CN218122973U - 像素电路及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示了一种像素电路及显示装置，像素电路包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。本实用新型提供的像素电路能够适应电压更高或粒度更细的驱动需求，适应多种发光元件的选型，并拓宽了发光参数的可调范围。

Description

像素电路及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，具有诸如主动发光、可视角度大、功耗低、响应速度快且对比度高等优势的有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)的应用范围逐渐拓宽，且有着取代传统液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)的趋势。

现有技术中通常采用PMOLED(Passive Matrix OLED，无源矩阵型OLED)和AMOLED(Active Matrix OLED，有源矩阵型OLED)两种驱动方式对有机发光二极管进行驱动，前者具有结构简单、成本低，但驱动电压高的特点，后者则具有驱动电压低、发光寿命长，但成本高、制作工艺困难的特点。对于市面上广泛采用的AMOLED驱动方式，其低功耗的特点在带来了固有优势的同时，会导致其在驱动电压的限制下难以提供更细的灰阶调节范围，考虑到其所采用的薄膜晶体管价格较为昂贵，在具有较细灰阶调整需求和较强输出均一性要求的应用场景下，传统AMOLED驱动方式的“性价比”则不尽如人意。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种像素电路，以解决现有技术中传统AMOLED驱动方式可调灰阶粒度粗，无法适应多种显示场景，难以兼顾均一性和连续可调性的技术问题。

本实用新型的目的之一在于提供一种显示装置。

为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种像素电路，包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第一开关管和所述第二开关管为场效应管。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第一开关管为N型场效应管，所述第二开关管为P型场效应管。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接至所述第三驱动管的第一端。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第三驱动管的第一端连接至地电平，形成所述参数控制电路的电流输出端；所述第三驱动管的第二端连接至供电电平，形成所述参数控制电路的电流输入端。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述发光元件的正极连接所述供电电平，所述发光元件的负极连接至所述第三驱动管的第二端。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第三驱动管的衬底的材料包括单晶硅。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括通断控制电路，所述通断控制电路连接至所述发光元件，配置为接收并根据通断控制信号控制所述发光元件的通断状态。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述通断控制电路设置于所述发光元件和所述参数控制电路之间；所述通断控制电路包括第四开关管，所述第四开关管的第一端连接所述发光元件的负极，所述第四开关管的第二端连接所述参数控制电路的电流输入端，所述第四开关管的栅极用于接收所述通断控制信号。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括偏置调整电路，所述偏置调整电路设置于所述参数控制电路的电流输出端和所述第一节点之间，配置为接收并根据通断控制信号控制所述参数控制电路选择性设置所述发光元件的发光参数；所述通断控制信号还用于控制所述发光元件的通断状态。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述偏置调整电路包括第五开关管，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接地电平，并通过所述第五开关管连接至所述第三驱动管的第一端，所述第三驱动管的第二端连接至所述发光元件和供电电平。

为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种显示装置，包括上述任一种技术方案所述的像素电路。

与现有技术相比，本实用新型通过在用于存储和保持发光参数信息的第一节点，与用于接收发光参数信息的参数输入端之间设置了相互并联的两个开关管，两个开关管同步导通，能够稳定接收量级更大的发光参数信息，特别是在发光参数信息为电压形式的工况下，能够使得像素电路足以承受更高电压的驱动需求，使得发光元件的选型范围更宽，亮度可调范围或其他发光参数可调范围更宽，并基于此种更宽的可调范围，提供像素电路更细粒度的灰阶调节能力。

附图说明

图1是本实用新型一实施方式中像素电路的电路结构图。

图2是本实用新型另一实施方式中像素电路的电路结构图。

图3是本实用新型一实施方式中像素电路的控制时序示意图。

图4是本实用新型另一实施方式中像素电路的控制时序示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

需要说明的是，术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本实用新型提供的下述任一实施方式中所采用的“开关管”或“驱动管”，优选可以采用晶体管实现。用于实现开关和驱动功能的晶体管可以优选配置为薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)和/或场效应管(FET，Field Effect Transistor)。两种晶体管选型都可以应用于下文提供的实施方式中，换言之，下文中提供的每个实施方式在没有特殊说明的情况下，均能够形成基于上述两种选型的两种并行的实施方式。此外，场效应管还可以具体包括结型场效应管(JFET，Junction FET)、金属—氧化物半导体场效应管(MOS-FET，Metal-Oxide Semiconductor FET)。

具体地，对于薄膜晶体管而言，其源极和漏极相对称，通常不对两者进行区分，而采用第一端代替源极和漏极其中之一，并用第二端代替源极和漏极其中另一，而薄膜晶体管的栅极可以作为控制端，用于接收薄膜晶体管外的信号输入。对于场效应管而言，其源极和漏极的连接方式具有明显的指向性，本领域技术人员可以理解地，下文中并未展开描述之处，对于P型场效应管，可以是将其源极接较高的电平，将其漏极接较低的电平；对于N型场效应管，可以是将其源极接较低的电平，将其漏极接较高的电平。

此外，可以理解地，下文中提供的实施方式，不仅可以包含薄膜晶体管和场效应管两种并行的衍生方式，一方面，电路中一部分可以采用薄膜晶体管，另一部分采用场效应管所形成的技术方案也是可以预见的。另一方面，电路中N型晶体管和P型晶体管在不考虑特殊效果的前提下，也是可以相互替换的。

本实用新型一实施方式提供一种显示装置，所述显示装置包括一种像素电路，在所述像素电路内部的控制电路或其他元器件的作用下，驱动作为像素的发光元件按照预设的时序和发光参数点亮，从而进行显示作业。

所述显示装置可以设置在电视、手表和/或计算机中。可见，显示装置并不仅仅指代显示器这种计算机的I/O设备，其可以独立地形成一个完整的诸如电视的电器，也可以作为其他诸如手表、冰箱、智能音箱、手提电脑等的一部分而起到输出显示的作用。

本实用新型一实施方式提供一种像素电路，可以设置于上述任何一种显示装置或显示装置所处的功能性设备中，也可以设置于独立的衬底基板上形成单独的驱动芯片而方便拆装。

如图1所示，该实施方式中，像素电路包括发光元件10和参数控制电路20。其中，所述发光元件10用于形成所述像素电路中的发光像素。本实用新型并不对发光元件10的具体选型进行限定，在一种实施方式中，发光元件10可以是次毫米发光二极管(Mini LightEmitting Diode，简称Mini LED)，或者，可以为微型发光二极管(Micro Light EmittingDiode，简称Micro LED)，也可以是有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，简称OLED)。换言之，本实用新型提供的像素电路，还具有能够应用于次毫米发光二极管和/或微型发光二极管等应用场景，使其能够被正常、稳定驱动的技术效果。

参数控制电路20具体可以配置为，接收来自参数输入端31的发光参数信息Data，将发光参数信息Data存储在第一节点N1处，并根据发光参数信息Data调整发光元件10的至少一种发光参数。发光参数信息Data可以具有电压的形式，从而在参数控制电路20中，能够对应设置电子元器件，达到对发光参数信息Data进行存储的效果。当然，本实用新型的其他实施方式中，发光参数信息Data当然也可以具有诸如数字信号等其他形式，从而参数控制电路20可以适应于不同发光参数信息Data的形式进行内部结构的调整，诸如增设数模转换器(DAC，Digital-to-Analog Converter)和/或模数转换器(ADC，Analog-to-DigitalConverter)等。优选地，所述发光参数信息Data用于调整发光元件10的亮度，对应地，接收所述发光参数信息Data对应调整的发光元件10的至少一种发光参数，可以是发光元件10的最高亮度阈值。

优选地，参数输入端31和第一节点N1之间还包括相互并联的第一开关管41和第二开关管42。如前所述，第一开关管41和第二开关管42的选型可以是场效应管和薄膜晶体管中任一种，前者具有平衡成本和适应大电流的优势。

在一种实施方式中，第一开关管41和第二开关管42配置为具有相反的导通条件。具体地，在第一开关管41的第一端和第二端，与第二开关管42的第一端和第二端对应具有相等或类似的电平水平时，第一开关管41可以配置为，在其控制端(或称栅极，下同)接收到高电平时发生导通，第二开关管42可以配置为，在其控制端接收到低电平时发生导通。

在此基础上，所述像素电路可以对应配置为，在发光参数信息Data输入参数输入端31时，第一开关管41和第二开关管42同时导通。如此，能够扩宽允许存入参数控制电路20的发光参数信息Data的范围。基于发光参数信息Data的允许范围更宽，使得发光元件10能够在发光参数信息Data所指向的某个发光参数阈值之下，形成粒度更细、数量更多的阶梯式调整策略。例如，能够构成亮度上更细、更多的灰阶。此外，还可以适应于更多不同选型的发光元件10的需求，提高像素电路驱动部分的兼容性。

优选地，第一开关管41可以是场效应管，可以大幅降低电路整体的成本，同时能够克服由于工艺不成熟导致的色彩准确度、质量波动和景深等限制因素。此外，第二开关管41也可以与第一开关管41配置为相同的场效应管，在批量制备本实用新型提供的像素电路时，其成本上的节约和工艺要求的降低所带来的有益效果，则是不容小觑的。

基于此，第一开关管41还可以进一步配置为N型场效应管。对应地，第二开关管42也可以进一步配置为P型场效应管。从而，能够利用场效应管的导通特性，有效扩大两个开关管接收发光参数信息Data的范围，使得第一节点能够接受的发光参数信息Data，以及发光元件10的亮度调节范围随之扩大。

可以理解地，用于控制第一开关管41的栅极电压和第二开关管42的栅极电压的初始化控制信号可以相反。在一种实施方式中，第一开关管41的栅极接收第一初始化信号Gate，第二开关管42的栅极接收第二初始化信号GateR，第一初始化信号Gate和第二初始化信号Gate的波形互补。在第一初始化信号Gate为高电平时，第二初始化信号GateR为低电平；在第一初始化信号Gate为低电平时，第二初始化信号GateR为高电平。

本实用新型一实施方式提供参数控制电路20的一个电路结构示例，当然，能够实现接收发光参数信息Data并调节发光元件10的发光参数的任何器件，诸如寄存器、集成芯片等，均包含于本实用新型的保护范围内。在该电路结构示例中，参数控制电路20包括第三驱动管23和存储电容21。其中，存储电容21用于保持发光参数信息Data，特别是保持直流电压形式的发光参数信息Data。第三驱动管23用于按照发光参数信息Data控制发光元件10的发光参数，和/或用于驱动点亮发光元件10。

优选地，第三驱动管23的衬底的材料包括单晶硅。如此，第三驱动管23能够具有较强的驱动能力，能够与第一开关管41和第二开关管42相配合，为发光元件10及其所在支路或干路提供大电流，使得发光元件10能够工作在效率较高且稳定的区间(这是由于，诸如LED等发光元件的效率与其上的电流密度成正比，且在其上的电流密度处于某一区间范围内时，LED具有较高且稳定的工作效率)。并基于此，第三驱动管23能够使像素电路整体同时具有低功耗和低温的优势。

存储电容21的一端连接第三驱动管23的栅极，以形成第一节点N1，存储电容21的另一端连接至第三驱动管的第一端231。如此，存储电容21上保持的发光参数信息Data能够用于控制第三驱动管23的开关程度，从而控制发光元件10诸如最大导通亮度等发光参数。

所述第三驱动管的第一端231的定义，可以根据第三驱动管23的具体选型进行适应性调整，例如，第三驱动管23为场效应管时，特别地，第三驱动管23是N型场效应管时，该第一端231可以具体是第三驱动管23的源极。基于此，发光参数信息Data可以在存储电容21的作用下，控制第三驱动管23上流经的电流大小，从而达到稳定控制发光元件10的发光参数的效果。

举例而言，定义第三驱动管23的栅极—源极电压为Vgs，第三驱动管23的阈值电压为Vth，则第三驱动管23上的漏极—源极电流为Ids至少满足：

Ids∝(Vgs-Vth)²。

又因为第三驱动管23的栅极电压收到发光参数信息Data的影响，甚至在一种实施方式中，第三驱动管23的栅极电压等于发光参数信息Data对应的参数电压，因此若第三驱动管23的源极电压为定值，则第三驱动管23的漏极—源极电流Ids直接取决于发光参数信息Data，从而，可以通过调整发光参数信息Data为发光元件10设定发光参数。

优选地，第三驱动管的第一端231可以连接至地电平VSS。配合前文所述的选型，能够完全利用发光参数信息Data形成对发光元件10的控制，而排除其他干扰。其中，地电平VSS可以具象化为公共地端，或电源负极。基于此，若定义第三驱动管23的栅极电压被发光参数信息Data稳定在参数电压Vdata，则第三驱动管23上的漏极—源极电流为Ids至少满足：

Ids∝(Vdata-VSS-Vth)²。

优选地，第三驱动管的第二端232连接至供电电平VDD。其中，第三驱动管的第二端232在所述第三驱动管23配置为N型场效应管时，可以具体为第三驱动管23的漏极，从而，所述漏极—源极电流Ids在第三驱动管的第二端232和第三驱动管的第一端231之间形成，方向为从所述第二端232至所述第一端231。发光元件10则可以对应的设置于漏极—源极电流Ids所在干路上，接受第三驱动管23的驱动。

发光元件10可以串接在第三驱动管的第一端231与低电平VSS之间。优选地，发光元件10的正极连接供电电平VDD，发光元件10的负极连接至第三驱动管的第二端232。如此，能够适应于第三驱动管23的性质，使发光元件10能够更稳定地被驱动。

可以理解地，本实用新型在描述中所采用的“连接”、“连接至”等用词，并不仅仅指代直接连接，在一些实施方式中，还可以是间接连接。所述间接连接可以是通过电路中的某些组成部分形成间接连接，也可以是通过一个或多个元器件形成间接连接。

此外，第三驱动管的第一端231连接至地电平VSS后，可以形成参数控制电路20的电流输出端201。第三驱动管的第二端232连接至供电电平VDD后，可以形成参数控控制电路20的电流输入端202。

在一种实施方式中，所述像素电路还可以包括通断控制电路50，用于按照预设标准控制发光元件10的通断状态，特别是发光元件10的通断时长。优选地，通断控制电路10连接至发光元件10，且配置为接收并根据通断控制信号EM控制发光元件10的通断状态。如此，在发光参数信息Data为发光元件10的至少一个发光参数设定了最高阈值后，可以利用通断控制电路50实现在该发光参数之下的阶梯式发光策略。

举例而言，即使发光参数信息Data为第三驱动管的漏极—源极电流Ids设定了第一阈值电流I1。在极限状态下，假设不发光电流I0与第一阈值电流I1之间，发光元件10只能在第一阈值电流I1下工作，那么，可以设置通断控制电路50可以执行至少四种导通策略。具体可以是控制发光元件10导通第一发光时长T1、第二发光时长T2、第三发光时长T3和第四发光时长T4。若不同发光时长之间依次存在二倍的关系(例如，第一发光时长T1为第二发光时长T2的两倍)，发光元件10可以工作在第一阈值电流I1和不发光电流I0两个电流下，从而，发光元件10在此种极限情况下就可以支持16bit的灰度要求。基于此，本实用新型中的上述结构配置，扩大了发光参数信息Data的可接受范围，所述像素电路对应可以配置具有更细的灰阶。

通断控制信号EM可以被具体配置为具有PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)波形，不仅能够更准确地设定上述灰阶，在发光元件10或所述像素电路整体进行阵列布置时，能够批量控制大量发光元件10。基于此，所述像素电路能够兼顾PWM驱动和PAM(Pulse Amplitude Modulation，脉冲幅度调制)驱动，后者具体可以是利用发光参数信息Data和参数输入端31来完成。从而，所述像素电路能够同时具有两种驱动方式的优势。

所述通断控制电路50可以设置于发光元件10所在支路或干路上的任何位置。通断控制电路50可以用于调整发光元件10选择性接入第三驱动管23的漏极—源极电流Ids。例如，通断控制电路50可以连接在发光元件10的负极一侧或正极一侧，而不论发光元件10与参数控制电路20之间具有何种连接关系。具体地，在所述漏极—源极电流Ids所在干路上，上述三个部分可以配置为“供电电平VDD—发光元件10—参数控制电路20—通断控制电路50—地电平VSS”的连接关系，也可以配置为“供电电平VDD—参数控制电路20—发光元件10—通断控制电路50”的连接关系，为了简化描述，本实用新型在此处不进行穷举。

优选地，通断控制电路50可以设置于发光元件10和参数控制电路20之间，以增强元器件工作的稳定性。

进一步地，通断控制电路50可以包括第四开关管54，并利用其实现开关功能。第四开关管的第一端541连接发光元件10的负极，第四开关管的第二端542连接参数控制电路20的电流输入端202，第四开关管54的栅极用于接收通断控制信号EM。如此，利用简单的元器件布置，保证发光元件10驱动的稳定性，以及通断控制信号EM调制的及时性。

本实用新型另一实施方式提供一种像素电路，能够提升参数控制电路20工作的稳定性，防止其内部元器件出现损坏。

除了包含前文所述的至少发光元件10和参数控制电路20等元器件以外，如图2所示，该实施方式中的像素电路还包括偏置调整电路60，用于防止参数控制电路20持续动作所造成的内部器件损毁。

优选地，偏置调整电路60可以设置于参数控制电路20的电流输出端201与第一节点N1之间。其中，电流输出端201可以被解释为参数控制电路20中用于连接地电平VSS并输出经过发光元件10的电流的一端。基于此，可以通过限制电流输出端201一侧电平高低，来影响参数控制电路20的启停。

具体地，偏置调整电路60可以配置为，接收并根据通断控制信号EM，控制参数控制电路20选择性设置发光元件10的发光参数。优选地，通断控制信号EM还用于控制发光元件10的通断状态。如此，参数控制电路20的动作与否与发光元件20的导通与否保持一致，能够避免发光元件10截止时参数控制电路20始终动作，导致其内部器件始终处于偏置状态，从而，增加了像素电路整体的稳定性和均一性。

优选地，在参数控制电路20包括第三驱动管23和存储电容21的实施例中，偏置调整电路60可以具体包括第五开关管65，实现对参数控制电路20动作与否的控制。当然，偏置调整电路60中还可以替换地包含其他开关器件。

对于参数控制电路20，其存储电容21的一端可以连接第三驱动管23的栅极，以形成第一节点N1，存储电容21的另一端可以连接地电平VSS。存储电容21可以通过第五开关管56连接至第三驱动管的第一端231。第三驱动管的第二端232连接至发光元件10和供电电平VDD。

在通断控制信号EM的作用下，若第五开关管65导通，则将第三驱动管的第一端231的电平拉低，第一节点N1存储有发光参数信息Data，限制第三驱动管23根据该发光参数信息Data导通并控制其漏极—源极电流Ids。若第五开关管65关断，第三驱动管的第一端231与其栅极之间的电压差小于其自身的阈值电压，第三驱动管23关断。

当然，在该实施方式中，同样可以如图2所示地，将所述像素电路配置为包括通断控制电路50。通断控制电路50优选包括第四开关管54。由于第四开关管54同样受通断控制信号EM的控制，第四开关管54和第五开关管65同步导通或关断，因而能够在发光元件10正常工作的前提下，保证第三驱动管23不会始终处于偏置状态。

虽然上文并未展开描述，但是本领域技术人员可以理解地，前文涉及的开关管或驱动管，在一些特殊的应用场景下，当然也可以替换为薄膜晶体管。上述开关管在其他实施方式中，也可以配置为开关或联动开关，或可以配置为诸如光耦继电器等元器件。

图3示出了一种实施方式中，所述像素电路的工作时序。在第一状态下，第一初始化信号Gate置高，第二初始化信号GateR置低；在第二状态下，恢复第一初始化信号Gate置低，第二初始化信号GateR置高，输出经过调制后的通断控制信号EM，使其在第一时间段内保持高电平时长为第一发光时长T1。每次将脉宽调整后的通断控制信号EM输出给通断控制电路50和/或偏置调整电路60之前，均需要同时输出高电平的第一初始化信号Gate和低电平的第二初始化信号Gate。在每个不同的时间段内，可以调整通断控制信号EM保持高电平的时长分别为诸如第二发光时长T2、第三发光时长T3、第四发光时长T4等相互之间相等或不等的数值。在一种具体示例下，第一发光时长T1、第二发光时长T2、第三发光时长T3和第四发光时长T4之间可以具有两倍或十倍的关系，例如，第一发光时长T1为1000ms，则第二发光时长T2可以是100ms，如此实现高灰阶的调制。

图4示出了另一种实施方式中，所述像素电路的工作时序，并具体将控制不同像素电路的通断控制信号EM配置为不同。例如，对于第一像素电路而言，具有第一通断控制信号EM1，对于第二像素电路而言，具有第二通断控制信号EM2。如此，本实用新型提供的像素电路在配置为复数个时，可以通过改变通断控制信号EM来保持不同尺寸发光元件都能工作在较优的效率范围内。

在利用EQE(External Quantum Efficiency，外量子效率)来衡量发光元件10的工作效率时，发光元件10上电流密度为5A/cm²的状态下其能够具有最大的EQE。当第一像素电路中发光元件的尺寸为20×40μm时，可以调整第一通断控制信号EM1的占空比为50％，保持该发光元件具有最大的EQE。当第二像素电路中发光元件的尺寸为20×26μm时，可以调整第二通断控制信号EM2的占空比为67％，保持该发光元件具有最大的EQE。

当然，上文只是为了表达本实用新型所具有的独特优势所列举的部分例子。在衡量发光元件工作效率的指标发生变化时，和/或在发光元件的尺寸发生变化时，通断控制信号EM的占空比可以对应调整。

综上，本实用新型通过在用于存储和保持发光参数信息的第一节点，与用于接收发光参数信息的参数输入端之间设置了相互并联的两个开关管，两个开关管同步导通，能够稳定接收量级更大的发光参数信息，特别是在发光参数信息为电压形式的工况下，能够使得像素电路足以承受更高电压的驱动需求，使得发光元件的选型范围更宽，亮度可调范围或其他发光参数可调范围更宽，并基于此种更宽的可调范围，提供像素电路更细粒度的灰阶调节能力。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种像素电路，其特征在于，包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；

所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管为场效应管。

3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关管为N型场效应管，所述第二开关管为P型场效应管。

4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接至所述第三驱动管的第一端。

5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第三驱动管的第一端连接至地电平，形成所述参数控制电路的电流输出端；所述第三驱动管的第二端连接至供电电平，形成所述参数控制电路的电流输入端。

6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件的正极连接所述供电电平，所述发光元件的负极连接至所述第三驱动管的第二端。

7.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第三驱动管的衬底的材料包括单晶硅。

8.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括通断控制电路，所述通断控制电路连接至所述发光元件，配置为接收并根据通断控制信号控制所述发光元件的通断状态。

9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述通断控制电路设置于所述发光元件和所述参数控制电路之间；所述通断控制电路包括第四开关管，所述第四开关管的第一端连接所述发光元件的负极，所述第四开关管的第二端连接所述参数控制电路的电流输入端，所述第四开关管的栅极用于接收所述通断控制信号。

10.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括偏置调整电路，所述偏置调整电路设置于所述参数控制电路的电流输出端和所述第一节点之间，配置为接收并根据通断控制信号控制所述参数控制电路选择性设置所述发光元件的发光参数；所述通断控制信号还用于控制所述发光元件的通断状态。

11.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，所述偏置调整电路包括第五开关管，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；

所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接地电平，并通过所述第五开关管连接至所述第三驱动管的第一端，所述第三驱动管的第二端连接至所述发光元件和供电电平。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的像素电路。

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