CN218352394U - 一种平稳换相式h桥电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种平稳换相式H桥电路,解决了现有H桥驱动电路在因换相瞬间出现的尖峰电流,稳定性差,长时间工作频繁换相容易烧毁场效应管并引发整机风险的问题。技术方案是:其包括连接有电阻、P沟道场效应管和N沟道场效应管的H桥电路,P沟道场效应管和N沟道场效应管分别并联整流二极管,与N沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接漏极,阳极接源极;与P沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接源极,阳极接漏极。其在H桥换相时有效降低电流尖峰,降低长时间工作频繁换相烧毁场效应管及整机的风险,提升产品稳定性,其设计相对简单,后期调试相对容易,与单片机控制电路相比,其使用温度范围更广,适用性更高。
Description
技术领域
本实用新型涉及H桥电路技术领域,特别是一种平稳换相式H桥电路,适用于主要应用在基于H桥驱动的纯硬件电路的直流风机,可广泛应用于航天航空、工业、环保行业、电力系统、电子、船舶等领域。
背景技术
现有直流风机的H桥驱动方法多为使用P沟道场效应管及N沟道场效应管做H桥进行控制直流风机的正反转,其原理图如图6所示。现有H桥驱动电路在工作时,应使H桥对角线上的一对MOS管导通,通过控制模块的输入,时期当Q1与Q4导通时,Q2与Q3关断,电流从输入电源正极经Q1从左至右穿过绕组,然后再经Q4回流到电源负极,绕组通电后在磁场的作用下受力开始运动。另一对MOS管在控制模块作用下,使得Q2和Q3导通时,Q1和Q4关断,此时电流经Q2从右至左穿过电机,然后再经Q3回流到电源负极,绕组通电后在磁场的作用下受力开始运动。根据霍尔传感器输出的交替高低电平,控制模块驱动Q1和Q4,Q2和Q3交替导通,从而使得绕组交替通电,在磁场的作用下持续转动。但是此种驱动方式在换相驱动瞬间存在单侧导通现象,即当Q1尚未关断时,Q3开启;当Q4未关断时,Q2开启,使得电流通过Q1、Q3流入GND;通过Q2、Q4流入GND,使其导通电流过大,使其在换相瞬间存在尖峰电流,这种尖峰电流可达到平均工作电流几倍甚至十几倍,长时间工作存在烧毁场效应管,甚至烧毁整机风险。
发明内容
本实用新型的目的是提供了一种平稳换相式H桥电路,解决了现有H桥驱动电路在因换相瞬间出现的尖峰电流,稳定性差,长时间工作频繁换相容易烧毁场效应管并引发整机风险的问题。其利用改进纯硬件电路,结构相对简单,后期调试相对容易,适用性更高。
本实用新型技术方案是:该平稳换相式H桥电路包括连接有电阻、P沟道场效应管和N沟道场效应管的H桥电路,技术要点是:所述P沟道场效应管和N沟道场效应管分别并联整流二极管,与N沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接漏极,阳极接源极;与P沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接源极,阳极接漏极。
本实用新型具有的优点和积极效果是:由于该专利在原有H桥驱动电路的基础上,通过对其硬件电路进行改进,在场效应管的漏极与源极之间并联整流二极管,其主要起到的作用如下:
a)续流作用,当H桥换相时,可以加快场效应管的关断速度;
b)保护作用,电机在反转时会产生很强的反向电动势,会烧毁元器件,此时可以起到卸荷的作用;
c)钳位作用,由于H桥单侧两个二极管反向串联组成,故两个二极管首尾连接部位是受保护的节点。
从而实现在H桥换相时有效降低电流尖峰,进一步降低长时间工作频繁换相烧毁场效应管及整机的风险,提升产品稳定性。并且由于改善设计均采用纯硬件进行电路设计,故其设计相对简单,后期调试相对容易,且每一元器件使用温度范围均优于风机工作温度范围,与单片机控制电路相比,其使用温度范围更广,适用性更高。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步描述。
图1为本实用新型实施例的驱动电路图原理图;
图2为本实用新型实施例的Q1与Q2导通示意图;
图3为本实用新型实施例Q2与Q3导通示意图;
图4为本实用新型实施例放电回路示意图;
图5为现有H桥驱动电路原理图;
图6为现有H桥驱动电路换相瞬间单侧导通示意图;
具体实施方式
根据图1~5详细说明本实用新型的具体结构,实施例如图1所示,一种平稳换相式H桥电路,其基于现有H桥电路换向改进设计,所需电子元器件主要包含电阻、P沟道场效应管、N沟道场效应管、整流二极管组成。其对输入电压为24VDC进行设计研究,其中VCC为通过稳压电路后的稳定电压,稳压电路在此处暂不提及。电阻R1与电阻R2主要用于对VCC注入电压进行分压,以供P沟道场效应管Q1(LYPM2337S1P)其栅极与源极之间达到其开启电压并工作在恒流区。另一侧电阻R2与电阻R4同理可得,其功能在于为P沟道场效应管Q2(LYPM2337S1P)其栅极与源极之间达到其开启电压并工作在恒流区。
P沟道场效应管与N沟道场效应管则主要作为开关电路,通过交替导通实现将直流电压转化成存在高低电平的方波形式。其工作原理如图2和图3所示,通过控制模块的输入,Q3和Q4为N沟道场效应管,当Q1与Q4导通时,Q2与Q3关断,电流从输入电源正极经Q1从左至右穿过绕组,然后再经Q4回流到电源负极如图2所示,绕组通电后在磁场的作用下受力开始运动。另一对MOS管在控制模块作用下,使得Q2和Q3导通时,Q1和Q4关断,此时电流经Q2从右至左穿过电机,然后再经Q3回流到电源负极如图3所示,绕组通电后在磁场的作用下受力开始运动。根据霍尔传感器输出的交替高低电平,控制模块驱动Q1和Q4,Q2和Q3交替导通,从而使得绕组交替通电,在磁场的作用下持续转动。
以Q1与Q4关断及Q2与Q3导通瞬间为例,其改善前原理如图6所示,当H桥出现单侧导通现象时,此时电流通过Q1与Q3直接流入GND,由于缺少负载,此时流经Q1与Q3的电流值较大,长时间工作容易导致场效应管击穿,甚至烧毁。
在其原有基础上通过对场效应管漏极与源极两端并联二极管,使其增加放电回路,从而降低风险,如图4所示,当Q1与Q4关断瞬间,流经Q4电流并不会瞬间消失,通过图5放电回路,使电流流经二极管D3,在其上消耗这一部分电流。从而降低H桥单侧同时导通风险,增加产品稳定性。
应用本实用新型电路设计的产品已经完成试制,完成相关性能检测,能够满足预期要求。综上所述,实现本实用新型的目的。
Claims (1)
1.一种平稳换相式H桥电路,它包括连接有电阻、P沟道场效应管和N沟道场效应管的H桥电路,其特征在于:所述P沟道场效应管和N沟道场效应管分别并联整流二极管,与N沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接漏极,阳极接源极;与P沟道场效应管旁并联的整流二极管阴极接源极,阳极接漏极。
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CN202221664119.5U CN218352394U (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种平稳换相式h桥电路 |
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2022
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