CN210073821U - 一种氮化镓基功率开关器件 - Google Patents
一种氮化镓基功率开关器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210073821U CN210073821U CN201921167646.3U CN201921167646U CN210073821U CN 210073821 U CN210073821 U CN 210073821U CN 201921167646 U CN201921167646 U CN 201921167646U CN 210073821 U CN210073821 U CN 210073821U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- side wall
- gallium nitride
- front side
- heat
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种氮化镓基功率开关器件，包括基板，基板的前侧壁固定安装有氮化镓芯片，氮化镓芯片的前侧壁与上侧壁固定安装有L形金属框，小孔的内侧壁均固定安装有第一导热杆，基板的后侧壁固定安装有底板，底板的前侧壁嵌入有散热片，底板的前侧壁固定安装有封装体，封装体的前侧壁上端固定安装有散热块，本实用新型通过基板、L形金属框、第一导热杆、散热片、第二导热杆和散热块的结构，从氮化镓芯片处产生的热量能够直接传导到L形金属框、第一导热杆和第二导热杆上，且最终热量会分别从散热片及散热块两处散出，通过此装置能够直接有效的对氮化镓芯片进行散热，且散热效率较高。
Description
技术领域
本实用新型涉及功率开关技术领域，具体为一种氮化镓基功率开关器件。
背景技术
功率开关管是指能承受较大电流，漏电流较小，在一定条件下有较好饱和导通及截止特性的三极管，而作为功率开关的三极管，其经常会承受较大的电流，因此会产生很多热量，严重时会将其烧坏，现有三极管虽然都自带散热部分，但是散热部分一般都是直接与基板连接，令芯片产生的热量需要通过基板和散热部分后才能散出，所有热量均从一侧散出，且不能直接对芯片散热，令其在处于大功率使用时散热效果不足，如果能够设计一种可以直接对芯片散热，且具有多个散热部位，增加散热效果的功率开关器件，就可以解决此类问题，为此，我们提出一种氮化镓基功率开关器件。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种氮化镓基功率开关器件，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓基功率开关器件，包括基板，所述基板的前侧壁固定安装有氮化镓芯片，所述氮化镓芯片的前侧壁与上侧壁固定安装有L形金属框，所述基板的前侧壁均匀开设有小孔，所述小孔的内侧壁均固定安装有第一导热杆，且第一导热杆的前端分别贴合于氮化镓芯片和L形金属框，所述基板的后侧壁固定安装有底板，所述底板的前侧壁嵌入有散热片，且第一导热杆的后端贴合于散热片的前侧壁，所述底板的前侧壁固定安装有封装体，所述封装体的前侧壁上端固定安装有散热块，所述散热块与L形金属框之间固定安装有第二导热杆，所述封装体的下侧壁均匀插接有引脚，中间所述引脚的上端固定安装于基板的前侧壁，两侧所述引脚的上端分别固定安装于氮化镓芯片的接电区。
优选的，所述散热块的外侧壁均匀开设有散热槽。
优选的，所述底板的前侧壁嵌入有环形垫，所述底板的前侧壁开设有通孔。
优选的，所述封装体的下侧壁嵌入有橡胶垫，且引脚贯穿橡胶垫。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过基板、L形金属框、第一导热杆、散热片、第二导热杆和散热块的结构，从氮化镓芯片处产生的热量能够直接传导到L形金属框、第一导热杆和第二导热杆上，且最终热量会分别从散热片及散热块两处散出，通过此装置能够直接有效的对氮化镓芯片进行散热，且散热效率较高。
附图说明
图1为本实用新型的主视图。
图2为本实用新型基板处的右视图剖视图。
图3为本实用新型图1中a部分的局部放大图。
图中：1、基板，2、氮化镓芯片，3、L形金属框，4、小孔，5、第一导热杆，6、散热片，7、底板，8、封装体，9、散热块，10、第二导热杆，11、引脚，12、散热槽，13、环形垫，14、通孔，15、橡胶垫。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1、图2和图3，本实用新型提供一种技术方案：一种氮化镓基功率开关器件，包括基板1，基板1的前侧壁固定安装有氮化镓芯片2，氮化镓为第三代半导体材料，基板1与氮化镓芯片2均为现有公知技术，且基板1与氮化镓芯片2之间的连接方法及电连接方法为现有公知技术，因此此处未进行赘述，氮化镓芯片2的前侧壁与上侧壁固定安装有L形金属框3，L形金属框3可以将氮化镓芯片2产生的热量导走，基板1的前侧壁均匀开设有小孔4，小孔4的内侧壁均固定安装有第一导热杆5，且第一导热杆5的前端分别贴合于氮化镓芯片2和L形金属框3，第一导热杆5可以将氮化镓芯片2及部分L形金属框3处的热量导向散热片6，基板1的后侧壁固定安装有底板7，底板7的前侧壁嵌入有散热片6，散热片6采用高导热硅胶片，为绝缘材料，从散热片6的上侧能够将部分氮化镓芯片2产生的热量散出，且第一导热杆5的后端贴合于散热片6的前侧壁，底板7的前侧壁固定安装有封装体8，芯片封装为现有技术，封装体8即采用此种技术进行安装，对氮化镓芯片2进行保护，封装体8的前侧壁上端固定安装有散热块9，散热块9与L形金属框3之间固定安装有第二导热杆10，因此L形金属框3处的部分热量通过第二导热杆10传递到散热块9处散出，与散热片6配合实现氮化镓芯片2产生的热量的多处位置散出，提高散热效率，封装体8的下侧壁均匀插接有引脚11，中间引脚11的上端固定安装于基板1的前侧壁，两侧引脚11的上端分别固定安装于氮化镓芯片2的接电区，通过引脚11将此装置安装到电路板上并连接到电路中。
具体而言，散热块9的外侧壁均匀开设有散热槽12，增加散热块9处与空气的接触面积，进而增加散热效率。
具体而言，底板7的前侧壁嵌入有环形垫13，环形垫13凸出于散热片6，底板7的前侧壁开设有通孔14，环形垫13凸出于散热片6，此装置固定在电路板上时，需要螺钉即通孔14处进行固定，环形垫13对螺钉起到垫片的作用，同时避免螺钉对散热片6造成损坏。
具体而言，封装体8的下侧壁嵌入有橡胶垫15，且引脚11贯穿橡胶垫15，橡胶垫15具有弹性，能够保证封装体8上引脚11贯穿处的密封。
工作原理：此氮化镓基功率开关器件，在制作时，先将L形金属框3及第二导热杆10安装上，然后安装封装体8，再在封装体8上安装散热块9，并令散热块9与第二导热杆10接触，安装时，螺钉通过通孔14将此装置安装在电路板上，且在引脚11处将此三极管连接到电路板上及电路中，工作过程中，氮化镓芯片2产生的热量一部分传导到L形金属框3处，一部分传导到第一导热杆5处，而L形金属框3处的热量一部分传导到第一导热杆5处，一部分导到第二导热杆10处，第一导热杆5处的热量通过散热片6散出，第二导热杆10处的热量会传递到散热块9处散出，进而实现了能够直接将氮化镓芯片2处产生的热量导走，并且能够从散热片6和散热块9两处散出，增加了此装置的散热效率。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种氮化镓基功率开关器件，其特征在于：包括基板(1)，所述基板(1)的前侧壁固定安装有氮化镓芯片(2)，所述氮化镓芯片(2)的前侧壁与上侧壁固定安装有L形金属框(3)，所述基板(1)的前侧壁均匀开设有小孔(4)，所述小孔(4)的内侧壁均固定安装有第一导热杆(5)，且第一导热杆(5)的前端分别贴合于氮化镓芯片(2)和L形金属框(3)，所述基板(1)的后侧壁固定安装有底板(7)，所述底板(7)的前侧壁嵌入有散热片(6)，且第一导热杆(5)的后端贴合于散热片(6)的前侧壁，所述底板(7)的前侧壁固定安装有封装体(8)，所述封装体(8)的前侧壁上端固定安装有散热块(9)，所述散热块(9)与L形金属框(3)之间固定安装有第二导热杆(10)，所述封装体(8)的下侧壁均匀插接有引脚(11)，中间所述引脚(11)的上端固定安装于基板(1)的前侧壁，两侧所述引脚(11)的上端分别固定安装于氮化镓芯片(2)的接电区。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基功率开关器件，其特征在于：所述散热块(9)的外侧壁均匀开设有散热槽(12)。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基功率开关器件，其特征在于：所述底板(7)的前侧壁嵌入有环形垫(13)，所述底板(7)的前侧壁开设有通孔(14)。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基功率开关器件，其特征在于：所述封装体(8)的下侧壁嵌入有橡胶垫(15)，且引脚(11)贯穿橡胶垫(15)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921167646.3U CN210073821U (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 一种氮化镓基功率开关器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921167646.3U CN210073821U (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 一种氮化镓基功率开关器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210073821U true CN210073821U (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=69430424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921167646.3U Active CN210073821U (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 一种氮化镓基功率开关器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210073821U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114883279A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法 |
-
2019
- 2019-07-24 CN CN201921167646.3U patent/CN210073821U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114883279A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法 |
| CN114883279B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-10-25 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种氮化镓器件的封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN218568825U (zh) | 一种利于散热的新能源汽车用场效应管 | |
| CN210073821U (zh) | 一种氮化镓基功率开关器件 | |
| CN109979896B (zh) | 一种全新igbt模块 | |
| TW201546991A (zh) | 功率器件 | |
| CN217334062U (zh) | 一种便于高效散热反向导通的氮化镓器件 | |
| CN217881476U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
| CN216054669U (zh) | 一种便于散热的氮化镓功率器件 | |
| CN214672588U (zh) | 一种氮化镓基功率开关器件 | |
| CN209785918U (zh) | 一种贴片式三极管 | |
| CN210073826U (zh) | 一种可靠性高的氮化镓功率器件 | |
| CN108224123B (zh) | 一种高效散热型led灯 | |
| CN208028045U (zh) | 一种mos芯片封装结构 | |
| CN210951229U (zh) | 一种led芯片的散热结构 | |
| CN105405952A (zh) | 一种自散热大功率整体led封装 | |
| CN201103878Y (zh) | 发光二极管光源及使用其的灯具 | |
| CN214477436U (zh) | 双电晶体热电分离封装结构 | |
| CN211125630U (zh) | 一种高反压晶体管 | |
| CN221226214U (zh) | 一种用于芯片的散热结构 | |
| CN218525576U (zh) | 一种高功率密度的3d封装功率模块 | |
| WO2018227648A1 (zh) | 一种散热器与芯片封装一体化的光源结构 | |
| CN217606807U (zh) | 一种p型沟道氮化镓器件 | |
| CN202501260U (zh) | Led灯散热器结构及使用该led灯散热器结构的led灯 | |
| CN218299797U (zh) | 一种多芯片合封的半导体封装结构 | |
| CN210778656U (zh) | 一种led发光二极管 | |
| CN219530786U (zh) | 一种高效散热的led灯珠 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |