CN218436018U - 一种拉晶换热装置和拉晶设备 - Google Patents
一种拉晶换热装置和拉晶设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218436018U CN218436018U CN202222235392.2U CN202222235392U CN218436018U CN 218436018 U CN218436018 U CN 218436018U CN 202222235392 U CN202222235392 U CN 202222235392U CN 218436018 U CN218436018 U CN 218436018U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat exchange
- crystal pulling
- barrel
- crystal
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种拉晶换热装置和拉晶设备,涉及光伏技术领域,以解决晶棒的生长速度慢的问题。所述拉晶换热装置包括换热筒体,换热筒体具有开设冷却腔入口和冷却腔出口的冷却腔,换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段,第二筒体段包括用于形成观察通道的换热结构,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝第一筒体段内部的凹槽,凹槽至少部分位于观察通道的观察路径上。所述拉晶设备包括上述技术方案所提的拉晶换热装置。本实用新型提供的拉晶换热装置用于吸收晶棒结晶时释放的热量。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,尤其涉及一种拉晶换热装置和拉晶设备。
背景技术
目前,晶体硅电池因其转换效率高、技术成熟等优势,在太阳能电池市场中占据主导地位。
晶棒是晶体硅电池的基本原料。在采用直拉法制作晶棒时,通常会采用提高晶体生长速度的方式,提高生产效率、降低成本。现有技术中,一般利用高效的换热装置吸收结晶时释放的潜热,以加快晶体生长速度。在实际使用过程中,换热装置会设计为上宽下窄的结构,且换热装置下部的内壁通常距离晶棒较远,此时,便于对晶棒生长情况的充分观察,但是,换热装置下部的内壁距离晶棒较远时,不利于晶棒与换热装置下部之间的热量交换,导致晶棒和换热装置之间的换热效率较低,制约了晶棒的生长速度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种拉晶换热装置和拉晶设备,用于在能够观察晶棒生长情况的同时,提高换热效率,提高晶棒生长速度。
为了实现上述目的,第一方面,本实用新型提供如下技术方案:
一种拉晶换热装置,应用于拉晶设备,包括换热筒体,换热筒体具有开设冷却腔入口和冷却腔出口的冷却腔,换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段,第二筒体段包括用于形成观察通道的换热结构,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝第一筒体段内部的凹槽,凹槽至少部分位于观察通道的观察路径上。
采用上述技术方案的情况下,换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段,第二筒体段包括用于形成观察通道的换热结构,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝第一筒体段内部的凹槽,凹槽至少部分位于观察通道的观察路径上,此时,工作人员或观测设备可以通过第二筒体段上的观察通道和第一筒体段上凹槽观察换热筒体内的晶棒,由于凹槽部分可以形成对晶棒底部进行观察的观察通道,使得工作人员或观测设备能够更加充分的观察换热筒体内晶棒;同时,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上,未设置凹槽的部分与换热筒体内晶棒之间的距离较近,有利于晶棒与未设置凹槽的部分进行热量交换,提高晶棒的换热效率。由此可见,本实用新型提供的拉晶换热装置在保证形成观察通道的同时,提高了换热效率,提高了晶棒生长速度,进而缩短了拉晶时间,降低了生产成本。另外,第一筒体段位于第二筒体段的下部,通过第一筒体段可以增加拉晶换热装置的整体高度,从而提高拉晶换热装置内部晶棒生长的纵向温度梯度,进一步提高晶棒的生长速度。
作为一种可能的实现方式,换热结构包括相对于拉晶轴线倾斜的倾斜换热部,倾斜换热部的换热面为倾斜平面或倾斜弧面,凹槽的内表面至少部分与倾斜换热部的换热面相接。如此设置,由于倾斜换热部相对于拉晶轴线倾斜,可以便于形成与观察路径相适应的观察通道。
作为一种可能的实现方式,沿第一筒体段的周向方向,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽。如此设置,可以通过多个凹槽对晶棒生长情况进行充分观察。
作为一种可能的实现方式,第二筒体段为锥形筒体结构,凹槽的内表面至少部分与锥形筒体结构靠近拉晶轴线的内壳体的内表面相接。如此设置,锥形筒体结构的一周均可以形成观察通道,便于对换热筒体内部的晶棒进行观察。
作为一种可能的实现方式,沿第一筒体段的周向方向,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽,多个凹槽沿第一筒体段的周向分布。如此设置,便于通过观察通道和凹槽对换热筒体内部的晶棒进行观察。
作为一种可能的实现方式,沿第二筒体段的周向方向,第二筒体段包括用于形成观察通道的第一换热结构以及与第一换热结构连通的第二换热结构,凹槽的内表面至少部分与第一换热结构的换热面相接。如此设置,既能够通过第一换热结构的观察通道对晶棒进行观察,又能够通过第二换热结构对晶棒进行换热,提高换热效率。
作为一种可能的实现方式,沿第一筒体段的周向方向,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽,多个凹槽与第二筒体段的观察通道相连接,保证晶棒底端部分能够被观察和测量。如此设置,便于通过多个凹槽对换热筒体内部的晶棒进行观察,保证晶棒底端部分能够被观察和测量。
作为一种可能的实现方式,沿第一筒体段的轴线方向,凹槽贯通设置于第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上。如此设置,凹槽上下两端均开口,便于凹槽加工,同时便于观察到晶棒的底部部分。
作为一种可能的实现方式,换热筒体内用于形成晶棒,第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽的部分与晶棒之间的距离大于或等于10mm。如此设置,避免第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽的部分距离晶棒较近时影响晶棒的拉晶生长。
第二方面,本实用新型还提供一种拉晶设备,包括如上述方案任一项提供的拉晶换热装置。
采用上述技术方案的情况下,由于拉晶设备包括上述拉晶换热装置,故而能够提高拉晶换热装置和晶棒之间的换热效率,提高晶棒的生长速度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为实施例一中拉晶换热装置的示意图;
图2为实施例一中拉晶换热装置的底部示意图;
图3为实施例一中拉晶换热装置的仰视图一;
图4为实施例一中拉晶换热装置的仰视图二;
图5为图4沿N-N的剖视图;
图6为实施例二中拉晶换热装置的示意图一;
图7为实施例二中拉晶换热装置的示意图二;
图8为实施例二中拉晶换热装置的仰视图。
附图标记:
1-换热筒体,11-第一筒体段,111-凹槽,12-第二筒体段,121-第一换热结构,122-第二换热结构,13-第三筒体段,2-冷却腔入口,3-冷却腔出口,4-晶棒,5-观测设备。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
目前,晶体硅电池因其转换效率高、技术成熟等优势,在太阳能电池市场中占据主导地位。
通过研究和成本预测核算,降低单晶硅直拉法生产成本最有效的手段就是提高晶体的生长速度,根据简易热力学模型可以得出晶体最大生长速度由于熔体的温度梯度dTl/dz≥0,则最大晶体生长速度其中,ρS是硅密度(g/cm3),Ks是热传导系数(J/(K·cm·s)),L是硅的结晶潜热(J/g),dTs/dz是结晶界面温度梯度(K/cm)。
由上述简易热力学模型可知,要想获得较高的生长速率,需要提高单晶硅生长的纵向温度梯度。单晶生长界面处纵向温度梯度提升后能够尽快将晶棒产生的热量带走,提高换热效率。
晶棒是晶体硅电池的基本原料。在采用直拉法制作晶棒时,通常会采用提高晶体生长速度的方式,提高生产效率、降低成本。现有技术中,一般利用高效的换热装置吸收结晶时释放的潜热,以加快晶体生长速度。在实际使用过程中,换热装置会设计为上宽下窄的结构,且换热装置下部的内壁通常距离晶棒较远,此时,便于对晶棒生长情况的充分观察,但是,换热装置下部的内壁距离晶棒较远时,不利于晶棒与换热装置下部之间的热量交换,导致晶棒和换热装置之间的换热效率较低,制约了晶棒的生长速度。
请参阅图1至图8,本实用新型实施例提供的拉晶换热装置应用于拉晶设备,包括换热筒体1,换热筒体1具有开设冷却腔入口2和冷却腔出口3的冷却腔,换热筒体1包括由下至上连通布置的第一筒体段11和第二筒体段12,第二筒体段12包括用于形成观察通道的换热结构,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝第一筒体段11内部的凹槽111,凹槽111至少部分位于观察通道的观察路径上。
具体实施时:拉晶换热装置设置于坩埚上方,晶棒4在换热筒体1内部生长形成,冷却介质经过冷却腔入口2进入换热筒体1的冷却腔内,并经过冷却腔出口3流出,使得晶棒4能够与换热筒体1之间进行换热,工作人员或观测设备5通过换热结构的观察通道观察换热筒体1内晶棒4的生长过程,可以实时掌握晶棒4的生长速度及炉内的生长环境,确保晶棒4正常生长。
采用上述技术方案的情况下,工作人员或观测设备5可以通过第二筒体段12上的观察通道和第一筒体段11上凹槽111观察换热筒体1内的晶棒4,由于凹槽111部分可以形成对晶棒4底部进行观察的观察通道,使得工作人员或观测设备5能够更加充分的观察换热筒体1内晶棒4;同时,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上,未设置凹槽111的部分与换热筒体1内晶棒4之间的距离较近,有利于晶棒4与未设置凹槽111的部分进行热量交换,提高晶棒4的换热效率。由此可见,本实用新型提供的拉晶换热装置在保证形成观察通道的同时,提高了换热效率,提高了晶棒4的生长速度,进而缩短了拉晶时间,降低了生产成本。另外,第一筒体段11位于第二筒体段12的下部,通过第一筒体段11可以增加拉晶换热装置的整体高度,从而提高拉晶换热装置内部晶棒4生长的纵向温度梯度,进一步提高晶棒4的生长速度。
如图1、图2、图5、图6所示,进一步地,换热结构包括相对于拉晶轴线倾斜的倾斜换热部,倾斜换热部的换热面为倾斜平面或倾斜弧面。当换热结构具有倾斜换热部时,可以通过倾斜换热部形成相对于拉晶轴线倾斜的观察通道,示例性的,倾斜换热部可以为与拉晶轴线同轴设置的圆锥或棱锥结构,亦可以为设置于第二筒体段12周向部分位置的斜板结构。采用这种结构,换热结构的结构简单,加工方便,由于工作人员观察时,通常是站在拉晶设备的侧方,倾斜朝单晶炉内看去,当倾斜换热面相对于拉晶轴线倾斜时,可以形成与观察路径相适应的观察通道,使得工作人员观察更加方便。
如图3和图8所示,进一步地,沿第一筒体段11的周向方向,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽111。多个凹槽111沿第一筒体段11的周向方向依次分布,且多个凹槽111均位于观察通道的观察路径上。采用这种结构,工作人员或观测设备5可以多角度多方位的对换热筒体1内的晶棒4生长情况进行观察,使得工作人员或观测设备5能够更加充分的观察晶棒4的生长情况,确保晶棒4的正常生长。
实施例一:
如图1至图5所示,进一步地,第二筒体段12为锥形筒体结构,凹槽111的内表面至少部分与锥形筒体结构靠近拉晶轴线的内壳体的内表面相接。锥形筒体结构可以为与拉晶轴线同轴设置的圆锥结构或棱锥结构,锥形筒体结构包括内壳体和外壳体,内壳体靠近拉晶轴线设置,内壳体和外壳体之间具有冷却介质以实现换热,凹槽111的内表面至少部分与锥形筒体结构靠近拉晶轴线的内壳体的内表面相接,即指凹槽111的上部内表面至少部分与锥形筒体下部内壳体的内表面相连接;此时,锥形筒体结构的一周均可以为倾斜换热部,倾斜换热部的换热面即为位于锥形筒体结构的内壳体内表面上的锥形斜面,第一筒体段11上的凹槽111可以与锥形筒体结构一周的任一位置相接形成观察通道,锥形筒体上宽下窄,便于工作人员或观测设备5从上方通过的锥形斜面和凹槽111组成的观察通道观察换热筒体1内的晶棒4。其中,第一筒体段11可以为直筒段,换热筒体1还可以包括第三筒体段13,第三筒体的下端与第二筒体段12相连,通过第三筒体段13可以进一步增加拉晶换热装置的整体高度,从而能够进一步提高拉晶换热装置内部晶棒4生长的纵向温度梯度,进而进一步提高晶棒4的生长速度。
如图2和图3所示,进一步地,沿第一筒体段11的周向方向,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽111,多个凹槽111沿第一筒体段11的周向分布,多个凹槽111均可以与锥形筒体结构的锥形斜面相接形成多个观察路径。由于锥形筒体结构一周均具有倾斜斜面,多个凹槽111沿锥形筒体结构的周向均可以与锥形斜面相接。示例性的,凹槽111可以设置两个、三个、四个等等,采用这种结构,工作人员或观测设备5可以多角度多方位的对换热筒体1内的晶棒4生长情况进行观察,使得工作人员或观测设备5能够更加充分的观察晶棒4的生长情况,确保晶棒4的正常生长。此外,如图4所示,凹槽111也可以设置为一个。
实施例二:
如图6至图8所示,沿第二筒体段12的周向方向,第二筒体段12包括用于形成观察通道的第一换热结构121以及与第一换热结构121连通的第二换热结构122。其中,第一换热结构121可以包括倾斜换热部和连接换热部,倾斜换热部的两侧分别通过连接换热部与第二换热结构122连通,使得冷却介质可以流入至倾斜换热部和连接换热部中进行进一步的换热,提高晶棒4的换热效率。倾斜换热部和连接换热部围成观察通道,连接换热部的换热面为连接平面或连接弧面。示例性的,第二换热结构122可以为直筒段,第一换热结构121可以为相对于拉晶轴线向换热筒体1外侧倾斜的倾斜换热结构,此时,相对于第一换热结构121,第二换热结构122距离拉晶轴线更近,能够提高第二换热结构122和晶棒4之间的换热效率;换热筒体1还可以包括第三筒体段13,第三筒体的下端与第二换热结构122相连,通过第三筒体段13可以进一步增加拉晶换热装置的整体高度,从而能够进一步提高拉晶换热装置内部晶棒4生长的纵向温度梯度,进而进一步提高晶棒4的生长速度。采用这种结构,既能够通过第一换热结构121的观察通道对晶棒4进行观察,又能够通过第二换热结构122对晶棒4进行换热,提高晶棒4与拉晶换热装置之间的换热效率。
在一些实施例中,以第二筒体段12的轴线为中心,第一换热结构121的圆心角大于60°且小于180°。第一换热结构121和第二换热结构122共同构成第二筒体段12的侧壁,第一换热结构121的圆心角是指垂直于换热筒体1轴线的截面上,换热筒体1的轴心与第一换热结构121两端的连线之间的夹角;当第一换热结构121的圆心角小于60°时,第一换热结构121形成的观察通道较窄,观察不方便;当第一换热结构121的圆心角大于180°时,换热筒体1的周向上第一换热结构121占的比例过大,换热筒体1的周向上未设置第一换热结构121的部分较少,晶棒4与第一换热结构121之间的距离较远,晶棒4的换热效率较低;当圆心角大于60°且小于180°时,在保证第一换热结构121能够形成良好的观察通道的同时,第二筒体段12上未设置第一换热结构121的部分与晶棒4之间的距离较近,能够进一步提高晶棒4的换热效率。
示例性的,本实施例第二筒体段12的第二换热结构122的内壁和外壁均为竖直圆柱面,倾斜换热部的外表面为倾斜平面或倾斜弧面,第二筒体段12的外径与第二换热结构122的外径相同或不同。
如图7和图8所示,进一步地,沿第一筒体段11的周向方向,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个凹槽111,多个凹槽111与第二筒体段12的观察通道相连接,保证晶棒4底端部分能够被观察和测量。示例性的,凹槽111设置有两个,两个凹槽111可以对称分布在第一换热结构121的两侧,此时,既能够通过两个凹槽111对换热筒体1内的晶棒4进行充分的观察,保证晶棒4底端部分能够被观察和测量,又能够通过两个凹槽111之间距离晶棒4较近的部分提高晶棒4的换热效率。采用这种结构,工作人员或观测设备5可以多角度多方位的对换热筒体1内的晶棒4生长情况进行观察,使得工作人员或观测设备5能够更加充分的观察晶棒4的生长情况,确保晶棒4的正常生长。此外,凹槽111也可以设置为一个或多个,凹槽位置根据实际捕捉和观察需求设置在与第一换热结构11相应的位置。
如图2和图7所示,进一步地,沿第一筒体段11的轴线方向,凹槽111贯通设置于第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上。此时,凹槽111上下两端均开口,凹槽111的内表面包括底面和两个侧面,凹槽111的底面可以为弧形面或平面。采用这种结构,凹槽111加工时可以从底部进行加工形成,使得凹槽111加工更加方便,同时,当凹槽111贯通设置时,工作人员或观测设备5能够更加方便的观察到晶棒4的底部部分。此外,凹槽111除了采用贯通设置,凹槽111靠近第二筒体段12的一端可以与第一筒体段11的底面之间存在距离;凹槽111靠近第二换热结构122的一端可以不贯穿第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体,但凹槽与第一换热结构121连接处需完全贯穿第一筒体段11。
如图5所示,进一步地,换热筒体1内用于形成晶棒4,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽111的部分与晶棒4之间的距离大于或等于10mm。当第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽111的部分与晶棒4之间的距离小于10mm时,第一筒体段11上未设置凹槽111的部分与晶棒4之间的距离较近,晶棒4生长时无法正常测量或观察晶棒4底部的生长状态而影响晶棒4的生长,因此,当第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽111的部分与晶棒4之间的距离大于或等于10mm时,可以避免第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置凹槽111的部分距离晶棒4较近时影响晶棒4的拉晶生长。
第二方面,本实用新型还提供一种拉晶设备,包括如上述方案任一项提供的拉晶换热装置。
采用上述技术方案的情况下,工作人员或观测设备5可以通过第二筒体段12上的观察通道和第一筒体段11上凹槽111观察换热筒体1内的晶棒4,由于凹槽111部分可以形成对晶棒4底部进行观察的观察通道,使得工作人员或观测设备5能够更加充分的观察换热筒体1内晶棒4;同时,第一筒体段11靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上,未设置凹槽111的部分与换热筒体1内晶棒4之间的距离较近,有利于晶棒4与未设置凹槽111的部分进行热量交换,提高晶棒4的换热效率。由此可见,本实用新型提供的拉晶换热装置在保证形成观察通道的同时,提高了换热效率,提高了晶棒4的生长速度,进而缩短了拉晶时间,降低了生产成本。另外,第一筒体段11位于第二筒体段12的下部,通过第一筒体段11可以增加拉晶换热装置的整体高度,从而提高拉晶换热装置内部晶棒4生长的纵向温度梯度,进一步提高晶棒4的生长速度。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种拉晶换热装置,应用于拉晶设备,其特征在于,包括换热筒体,所述换热筒体具有开设冷却腔入口和冷却腔出口的冷却腔,所述换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段,所述第二筒体段包括用于形成观察通道的换热结构,所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝所述第一筒体段内部的凹槽,所述凹槽至少部分位于所述观察通道的观察路径上。
2.根据权利要求1所述的拉晶换热装置,其特征在于,所述换热结构包括相对于拉晶轴线倾斜的倾斜换热部,所述倾斜换热部的换热面为倾斜平面或倾斜弧面,所述凹槽的内表面至少部分与所述倾斜换热部的换热面相接。
3.根据权利要求1所述的拉晶换热装置,其特征在于,沿所述第一筒体段的周向方向,所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个所述凹槽。
4.根据权利要求1-3任一项所述的拉晶换热装置,其特征在于,所述第二筒体段为锥形筒体结构,所述凹槽的内表面至少部分与所述锥形筒体结构靠近拉晶轴线的内壳体的内表面相接。
5.根据权利要求4所述的拉晶换热装置,其特征在于,沿所述第一筒体段的周向方向,所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个所述凹槽,多个所述凹槽沿所述第一筒体段的周向分布。
6.根据权利要求1-3任一项所述的拉晶换热装置,其特征在于,沿所述第二筒体段的周向方向,所述第二筒体段包括用于形成观察通道的第一换热结构以及与所述第一换热结构连通的第二换热结构,所述凹槽的内表面至少部分与所述第一换热结构的换热面相接。
7.根据权利要求6所述的拉晶换热装置,其特征在于,沿所述第一筒体段的周向方向,所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有多个所述凹槽,多个所述凹槽与第二筒体段的观察通道相连接,保证晶棒底端部分能够被观察和测量。
8.根据权利要求1所述的拉晶换热装置,其特征在于,沿所述第一筒体段的轴线方向,所述凹槽贯通设置于所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上。
9.根据权利要求1所述的拉晶换热装置,其特征在于,所述换热筒体内用于形成晶棒,所述第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上未设置所述凹槽的部分与所述晶棒之间的距离大于或等于10mm。
10.一种拉晶设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的拉晶换热装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222235392.2U CN218436018U (zh) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
PCT/CN2023/106628 WO2024012417A1 (zh) | 2022-07-12 | 2023-07-10 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222235392.2U CN218436018U (zh) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN218436018U true CN218436018U (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=85094456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202222235392.2U Active CN218436018U (zh) | 2022-07-12 | 2022-08-24 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN218436018U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024012417A1 (zh) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
-
2022
- 2022-08-24 CN CN202222235392.2U patent/CN218436018U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024012417A1 (zh) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN218436018U (zh) | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 | |
CN202246987U (zh) | 一种带有内部水冷的直拉单晶炉热屏 | |
CN209641786U (zh) | 电池模组散热结构 | |
WO2018129862A1 (zh) | 一种晶体生长炉加热器以及蓝宝石晶体生长炉 | |
CN213925117U (zh) | 一种拉晶换热装置及拉晶设备 | |
CN218291172U (zh) | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 | |
CN212451737U (zh) | 一种单晶炉用换热系统及单晶炉 | |
CN112301416A (zh) | 一种单晶炉热屏导流筒 | |
CN107227487B (zh) | 一种真空炉内复合冷却提速成晶设备 | |
CN113481591A (zh) | 一种用于提升单晶生长速度的装置及方法 | |
CN208346302U (zh) | 一种单晶硅拉单晶用水冷内导 | |
WO2024012417A1 (zh) | 一种拉晶换热装置和拉晶设备 | |
CN218513537U (zh) | 冷却板、冷却装置及电池模组 | |
CN114737253B (zh) | 生长大尺寸蓝宝石单晶板材的单晶炉热场结构及方法 | |
CN113501527B (zh) | 一种制备一氧化硅的方法 | |
CN216838269U (zh) | 一种单晶提拉速换热器 | |
CN211921735U (zh) | 一种提高单晶硅拉速的冷却装置 | |
CN206410567U (zh) | 一种固体物料冷却器 | |
CN207130356U (zh) | 一种提高直拉单晶拉速的装置 | |
CN106381410A (zh) | 一种集成电路用磷铜阳极的制备方法和熔炼炉及其系统 | |
CN219157035U (zh) | 一种水冷屏及单晶硅生长装置 | |
CN221895181U (zh) | 一种副室及单晶炉 | |
CN220555726U (zh) | 水冷屏及单晶炉 | |
CN212384573U (zh) | 适用于压壳模具的水冷结构 | |
CN107610787A (zh) | 钠冷快堆核电站钠泵循环系统所用的空冷器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |