CN217980179U - 一种液口距测量装置及单晶炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种液口距测量装置及单晶炉，包括：由底部至顶部顺次设置的主炉室、副室、提拉装置以及控制系统；主炉室内设置有承载硅液的坩埚，硅液包含有硅液表面，硅液表面上方有热屏；单晶炉还包括引晶绳，籽晶通过引晶绳牵引；液口距测量装置包括沿第一方向顺次设置的电流传感器、定位传感部件以及测距传感部件，定位传感部件与电流传感器电连接产生第一电流；测距传感部件与第一位置之间的距离为第一距离h1，测距传感部件与硅液表面之间的距离为第二距离h2，液口距为h3，h3＝h2‑h1；籽晶和引晶绳复用为定位传感部件。通过将液口距测量装置设置于单晶炉内，消除了人为误差，提高液口距的准确性从而提高生产的单晶硅质量。

Description

一种液口距测量装置及单晶炉

技术领域

本实用新型涉及单晶硅生产技术领域，更具体地，涉及一种液口距测量装置及单晶炉。

背景技术

随着光伏技术的不断提高，作为光伏发电基础材料的单晶硅得到快速发展，直拉法是目前生长单晶硅的主要技术，通过在单晶炉内加热多晶硅，拉制出单晶硅。液口距是指单晶炉的导流筒靠近硅熔体液面的下端端面到硅熔体液面的距离。液口距的准确性直接影响到单晶硅生产时籽晶的生成，从而直接影响到拉晶成功与否。在直拉生产单晶硅的过程中，无论是调温、引晶、放肩、转肩、等径，还是收尾等工序，都需要获得精确的液口距，从而保证拉晶过程中热场温度恒定，提高拉晶的精度。

目前，液口距确定方法主要通过热屏倒影来间接判断，其测量结果受热屏下沿粘硅、破损的影响，导致精度低，误差大。另外液口距确定方法还包括在热屏下沿安装籽晶定位、人工观察等，干扰因素多，误差较大。

因此，亟需提供一种操作简单、精度高的液口距测量装置及单晶炉。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种单晶炉液口距测量装置，单晶炉包括由底部至顶部顺次设置的主炉室、副室、提拉装置以及控制系统；主炉室内设置有承载硅液的坩埚，硅液包含有硅液表面，硅液表面上方有热屏；单晶炉还包括引晶绳，籽晶通过引晶绳牵引；液口距测量装置包括沿第一方向顺次设置的电流传感器、定位传感部件以及测距传感部件，定位传感部件与电流传感器电连接产生第一电流；测距传感部件与第一位置之间的距离为第一距离h1，测距传感部件与硅液表面之间的距离为第二距离h2，液口距为h3，h3＝h2-h1；籽晶和引晶绳复用为定位传感部件。

优选的，电流传感器设置在单晶炉外，提拉装置设置在副室顶部并与定位传感部件相连接，定位传感部件在提拉装置的作用下沿所述第一方向移动，测距传感部件设置在副室中部。

优选的，热屏通过提拉装置设置在第一位置；第一位置为零位。

优选的，定位传感部件通过提拉装置设置在测距传感部件位置，测距传感部件产生信号反馈至控制系统。

优选的，定位传感部件通过提拉装置设置在硅液表面，定位传感部件产生第二电流，电流传感器产生电流变化信号并反馈至控制系统。

优选的，测距传感部件为光电感应块。

优选的，引晶绳为钨丝。

优选的，第一电流为恒定电流。

优选的，第二电流小于第一电流。

本实用新型还提供了一种单晶炉，包含上述液口距测量装置。

与现有技术相比，本实用新型提供的一种液口距测量装置及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：

本实用新型提供的一种液口距测量装置及单晶炉，通过将定位传感部件与提拉装置相连接，提拉装置控制定位传感部件下降，从而可以调节定位传感部件的位置，其中籽晶和引晶绳复用为定位传感部件，籽晶通过引晶绳牵引，从而可以调节籽晶的位置。通过设置第一位置，在单晶炉合炉前预先测量得到测距传感部件与第一位置之间的第一距离h1。定位传感部件至测距传感部件位置时，测距传感部件产生信号反馈到控制系统，用于标定定位传感部件位置；由于定位传感部件为导电材质，定位传感部件与电流传感器电连接产生第一电流，当定位传感部件与硅液表面接触时，利用硅液的导电性，电流传感器产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于再次标定定位传感部件位置，从而可通过控制系统获得测距传感部件与硅液表面之间的第二距离h2。并根据以上测量值即测距传感部件与第一位置之间的第一距离h1，测距传感部件与硅液表面之间的第二距离h2，即可得出液口距h3＝h2-h1。装置测量方式简便，能直接通过定位传感部件、测距传感部件以及电流传感器准确地测量出液口距，可有效解决由液口距不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，提高液口距的准确性从而提高生产的单晶硅质量。

当然，实施本实用新型的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例，并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉上的整体结构示意图；

图2是图1中A-A’向的一种剖面图；

图3是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至测距传感部件位置时的工作状态示意图；

图4是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至第一位置时的工作状态示意图；

图5是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至硅液表面时的工作状态示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在现有的直拉法拉单晶的过程中，单晶炉内温度高，并且对单晶炉内环境的洁净性有较高要求，现有的材料技术无法支持单晶炉内液口距的直接测量。目前，液口距确定方法主要通过热屏倒影来间接判断，其测量结果受热屏下沿粘硅、破损的影响，导致精度低，误差大。另外液口距确定方法还包括在热屏下沿安装籽晶定位、人工观察等，干扰因素多，导致液口距的确定不准确。

基于上述研究，本申请提出了一种液口距测量装置及单晶炉，提高了液口距的准确性，可有效解决由液口距不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，提高生产的单晶硅质量。关于本申请提供的具有上述技术效果的液口距测量装置及单晶炉，详细说明如下。

图1是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉上的整体结构示意图，图2是图1中A-A’向的一种剖面图，图3是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至测距传感部件位置时的工作状态示意图，图4是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至第一位置时的工作状态示意图，图5是本实用新型提供的一种液口距测量装置应用于单晶炉中定位传感部件至硅液表面时的工作状态示意图，请参考图1至图5，本申请提供了一种单晶炉液口距测量装置01，单晶炉000包括由底部至顶部顺次设置的主炉室1、副室2、提拉装置3以及控制系统(图中未示出)；主炉室1内设置有承载硅液4的坩埚5，硅液4包含有硅液表面4a，硅液表面4a上方有热屏6；单晶炉000还包括引晶绳71，籽晶72通过引晶绳71牵引；液口距测量装置01包括沿第一方向X顺次设置的电流传感器8、定位传感部件7以及测距传感部件9，定位传感部件7与电流传感器8电连接产生第一电流；测距传感部件9与第一位置10之间的距离为第一距离h1，测距传感部件9与硅液表面4a之间的距离为第二距离h2，液口距为h3，h3＝h2-h1；籽晶72和引晶绳71复用为定位传感部件7。

可以理解的是，单晶炉000包括主炉室1和副室2，副室2连接于主炉室1上，主炉室1包括热屏6和盛有硅液4的坩埚5，热屏6位于硅液表面4a的上方，热屏6的存在能够引导氩气呈定向流动，保证硅液4及晶体周围充满氩气，使硅单晶在周围氩气的保护下生长。单晶炉000还包括提拉装置3，引晶绳71的一端与提拉装置3连接，另一端与籽晶72连接，籽晶72通过引晶绳71的牵引穿过副室2进入主炉室1中，从而可以调节籽晶72的位置。单晶炉000还包括控制系统，控制系统能够获取籽晶72的实际位置，并且根据位置测量分析得到距离，便于根据生产需求实现籽晶72的精准定位。液口距测量装置01包括定位传感部件7，其中籽晶72和引晶绳71复用为定位传感部件7，即引晶绳71带动籽晶72沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动与硅液表面4a接触，引晶绳71吊拉籽晶72的长度可发生变化，从而可以改变籽晶72的位置，即实现调节定位传感部件7的位置。液口距测量装置01还包括测距传感部件9，定位传感部件7沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动在经过测距传感部件9位置时，测距传感部件9产生信号反馈至控制系统，从而获得定位传感部件7的实时位置，用于标定定位传感部件7位置。且通过设置第一位置10，在单晶炉000合炉前预先测量得到测距传感部件9与第一位置10之间的第一距离h1，合炉后将热屏6下降至第一位置10，使得热屏6与硅液表面4a之间保持固定的距离，因此当定位传感部件7下降至第一位置10时，还可以对定位传感部件7位置进行校准，即籽晶72与热屏6的相对位置，避免了依靠人眼观察判断籽晶72下降过程所产生的人为误差，实现了对籽晶72的精确定位。液口距测量装置01还包括电流传感器8，利用定位传感部件7以及硅液4的导电性，通过将定位传感部件7与电流传感器8电连接，电流传感器8可以通过获取单晶炉000内不同位置处的电流信号检测状态，从而判断出定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当定位传感部件7与电流传感器8电连接时产生第一电流，当定位传感部件7通过提拉装置3设置在硅液表面4a时使得电流发生突变，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于再次标定定位传感部件7位置，从而可通过控制系统获得测距传感部件9与硅液表面4a之间的第二距离h2。并根据以上测量值即测距传感部件9与第一位置10之间的第一距离h1，测距传感部件9与硅液表面4a之间的第二距离h2，即可得出液口距h3＝h2-h1。装置测量方式简便，能直接通过定位传感部件7、测距传感部件9以及电流传感器8准确地测量出液口距h3，可有效解决由液口距h3不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，提高了液口距h3的准确性从而提高生产的单晶硅质量。

需要说明的是，本实施例对测距传感部件9在单晶炉000内的位置不限，但由于设置测距传感部件9的实质是当定位传感部件7下降至测距传感部件9时，测距传感部件9产生信号反馈至控制系统从而获得定位传感部件7的实时位置，即用于标定定位传感部件7位置，因此应根据实际的工艺需求，将测距传感部件9设置于单晶炉000内的合适位置。本实施例的控制系统处理器型号为OMRON NJ系列控制器，对此本实施例不作具体限制，无论采用何种型号处理器的控制系统，只需满足控制系统能够获取籽晶72的实际位置，并且根据位置测量分析得到距离即可。

可选的，请参考图2至图5，电流传感器8设置在单晶炉000外，提拉装置3设置在副室2顶部并与定位传感部件7相连接，定位传感部件7在提拉装置3的作用下沿第一方向X移动，测距传感部件9设置在副室2中部。

可以理解的是，通过将提拉装置3设置在副室2顶部并与定位传感部件7相连接，提拉装置3控制定位传感部件7下降，从而可以调节定位传感部件7的位置，其中定位传感部件7为籽晶72和引晶绳71，即引晶绳71的一端与提拉装置3连接，另一端与籽晶72连接，引晶绳71带动籽晶72沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动与硅液表面4a接触，引晶绳71吊拉籽晶72的长度可发生变化，从而可以改变籽晶72的位置，即实现调节定位传感部件7的位置。测距传感部件9设置在副室2中部，当定位传感部件7在提拉装置3的作用下沿第一方向X从副室2顶部向主炉室1内运动经过测距传感部件9时，测距传感部件9产生信号并反馈至控制系统，从而获得定位传感部件7实时位置，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。电流传感器8设置在单晶炉000外，利用定位传感部件7以及硅液4的导电性，通过将定位传感部件7与电流传感器8电连接，电流传感器8可以通过获取单晶炉000内不同位置处的电流信号检测状态，从而判断出定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当定位传感部件7与电流传感器8电连接时产生第一电流，当定位传感部件7通过提拉装置3设置在硅液表面4a时电流发生突变，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于再次标定定位传感部件7位置。通过定位传感部件7、测距传感部件9以及电流传感器8准确地测量出液口距h3，可有效解决由液口距h3不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，提高了液口距h3的准确性从而提高生产的单晶硅质量。

可选的，请参考图2至图5，热屏6通过提拉装置3设置在第一位置10；第一位置10为零位。通过设置第一位置10，在单晶炉000合炉前预先测量得到测距传感部件9与第一位置10之间的第一距离h1，合炉后将热屏6下降至第一位置10，使得热屏6与硅液表面4a保持固定的距离，因此当定位传感部件7下降至第一位置10时，还可以对定位传感部件7位置进行校准，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程所产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。其中，液口距h3是指单晶炉000中热屏6下沿距坩埚5中硅液表面4a之间的距离，且在拉晶过程中热屏6需降至零位，因此本实施例中液口距h3是指降至零位的热屏6下沿距坩埚5中硅液表面4a之间的距离，因此设置第一位置10为零位，保证第一位置10固定不变，即测距传感部件9与第一位置10之间的第一距离h1固定不变，并根据测距传感部件9与硅液表面4a之间的第二距离h2得到液口距h3，其中h3＝h2-h1，测量方式简便，可有效解决由液口距h3不准确而产生的生产问题，提高生产的单晶硅质量。

可选的，请参考图3，定位传感部件7通过提拉装置3设置在测距传感部件9位置，测距传感部件9产生信号反馈至控制系统。

可以理解的是，通过将提拉装置3与定位传感部件7相连接，当提拉装置3带动定位传感部件7沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动经过测距传感部件9时，测距传感部件9产生信号反馈至控制系统，从而获得定位传感部件7实时位置，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

可选的，请参考图5，定位传感部件7通过提拉装置3设置在硅液表面4a，定位传感部件7产生第二电流，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统。

可以理解的是，利用定位传感部件7以及硅液4的导电性，通过将定位传感部件7与电流传感器8电连接，电流传感器8可以通过获取单晶炉000内不同位置处的电流信号检测状态，从而判断出定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当定位传感部件7与电流传感器8电连接产生第一电流，当定位传感部件7通过提拉装置3设置在硅液表面4a时使得电流发生突变产生第二电流，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

可选的，测距传感部件9为光电感应块。定位传感部件7在提拉装置3的作用下沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动经过测距传感部件9时，其中，测距传感部件9为光电感应块，因此可以将光强度的变化转换成电信号的变化并反馈至控制系统，从而获得定位传感部件7实时位置，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

需要说明的是，本实施例的测距传感部件9还可以为其他结构，对此本实施例不作具体限制，无论采用何种结构，只需满足当定位传感部件7经过测距传感部件9位置时，控制系统可以获得定位传感部件7实时位置，用于标定定位传感部件7位置即可。本实施例的测距传感部件9型号为M18-4NAEL-2M，对此本实施例不作具体限制，无论采用何种型号的测距传感部件9，只需满足当定位传感部件7经过测距传感部件9位置时，控制系统可以获得定位传感部件7实时位置，用于标定定位传感部件7位置即可。

可选的，引晶绳71为钨丝，钨丝具有耐高温、耐磨以及抗拉的特性，保证了牵引过程的稳定性，因此通过将引晶绳71的一端与提拉装置3连接，引晶绳71的另一端与籽晶72连接，籽晶72可以通过引晶绳71的稳固牵引沿第一方向X从副室2进入主炉室1内与硅液表面4a接触。且利用钨丝的导电性，通过将定位传感部件7与电流传感器8电连接，电流传感器8可以通过获取单晶炉000内不同位置处的电流信号检测状态，从而判断出定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当定位传感部件7与电流传感器8电连接时产生第一电流，当定位传感部件7通过提拉装置3设置在硅液表面4a时使得电流发生突变产生第二电流，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

需要说明的是，本实施例的引晶绳71还可以为钢丝绳等，对此本实施例不作具体限制。

可选的，第一电流为恒定电流。将电流传感器8与定位传感部件7电连接施加第一电流，其中，设置第一电流为恒定电流，且熔融状态的硅具有导电性，即硅液4与坩埚5存在电阻，因此当定位传感部件7与硅液表面4a发生接触时使得电流发生突变产生第二电流，因此根据电流传感器8是否获取到变化的电流信号，从而判断定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当恒定的第一电流发生变化时即定位传感部件7与硅液表面4a之间发生接触，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

可选的，第二电流小于第一电流。将电流传感器8与定位传感部件7电连接施加第一电流，由于熔融状态的硅具有导电性，即硅液4与坩埚5存在电阻，因此当定位传感部件7在提拉装置3的作用下与硅液表面4a接触时电阻变大从而电流变小，此时产生的电流为第二电流，因此根据电流传感器8是否获取到变化的电流信号，从而判断定位传感部件7与硅液表面4a之间的接触情况。当第一电流变小时即定位传感部件7与硅液表面4a之间的发生接触，电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于标定定位传感部件7位置，避免了依靠人眼观察判断定位传感部件7下降的过程产生的人为误差，实现了定位传感部件7的精确定位。

请参考图1至图5，本实用新型实施例还提供了一种单晶炉000，包括本实用新型任意实施例提供的液口距测量装置01。

单晶炉000实际操作时，在单晶炉000合炉前，通过标尺测量测距传感部件9与第一位置10的垂直距离，从而测得第一距离h1。在拉晶的准备过程中，热场等零部件安装完毕后，下降热屏6至第一位置10，该第一位置10应该根据实际的单晶硅生长工艺需求，将热屏6下降至单晶炉000内的合适位置，在本实施例中，将热屏6下降至零位。将提拉装置3设置在副室2顶部并与定位传感部件7相连接，提拉装置3控制定位传感部件7下降，其中定位传感部件7为籽晶72和引晶绳71，即引晶绳71的一端与提拉装置3连接，另一端与籽晶72连接。将电流传感器8设置在单晶炉000外，并将电流传感器8与定位传感部件7电连接施加第一电流，电流传感器8获取单晶炉000内不同位置处的电流信号检测状态。提拉装置3控制定位传感部件7沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动至测距传感部件9，测距传感部件9产生信号反馈至控制系统，从而获得定位传感部件7实时位置，标定定位传感部件7位置。提拉装置3继续控制定位传感部件7沿第一方向X从副室2向主炉室1内运动，当电流传感器8产生电流变化信号并反馈至控制系统时，即表明定位传感部件7中的籽晶72与硅液表面4a之间发生接触，再次标定定位传感部件7位置，并通过控制系统读取测距传感部件9与硅液表面4a之间的第二距离h2。并根据以上测量值即测距传感部件9与第一位置10之间的第一距离h1，测距传感部件9与硅液表面4a之间的第二距离h2，即可得到液口距h3＝h2-h1，提高了液口距h3的准确性，可有效解决由液口距h3不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，能够提高生产的单晶硅质量。

通过上述实施例可知，本实用新型提供的一种液口距测量装置及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：

本实用新型提供的一种液口距测量装置及单晶炉，通过将定位传感部件与提拉装置相连接，提拉装置控制定位传感部件下降，从而可以调节定位传感部件的位置，其中籽晶和引晶绳复用为定位传感部件，籽晶通过引晶绳牵引，从而可以调节籽晶的位置。通过设置第一位置，在单晶炉合炉前预先测量得到测距传感部件与第一位置之间的第一距离h1。定位传感部件至测距传感部件位置时，测距传感部件产生信号反馈到控制系统，用于标定定位传感部件位置；由于定位传感部件为导电材质，定位传感部件与电流传感器电连接产生第一电流，当定位传感部件与硅液表面接触时，利用硅液的导电性，电流传感器产生电流变化信号并反馈至控制系统，用于再次标定定位传感部件位置，从而可通过控制系统获得测距传感部件与硅液表面之间的第二距离h2。并根据以上测量值即测距传感部件与第一位置之间的第一距离h1，测距传感部件与硅液表面之间的第二距离h2，即可得出液口距h3＝h2-h1。装置测量方式简便，能直接通过定位传感部件、测距传感部件以及电流传感器准确地测量出液口距，可有效解决由液口距不准确而产生的生产问题，不增加工时以及人工成本，消除了人为误差，提高液口距的准确性从而提高生产的单晶硅质量。

虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述单晶炉包括由底部至顶部顺次设置的主炉室、副室、提拉装置以及控制系统；

所述主炉室内设置有承载硅液的坩埚，所述硅液包含有硅液表面，所述硅液表面上方有热屏；

所述单晶炉还包括引晶绳，籽晶通过所述引晶绳牵引；

所述液口距测量装置包括沿第一方向顺次设置的电流传感器、定位传感部件以及测距传感部件，所述定位传感部件与所述电流传感器电连接产生第一电流；所述测距传感部件与第一位置之间的距离为第一距离h1，所述测距传感部件与所述硅液表面之间的距离为第二距离h2，液口距为h3，h3＝h2-h1；

所述籽晶和所述引晶绳复用为所述定位传感部件。

2.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述电流传感器设置在所述单晶炉外，所述提拉装置设置在所述副室顶部并与所述定位传感部件相连接，所述定位传感部件在所述提拉装置的作用下沿所述第一方向移动，所述测距传感部件设置在所述副室中部。

3.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述热屏通过所述提拉装置设置在所述第一位置；所述第一位置为零位。

4.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述定位传感部件通过所述提拉装置设置在所述测距传感部件位置，所述测距传感部件产生信号反馈至所述控制系统。

5.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述定位传感部件通过所述提拉装置设置在所述硅液表面，所述定位传感部件产生第二电流，所述电流传感器产生电流变化信号并反馈至所述控制系统。

6.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述测距传感部件为光电感应块。

7.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述引晶绳为钨丝。

8.根据权利要求1所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述第一电流为恒定电流。

9.根据权利要求5所述的一种单晶炉液口距测量装置，其特征在于：所述第二电流小于所述第一电流。

10.一种单晶炉，其特征在于，包含权利要求1-9任一项所述的液口距测量装置。

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