CN218351448U - 一种屏蔽栅沟槽型功率mosfet器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板，且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片，所述器件本体的表面设置有防护壳，所述防护壳的表面开设有若干散热槽，所述防护壳的左右两侧均开设有限位孔，所述防护壳的底部设置有连接板，所述连接板的底部固定连接有若干引脚防护套，所述连接板顶部的左右两侧均开设有限位槽；本实用新型可以对MOSFET器件和引脚进行保护，避免受到外界因素而发生破损，同时还可以对其进行散热处理，并提高其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。

Description

一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件

技术领域

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，具体为一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件。

背景技术

金属－氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。

现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，导致其散热效率低下，容易造成电路板的损坏，同时MOSFET器件在不使用时，其若受外界碰撞后，引脚容易受到损坏，无法对其器件和引脚进行有效保护。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，可以对MOSFET器件和引脚进行保护，避免受到外界因素而发生破损，同时还可以对其进行散热处理，并提高其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板，且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片，所述器件本体的表面设置有防护壳，所述防护壳的表面开设有若干散热槽，所述防护壳的左右两侧均开设有限位孔，所述防护壳的底部设置有连接板，所述连接板的底部固定连接有若干引脚防护套，所述连接板顶部的左右两侧均开设有限位槽，且限位槽的内部设置有弹簧，所述弹簧的另一端固定连接有限位板，所述限位板的另一侧固定连接有限位杆，所述限位杆的另一端固定连接有限位球，所述限位球与限位孔的内部配合使用。

优选的，所述限位槽内腔的前后方均开设有滑槽，所述限位板的前后方均固定连接有滑块，所述滑块与滑槽的内部滑动连接。

优选的，所述器件本体底部的前后方均固定连接有若干加强板，所述加强板位于器件本体引脚的前后两侧。

优选的，所述引脚防护套的内部与引脚的形状相同，且引脚防护套的内部设置有防潮层。

优选的，所述器件本体左右两侧的上下方均开设有螺孔，所述防护壳左右两侧的上下方均螺纹连接有固定栓，且固定栓与螺孔的内部螺纹连接。

优选的，所述防护壳顶部的口径大于器件本体的体积，所述防护壳底部的口径与连接板的面积相同。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型通过防护壳和引脚防护套的设置，不仅可以对器件本体进行保护，而且还可以对器件本体底部的引脚进行保护，避免其在不使用时，导致其受到外界的因素而发生损坏，同时通过弹簧对限位板和限位杆的弹性施力，方便将连接板和防护壳之间进行固定和拆卸，通过散热鳍片和散热槽的设置，可以对器件本体产生的热量进行散热，并延长其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图；

图2为本实用新型中器件本体和引脚防护套与防护壳分离后的结构示意图；

图3为本实用新型连接板和引脚防护套的结构示意图；

图4为本实用新型器件本体的结构示意图；

图5为本实用新型图3中A处的局部放大结构示意图。

图中：1、器件本体；2、螺孔；3、固定板；4、散热鳍片；5、防护壳；6、固定栓；7、散热槽；8、连接板；9、引脚防护套；10、防潮层；11、弹簧；12、限位板；13、限位杆；14、限位球；15、滑槽；16、滑块；17、限位孔；18、加强板；19、限位槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-5所示，一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体1，器件本体1表面的两侧均固定连接有固定板3，且两个固定板3之间固定连接有若干散热鳍片4，可以提高器件本体1在工作状态下的散热效果，器件本体1的表面设置有防护壳5，防护壳5的表面开设有若干散热槽7，防护壳5的左右两侧均开设有限位孔17，器件本体1左右两侧的上下方均开设有螺孔2，防护壳5左右两侧的上下方均螺纹连接有固定栓6，且固定栓6与螺孔2的内部螺纹连接，如此设计方便对器件本体1与防护壳5之间进行螺纹固定，并增强固定时的稳定性，防护壳5的底部设置有连接板8，防护壳5顶部的口径大于器件本体1的体积，防护壳5底部的口径与连接板8的面积相同，此种设计使得器件本体1可以贯穿防护壳5，并方便防护壳5对器件本体1进行保护，连接板8的底部固定连接有若干引脚防护套9，引脚防护套9的内部与引脚的形状相同，且引脚防护套9的内部设置有防潮层10，方便引脚进入引脚防护套9的内部进行保护，同时还避免引脚的表面出现受潮的现象，连接板8顶部的左右两侧均开设有限位槽19，且限位槽19的内部设置有弹簧11，弹簧11的另一端固定连接有限位板12，限位板12的另一侧固定连接有限位杆13，限位杆13的另一端固定连接有限位球14，限位球14与限位孔17的内部配合使用，通过防护壳5和引脚防护套9的设置，不仅可以对器件本体1进行保护，而且还可以对器件本体1底部的引脚进行保护，避免其在不使用时，导致其受到外界的因素而发生损坏，同时通过弹簧11对限位板12和限位杆13的弹性施力，方便将连接板8和防护壳5之间进行固定和拆卸，通过散热鳍片4和散热槽7的设置，可以对器件本体1产生的热量进行散热，并延长其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。

限位槽19内腔的前后方均开设有滑槽15，限位板12的前后方均固定连接有滑块16，滑块16与滑槽15的内部滑动连接，通过滑块16在滑槽15内部的滑动连接，不仅可以对限位板12进行辅助支撑，而且还方便其进行左右的移动。

器件本体1底部的前后方均固定连接有若干加强板18，加强板18位于器件本体1引脚的前后两侧，通过引脚的前后两侧设置的加强板18，可以对引脚在弯折时进行保护，避免引脚与器件本体1的连接处发生折断。

工作原理：当器件本体1在不使用时，可将器件本体1从上向下穿过防护壳5，然后通过固定栓6对防护壳5与器件本体1之间进行固定，接着将器件本体1底部的引脚对准连接板8的顶部进行插入，同时按压两个限位球14，并通过限位杆13和限位板12对弹簧11进行挤压，这时可将连接板8向上移动至防护壳5的内部，并重新通过弹簧11对限位板12和限位杆13的弹性施力，使得限位球14进入限位孔17的内部，从而对连接板8与防护壳5之间进行固定，若需要使用器件本体1时，只需要按压限位球14，然后将连接板8和引脚防护套9从防护壳5的底部进行取出，而器件本体1在工作的过程中，可通过散热鳍片4进行散热即可。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)表面的两侧均固定连接有固定板(3)，且两个固定板(3)之间固定连接有若干散热鳍片(4)，所述器件本体(1)的表面设置有防护壳(5)，所述防护壳(5)的表面开设有若干散热槽(7)，所述防护壳(5)的左右两侧均开设有限位孔(17)，所述防护壳(5)的底部设置有连接板(8)，所述连接板(8)的底部固定连接有若干引脚防护套(9)，所述连接板(8)顶部的左右两侧均开设有限位槽(19)，且限位槽(19)的内部设置有弹簧(11)，所述弹簧(11)的另一端固定连接有限位板(12)，所述限位板(12)的另一侧固定连接有限位杆(13)，所述限位杆(13)的另一端固定连接有限位球(14)，所述限位球(14)与限位孔(17)的内部配合使用。

2.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述限位槽(19)内腔的前后方均开设有滑槽(15)，所述限位板(12)的前后方均固定连接有滑块(16)，所述滑块(16)与滑槽(15)的内部滑动连接。

3.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述器件本体(1)底部的前后方均固定连接有若干加强板(18)，所述加强板(18)位于器件本体(1)引脚的前后两侧。

4.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述引脚防护套(9)的内部与引脚的形状相同，且引脚防护套(9)的内部设置有防潮层(10)。

5.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述器件本体(1)左右两侧的上下方均开设有螺孔(2)，所述防护壳(5)左右两侧的上下方均螺纹连接有固定栓(6)，且固定栓(6)与螺孔(2)的内部螺纹连接。

6.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述防护壳(5)顶部的口径大于器件本体(1)的体积，所述防护壳(5)底部的口径与连接板(8)的面积相同。

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