CN218182173U - 一种基片处理设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种基片处理设备，具有多级预热腔室。所述基片处理还包含若干个工艺腔室、若干个锁料室、传送模块以及设备前端模块等，其中，所述若干个锁料室、若干个工艺腔室以及多级预热腔室围绕传送模块分布设置；所述设备前端模块与锁料室相连接。所述基片处理设备设置的多级预热腔室，可以根据基片的工艺处理温度对基片进行预热处理，使基片温度接近工艺处理温度，从而减少基片在工艺腔室中的处理时间，提高工艺处理腔室的利用效率，同时还去除了基片表面的水汽；所述基片处理设备还对工艺处理完的基片进行降温处理，避免基片温度巨变出现工艺不良。本实用新型提供的基片处理设备使用范围广，具有良好的市场应用前景。

Description

一种基片处理设备

技术领域

本实用新型属于半导体加工生产技术领域，具体涉及一种基片处理设备。

背景技术

半导体组件的制造流程包括有长晶、切锭、切片、抛光、薄膜沉积、光刻、刻蚀、切割、晶粒封装等步骤，其中多个步骤需要在较高温度下进行，例如，碳化硅的外延生长温度通常在1600℃左右。外延生长过程中，基片放置在反应腔室的托盘上，进行快速升温，并在适当的温度、压力、转速、流量等条件下通入反应气体，在基片上生长出外延层。

现有半导体组件生产设备中，基片的传输过程多为从室温下的腔室中直接传送到温度较高的工艺腔室中；由于进入工艺腔室前后的温度差值太大，使得基片在工艺腔室中需要较长的加热时间才能达到工艺处理温度，工艺腔室中的加热升温时间相对较长，因而，减少基片在工艺腔室的升温时间对提高生产效率具有非常重大的意义。此外，进入工艺腔室前后基片的温度巨变容易造成工艺不良，影响产品性能和品质。类似地，工艺完成后，将基片从工艺腔室的高温环境直接转移到室温环境，温度巨变容易导致膜层开裂。

实用新型内容

本实用新型提供了一种基片处理设备，所述基片处理设备具有多级预热腔室，在基片进入工艺腔室进行处理之前，对基片进行一级或多级加热，使基片温度接近工艺腔室的工艺处理温度，以减小基片进入工艺腔室前后的温度差值，降低基片在工艺腔室中的加热时间；所述基片处理设备还在基片完成工艺处理后，对基片进行一级或多级降温，减小基片传出工艺腔室前后的温度差值，避免基片温度巨变出现膜层开裂等不良现象，提高良率。

本实用新型的技术方案是提供一种基片处理设备，所述基片处理设备包含多级预热腔室，用于对基片进行多级预热；

各级预热腔室用于将所述基片预热到不同的预设温度，每级预热腔室对应一级温度范围；

相邻的两级温度范围中，后一级的温度范围的最低温度，不低于前一级的温度范围的最高温度。

可选地，每个预热腔室都具有加热器，用于将基片加热到对应的温度范围。

可选地，所述加热器采用电阻加热器、红外辐射加热器和感应加热器中的至少一个。

可选地，所述基片处理设备具有一级预热腔室和二级预热腔室；

其中，一级预热腔室对应的温度范围为300-500℃，二级预热腔室对应的温度范围为600-800℃。

可选地，所述基片处理设备具有一级预热腔室、二级预热腔室和三级预热腔室；

其中，一级预热腔室对应的温度范围为200-400℃，二级预热腔室对应的温度范围为500-700℃，三级预热腔室对应的温度范围为800-1000℃。

可选地，所述基片处理设备还包含传送模块；

所述传送模块用于在不同温度范围的两级预热腔室之间传输基片。

可选地，所述基片处理设备还包含若干个工艺腔室；

所述传送模块还用于将基片从指定的预热腔室传送到工艺腔室进行工艺处理；

所述指定的预热腔室根据所述工艺处理采用的温度决定。

可选地，所述基片处理设备还包含若干个锁料室；

所述传送模块还用于将基片从锁料室传送到预热腔室，以及用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到锁料室。

可选地，所述多级预热腔室、所述若干个工艺腔室以及所述若干个锁料室围绕所述传送模块分布设置；

所述传送模块处于真空状态。

可选地，所述多级预热腔室还用于对基片进行降温；

所述传送模块还用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到预热腔室进行降温处理，以及用于将基片从完成降温处理的预热腔室传送到锁料室。

可选地，所述基片处理设备还具有至少一级降温腔室，用于对基片进行降温；

降温腔室围绕所述传送模块分布设置；

所述传送模块还用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到降温腔室，以及用于将基片从完成降温处理的降温腔室传送到锁料室。

可选地，所述基片处理设备还包含设备前端模块；

所述设备前端模块与所述锁料室相连。

可选地，所述设备前端模块包括机械臂，所述机械臂用于在所述锁料室和设备前端模块之间传输基片。

可选地，所述基片处理设备用于对基片进行等离子体刻蚀、薄膜沉积、离子束刻蚀中的一种或多种。

可选地，所述基片处理设备用于碳化硅外延生长。

与现有技术相比，本实用新型提供的基片处理设备具有以下优点或有益效果：

本实用新型中的基片处理设备，具有多级预热腔室，在基片进入工艺腔室进行处理之前，对基片进行一级或多级加热，使基片温度接近工艺处理温度，在工艺腔室中只需要较短的加热时间就可以达到工艺处理温度，从而减少了工艺处理时间，提高工艺腔室的利用效率；同时，预热过程中，基片受热充分、均匀，且有效去除基片表面的水汽；此外，在基片完成工艺处理后，所述基片处理设备还对基片进行一级或多级降温，减小基片传出工艺腔室前后的温度差值，避免基片温度巨变出现膜层开裂等不良现象，提高了良率以及产品性能和品质。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中所述基片处理设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例二中所述基片处理设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型所述的基片处理设备具有多级预热腔室(Preheater)，用于对基片进行预热，使基片接近甚至到达工艺处理采用的温度，即工艺处理温度T，以减少基片在后续加工处理中的加热升温时间，同时还能去除基片表面水汽，避免造成工艺不良。

每级预热腔室对应一级温度范围，不同级预热腔室对应的温度范围不同；相邻的两级温度范围中，后一级的温度范围的最低温度，不低于前一级的温度范围的最高温度，使得后一级的温度范围对应的预热腔室对基片预热温度不低于前一级的温度范围对应的预热腔室对基片的预热温度。

每级预热腔室都配置有加热器，例如电阻加热器、红外辐射加热器、感应加热器等，将该级预热腔室加热到其对应一级温度范围，并通过热辐射、热对流等方式传导给置于该级预热腔室的基片，将基片预热到对应一级温度范围。

所述基片处理设备对基片进行工艺处理需要在一定的温度条件下进行，该温度也就是所说的工艺处理温度T。在一个实施方式中，以对应的温度范围最接近(但不超过)基片的工艺处理温度的预热腔室，为指定的预热腔室；室温下的基片，从最低温度范围对应的预热腔室开始，按照升温方向依序进入相邻温度范围对应的预热腔室进行不同温度范围的预热，直到在指定的预热腔室中完成预热，此时基片温度最接近工艺处理温度；所述基片处理设备对在指定的预热腔室完成预热的基片进行相应的工艺处理时，只需要很短的时间就能将基片加热到工艺处理温度，开始对基片的工艺处理，从而减少了工艺处理时间。

值得一提的是，在其他实施方式中，可以不以温度范围最接近工艺处理温度的预热腔室为指定的预热腔室，本领域技术人员可以根据实际需要设置。

本实用新型所述的基片处理设备还具有若干个工艺腔室、若干个锁料室、传送模块以及设备前端模块。其中，所述若干个工艺腔室、若干个锁料室以及多级预热腔室围绕所述传送模块分布设置；所述设备前端模块与锁料室相连接。需要在此说明的是，本实用新型对所述基片处理设备中锁料室、工艺腔室以及预热腔室的具体数量不作限定，可以根据实际应用情况设计。

本实用新型所述的基片处理设备中，所述工艺腔室(PM)具有加热器，进入工艺腔室的基片继续加热直到工艺处理温度T，所述工艺腔室开始对基片进行工艺处理，例如进行碳化硅外延生长。本实用新型中所述的基片处理设备，可在工艺腔室中对基片进行等离子体刻蚀，或薄膜沉积，或离子束刻蚀等工艺处理。本实用新型中所述的基片处理设备可进行的处理工艺包含但不限于上述处理工艺。本实用新型对工艺腔室的处理工艺不做具体限定，在实际应用中可以根据生产需要进行设定和调整。

本实用新型所述的基片处理设备中，所述传送模块(VTM)用于在真空状态下传输基片，使得基片在各锁料室、预热腔室、工艺腔室之间进行传输；所述锁料室(LL)用于将所述设备前端模块与所述传送模块气密地分隔开；所述设备前端模块(Equipment front endmodule，EFEM)，用于接收从外部的基片容器中进入所述处理设备的基片。

在一个实施方式中，本实用新型所述多级预热腔室还用于对基片进行降温；工艺腔室的工艺处理完成后，所述传送模块将基片从工艺腔室传送到预热腔室，所述基片在其中一个预热腔室进行降温，或按照降温方向在多个预热腔室进行降温。

在另一个实施方式中，本实用新型所述的基片处理设备还具有一级或多级降温腔室，用于对基片进行多级降温。其中，多级降温腔室的设置与多级预热腔室类似，各级降温腔室用于将所述基片降温到不同的预设温度(预设温度低于工艺处理温度)，每级降温腔室对应一级温度范围；相邻的两级温度范围中，后一级的温度范围的最高温度，不高于前一级的温度范围的最低温度。降温腔室围绕所述传送模块分布设置；降温腔室的具体数量可以根据实际应用情况设计，本实用新型在此不做限定。所述传送模块还用于在各级降温腔室之间、以及降温腔室与其他腔室(例如工艺腔室、锁料室)之间传输基片；工艺腔室的工艺处理完成后，所述传送模块将基片从工艺腔室传送到降温腔室，所述基片在其中一个降温腔室进行降温或按照降温方向在多个降温腔室进行降温。

下文将通过具体实施例对本实用新型进行说明介绍。

实施例一

图1为本实用新型实施例一中所述基片处理设备的结构示意图。如图1所示，本实施例提供的基片处理设备具有两级预热腔室：一级预热腔室151和二级预热腔室152；其中，一级预热腔室151对应的温度范围为300-500℃，二级预热腔室152对应的温度范围为600-800℃。二级预热腔室152预热的最低温度为600℃，高于一级预热腔室151预热的最高温度500℃，使得二级预热腔室152对基片的预热温度高于一级预热腔室151。

当基片的工艺处理温度T为500℃≤T＜800℃时，一级预热腔室151对应的温度范围最接近基片的工艺处理温度，可以选择一级预热腔室151为指定的预热腔室，所述传送模块将基片从锁料室传输到一级预热腔室151进行预热处理，预热完成后，所述传送模块将基片从一级预热腔室151传输到对应的工艺腔室中进行工艺处理。

当基片的工艺处理温度T为T≥800℃时，二级预热腔室152对应的温度范围最接近基片的工艺处理温度，可以选择二级预热腔室152为指定的预热腔室，所述传送模块将基片从锁料室传输到一级预热腔室151进行预热处理，再从一级预热腔室151传输到二级预热腔室152中进行二级预热，预热完成后，所述传送模块将基片从二级预热腔室152传输到对应的工艺腔室中进行工艺处理。

本实施例提供的基片处理设备还具有四个工艺腔室，分别为第一工艺腔室141、第二工艺腔室142、第三工艺腔室143和第四工艺腔室144。四个工艺腔室相互独立，用于进行相同的基片处理工艺，例如，四个工艺腔室均用于碳化硅外延生长；所述传送模块将基片从指定的预热腔室传输到任意一处于空闲状态的工艺腔室进行工艺处理。

需要说明的是，四个工艺腔室还可以用于进行不同的基片处理工艺，例如，第一工艺腔室141用于进行碳化硅外延生长，第二工艺腔室142用于进行等离子体刻蚀，第三工艺腔室143用于进行硅外延生长，第四工艺腔室144用于进行离子束刻蚀等；所述传送模块将基片从指定的预热腔室传输到对应的工艺腔室进行工艺处理。

又或者，在分多步进行的基片处理工艺中，每个工艺腔室处理其中的一个工艺步骤，四个工艺腔室相互配合、协作完成该基片处理工艺；所述传送模块将基片从指定的预热腔室传输到处理第一个工艺步骤的工艺腔室，再从该工艺腔室传输到处理下一个工艺步骤的工艺腔室，直到完成该基片处理工艺。

本实施例对上述工艺腔室的处理方式不做具体限定，也不限定在其他示例中，在实际应用中可以根据需要进行设定。工艺腔室的工艺处理完成后，所述传送模块将基片从工艺腔室直接传入锁料室，以传出所述基片处理设备。

在一个实施方式中，一级预热腔室151和二级预热腔室152还可以作为降温腔室，对基片进行一级或多级降温。所述多级预热腔室的降温处理与预热处理类似，当所述多级预热腔室进行二级降温处理时，所述传送模块按照降温方向将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到二级预热腔室152、并从二级预热腔室152传输到一级预热腔室151中进行二级降热，二级降温完成后，所述传送模块将基片从一级预热腔室151直接传入锁料室。

当所述多级预热腔室进行一级降温处理时，所述传送模块将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到二级预热腔室152和一级预热腔室151其中一个腔室中进行降温，一级降温完成后，所述传送模块将基片从对应预热腔室直接传入锁料室。

在另一个实施方式中，本实施例提供的基片处理设备还可以具有一级或两级降温腔室(图中未显示)，对基片进行一级或两级降温。工艺处理完成后，由所述传送模块将基片从工艺腔室传输到降温腔室，所述基片在一个降温腔室进行降温(一级降温)，或所述传送模块按照降温方向将基片从高温度范围对应的降温腔室传输到低温度范围对应的降温腔室进行降温(二级降温)，降温完成后，所述传送模块将基片从对应的降温腔室直接传入锁料室。

需要说明的是，本实施例对基片的降温方式不做具体限定，也不限定在其他示例中，在实际应用中可以根据需要进行设定。

本实施例提供的基片处理设备还具有传送模块130，所述传送模块130为真空状态。所述传送模块130在真空状态下将基片从锁料室传输到一级预热腔室进行预热；或在不同温度范围的两级预热腔室中传输基片进行预热或降温处理；或将基片从指定的预热腔室传输到对应的工艺腔室进行工艺处理；或将基片从一个工艺腔室传输到另一个工艺腔室进行工艺处理；或将基片从工艺腔室传输到预热腔室或降温腔室进行降温；或将基片从工艺腔室或预热腔室或降温腔室传输到锁料室，来传出所述基片处理设备等等。

本实施例提供的基片处理设备还具有两个锁料室：第一锁料室121和第二锁料室122。第一锁料室121和第二锁料室122，第一工艺腔室141、第二工艺腔室142、第三工艺腔室143和第四工艺腔室144，以及一级预热腔室151和二级预热腔室152，围绕所述传送模块130分布设置。

所述基片通过第一锁料室121或第二锁料室122的其中一个在所述设备前端模块与所述传送模块130之间进行传输。具体的，第一锁料室121与所述设备前端模块之间具有一接口，为第一锁料室121的前接口；第一锁料室121与所述传送模块130之间具有一接口，为第一锁料室121的后接口，第一锁料室121的前接口和后接口在图中未显示。

当基片通过第一锁料室121从所述设备前端模块传入所述基片处理设备时，先关闭第一锁料室121的后接口、打开其前接口，所述基片通过其前接口从所述设备前端模块传输到第一锁料室121，然后关闭该前接口，对第一锁料室121进行抽真空处理，使第一锁料室121达到真空转态，再打开第一锁料室121的后接口，将基片传输到所述传送模块130，从而将基片传入所述基片处理设备。

当基片通过第一锁料室121从所述传送模块130传出所述基片处理设备时，先关闭第一锁料室121的后接口和前接口，对第一锁料室121进行抽真空处理，使第一锁料室121达到真空转态，再打开其后接口，所述基片通过该后接口从所述传送模块130传输到第一锁料室121，然后关闭第一锁料室121的后接口、打开其前接口，将基片传输到所述设备前端模块，从而将基片传出所述基片处理设备。

与第一锁料室121类似，第二锁料室122与所述设备前端模块之间具有一接口，为第二锁料室122的前接口；第二锁料室122与所述传送模块130之间具有一接口，为第二锁料室122的后接口，第二锁料室122的前接口和后接口在图中未显示。所述基片通过第二锁料室122从所述设备前端模块传入所述基片处理设备；所述基片通过第二锁料室122从所述传送模块130传出所述基片处理设备。

较佳地，基片处理过程中，所述基片通过第一锁料室121或第二锁料室122传入所述基片处理设备，并通过第一锁料室121或第二锁料室122传出所述基片处理设备，也就是说，基片能从第一锁料室121传入、也能从第二锁料室122传入；基片能从第一锁料室121传出、也能从第二锁料室122传出；第一锁料室121和第二锁料室122执行相同的操作，执行任务不存在区别，可以根据各锁料室的工作状态来选择基片的传入或传出通道，例如，当第一锁料室121中刚好有基片从所述设备前端模块110传到所述传送模块130时，所述传送模块130中处理完成的基片将通过第二锁料室122传输到所述设备前端模块110，以提高锁料室的利用率和基片处理效率。

或者，基片处理过程中，所述基片通过第一锁料室121传入所述基片处理设备，并通过第二锁料室122传出所述基片处理设备，也就是说，基片只从第一锁料室121传入，从第二锁料室122传出，第一锁料室121和第二锁料室122分别执行不同的操作，分工明确。本实施例对锁料室执行的操作不做具体限定，也不限定在其他示例中，在实际应用中可以根据需要进行设计和调整。

本实施例提供的基片处理设备还具有设备前端模块110，所述设备前端模块110与第一锁料室121和第二锁料室122分别相连接。所述设备前端模块110具有机械臂(图中未显示)，该机械臂用于在所述设备前端模块110和第一锁料室121(或第二锁料室122)之间传输基片，具体的，通过该机械臂将所述设备前端模块110中的基片传输到第一锁料室121(或第二锁料室122)，或将第一锁料室121(或第二锁料室122)中的基片传输到所述设备前端模块110。

实施例二

图2为本实用新型实施例二中所述基片处理设备的结构示意图。如图2所示，本实施例提供的基片处理设备，包含设备前端模块210、传送模块230、两个锁料室、三个工艺腔室以及多级预热腔室。本实施例中的基片处理设备设计有两个锁料室，分别为第一锁料室221和第二锁料室222；三个工艺腔室，分别为第一工艺腔室241、第二工艺腔室242和第三工艺腔室243。本实施例中的设备前端模块、传送模块、锁料室以及工艺腔室，都可以参见实施例一，在此不做赘述。

与实施例一中所述基片处理设备不同的是，本实施例中的基片处理设备设计有三个预热腔室，分别为一级预热腔室251、二级预热腔室252和三级预热腔室253。其中，一级预热腔室251对应的温度范围为200-400℃，二级预热腔室252对应的温度范围为500-700℃，三级预热腔室253对应的温度范围为800-1000℃。

三级预热腔室253预热的最低温度为800℃，高于二级预热腔室252预热的最高温度700℃，使得三级预热腔室253对基片的预热温度高于二级预热腔室252；二级预热腔室252预热的最低温度为500℃，高于一级预热腔室251预热的最高温度400℃，使得二级预热腔室252对基片的预热温度高于一级预热腔室251。

当基片的工艺处理温度T为400℃≤T＜700℃时，一级预热腔室251对应的温度范围最接近基片的工艺处理温度，可以选择一级预热腔室251为指定的预热腔室，所述传送模块将基片从锁料室传输到一级预热腔室251进行预热处理，预热完成后，所述传送模块将基片从一级预热腔室251传输到对应的工艺腔室中进行工艺处理。

当基片的工艺处理温度T为700℃≤T＜1000℃时，二级预热腔室252对应的温度范围最接近基片的工艺处理温度，可以选择二级预热腔室252为指定的预热腔室，所述传送模块将基片从锁料室传输到一级预热腔室251进行预热，再从一级预热腔室251传输到二级预热腔室252中进行二级预热，预热完成后，所述传送模块将基片从二级预热腔室252传输到对应的工艺腔室中进行工艺处理。

当基片的工艺处理温度T为T≥1000℃时，三级预热腔室253对应的温度范围最接近基片的工艺处理温度，可以选择三级预热腔室253为指定的预热腔室，所述传送模块将基片从锁料室传输到一级预热腔室251进行预热，再从一级预热腔室251传输到二级预热腔室252中进行二级预热，再从二级预热腔室252传输到三级预热腔室253中进行三级预热，预热完成后，所述传送模块将基片从三级预热腔室253传输到对应的工艺腔室中进行工艺处理。

本实施例中工艺腔室的工艺处理完成后，所述传送模块将基片从工艺腔室直接传入锁料室，以传出所述基片处理设备。

在一个实施方式中，一级预热腔室251、二级预热腔室252和三级预热腔室253还可以作为多级降温腔室，对基片进行一级或多级降温。与预热处理类似，当所述多级预热腔室进行三级降温处理时，所述传送模块按照降温方向将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到三级预热腔室253，并依次从三级预热腔室253传输到二级预热腔室252、从二级预热腔室252传输到一级预热腔室251中进行三级降温，三级降温完成后，所述传送模块将基片从一级预热腔室251直接传入锁料室。

当所述多级预热腔室进行二级降温处理时，所述传送模块按照降温方向将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到三级预热腔室253，并从三级预热腔室253传输到二级预热腔室252或一级预热腔室251中进行二级降温，或所述传送模块按照降温方向将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到二级预热腔室252，并从二级预热腔室252传输到一级预热腔室251中进行二级降温，二级降温完成后，所述传送模块将基片从对应预热腔室直接传入锁料室。

当所述多级预热腔室进行一级降温处理时，所述传送模块将工艺处理完成的基片从工艺腔室传输到三级预热腔室253、二级预热腔室252和一级预热腔室251其中一个预热腔室中，一级降温完成后，所述传送模块将基片从对应预热腔室直接传入锁料室。

在另一个实施方式中，本实施例提供的基片处理设备还可以具有三级降温腔室(图中未显示)，对基片进行一级或多级降温。工艺处理完成后，由所述传送模块将基片从工艺腔室传输到降温腔室，所述基片在其中一个降温腔室进行一级降温，或所述传送模块将基片按照降温方向在其中两个降温腔室之间继续传递进行二级降温，或所述传送模块将基片按照降温方向在三个降温腔室之间继续传递进行三级降温，降温完成后，所述传送模块将基片从降温腔室直接传入锁料室。

与实施例一相比，本实施例中所述基片处理设备适用的温度范围更大，应用范围更广泛。

综上所述，本实用新型中的基片处理设备设置有多级预热腔室，可以根据基片的工艺处理温度对基片进行预热处理，使基片温度接近工艺处理温度，从而减少基片在工艺腔室中的处理时间，提高工艺处理腔室的利用效率，同时还去除了基片表面的水汽；且在基片完成工艺处理后，所述基片处理设备还对基片进行一级或多级降温，减小基片传出工艺腔室前后的温度差值，避免基片温度巨变出现膜层开裂等不良现象。本实用新型提供的基片处理设备使用范围广，具有良好的市场应用前景。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备包含多级预热腔室，用于对基片进行多级预热；

各级预热腔室用于将所述基片预热到不同的预设温度，每级预热腔室对应一级温度范围；

相邻的两级温度范围中，后一级的温度范围的最低温度，不低于前一级的温度范围的最高温度。

2.如权利要求1所述基片处理设备，其特征在于，

每个预热腔室都具有加热器，用于将基片加热到对应的温度范围。

3.如权利要求2所述基片处理设备，其特征在于，

所述加热器采用电阻加热器、红外辐射加热器和感应加热器中的至少一个。

4.如权利要求1所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备具有一级预热腔室和二级预热腔室；

其中，一级预热腔室对应的温度范围为300-500℃，二级预热腔室对应的温度范围为600-800℃。

5.如权利要求1所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备具有一级预热腔室、二级预热腔室和三级预热腔室；其中，一级预热腔室对应的温度范围为200-400℃，二级预热腔室对应的温度范围为500-700℃，三级预热腔室对应的温度范围为800-1000℃。

6.如权利要求1所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备还包含传送模块；

所述传送模块用于在不同温度范围的两级预热腔室之间传输基片。

7.如权利要求6所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备还包含若干个工艺腔室；

所述传送模块还用于将基片从指定的预热腔室传送到工艺腔室进行工艺处理；

所述指定的预热腔室根据所述工艺处理采用的温度决定。

8.如权利要求7所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备还包含若干个锁料室；

所述传送模块还用于将基片从锁料室传送到预热腔室，以及用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到锁料室。

9.如权利要求8所述基片处理设备，其特征在于，

所述多级预热腔室、所述若干个工艺腔室以及所述若干个锁料室围绕所述传送模块分布设置；

所述传送模块处于真空状态。

10.如权利要求9所述基片处理设备，其特征在于，

所述多级预热腔室还用于对基片进行降温；

所述传送模块还用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到预热腔室进行降温处理，以及用于将基片从完成降温处理的预热腔室传送到锁料室。

11.如权利要求9所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备还具有至少一级降温腔室，用于对基片进行降温；

降温腔室围绕所述传送模块分布设置；

所述传送模块还用于将基片从完成工艺处理的工艺腔室传送到降温腔室，以及用于将基片从完成降温处理的降温腔室传送到锁料室。

12.如权利要求8所述基片处理设备，其特征在于，

所述基片处理设备还包含设备前端模块；

所述设备前端模块与所述锁料室相连。

13.如权利要求12所述基片处理设备，其特征在于，

所述设备前端模块包括机械臂，所述机械臂用于在所述锁料室和设备前端模块之间传输基片。

14.如权利要求1-13中任意一项所述基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备用于对基片进行等离子体刻蚀、薄膜沉积、离子束刻蚀中的一种或多种。

15.如权利要求1-13中任意一项所述基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备用于碳化硅外延生长。

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