CN220400579U - 一种集成式功率模块 - Google Patents

Abstract

一种集成式功率模块。涉及半导体技术领域。包括：系统绝缘基板，顶面设有间隔固定设置的正电极金属层、负电极金属层和输出电极金属层；正电极，固定连接在所述正电极金属层上；负电极，固定连接在所述负电极金属层上；输出电极，固定连接在所述输出电极金属层上；单元式塑封模块，设有两只及以上，与所述系统绝缘基板上相应金属层电性连接；所述单元式塑封模块包括：绝缘基板，上表面设有功率金属层一；所述功率金属层一上设置有固定连接的功率连接块一。本实用新型可以根据用户的需要进行装配，从而提升了用户使用的灵活性。

Description

一种集成式功率模块

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成式功率模块。

背景技术

功率半导体技术在当今快速发展的工业领域占有非常重要的地位，功率模块作为功率半导体技术的代表，已广泛应用于电动汽车，光伏发电，风力发电，工业变频等行业。随着我国工业的崛起，功率半导体模块有着更加广阔的市场前景。

随着功率半导体技术的发展，对功率模块的高转换效率、高功率密度、高效散热的要求不断提高。然而，随着开关速度和工作频率的增加，功率模块封装中寄生参数的影响也越来越明显。例如，传统绝缘基板和铝线键合封装结构因其制造成熟、成本低而被广泛应用于多芯片功率模块封装，但是此封装方法会导致电流回路中的寄生电感较大。较大的寄生电感会导致功率半导体器件开关损耗增加，同时会引起高频振荡等电磁干扰问题，甚至还会造成因过电压而损坏。

传统的封装结构通常采用边框式结构，如图16所示，这种封装结构体积大、寄生电感高、转换交率低，而且只能通过底板单方向散热，影响了散热效率。近几年市场上推出了塑封的功率模块，如图17所示，塑封功率模块由于内部芯片较多，体积并不能大幅降低，塑封后残余应力较大，存在环氧与底板容易分层的问题。现有塑封模块拓扑结构复杂，内部集成芯片较多，且很难在封装前进行有效筛选，故成本难以降低。塑封功率模块为单面散热结构，且内部仍采用了键合线，散热及寄生电感难以进一步降小。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种降低体积和寄生电感的一种集成式功率模块。

本实用新型的技术方案是：

一种集成式功率模块，包括：

系统绝缘基板，顶面设有间隔固定设置的正电极金属层、负电极金属层和输出电极金属层；

正电极，固定连接在所述正电极金属层上；

负电极，固定连接在所述负电极金属层上；

输出电极，固定连接在所述输出电极金属层上；

单元式塑封模块，设有两只及以上，与所述系统绝缘基板上相应金属层电性连接；所述单元式塑封模块包括：

绝缘基板，上表面设有功率金属层一；所述功率金属层一上设置有固定连接的功率连接块一；

功率芯片，设有若干，通过焊接/烧结设置在所述功率金属层一上；若干所述功率芯片上表面上分别设有固定连接的功率连接块二。

具体的，所述系统绝缘基板顶面还设置有上桥门极金属层、上桥源极/发射极金属层、下桥门极金属层和下桥源极/发射极金属层；

上桥门极电极，固定连接在所述上桥门极金属层上；

上桥源极/发射极电极，固定连接在所述上桥源极/发射极金属层上；

下桥门极电极，固定连接在所述下桥门极金属层上；

下桥源极/发射极电极，固定连接在所述下桥源极/发射极金属层上。

具体的，所述系统绝缘基板的系统中间绝缘层上设置有平衡金属层，所述平衡金属层呈矩形框体，固定设置在所述正电极金属层、负电极金属层和输出电极金属层外侧。

具体的，所述单元式塑封模块与系统绝缘基板之间空隙填充有硅凝胶或硅橡胶。

具体的，所述系统绝缘基板周边粘结有外壳，所述上桥门极电极、上桥源极/发射极电极、下桥门极电极、下桥源极/发射极电极均从外壳中穿出。

具体的，所述系统绝缘基板的底部从外壳内伸出，若干单元式塑封模块的绝缘基板的下表面金属层从所述外壳内伸出。

具体的，若干所述功率芯片为IGBT芯片，若干所述IGBT芯片的集电极焊接/烧结设置在所述绝缘基板的功率金属层一上，若干所述IGBT芯片上表面为发射极，所述发射极上设有固定连接的功率连接块二。

具体的，若干所述功率芯片为MOSFET芯片，若干所述MOSFET芯片的漏极焊接/烧结设置在所述绝缘基板的功率金属层一上，若干所述MOSFET芯片上表面为源极，所述功率连接块二固定设置 在源极上。

具体的，若干所述功率芯片为FRD芯片或SBD芯片，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结在功率金属层一上，所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结有功率连接块二；

或者，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结在功率金属层一上，所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结有功率连接块二。

具体的，所述绝缘基板上表面还设有门极金属层，所述门极金属层一端与所述IGBT芯片门极通过键合线电连接，另一端焊接/烧结有门极连接块。

本实用新型有益效果：

本实用新型的功率模块采用单元式塑封结构，由于集成的芯片较少，因此体积减小，残余应力小，可靠性高；MOSFET芯片采用了双面焊接技术，去除了功率回路的键合线，有效降低了功率模块的寄生电感；同时向两侧散热，有效提升了散热效率。

本实用新型功率模块为单元式结构，可在塑封后进行更方便有效的筛选，有效剔除有缺陷的产品，提升了集成功率模块的良率；同时可以根据用户的需要进行装配，从而提升了用户使用的灵活性。

附图说明

图1是单元式塑封模块内部设置结构示意图，

图2是单元式塑封模块内部设置结构立体结构示意图，

图3是绝缘基板背面立体结构示意图，

图4是连接块从环氧树脂内伸出状态立体结构示意图，

图5是绝缘基板背面从环氧树脂内伸出状态立体结构示意图，

图6是相关电极与系统绝缘基板连接状态立体结构示意图，

图7是电极与系统绝缘基板连接状态主视结构示意图，

图8是单元式塑封模块与系统绝缘基板连接状态结构示意图，

图9是系统绝缘基板上相应电极分别从外壳中穿出结构示意图，

图10是单元式塑封模块与系统绝缘基板侧部连接结构示意图，

图11是单元式塑封模块与系统绝缘基板之间填充硅凝胶或硅橡胶后立体结构示意图，

图12是系统绝缘基板增设外壳后侧部结构示意图，

图13是平衡金属层设置结构示意图，

图14是单元式塑封模块与散热器连接状态立体结构示意图，

图15是本案制备工艺流程图，

图16是背景技术中传统边框式功率模块的立体结构示意图，

图17是背景技术中塑封式功率模块的立体结构示意图；

100是绝缘基板，110是漏极/集电极金属层，111是功率连接块二，120是门极金属层， 121是门极连接块，130是源极/发射极驱动金属层，131是源极/发射极驱动连接块，

200是功率芯片，210是功率连接块一，

300是环氧树脂，

400是系统绝缘基板，401是系统上表面金属层，402是系统中间绝缘层，403是系统下表面金属层，404是平衡金属层，

410是正电极金属层，420是负电极金属层，430是输出电极金属层，440是上桥门极金属层，450是上桥源极/发射极金属层，460是下桥门极金属层，470是下桥源极/发射极金属层，

510是正电极，520是负电极，530是输出电极，540是上桥门极电极，550是上桥源极/发射极电极，560是下桥门极电极，570是下桥源极/发射极电极，

600是单元式塑封模块，

700是盖板,800是外壳。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、 “下”、 “左”、 “右”、 “竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，除非另有说明， “多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、 “相连”、 “连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接 ；可以是机械连接，也可以是电连接 ；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

为便于技术方案的理解，以下分3部分：

第1部分：单元式塑封模块，参照图1-5所示；

本实用新型的单元式塑封模块在电路结构上是单管结构，器件类型主要包括IGBT、MOSFET、FRD、SBD等，也可以根据实际电路需要，将两种类型芯片塑封在一起。这种单管结构类型是最简单的电路形式，复杂的电路往往由这些单管组合而成，因此将单管作为基本电路类型进行封装；另外单管封装体积小，除了工艺简单、便于筛选，还可以降低封装中不同材料之间的界面应力、减小翘曲变形。

一种单元式塑封模块，包括：

绝缘基板100，上表面设有功率金属层一110；所述功率金属层一110上设置有固定连接的功率连接块一111；

功率芯片200，设有若干，通过焊接/烧结设置在所述功率金属层一110上；若干所述功率芯片200上表面上分别设有固定连接的功率连接块二210。

所述功率芯片200的上表面与所述功率连接块二210之间焊接或烧结有钼片。

功率芯片200进一步限定，包括以下几种类型：

类型1：若干所述功率芯片200为IGBT芯片，若干所述IGBT芯片的集电极焊接/烧结设置在所述绝缘基板100的功率金属层一110上，若干所述IGBT芯片上表面为发射极，所述发射极上设有固定连接的功率连接块二210。

所述绝缘基板100上表面设有门极金属层120，所述门极金属层120一端与所述IGBT芯片门极通过键合线电连接，另一端焊接/烧结有门极连接块121。

源极/发射极驱动金属层130的一端与所述功率芯片IGBT芯片的源极或发射极通过键合线实现电连接，另一端通过焊接或烧结方式与有源极或发射极驱动连接块131。

源极/发射极是“或”的关系，对于IGBT芯片来说，是门极、集电极、发射极；对于MOSFET芯片来说是门极、漏极、源极。

类型2：若干所述功率芯片200为MOSFET芯片，若干所述MOSFET芯片200的漏极焊接/烧结设置在所述绝缘基板100的功率金属层一110上，若干所述MOSFET芯片上表面为源极，所述功率连接块二210固定设置 在源极上。本案优选4颗MOSFET芯片，4颗MOSFET芯片并联组成1个单管电路。

所述绝缘基板100上表面设有门极金属层120，所述门极金属层120一端与所述MOSFET芯片的门极通过键合线电连接，另一端焊接/烧结有门极连接块121。

所述绝缘基板100上表面还设有源极/发射极驱动金属层130；

所述源极/发射极驱动金属层130的一端与MOSFET芯片的源极或发射极通过键合线实现电连接，另一端通过焊接或烧结方式与有源极或发射极驱动连接块131。

类型3：若干所述功率芯片200为FRD芯片或SBD芯片，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结在功率金属层一110上，所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结有功率连接块二210；

或者，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结在功率金属层一110上，所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结有功率连接块二210。

绝缘基板100进一步限定：

所述绝缘基板100从上而下依次包括上表面金属层，中间绝缘层以及下表面金属层。上表面金属层、下表面金属层的材料分别为铜或铝，中间绝缘层的材料为Al₂O₃或AlN或Si₃N₄。

所述绝缘基板100上设有包裹功率芯片的环氧树脂300；

所述功率连接块一111、功率连接块二210和门极连接块121的顶部分别从环氧树脂（300）内伸出，其伸出在环氧树脂300外部的高度优选为2～3mm；

所述绝缘基板100下表面金属层的底部从环氧树脂300内伸出，伸出环氧树脂300的高度优选为0.1mm。

本案中连接块（包括功率连接块一111、功率连接块二210、门极连接块121和源极/发射极驱动连接块131的材料为铜、钼铜或AlSiC等，其中功率连接块一的材料优选为钼铜或AlSiC；功率连接块二、源极/发射极连接块、门极连接块的材料优选为铜。连接块均为长条形结构，自绝缘基板的上表面向上方进行延伸，连接块的顶端距离绝缘基板上表面的高度一致。

本案单元式塑封模块的电路拓扑结构为单管、半桥、升压、斩波或 全桥。

塑封后的块外形如图4-5所示，采用环氧树脂包覆功率芯片、键合线以及连接块（包括源极连接块、源极驱动连接块和门极连接块）的部分区域、绝缘基板的部分区域。连接块的部分结构穿过环氧露出在外部，相当于单管模块的电极，主要起到电路连接、散热通道的作用。环氧树脂300在绝缘基板上表面方向的高度优选为超过键合线1-2mm。

第2部分：集成式功率模块，参照图6-13所示；

实际使用电路中，功率部分往往是半桥电路拓扑，或全桥、三相桥等，因此单管模块在实际使用时往往需要多个进行组合，具体组合方式可根据用户的实际电路及布局来确定。本实用新型现以半桥电路拓扑为例进行说明，半桥电路可以由两个单管模块组合而成。实现半桥电路拓扑除了需要两只单管模块之外，还需要有将两只单管模块组合在一起的载体，因此本实用新型在此再引入一块系统绝缘基板，并且与系统绝缘基板配合的还有电路接口，即电极，如图6所示。

集成式功率模块，包括：

系统绝缘基板400，顶面设有间隔固定设置的正电极金属层410、负电极金属层420和输出电极金属层430；

正电极510，通过烧结或焊接方式固定连接在所述正电极金属层410上；

负电极520，通过烧结或焊接方式固定连接在所述负电极金属层420上；

输出电极530，通过烧结或焊接方式固定连接在所述输出电极金属层430上；

单元式塑封模块600，设有两只及以上，与所述系统绝缘基板400上相应金属层电性连接。

进一步限定，所述系统绝缘基板顶面还设置有上桥门极金属层440、上桥源极/发射极金属层450、下桥门极金属层460和下桥源极/发射极金属层470；

上桥门极电极540，通过烧结或焊接方式固定连接在所述上桥门极金属层440上；

上桥源极/发射极电极550，通过烧结或焊接方式固定连接在所述上桥源极/发射极金属层450上；

下桥门极电极560，通过烧结或焊接方式固定连接在所述下桥门极金属层460上；

下桥源极/发射极电极570，通过烧结或焊接方式固定连接在所述下桥源极/发射极金属层470上。上述电极的材料优选铜，电极与绝缘基板金属层的连接可以采用超声波金属焊接的方式。

参照图11所示，单元式塑封模块600，设有两只，实际使用时可以设置两只以上，单元式塑封模块600上相应连接块与所述系统绝缘基板400上相应金属层电性连接。至此将两只单元式功率模块组装在系统绝缘基板上，通过电极引出，就形成了具有外部电路接口的半桥功率模块。

单元式塑封模块600上连接块的作用是电流传输，同时也可将功率芯片的热量传导至系统绝缘基板，消除了功率回路的键合线，同时电流通路也大幅缩短，因此减少了寄生电感；另外功率芯片的热量除了可以通过单元式塑封模块600的绝缘基板散热，也可以通过相应连接块传导至系统绝缘基板散热，真正实现了双面散热。

系统绝缘基板400进一步优化，参照图13所示：

所述系统绝缘基板400的系统中间绝缘层402上设置有平衡金属层404，所述平衡金属层404呈矩形框体，固定设置在所述正电极金属层410、负电极金属层420和输出电极金属层430外侧。

进一步限定单元式塑封模块600与系统绝缘基板400组装结构：

所述单元式塑封模块600与系统绝缘基板400之间空隙填充有硅凝胶或硅橡胶。

灌封完硅凝胶或硅橡胶的半桥功率模块，在外壳的上方加盖盖板700，盖板700通过粘结或卡扣与外壳相连，盖板700中间与单元式塑封模块配合的位置设置有开孔，开孔尺寸略大于单元式塑封模块的尺寸，并且单元式塑封模块的绝缘基板超出盖板700，如图11所示。

所述系统绝缘基板400周边粘结有外壳800，如图9，图12所示，所述正电极510、负电极520、输出电极530、上桥门极电极540、上桥源极/发射极电极550、下桥门极电极560、下桥源极/发射极电极570均从外壳中穿出。

所述系统绝缘基板400的底部从外壳800内伸出，若干单元式塑封模块600的绝缘基板100的下表面金属层从所述外壳800内伸出，参照图12所示。

进一步优化，所述系统绝缘基板400周边粘结有外壳，所述正电极510、负电极520、输出电极530、上桥门极电极540、上桥源极/发射极电极550、下桥门极电极560、下桥源极/发射极电极570均从外壳中穿出。

连接块传输电流，而且也要承受高压，如果没有高绝缘强度的填充物，那实际使用时很容易发生电气击穿。为了完善系统方案，在单元式塑封模块的组合外侧设置外壳，如图9，外壳的材料可以是PBT、PPS、PA等，相应的电极从外壳的侧部穿出，外壳下表面四周通过密封胶与系统绝缘基板相连，在外壳的内部灌硅凝胶，硅凝胶覆盖在系统绝缘基板表面，同时填充在连接块之间，起到了绝缘及隔断水气、灰尘的作用。

系统绝缘基板进一步限定：

所述系统绝缘基板400从上而下依次包括系统上表面金属层401、系统中间绝缘层402以及系统下表面金属层403；系统上表面金属层401和系统下表面金属层403的材料分别为铜或铝，系统中间绝缘层402的材料为Al₂O₃或AlN或Si₃N₄。

由于组装的半桥功率模块、全桥功率模块或三相桥功率模块体积较大，系统绝缘基板400在烧结或焊接过程中由于正反两面的金属层不一致，容易发生翘曲变形，而严重的翘曲变形无法保证半桥模块与散热器良好接触，甚至造成陶瓷开裂，影响了电气安全性。为了减小变形，在系统绝缘基板400的四周周边设置了一圈平衡金属层404，平衡金属层404可以平衡绝缘基板400两侧金属层，参照图12所示，从而保证系统绝缘基板400的平整度。

进一步优化，所述系统绝缘基板400的下方焊接或烧结有底板，所述底板的材料为Cu或AlSiC。底板具备足够的机械强度，可以通过螺栓实现集成式功率模块与散热器的机械连接，同时底板具体较高的热导率，可以实现热量在底板内部的横向传导，能够有效增加散热面积。

第3部分：功率模块的使用

实际使用时，往往将3只集成式功率模块组成三相桥电路拓扑，考虑到本实用新型为双面散热结构，因此首先将3只集成式功率模块安装在下方散热器上，参照图14所示；单元式塑封模块的背面通过导热硅脂与散热器接触。

然后在3只半桥功率模块的上方同样安装上方散热器，同样3只集成式功率模块使用的6只单元式塑封模块的绝缘基板通过导热硅脂等与上方散热器接触，实现高效散热功能。

第4部分：一种集成单元式功率模块的制造方法

一种集成式功率模块的制备方法，包括以下步骤：

第一步：芯片烧结/焊接；

将IGBT芯片、MOSFET芯片、FRD芯片、SBD芯片中的一种或几组通过烧结或焊接的方式组装在绝缘基板（100）的上表面金属层上；

第二步：引线键合；

对于IGBT芯片、MOSFET芯片，将功率芯片200的门极、发射极/源极驱动通过引线键合的方式与绝缘基板的相应金属层相连；也可以只键合门极引线，发射极/源极驱动从功率回路引出；对于FRD芯片、SBD芯片，由于没有控制电极，可以忽略此步骤；

第三步：连接块烧结/焊接；

对于IGBT芯片，将连接块烧结/焊接在其发射极上；对于MOSFET芯片，将连接块烧结/焊接在源极上；对于FRD、SBD芯片，将连接块烧结/焊接在阳极上；

第四步：塑封；

使用环氧树脂，利用注塑机，对单元式功率模块进行塑封；

第五步：单元式功率模块烧结/焊接；

选用合适规格的单元式功率模块，使用银膏或软钎焊料将单元式功率模块烧结/焊接在系统绝缘基板的相应位置上；

第六步：封壳；

采用密封胶将外壳粘结在系统绝缘基板上，并对密封胶进行固化；然后将电极通过超声波金属焊接的方式与系统绝缘基板相连；或者先烧结/焊接电极，然后安装外壳；

第七步：灌胶；在外壳内部灌硅凝胶，然后真空脱泡，并进行固化；

第八步：安装盖板。

对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：

（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；

（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；

以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种集成式功率模块，其特征在于，包括：

系统绝缘基板（400），顶面设有间隔固定设置的正电极金属层（410）、负电极金属层（420）和输出电极金属层（430）；

正电极（510），固定连接在所述正电极金属层（410）上；

负电极（520），固定连接在所述负电极金属层（420）上；

输出电极（530），固定连接在所述输出电极金属层（430）上；

单元式塑封模块（600），设有两只及以上，与所述系统绝缘基板（400）上相应金属层电性连接；所述单元式塑封模块包括：

绝缘基板（100），上表面设有功率金属层一（110）；所述功率金属层一（110）上设置有固定连接的功率连接块一（111）；

功率芯片（200），设有若干，通过焊接/烧结设置在所述功率金属层一（110）上；若干所述功率芯片（200）上表面上分别设有固定连接的功率连接块二（210）。

2.根据权利要求1所述一种集成式功率模块，其特征在于，所述系统绝缘基板顶面还设置有上桥门极金属层（440）、上桥源极/发射极金属层（450）、下桥门极金属层（460）和下桥源极/发射极金属层（470）；

上桥门极电极（540），固定连接在所述上桥门极金属层（440）上；

上桥源极/发射极电极（550），固定连接在所述上桥源极/发射极金属层（450）上；

下桥门极电极（560），固定连接在所述下桥门极金属层（460）上；

下桥源极/发射极电极（570），固定连接在所述下桥源极/发射极金属层（470）上。

3.根据权利要求1所述一种集成式功率模块，其特征在于，所述系统绝缘基板（400）的系统中间绝缘层（402）上设置有平衡金属层（404），所述平衡金属层（404）呈矩形框体，固定设置在所述正电极金属层（410）、负电极金属层（420）和输出电极金属层（430）外侧。

4.根据权利要求1所述一种集成式功率模块，其特征在于，所述单元式塑封模块（600）与系统绝缘基板（400）之间空隙填充有硅凝胶或硅橡胶。

5.根据权利要求2所述一种集成式功率模块，其特征在于，所述系统绝缘基板（400）周边粘结有外壳（800），所述上桥门极电极（540）、上桥源极/发射极电极（550）、下桥门极电极（560）、下桥源极/发射极电极（570）均从外壳中穿出。

6.根据权利要求5所述一种集成式功率模块，其特征在于，所述系统绝缘基板（400）的底部从外壳（800）内伸出，若干单元式塑封模块（600）的绝缘基板（100）的下表面金属层从所述外壳（800）内伸出。

7.根据权利要求1所述的一种集成式功率模块，其特征在于，若干所述功率芯片（200）为IGBT芯片，若干所述IGBT芯片的集电极焊接/烧结设置在所述绝缘基板（100）的功率金属层一（110）上，若干所述IGBT芯片上表面为发射极，所述发射极上设有固定连接的功率连接块二（210）。

8.根据权利要求1所述的一种集成式功率模块，其特征在于，若干所述功率芯片（200）为MOSFET芯片，若干所述MOSFET芯片（200）的漏极焊接/烧结设置在所述绝缘基板（100）的功率金属层一（110）上，若干所述MOSFET芯片上表面为源极，所述功率连接块二（210）固定设置 在源极上。

9.根据权利要求1所述的一种集成式功率模块，其特征在于，若干所述功率芯片（200）为FRD芯片或SBD芯片，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结在功率金属层一（110）上，所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结有功率连接块二（210）；

或者，若干所述FRD芯片或SBD芯片的阴极焊接或烧结在功率金属层一（110）上，所述FRD芯片或SBD芯片的阳极焊接或烧结有功率连接块二（210）。

10.根据权利要求7所述的一种集成式功率模块，其特征在于，所述绝缘基板（100）上表面还设有门极金属层（120），所述门极金属层（120）一端与所述IGBT芯片门极通过键合线电连接，另一端焊接/烧结有门极连接块（121）。