CN218548441U - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN218548441U
CN218548441U CN202222636126.0U CN202222636126U CN218548441U CN 218548441 U CN218548441 U CN 218548441U CN 202222636126 U CN202222636126 U CN 202222636126U CN 218548441 U CN218548441 U CN 218548441U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
electrode
insulating layer
far away
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222636126.0U
Other languages
English (en)
Inventor
龙时宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202222636126.0U priority Critical patent/CN218548441U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN218548441U publication Critical patent/CN218548441U/zh
Priority to US18/458,264 priority patent/US20240113137A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开一种阵列基板及显示面板，其中阵列基板包括：基板；有源层，有源层设在基板上；第一绝缘层设在有源层远离基板的一侧；第一减反射膜层设在第一绝缘层远离基板的一侧；第二绝缘层设在第一减反射膜层远离基板的一侧；源极设在第二绝缘层远离基板的一侧，源极包括相连接的第一电极部和第二电极部，第一电极部通过第一绝缘层和第二绝缘层上的过孔与有源层电连接；漏极设在第二绝缘层远离基板的一侧，漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部，第三电极部通过第一绝缘层和第二绝缘层上的过孔与有源层电连接；第二电极部和第四电极部中的至少一者在基板的正投影与第一减反射膜层在基板的正投影相重叠。本申请改善显示面板的信号串扰问题。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着5G通信技术的发展，虚拟现实技术(英文名称：Virtual Reality，简称：VR)内容以及硬件等的提升，VR技术正处于高速发展期，而VR技术对显示面板的像素密度要求非常高(具体地要求显示面板的像素密度大于1000)，但是现有像素密度大于1000的显示面板存在严重的信号串扰，特别是显示面板的TFT器件产生的光生漏电流会导致信号串扰，从而影响显示面板的显示效果。有鉴于此，有必要解决高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
实用新型内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以改善高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
本申请提供一种阵列基板，其包括：
基板；
有源层，所述有源层设在所述基板上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述有源层远离所述基板的一侧；
第一减反射膜层，所述第一减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧；
第二绝缘层，所述第二绝缘层设在所述第一减反射膜层远离所述基板的一侧；
源极，所述源极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述源极包括相连接的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；
漏极，所述漏极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部，所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；其中，
所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
可选的，在本申请一些实施例中，所述有源层包括依次相连接的第一连接部、导电沟道和第二连接部，所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第一连接部电连接，所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第二连接部电连接；
其中，所述导电沟道在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
可选的，在本申请一些实施例中，所述阵列基板还包括：
遮光电极，所述遮光电极设在所述基板上；
缓冲层，所述缓冲层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧，所述有源层设在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述遮光电极在所述基板的正投影与所述导电沟道在所述基板的正投影相重叠。
可选的，在本申请一些实施例中，所述有源层在所述基板的正投影覆盖所述遮光电极在所述基板的正投影；
所述阵列基板还包括：
第二减反射膜层，所述第二减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧
栅电极，所述栅电极设在所述第二减反射膜层远离所述基板的一侧，所述第二减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述栅电极在所述基板的正投影；
层间介质层，所述层间介质层设在所述栅电极远离所述基板的一侧，所述第一减反射膜层设在所述层间介质层远离所述基板的一侧。
可选的，在本申请一些实施例中，所述遮光电极在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影；
所述阵列基板还包括：
第三减反射膜层，所述第三减反射膜层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧，所述缓冲层设在第三减反射膜层远离所述基板的一侧，所述第三减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影；
所述缓冲层设在所述第三减反射膜层远离所述基板的一侧。
可选的，在本申请一些实施例中，所述阵列基板还包括：
第一金属层，所述第一金属层设在所述第二绝缘层上，所述第一金属层包括所述源极和所述漏极。
可选的，在本申请一些实施例中，所述阵列基板还包括：
第三绝缘层，所述第三绝缘层设在所述源极远离所述基板的一侧，所述漏极设在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧。
可选的，在本申请一些实施例中，所述第一减反射膜层为金属氧化物层。
可选的，在本申请一些实施例中，所述第二减反射膜层为金属氧化物层。
相应地，本申请还提供一种显示面板，其包括：上述所述的阵列基板。
本申请提供一种阵列基板及显示面板，其中阵列基板包括：基板；有源层，所述有源层设在所述基板上；第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述有源层远离所述基板的一侧；第一减反射膜层，所述第一减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层设在所述第一减反射膜层远离所述基板的一侧；源极，所述源极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述源极包括相连接的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；漏极，所述漏极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部，所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；其中，所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。本申请通过设有第一减反射膜层，而且第一减反射膜层在所述基板的正投影与所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影相重叠，从而可以避免所述第二电极部和所述第四电极部将光线反射至有源层，因此降低有源层的光生漏电流，从而改善高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图；
图2是本申请提供的阵列基板的第二结构示意图；
图3是本申请提供的阵列基板的第三结构示意图；
图4是本申请提供的阵列基板的第四结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，图1是本申请提供的阵列基板100的第一结构示意图。本申请实施例还提供一种阵列基板100，其包括：
基板11；
有源层12，所述有源层12设在所述基板11上；
第一绝缘层13，所述第一绝缘层13设在所述有源层12远离所述基板11的一侧；
第一减反射膜层14，所述第一减反射膜层14设在所述第一绝缘层13远离所述基板11的一侧，
第二绝缘层15，所述第二绝缘层15设在所述第一减反射膜层14远离所述基板11的一侧；
源极16，所述源极16设在所述第二绝缘层15远离所述基板11的一侧，所述源极16包括相连接的第一电极部161和第二电极部162，所述第一电极部161通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述有源层12电连接；
漏极17，所述漏极17设在所述第二绝缘层15远离所述基板11的一侧，所述漏极17包括相连接的第三电极部171和第四电极部172，所述第三电极部171通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述有源层12电连接；其中，
所述第二电极部162和所述第四电极部172中的至少一者在所述基板11的正投影与所述第一减反射膜层14在所述基板11的正投影相重叠。
减反射膜层又称增透膜层，减反射膜层具有减少反射光而增加透光量的作用。进一步地，在本实施例中，所述第二电极部162和所述第四电极部172在所述基板11的正投影均与所述第一减反射膜层14在所述基板11的正投影相重叠。
由于现有的显示面板的TFT器件产生的光生漏电流会导致信号串扰，经过本申请人研究分析得知，其中显示面板的TFT器件的有源层12接受的光主要来自显示面板内的金属层的反射。因此本申请人为了解决上述技术问题，通过设有第一减反射膜层14，而且第一减反射膜层14在所述基板11的正投影与所述第二电极部162和所述第四电极部172中的至少一者在所述基板11的正投影相重叠，从而可以避免所述第二电极部162和所述第四电极部172将光线反射至有源层12，因此降低有源层12的光生漏电流，从而改善高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
其中，在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
栅电极25，所述栅电极25设在所述第一绝缘层13远离所述基板11的一侧；
层间介质层19，所述层间介质层19设在所述栅电极25远离所述基板11的一侧，所述第一减反射膜层14设在所述层间介质层19远离所述基板11的一侧。
其中，在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
第一金属层，所述第一金属层设在所述第二绝缘层15远离所述基板11的一侧，所述第一金属层包括所述源极16和所述漏极17。
也即是，在本实施例中，所述源极16和所述漏极17设在同一层金属上，这样有利于降低显示面板的厚度。
进一步地，在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
平坦层18，所述平坦层18设在所述第一金属层远离所述基板11的一侧；
第二金属层，所述第二金属层设在所述平坦层18远离所述基板11的一侧，所述第二金属层包括像素电极20，所述像素电极20与所述漏极17电连接；
第四绝缘层21，所述第四绝缘层21设在所述第二金属层远离所述基板11的一侧，其中所述第四绝缘层21为无机绝缘层；
第三金属层，所述第三金属层设在所述第四绝缘层21远离所述基板11的一侧，所述第三金属层包括公共电极22。
进一步地，在一些实施例中，所述有源层12包括依次相连接的第一连接部121、导电沟道122和第二连接部123，所述第一电极部161通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述第一连接部121电连接，所述第三电极部171通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述第二连接部123电连接；
其中，所述导电沟道122在所述基板11的正投影与所述第一减反射膜层14在所述基板11的正投影相重叠。
由于显示面板内存在其他金属电极，比如像素电极、公共电极，这些金属电极也设在有源层上方，因此也会将光线反射至有源层。因此，本申请通过将所述导电沟道122在所述基板11的正投影与所述第一减反射膜层14在所述基板11的正投影相重叠，因此可以减少显示面板内除了所述第二电极部162和所述第四电极部172外的其他金属层反射至有源层12的光线，可以进一步降低有源层12的光生漏电流。
另外，进一步地，在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
遮光电极23，所述遮光电极23设在所述基板11上；
缓冲层24，所述缓冲层24设在所述遮光电极23远离所述基板11的一侧，所述有源层12设在所述缓冲层24远离所述基板11的一侧，所述遮光电极23在所述基板11的正投影与所述导电沟道122在所述基板11的正投影相重叠。
本申请通过将所述遮光电极23在所述基板11的正投影与所述导电沟道122在所述基板11的正投影相重叠，因此可以避免背光模组的光线入射至导电沟道122，因此可以进一步降低有源层12的光生漏电流。
进一步地，在一些实施例中，所述第一减反射膜层14的材料包括金属氧化物，因此，所述第一减反射膜层14为金属氧化物层。具体地，所述第一减反射膜层14的材料为氧化钼，所述第一减反射膜层14为氧化钼层。
相应地，本申请实施例还提供一种阵列基板100的制造工艺，包括：
在所述基板11上形成所述遮光电极23；
在所述遮光电极23上形成所述缓冲层24；
在所述缓冲层24上形成所述有源层12，所述有源层12在所述基板11的正投影覆盖所述遮光电极23在所述基板11的正投影；
在所述有源层12上形成所述第一绝缘层13；
在所述第一绝缘层13上形成所述栅电极25；
在所述栅电极25上形成所述层间介质层19；
在所述层间介质层19上形成所述第一减反射膜层14；
在所述第一减反射膜层14上形成所述第二绝缘层15；
在所述第二绝缘层15上形成所述第一金属层，所述第一金属层包括所述源极16和所述漏极17，所述源极16包括相连接的第一电极部161和第二电极部162，所述第一电极部161通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述有源层12电连接，所述漏极17包括相连接的第三电极部171和第四电极部172，所述第三电极部171通过所述第一绝缘层13和所述第二绝缘层15上的过孔与所述有源层12电连接，所述第二电极部162和所述第四电极部172中的至少一者在所述基板11的正投影与所述第一减反射膜层14在所述基板11的正投影相重叠；
在所述第一金属层上形成所述平坦层18；
在所述平坦层18上形成所述第二金属层，所述第二金属层包括像素电极20，所述像素电极20与所述漏极17电连接；
在所述第二金属层上形成所述第四绝缘层21；
在所述第四绝缘层21上形成所述第三金属层，所述第三金属层包括公共电极22。
相应地，本申请还提供一种显示面板，其包括：上述所述的阵列基板100。
该显示面板解决问题的原理与前述阵列基板100相似，因此该显示面板的实施和有益效果可以参见前述阵列基板100的描述，重复之处在此不再赘述。
请参阅图2，图2是本申请提供的阵列基板100的第二结构示意图。其中，本实施例与图1提供的阵列基板100不同的是：所述有源层12在所述基板11的正投影覆盖所述遮光电极23在所述基板11的正投影；
所述阵列基板100还包括：
第二减反射膜层26，所述第二减反射膜层26设在所述第一绝缘层13远离所述基板11的一侧；
栅电极25，所述栅电极25设在所述第二减反射膜层26远离所述基板11的一侧，所述第二减反射膜层26在所述基板11的正投影覆盖所述栅电极25在所述基板11的正投影；
层间介质层19，所述层间介质层19设在所述栅电极25远离所述基板11的一侧，所述第一减反射膜层14设在所述层间介质层19远离所述基板11的一侧。
由于所述有源层12在所述基板11的正投影覆盖所述遮光电极23在所述基板11的正投影，因此存在从背光模组发出的光线入射至栅电极25的情况，光线再被栅电极25反射至有源层，而本申请通过将所述栅电极25设在所述第二减反射膜层26上，可以避免所述栅电极25将光线反射至所述有源层12，从而可以进一步降低有源层12的光生漏电流。
进一步地，在一些实施例中，所述第二减反射膜层26的材料包括金属氧化物，因此，所述第二减反射膜层26为金属氧化物层。具体地，所述第二减反射膜层26的材料为氧化钼。
请参阅图3，图3是本申请提供的阵列基板100的第三结构示意图。再进一步地，本实施例与图1提供的阵列基板100不同的是：所述遮光电极23在所述基板11的正投影覆盖所述有源层12在所述基板11的正投影；
所述阵列基板100还包括：
第三减反射膜层27，所述第三减反射膜层27设在所述遮光电极23远离所述基板11的一侧，所述缓冲层24设在第三减反射膜层27远离所述基板11的一侧，所述第三减反射膜层27在所述基板11的正投影覆盖所述有源层12在所述基板11的正投影；
所述缓冲层24设在所述第三减反射膜层27远离所述基板11的一侧。
由于所述遮光电极23在所述基板11的正投影覆盖所述有源层12在所述基板11的正投影，因此所述遮光电极23会将光线反射至所述有源层12，而本申请通过在所述遮光电极23上设有所述第三减反射膜层27，可以避免所述遮光电极23将光线反射至所述有源层12，从而可以进一步降低有源层12的光生漏电流。
进一步地，在一些实施例中，所述第三减反射膜层27的材料包括金属氧化物，因此，所述第三减反射膜层27为金属氧化物层。具体地，所述第三减反射膜层27的材料为氧化钼。
请参阅图4，图4是本申请提供的阵列基板100的第四结构示意图。本实施例与图1提供的阵列基板100不同的是：所述阵列基板100还包括：
第三绝缘层28，所述第三绝缘层28设在所述源极16远离所述基板11的一侧，所述漏极17设在所述第三绝缘层28远离所述基板11的一侧。
也即是在本实施例中，所述源极16和所述漏极17不同层设置，有利于减少所述源极16和所述漏极17之间的串扰。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
有源层，所述有源层设在所述基板上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述有源层远离所述基板的一侧；
第一减反射膜层，所述第一减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧；
第二绝缘层，所述第二绝缘层设在所述第一减反射膜层远离所述基板的一侧；
源极，所述源极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述源极包括相连接的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；
漏极，所述漏极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，所述漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部，所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接；其中，
所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括依次相连接的第一连接部、导电沟道和第二连接部，所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第一连接部电连接，所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第二连接部电连接；
其中，所述导电沟道在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
遮光电极，所述遮光电极设在所述基板上；
缓冲层，所述缓冲层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧，所述有源层设在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述遮光电极在所述基板的正投影与所述导电沟道在所述基板的正投影相重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述基板的正投影覆盖所述遮光电极在所述基板的正投影；
所述阵列基板还包括：
第二减反射膜层，所述第二减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧；
栅电极，所述栅电极设在所述第二减反射膜层远离所述基板的一侧，所述第二减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述栅电极在所述基板的正投影；
层间介质层，所述层间介质层设在所述栅电极远离所述基板的一侧，所述第一减反射膜层设在所述层间介质层远离所述基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二减反射膜层为金属氧化物层。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影；
所述阵列基板还包括：
第三减反射膜层，所述第三减反射膜层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧，所述缓冲层设在第三减反射膜层远离所述基板的一侧，所述第三减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影；
所述缓冲层设在所述第三减反射膜层远离所述基板的一侧。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一金属层，所述第一金属层设在所述第二绝缘层上，所述第一金属层包括所述源极和所述漏极。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第三绝缘层，所述第三绝缘层设在所述源极远离所述基板的一侧，所述漏极设在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一减反射膜层为金属氧化物层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
CN202222636126.0U 2022-09-30 2022-09-30 阵列基板及显示面板 Active CN218548441U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222636126.0U CN218548441U (zh) 2022-09-30 2022-09-30 阵列基板及显示面板
US18/458,264 US20240113137A1 (en) 2022-09-30 2023-08-30 Array substrate and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222636126.0U CN218548441U (zh) 2022-09-30 2022-09-30 阵列基板及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218548441U true CN218548441U (zh) 2023-02-28

Family

ID=85277406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222636126.0U Active CN218548441U (zh) 2022-09-30 2022-09-30 阵列基板及显示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20240113137A1 (zh)
CN (1) CN218548441U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240113137A1 (en) 2024-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108807487B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110910770B (zh) 显示面板及显示装置
US20120138972A1 (en) Array substrate and a method for fabricating the same and an electronic paper display
CN109887963A (zh) 一种oled显示面板
US11183610B2 (en) Photoelectric detector, preparation method thereof, display panel and display device
US11719991B2 (en) Optical panel, image collection device and image collection method
CN114924436B (zh) 阵列基板及液晶显示面板
CN109061968A (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
WO2021248542A1 (zh) Oled 显示面板
CN111524907A (zh) 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN218548441U (zh) 阵列基板及显示面板
JP2024504459A (ja) ディスプレイパネル及びディスプレイ装置
EP3327778B1 (en) Array substrate, preparation method thereof, display panel and display device
CN114281206A (zh) 显示面板与移动终端
TWI328136B (en) Pixel structure and method of making the same
CN111613629A (zh) 一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置
CN115000091B (zh) 一种显示面板的制备方法及显示面板
CN111081152A (zh) 一种集成薄膜太阳能电池的显示模组及其制备方法
CN114236932B (zh) 显示面板及显示装置
CN115061593A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112666734B (zh) 液晶显示面板及显示装置
JP2000331618A (ja) プラズマディスプレーパネル
CN110289323A (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
CN112086572B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN217689711U (zh) 阵列基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant