CN217788434U

CN217788434U - 一种小尺寸的led

Info

Publication number: CN217788434U
Application number: CN202221835147.9U
Authority: CN
Inventors: 林仕强; 万垂铭; 温绍飞; 罗昕穗; 曾照明; 肖国伟
Original assignee: APT Electronics Co Ltd
Current assignee: APT Electronics Co Ltd
Priority date: 2022-07-15
Filing date: 2022-07-15
Publication date: 2022-11-11
Anticipated expiration: 2032-07-15

Abstract

本实用新型属于半导体技术领域，提供一种小尺寸的LED，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。本实用新型通过在基板主体上设置安装凹槽，将齐纳二极管安装在发光二极管的下方，从而有效缩减LED芯片的平面空间，使得LED芯片的尺寸进一步缩减，有利于满足现代LED小型化的发展趋势。

Description

一种小尺寸的LED

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种小尺寸的LED。

背景技术

LED芯片，是一种将电能转化为光能的半导体器件。为了提高LED的抗静电能力，一般会增加一颗齐纳二极管(稳压二极管)。现有技术中，会将齐纳二极管封装在LED芯片的一侧，导致整个LED芯片的尺寸增大，无法满足现代LED小型化的发展趋势。

实用新型内容

为了克服现有技术的上述缺点，本实用新型的目的是提供一种小尺寸的LED，该LED在装有齐纳二极管的前提下仍然能保持小尺寸的特点。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种小尺寸的LED，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。

作为优选，所述安装凹槽中设有至少两个用于与齐纳二极管焊接的第一焊盘；所述基板主体的封装面上设有至少两个用于与发光二极管焊接的第二焊盘；所述第一焊盘与第二焊盘之间通过金属线路连接，所述第二焊盘与所述芯片焊盘通过金属线路连接。

作为优选，所述安装凹槽的深度大于所述齐纳二极管焊接在所述第一焊盘后的高度。

作为优选，所述基板主体上设有通孔，所述通孔连通所述基板主体的封装面和焊接面；所述芯片焊盘设置在所述基板主体的焊接面上，所述芯片焊盘与所述第二焊盘之间通过所述通孔内的金属连接。

作为优选，所述发光二极管上覆盖有光转换材料。

作为优选，所述光转换材料覆盖在所述发光二极管的顶面上；所述发光二极管和所述光转换材料的侧面均设有围墙。

作为优选，所述基板主体的封装面上设有封装槽，所述封装槽形成用于封装发光二极管的腔体；所述安装凹槽设置在所述封装槽的表面上，所述发光二极管设置在所述封装槽中。

作为优选，至少两个所述第一焊盘之间的距离为50-150um。

作为优选，所述齐纳二极管的厚度为50-170um。

作为优选，所述基板主体的厚度为0.3-0.8mm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过在基板主体上设置安装凹槽，将齐纳二极管安装在发光二极管的下方，从而有效缩减LED芯片的平面空间，使得LED芯片的尺寸进一步缩减，有利于满足现代LED小型化的发展趋势。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的小尺寸LED的第一个具体实施方式的剖视示意图。

图2为本实用新型的小尺寸LED的第一个具体实施方式的基板主体的俯视图。

图3为本实用新型的小尺寸LED的第二个具体实施方式的剖视示意图。

其中：

1-基板主体，2-第二焊盘，3-芯片焊盘，4-第一焊盘，5-通孔，6-齐纳二极管，7-发光二极管，8-光转换材料，9-围墙，10-安装凹槽，11-封装槽。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。

实施例1

参见图1-图2，本实施例公开一种小尺寸的LED，包括基板主体1、齐纳二极管6和发光二极管7，所述基板主体1的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管6的安装凹槽10，安装凹槽10设置在基板主体1的中间，且深度为200um。所述发光二极管7设置在所述封装面上，所述齐纳二极管6设置在所述安装凹槽10中且位于所述发光二极管7的下方，齐纳二极管6的厚度可以为50-170um，本实施例具体为100um，尺寸小于安装凹槽10。所述发光二极管7与基板主体1上的芯片焊盘3连接，所述齐纳二极管6通过金属线路与所述发光二极管7并联连接。

参见图1-图2，所述安装凹槽10中设有两个用于与齐纳二极管6焊接的第一焊盘4，两个第一焊盘4之间的距离为50-150um；所述基板主体1的封装面上设有两个用于与发光二极管7焊接的第二焊盘2；所述第一焊盘4与第二焊盘2之间通过金属线路连接，所述第二焊盘2与所述芯片焊盘3通过金属线路连接。

参见图1，所述安装凹槽10的深度大于所述齐纳二极管6焊接在所述第一焊盘4后的高度。这样，使得齐纳二极管6与发光二极管7之间留有一定的间隙，避免两者接触。当然，为了方便齐纳二极管6的焊接封装，安装凹槽10的尺寸(包括宽度和长度)应当大于齐纳二极管6。

参见图1，所述基板主体1上设有通孔5，所述通孔5连通所述基板主体1的封装面和焊接面；所述芯片焊盘3设置在所述基板主体1的焊接面上，所述芯片焊盘3与所述第二焊盘2之间通过所述通孔5内的金属连接。本实施例中，所述芯片焊盘3设有两个，所述通孔5也设有两个；两个芯片焊盘3通过两个通孔5中的金属分别与封装面上的两个第二焊盘2连接。

参见图1，进一步地，本实施例中的两个第一焊盘4设置在安装凹槽10，并利用齐纳二极管6与安装凹槽10两侧之间的间隙，采用向上延伸的金属线路实现与发光二极管7连接，从而实现第一焊盘4与第二焊盘2的连接；此外，再结合通孔5及通孔5内的金属结构，第二焊盘2与芯片焊盘3连接，从而实现整个LED芯片中齐纳二极管6、发光二极管7以及芯片焊盘3的连接。相较于传统的齐纳二极管6与发光二极管7平面布局的形式，本实施例通过上述连接方式，使得本实施例的LED芯片的结构更加紧凑密实，有利于提高LED芯片的质量。

参见图1，所述发光二极管7上覆盖有光转换材料8；例如，可以在发光二极管7表面粘接玻璃荧光片，起光转换作用。本实施例的光转换材料8也可参见现有技术中的其他类型。具体地，所述光转换材料8覆盖在所述发光二极管7的顶面上；所述发光二极管7和所述光转换材料8的侧面均设有围墙9，围墙9具体为白色反光胶。本实施例中，所述围墙9可以是白色发光材料、黑色吸光材料或光转换材料8等。

本实施例的基板主体1的材质包含但不限于氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、FR4等，其厚度可以设置为0.3-0.8mm。

实施例2

参见图3，本实施例与实施例1的不同之处在于：所述基板主体1的封装面上设有封装槽11，所述封装槽11形成用于封装发光二极管7的腔体；所述安装凹槽10设置在所述封装槽11的表面上，所述发光二极管7设置在所述封装槽11中。具体地，本实施例中的第二焊盘2设置在所述封装槽11的表面上，且两个第二焊盘2分别位于所述安装凹槽10的两侧；。此外，本实施例中的光转换材料8覆盖在发光二极管7的表面和侧面，且光转换材料8与基本主体的表面平齐；光转换材料8可以采用荧光胶，并填充在封装槽11中。

通过封装槽11的设置，与安装凹槽10形成二级槽结构，使得在封装齐纳二极管6和发光二极管7后，进一步缩减LED芯片的厚度，将发光二极管7和齐纳二极管6完全容纳在基板主体1的腔体结构中，这样只需在发光二极管7表面设置光转换材料8即可，后续无需再点围墙9胶，有利于简化封装工序。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种小尺寸的LED，其特征在于，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。

2.根据权利要求1所述的小尺寸LED，其特征在于，所述安装凹槽中设有至少两个用于与齐纳二极管焊接的第一焊盘；所述基板主体的封装面上设有至少两个用于与发光二极管焊接的第二焊盘；所述第一焊盘与第二焊盘之间通过金属线路连接，所述第二焊盘与所述芯片焊盘通过金属线路连接。

3.根据权利要求2所述的小尺寸LED，其特征在于，所述安装凹槽的深度大于所述齐纳二极管焊接在所述第一焊盘后的高度。

4.根据权利要求2或3所述的小尺寸LED，其特征在于，所述基板主体上设有通孔，所述通孔连通所述基板主体的封装面和焊接面；所述芯片焊盘设置在所述基板主体的焊接面上，所述芯片焊盘与所述第二焊盘之间通过所述通孔内的金属连接。

5.根据权利要求1所述的小尺寸LED，其特征在于，所述发光二极管上覆盖有光转换材料。

6.根据权利要求5所述的小尺寸LED，其特征在于，所述光转换材料覆盖在所述发光二极管的顶面上；所述发光二极管和所述光转换材料的侧面均设有围墙。

7.根据权利要求1或5所述的小尺寸LED，其特征在于，所述基板主体的封装面上设有封装槽，所述封装槽形成用于封装发光二极管的腔体；所述安装凹槽设置在所述封装槽的表面上，所述发光二极管设置在所述封装槽中。

8.根据权利要求2所述的小尺寸LED，其特征在于，至少两个所述第一焊盘之间的距离为50-150um。

9.根据权利要求1所述的小尺寸LED，其特征在于，所述齐纳二极管的厚度为50-170um。

10.根据权利要求1所述的小尺寸LED，其特征在于，所述基板主体的厚度为0.3-0.8mm。