近环框(2)的一面开设有两个沉孔(12)，每个沉孔(12)内均开设有一个电极安装通孔(13)，所述热沉(5)盖设在芯片安装通孔(11)远离环框(2)的一面，芯片组件(6)嵌入安装在芯片安装通孔(11)内且贴紧热沉(5)，所述电极(4)盖设在电极安装通孔(13)远离环框(2)的一面开口处，电极(4)靠近环框(2)的一面设有凸台(41)，所述凸台(41)顶部位于沉孔(12)的底面与陶瓷底座(1)靠近环框(2)的一面之间，所述电极板(7)嵌入在沉孔(12)内且抵紧凸台(41)的顶部，电极板(7)与芯片组件(6)电连接。
2.如权利要求1所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述沉孔(12)的侧边设置有至少一个圆弧凹槽(14)。
3.如权利要求2所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述沉孔(12)为矩形，沉孔(12)的四个角处均设置有圆弧凹槽(14)。
4.如权利要求1所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述沉孔(12)的深度为0.05-0.15mm。
5.如权利要求1所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述凸台(41)的高度高出沉孔(12)底面0-0.15mm。
6.如权利要求1所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述电极板(7)的厚度为0.25mm。
7.如权利要求1所述的SMD器件封装结构，其特征在于，所述电极板(7)的边缘到沉孔(12)的侧边之间的距离为0.05-0.15mm。
Priority Applications (1)
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2022
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