CN218161211U - 激光器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种激光器，属于光电技术领域。所述激光器包括：管壳，以及位于管壳中的半导体制冷器和发光芯片；半导体制冷器包括：沿远离管壳的底部的方向依次叠加的热端基板、热电元件层和冷端基板，发光芯片贴装于冷端基板中远离热端基板的表面上。本申请解决了激光器的散热效果较差的问题的问题，可以提高激光器的可靠性。本申请用于发光。

Description

激光器

技术领域

本申请涉及光电技术领域，特别涉及一种激光器。

背景技术

随着光电技术的发展，激光器的应用越来越广泛，对于激光器的小型化、可靠性和发光效率的要求也越来越高。

相关技术中，激光器包括管壳和位于管壳中的多个发光芯片。且为了实现激光器的小型化以及较高的发光效率，发光芯片的排布密度较大。

但是，由于发光芯片在发出激光时会产生较多的热量，排布较密的各个发光芯片产生的热量的散发速度较慢，该热量聚集可能会造成发光芯片的损伤，故激光器的可靠性较低。

实用新型内容

本申请提供了一种激光器，可以解决激光器的可靠性较低的问题。

所述激光器包括：管壳，以及位于所述管壳中的半导体制冷器和发光芯片；

所述半导体制冷器包括：沿远离所述管壳的底部的方向依次叠加的热端基板、热电元件层和冷端基板，所述发光芯片贴装于所述冷端基板中远离所述热端基板的表面上。

所述激光器包括多个发光芯片，所述热电元件层包括与所述多个发光芯片一一对应的多个热电元件；

在所述冷端基板上，每个所述发光芯片的正投影位于对应的所述热电元件的正投影之内。

可选地，所述激光器包括多个发光芯片，所述冷端基板远离所述热端基板的表面具有与所述多个发光芯片一一对应的多个金属化区；每个所述发光芯片贴装于对应的所述金属化区，且所述金属化区的面积大于所述发光芯片中靠近所述金属化区的表面的面积；

所述激光器还包括导线，所述多个发光芯片中至少两个发光芯片通过所贴装的所述金属化区和所述导线串联。

可选地，所述激光器还包括贴装于所述冷端基板中远离所述热端基板的表面上的反射棱镜，所述冷端基板上所述反射棱镜的设置区域相对于所述发光芯片的设置区域凹陷；

所述反射棱镜位于所述发光芯片的出光侧，所述发光芯片用于向所述反射棱镜发出激光，所述反射棱镜用于将接收到的激光沿远离所述管壳的底部的方向反射。

可选地，所述激光器包括阵列排布的多个发光芯片，所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的多个第一焊接部，所述多个第一焊接部位于所述半导体制冷器在所述发光芯片的行方向上的相对两侧，所述第一焊接部连接外部电路；

所述多个发光芯片中每行发光芯片串联，且两端分别连接所述相对两侧的两个所述第一焊接部。

可选地，所述热电元件层包括多个热电元件，所述半导体制冷器还包括两个供电引脚，所述多个热电元件串联且两端分别连接所述两个供电引脚；

所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的两个第二焊接部，所述第二焊接部连接外部电路；所述两个供电引脚分别与所述两个第二焊接部电连接。

可选地，所述激光器还包括位于所述管壳中的测温元件，所述测温元件用于检测所述管壳中的温度；

所述半导体制冷器用于基于所述测温元件检测的温度调节输出功率。

可选地，所述测温元件包括热敏电阻，所述管壳中的温度通过所述热敏电阻的阻值反映。

可选地，所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的两个第三焊接部，所述第三焊接部连接外部电路；所述测温元件与所述两个第三焊接部电连接。

可选地，所述管壳具有开口，所述激光器还包括：位于所述管壳的开口所在侧的密封透光层和准直镜；

所述发光芯片发出的激光依次穿过所述透光密封层和所述准直镜射出，所述透光密封层用于密封所述管壳的开口，所述准直镜用于对所述激光进行准直。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请中，激光器的管壳中设置有半导体制冷器，且发光芯片贴装于半导体制冷器的冷端基板上。如此激光器工作时，半导体制冷器的冷端基板的温度降低，可以吸收发光芯片产生的热量，且使热量从热端基板释放，避免发光芯片处的热量聚集，降低发光芯片在聚集的热量的作用下损坏的风险，可以提升激光器的可靠性。另外，本申请中半导体制冷器的热端基板可以与管壳的底部贴合，管壳的底部可以辅助吸收热端基板释放的热量，有助于提高散热效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种激光器的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种激光器的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种管壳的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种半导体制冷器的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的另一种半导体制冷器的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的再一种激光器的结构；

图7是本申请实施例提供的一种激光器的部分结构示意图；

图8是本申请实施例提供的一种激光器中发光芯片的连接方式示意图；

图9是本申请实施例提供的又一种激光器的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的另一种管壳的结构示意图；

图11是本申请另一实施例提供的一种激光器的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

随着光电技术的发展，激光器由于其色域广、亮度高、能耗低、寿命长以及无污染等优点而被广泛应用，如激光器可以用作激光投影设备或者激光电视的光源。激光器包括多个发光芯片，该发光芯片用于发出激光，发光芯片在发光时会产生大量的热量，该热量的聚集会导致发光芯片的结温升高。结温的升高会对发光芯片造成不利影响，如使发光芯片发出的激光的波长展宽，发光芯片的阈值电流增大，光电转换效率下降，寿命降低，可靠性下降。

本申请实施例提供了一种激光器，该激光器可以将发光芯片产生的热量进行较快的散发，可以减弱发光芯片发光时产生的热量聚集，发光芯片的光电转换效率可以较高，发光芯片的发光效果可以较好，可靠性可以较高。

图1是本申请实施例提供的一种激光器的结构示意图，图2是本申请实施例提供的另一种激光器的结构示意图，图2可以为图1所示的激光器的爆炸图。如图1和图2所示，激光器10可以包括管壳101，以及位于管壳101中的半导体制冷器(Thermo Electric Cooler，TEC)102和发光芯片103。半导体制冷器102也称为热电制冷器。

其中，图3是本申请实施例提供的一种管壳的结构示意图。请结合图1至图3，管壳101可以包括底板1011和环状的侧壁1012，如侧壁1012位于底板1011上，或者也可以底板1011被环状的侧壁1012包围。该底板1011为管壳101的底部，该底板1011和侧壁1012围出容置空间，半导体制冷器102和发光芯片103位于该容置空间中。管壳101可以具有开口，该开口由管壳101的侧壁1012远离底板1011的一端围成，该开口与管壳101的底部相对。可选地，管壳101的底板1011还可以具有定位孔K，管壳101可以利用该定位孔K实现与其他结构的固定。

图4是本申请实施例提供的一种半导体制冷器的结构示意图。结合图2和图4，半导体制冷器102包括：沿远离管壳101的底部的方向依次叠加的热端基板1021、热电元件层(图中未标出)和冷端基板1023。热电元件层可以包括至少一个热电元件1022，本申请实施例中以该热电元件层包括阵列排布的多个热电元件1022为例进行示意。可选地，各个热电元件1022的两端可以分别与热端基板1021和冷端基板1023通过焊料焊接固定。可选地，热端基板1021和冷端基板1023可以为导热系数较高的陶瓷基板，如该陶瓷基板的材质为氧化铝(化学式：Al₂O₃)。

发光芯片103贴装于冷端基板1023中远离热端基板1021的表面上，冷端基板1023中远离热端基板1021的表面可以称为冷端基板1023的贴装面。本申请实施例的激光器10中，发光芯片103的数量可以为至少一个。图1和图2以激光器包括多个发光芯片103，且该多个发光芯片103阵列排布为例。如图1中x方向为发光芯片103的行方向，y方向为发光芯片103的列方向。可选地，不同行的发光芯片103也可以错位排布，或者发光芯片103也可以按圆周排布，本申请实施例不做限定。

半导体制冷器102中的热电元件1022可以为PN结，如为碲化铋PN结。由于半导体的珀耳帖效应(也称为热电效应)，在半导体接通电流开始工作时，半导体的两端中一端附近产生电子空穴对，内能减小，温度降低，从外界吸收热量，称为冷端；另一端因电子空穴对复合，内能增加，温度增高，向外界释放能量，称为热端。本申请实施例中，半导体制冷器102中的热电元件1022两端均设置有基板，该基板分别称为热端基板1021和冷端基板1023。冷端基板1023可以吸收其上设置的发光芯片1023产生的热量，热端基板1021可以释放热量，如此可以实现温度传递的效果，将冷端基板1023吸收的热量从热端基板1021释放。可选地，热端基板1021和冷端基板1023的材质均可以为陶瓷。

综上所述，本申请实施例提供的激光器中，管壳中设置有半导体制冷器，且发光芯片贴装于半导体制冷器的冷端基板上。如此激光器工作时，半导体制冷器的冷端基板的温度降低，可以吸收发光芯片产生的热量，且使热量从热端基板释放，避免发光芯片处的热量聚集，降低发光芯片在聚集的热量的作用下损坏的风险，可以提升激光器的可靠性。另外，本申请中半导体制冷器的热端基板可以与管壳的底部贴合，管壳的底部可以辅助吸收热端基板释放的热量，有助于提高散热效果。

本申请实施例中，半导体制冷器102可以包括多个热电元件1022。可选地，该多个热电元件1022可以与各个发光芯片103一一对应设置。如在冷端基板1023上，每个发光芯片103的正投影可以位于对应的热电元件1022的正投影之内。每个发光芯片103产生的热量均可以通过对应的热电元件1022进行快速散发，半导体制冷器102可以更好的发挥散热效果。

请继续参考图1、图2和图4，半导体制冷器102还包括供电引脚1024，供电引脚1024用于连接外部电路。热电元件1022可以与供电引脚1024电连接，以通过该供电引脚1024连接外部电路，接收外部电路传输的电流。示例地，半导体制冷器102包括两个供电引脚1024，该两个供电引脚1024分别连接外部电路的正极与负极。半导体制冷器102中的多个热电元件1022可以串联，且两端分别连接该两个供电引脚1024。如此可以简化半导体制冷器102的结构，无需设置过多的供电引脚1024即可实现对各个热电元件1022的正常供电。

请继续参考图3，管壳101还可以包括两个第二焊接部1014，该两个第二焊接部1014位于侧壁1012的包围区域内。该两个第二焊接部1014可以分别连接外部电路的正极和负极。半导体制冷器102中的两个电极引脚1024分别与该两个第二焊接部1014电连接。如通过焊料焊接的方式与该两个第二焊接部1014固定且实现电连接。示例地，该第二焊接部1014可以整体为导电结构，或者也可以仅远离底板1011的表面具有导电层，该导电层用于与电极引脚1024连接。请结合图1，该两个第二焊接部1014可以位于半导体制冷器102所在区域之外的同一侧。可选地，该两个第二焊接部1014也可以分别位于半导体制冷器102的不同侧。

管壳101可以为陶瓷管壳，也即是管壳101的材质包括陶瓷，如底板1011和侧壁1012的材质为陶瓷。管壳101的内部可以嵌有导电部(也可以称为内置电路)，管壳101中的焊接部(如第二焊接部1014)可以通过该导电部连通至管壳101的外部。如该第二焊接部1014可以与侧壁1012一体成型。可选地，管壳101也可以为金属管壳，如底板1011和侧壁1012的材质为金属，该金属可以为可伐金属。焊接部可以为穿过管壳101的侧壁1012的金属引脚。该金属引脚被侧壁1012包围的部分用于与管壳101中的器件电连接，位于侧壁1012的包围区域外的部分用于与外部电路电连接。

请继续参考图1和图2，激光器10还包括反射棱镜104。反射棱镜104贴装于半导体制冷器102的冷端基板1023中远离热端基板1021的表面，且位于发光芯片103的出光侧。发光芯片103的出光方向可以平行冷端基板1023的板面，发光芯片103用于向反射棱镜104发出激光，反射棱镜104可以将接收到的激光进行反射，以使该激光沿远离管壳101的底部的方向出射，进而可以射出管壳101的开口。

本申请实施例中以激光器10中反射棱镜104的数量与发光芯片103的数量相同，各个反射棱镜104与各个发光芯片103一一对应为例。每个反射棱镜104位于对应的发光芯片103的出光侧，用于反射对应的发光芯片103射出的激光。可选地，反射棱镜104的数量也可以少于发光芯片103的数量，可以存在至少两个发光芯片103对应一个反射棱镜，此时该反射棱镜可以呈长条状。

图5是本申请实施例提供的另一种半导体制冷器的结构示意图，图6是本申请实施例提供的再一种激光器的结构示意图，图6所示的激光器10包括图5所示的半导体制冷器102。图7是本申请实施例提供的一种激光器的部分结构示意图，图7可以为图6中一个发光芯片103及其对应的反射棱镜104所在位置处的截面图。如图5至图7所示，半导体制冷器102的冷端基板1023的贴装面中区域S1相对区域S2凹陷。该区域S1可以为反射棱镜104的设置区域，该区域S2可以为发光芯片103的设置区域。如此一来，发光芯片103的出光口高于反射棱镜104的底面。由于发光芯片103发出的激光具有一定的发散角度，激光束大致呈楔形，使发光芯片103的出光口高于反射棱镜104的底面，可以保证发光芯片103发出的激光较多地射向反射棱镜104而被反射利用，减少激光射向冷端基板1023而造成的浪费。可选地，棱镜设置区域S1可以进行镀金处理，以便于反射棱镜104的贴装。反射棱镜104可以采用焊料或者导热银胶固定于棱镜设置区域S1。

图5和图6以冷端基板1023包括沿发光芯片的列方向(y方向)依次排布的多个条状的区域S1，每个区域S1中用于设置一排反射棱镜104为例。可选地，每个棱镜设置区域可以仅用于设置一个反射棱镜104，冷端基板1023中的棱镜设置区域可以阵列排布，也即是冷端基板1023的贴装面可以具有多个阵列设置的凹槽，本申请实施例对于此种方式不再示意。

本申请实施例中以发光芯片103侧面出光为例。可选地，发光芯片103也可以为顶面出光的发光芯片，此时激光器10可以不再包括反射棱镜104，本申请实施例未对此种方式进行示意。

如图1和图6所示，半导体制冷器102的冷端基板1023的贴装面可以具有多个金属化区Q。该多个金属化区Q可以与各个发光芯片103一一对应，每个发光芯片103可以贴装于对应的金属化区Q，且金属化区Q的面积大于发光芯片103的底面积。该底面积为发光芯片103中靠近金属化区Q的表面的面积，也即是发光芯片103中与金属化区Q接触的表面的面积。金属化区Q包括发光芯片103覆盖的区域，还包括未被发光芯片103覆盖的其他区域。示例地，该金属化区Q可以通过掩膜镀金的方式实现。可选地，金属化区Q上可以预置有焊料，以通过该焊料进行发光芯片103的焊接固定。发光芯片103可以通过共晶焊接或者银胶/金胶粘合的方式实现在金属化区Q的贴装。图1与图6以发光芯片103贴装于金属化区Q的中间区域为例进行示意。可选地，发光芯片103也可以贴装于金属化去Q中靠近边缘的区域，本申请实施例不做限定。

本申请实施例中，发光芯片103的两个电极可以分别位于其顶部和底部，该顶部也即是远离金属化区Q的一端，底部也即是靠近金属化区Q的一端。在发光芯片103固定于金属化区Q上时，发光芯片103底部的电极可以与金属化区Q电连接，进而与充当发光芯片103底部的电极。发光芯片103可以通过其所在的金属化区Q中未被发光芯片103覆盖的其他区域实现与其他结构的电连接，如实现与其他发光芯片103的串联。可选地，激光器10中阵列排布的多个发光芯片103中，每行发光芯片103可以串联。如每行发光芯片103均通过其所贴装的金属化区Q相串联。

图8是本申请实施例提供的一种激光器中发光芯片的连接方式示意图，图8未对管壳101的完整结构进行示意。如图8所示，激光器10还可以包括导线D，激光器10中相互间隔的元件可以通过导线D实现电连接。如每行发光芯片103通过金属化区Q和导线D串联。对于相邻的两个发光芯片103，可以采用导线D连接一个发光芯片103顶部的电极与另一个发光芯片103所贴装的金属化区Q，具体可以连接该金属化区Q中未被发光芯片103覆盖的其他区域。

请继续参考图3和图8，管壳101还可以包括多个第一焊接部1013。该多个第一焊接部1013可以分别位于半导体制冷器102在发光芯片103的行方向上的相对两侧，第一焊接部1013连接外部电路。第一焊接部1013的结构可以类似于上述第二焊接部1014的结构，第一焊接部1013与外部电路连接方式类似于上述关于第二焊接部1014与外部电路连接方式，本申请实施例不再赘述。每行串联的发光芯片103两端可以分别连接该相对两侧的两个第一焊接部1013，该两个第一焊接部1013可以分别外部电路的正极和负极。可选地，该相对两侧的第一焊接部1013中一侧的第一焊接部1013连接外部电路的正极，另一侧的第一焊接部1013连接外部电路的负极。可选地，也可以存在同一侧的两个第一焊接部1013分别连接外部电路的正极和负极，仅需保证每行串联的发光芯片1013连接的两个第一焊接部1013分别连接外部电路的正极和负极即可。

需要说明的是，相关技术中发光芯片设置在热沉上，且通过热沉中的金属层进行发光芯片与其他元件的电连接。本申请实施例中，可以通过金属化区Q实现发光芯片103的电连接，无需设置热沉，可以减少激光器10包括的元件，简化激光器10的组装制备过程。并且，由于省去了热沉，故半导体制冷器102的冷端基板1023可以作为直接散热的平台，发光芯片103产生的热量可以快速地传导到冷端基板1023并扩散开。

图9是本申请实施例提供的又一种激光器的结构示意图。如图9所示，在上述任一激光器10的基础上，激光器10还可以包括位于管壳101中的测温元件105，该测温元件105用于检测管壳101中的温度。示例地，测温元件105可包括热敏电阻，热敏电阻所处的温度不同时其阻值会发生相应地变化。管壳101中的温度可以通过热敏电阻的阻值反映。

半导体制冷器102的输出功率可以基于测温元件105检测的温度实时调节，半导体制冷器102的输出功率不同则制冷强度不同。如在测温元件105检测到管壳101中的温度较高时，可以升高半导体制冷器102的输出功率；在测温元件105检测到管壳101中的温度较低时，可以降低半导体制冷器102的输出功率。如此可以保证管壳101中的温度处于相对稳定的状态，达到精准控温的效果，有利于发光芯片103的工作稳定性。可选地，半导体制冷器102的输出功率可以有其连接的外部电路控制。

图10是本申请实施例提供的另一种管壳的结构示意图。图9中的管壳101为图10所示的管壳101。请结合图9和图10，管壳101还可以包括两个第三焊接部1015，第三焊接部1015连接外部电路。第三焊接部1015的结构及与外部电路的连接方式可以参考上述对于第二焊接部1014的相关介绍，本申请实施例不再赘述。测温元件105的两端可以分别与该两个第三焊接部1015电连接，以通过该两个第三焊接部1015接收电流。

可选地，该两个第三焊接部1015可以位于半导体制冷器102的同一侧，测温元件105可以位于该两个第三焊接部1015之间。可选地，测温元件105可以悬空设置。可选地，如图9所示，半导体制冷器102的供电引脚1014对应的第二焊接部1014与该两个第三焊接部1015，可以位于半导体制冷器102的同一侧。如该两个第三焊接部1015可以位于两个第二焊接部1014之间。

图11是本申请另一实施例提供的一种激光器的结构示意图。如图11所示，在上述任一激光器10的基础上，激光器10还可以包括位于管壳的开口所在侧的密封透光层106和准直镜107，准直镜107可以位于密封透光层106远离管壳101的底板1011的一侧。

透光密封层106用于密封管壳101的开口，以保证管壳101中的元器件处于密封空间中，防止水气对发光芯片103的损坏。示例地，透光密封层106可以通过胶贴、焊料贴装或平行封焊等方式固定于管壳101的开口处。准直镜107可以用于对接收到的激光进行准直后出射。发光芯片103发出的激光可以依次穿过透光密封层106和准直镜107射出，以实现激光器10的发光。

该准直镜107的数量可以与发光芯片103的数量相同，每个发光芯片103可以对应一个准直镜107，且每个发光芯片103发出的激光可以射向对应的准直镜107。如图11所示，该多个准直镜107可以共同构成一个准直镜基板。

综上所述，本申请实施例提供的激光器中，管壳中设置有半导体制冷器，且发光芯片贴装于半导体制冷器的冷端基板上。如此激光器工作时，半导体制冷器的冷端基板的温度降低，可以吸收发光芯片产生的热量，且使热量从热端基板释放，避免发光芯片处的热量聚集，降低发光芯片在聚集的热量的作用下损坏的风险，可以提升激光器的可靠性。另外，本申请中半导体制冷器的热端基板可以与管壳的底部贴合，管壳的底部可以辅助吸收热端基板释放的热量，有助于提高散热效果。

本申请中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。术语“A、B和C的至少一种”表示可以存在七种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在C和B，同时存在A、B和C这七种情况。在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”和“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“至少一个”指的是一个或多个，术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件，本领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”进而“基本”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决相应的技术问题，基本达到相应的技术效果。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括：管壳，以及位于所述管壳中的半导体制冷器和发光芯片；

所述半导体制冷器包括：沿远离所述管壳的底部的方向依次叠加的热端基板、热电元件层和冷端基板，所述发光芯片贴装于所述冷端基板中远离所述热端基板的表面上。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括多个发光芯片，所述热电元件层包括与所述多个发光芯片一一对应的多个热电元件；

在所述冷端基板上，每个所述发光芯片的正投影位于对应的所述热电元件的正投影之内。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括多个发光芯片，所述冷端基板远离所述热端基板的表面具有与所述多个发光芯片一一对应的多个金属化区；每个所述发光芯片贴装于对应的所述金属化区，且所述金属化区的面积大于所述发光芯片中靠近所述金属化区的表面的面积；

所述激光器还包括导线，所述多个发光芯片中至少两个发光芯片通过所贴装的所述金属化区和所述导线串联。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括贴装于所述冷端基板中远离所述热端基板的表面上的反射棱镜，所述冷端基板上所述反射棱镜的设置区域相对于所述发光芯片的设置区域凹陷；

所述反射棱镜位于所述发光芯片的出光侧，所述发光芯片用于向所述反射棱镜发出激光，所述反射棱镜用于将接收到的激光沿远离所述管壳的底部的方向反射。

5.根据权利要求1至4任一所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括阵列排布的多个发光芯片，所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的多个第一焊接部，所述多个第一焊接部位于所述半导体制冷器在所述发光芯片的行方向上的相对两侧，所述第一焊接部连接外部电路；

所述多个发光芯片中每行发光芯片串联，且两端分别连接所述相对两侧的两个所述第一焊接部。

6.根据权利要求1至4任一所述的激光器，其特征在于，所述热电元件层包括多个热电元件，所述半导体制冷器还包括两个供电引脚，所述多个热电元件串联且两端分别连接所述两个供电引脚；

所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的两个第二焊接部，所述第二焊接部连接外部电路；所述两个供电引脚分别与所述两个第二焊接部电连接。

7.根据权利要求1至4任一所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括位于所述管壳中的测温元件，所述测温元件用于检测所述管壳中的温度；

所述半导体制冷器用于基于所述测温元件检测的温度调节输出功率。

8.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述测温元件包括热敏电阻，所述管壳中的温度通过所述热敏电阻的阻值反映。

9.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述管壳包括：底板、侧壁和位于所述侧壁包围区域中的两个第三焊接部，所述第三焊接部连接外部电路；所述测温元件与所述两个第三焊接部电连接。

10.根据权利要求1至4任一所述的激光器，其特征在于，所述管壳具有开口，所述激光器还包括：位于所述管壳的开口所在侧的密封透光层和准直镜；

所述发光芯片发出的激光依次穿过所述透光密封层和所述准直镜射出，所述透光密封层用于密封所述管壳的开口，所述准直镜用于对所述激光进行准直。

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