CN217983383U - 一种高结合力emc支架结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高结合力EMC支架结构，包括环氧树脂以及蚀刻铜片；所述蚀刻铜片通过蚀刻形成蚀刻片，且蚀刻片上形成PN型半导体间隙。本实用新型增加了半蚀刻结构，这样EMC LED支架PN型半导体间隙处蚀刻片与环氧树脂结合增加了相互接触的面积，同时因为有高低起伏差，蚀刻片半蚀刻表面可以做的更粗糙，这样PN型半导体间隙处蚀刻片和环氧树脂结合的更加紧密和牢固，提高了EMC LED支架的气密性，另外由于楼梯形的结构，增加了EMC LED支架封装成灯珠后，水气或卤素分子入侵灯珠内部的行走路径长度，提高了灯珠的可靠性，进而灯珠的使用寿命得到了提高。

Description

一种高结合力EMC支架结构

技术领域

本实用新型涉及一种EMC支架结构，具体涉及一种高结合力EMC支架结构。

背景技术

随着EMC LED支架技术的不断成熟，以及可靠性的提升，越来越多的的EMC LED支架经中端企业的封装加工成灯珠后被应用在户外工程和量化工程照明，而为了保证灯珠在户外使用中不被水气或卤素有害分子入侵灯珠内部进行化学反应，对EMC LED支架的气密性提出了更高的要求。EMC LED支架主要由蚀刻片和环氧树脂在高温、高压下合模固化后完成成型，成型的EMC LED支架可形成带碗杯结构，碗杯结构可根据开发者需要自定义设计。

现有技术存在以下缺点：

1、现有的EMC LED支架，在模压注塑成型后，经除毛刺后环氧树脂和蚀刻片之间存在一定的分层，这样两者之间的结合力不足够紧密，支架的气密性差；

2、现有的EMC LED支架PN型半导体阻隔带处与蚀刻片结合比较薄弱，因 PN型半导体阻隔带受LED封装要求限制，设计的宽度有限定，一般在0.4mm以下，这样PN型半导体阻隔带在与蚀刻片注塑后结合时，此处位置强度相对于其它位置弱，PN型半导体阻隔带与蚀刻片粘接的面积小，这样EMC LED经封装后成单颗灯珠后，外部的水气、其它有害小分子容易入侵进入到蚀刻片内部，造成蚀刻片表面的电镀层与入侵的小分子物质发生化学反应，最终蚀刻片镀层表面黑化，影响灯珠的使用寿命。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种高结合力EMC支架结构，以解决现有的EMC LED支架，在模压注塑成型后，经除毛刺后环氧树脂和蚀刻片之间存在一定的分层，这样两者之间的结合力不足够紧密，支架的气密性差的问题，并且容易影响灯珠的使用寿命。

本实用新型高结合力EMC支架结构是通过以下技术方案来实现的：包括环氧树脂、杯碗以及蚀刻铜片；

蚀刻铜片通过蚀刻形成蚀刻片，且蚀刻片上形成PN型半导体间隙；PN型半导体间隙两侧的蚀刻片上设置有半蚀刻，且蚀刻片的侧面均设置有半蚀刻片；蚀刻片通过半蚀刻片与环氧树脂相结合；杯碗置于环氧树脂上方，通过环氧树脂在高温熔融后通过模具固定成型，且半蚀刻呈楼梯型结构。

作为优选的技术方案，环氧树脂的各个侧面均设置有与蚀刻片连接的蚀刻片连接筋。

作为优选的技术方案，PN型半导体间隙通过环氧树脂填充后形成PN型半导体阻隔带。

作为优选的技术方案，杯碗通过环氧树脂在高温熔融后通过模具固定成型。

本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型增加了半蚀刻结构，这样EMC LED支架PN型半导体间隙处蚀刻片与环氧树脂结合增加了相互接触的面积，同时因为有高低起伏差，蚀刻片半蚀刻表面可以做的更粗糙，这样PN型半导体间隙处蚀刻片和环氧树脂结合的更加紧密和牢固，提高了EMCLED支架的气密性，另外由于楼梯形的结构，增加了EMC LED支架封装成灯珠后，水气或卤素分子入侵灯珠内部的行走路径长度，提高了灯珠的可靠性，进而灯珠的使用寿命得到了提高。

2、本实用新型的EMC LED支架蚀刻片任何半蚀刻的位置，若在蚀刻工艺能满足的情况下，都可以采用楼梯形的半蚀刻结构进行蚀刻，使蚀刻片与环氧树脂结合结合的更加牢固。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的立体图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型的俯视图；

图4为本实用新型的侧面剖视图；

图5为本实用新型的A处结构示意图。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

如图1—图4所示，本实用新型的一种高结合力EMC支架结构，包括环氧树脂1、杯碗3以及蚀刻铜片；

蚀刻铜片通过蚀刻形成蚀刻片2，且蚀刻片2上形成PN型半导体间隙7； PN型半导体间隙7两侧的蚀刻片2上设置有半蚀刻8，且蚀刻片2的侧面均设置有半蚀刻片6；蚀刻片2通过半蚀刻片6与环氧树脂1相结合；杯碗3置于环氧树脂1上方，通过环氧树脂1在高温熔融后通过模具固定成型；如图5所示，半蚀刻8呈楼梯型结构，通过增加了半蚀刻8，使得EMCLED支架PN型半导体间隙处蚀刻片与环氧树脂结合增加了相互接触的面积，同时因为有高低起伏差，蚀刻片2的半蚀刻8表面可以做的更粗糙，这样PN型半导体间隙处的蚀刻片和环氧树脂结合的更加紧密和牢固，提高了EMC LED支架的气密性，另外由于楼梯形的结构，增加了EMC LED支架封装成灯珠后，水气或卤素分子入侵灯珠内部的行走路径长度，提高了灯珠的可靠性，进而灯珠的使用寿命得到了提高。

本实施例中，环氧树脂1的各个侧面均设置有与蚀刻片连接的蚀刻片连接筋5，用于连接多个相同单体。

本实施例中，PN型半导体间隙7通过环氧树脂填充后形成PN型半导体阻隔带4，用于阻隔电路正负极。

本实施例中，杯碗3通过环氧树脂1在高温熔融后通过模具固定成型，用于灯珠硅胶封装。

本实施例中，环氧树脂为白色的高反射高分子塑封胶而成，起反射的作用。

LED支架胶材相关替代：

a)：塑胶材质：塑胶材质用于与蚀刻片形成杯腔结构，并为电气线路的设计创造出相应安全的空间。因此：

a1)：塑胶材质的颜色和材料可以根据用途有多种设计：如白色SMC，白色 UP，黑色EMC，透明EMC等；

a2)塑胶材质的形状可以根据用途有多种设计。

b)：半蚀刻楼梯形结构,用于塑胶和金属结合的更加紧密，提升结合力，因此：

应用领域：IC半导体QFN/BGA引线框架的设计，冲压料片的设计等

c)：碗杯：LED支架整体形状和尺寸可以根据设计者用途，设计出不同的形状及尺寸,因此：

c1)：支架杯口可以设计为圆形，方形，椭圆形等：

c2)支架尺寸可以设计为3030、5050、7070等。

d)：蚀刻片材质和电镀：蚀刻材质可以是铜，铁，合金等；镀层可以是铜上银，镍上银、镍钯金等；同样镀层厚度也可以有多种厚度。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种高结合力EMC支架结构，其特征在于：包括环氧树脂(1)、杯碗(3)以及蚀刻铜片；

所述蚀刻铜片通过蚀刻形成蚀刻片(2)，且蚀刻片(2)上形成PN型半导体间隙(7)；所述PN型半导体间隙(7)两侧的蚀刻片(2)上设置有半蚀刻(8)，且蚀刻片(2)的侧面均设置有半蚀刻片(6)；所述蚀刻片(2)通过半蚀刻片(6)与环氧树脂(1)相结合；所述杯碗(3)置于环氧树脂(1)上方，通过环氧树脂(1)在高温熔融后通过模具固定成型，且半蚀刻(8)呈楼梯型结构。

2.根据权利要求1所述的高结合力EMC支架结构，其特征在于：所述环氧树脂(1)的各个侧面均设置有与蚀刻片连接的蚀刻片连接筋(5)。

3.根据权利要求1所述的高结合力EMC支架结构，其特征在于：所述PN型半导体间隙(7)通过环氧树脂填充后形成PN型半导体阻隔带(4)。

4.根据权利要求1所述的高结合力EMC支架结构，其特征在于：所述杯碗(3)通过环氧树脂(1)在高温熔融后通过模具固定成型。

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