CN217775860U - 一种等离子切割用igbt模块维弧电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及焊接设备领域，尤其涉及一种等离子切割用IGBT模块维弧电路，包括OUT、主电路和IGBT电路，所述OUT通过所述IGBT电路与主电路连接，所述主电路与维弧输出连接，且吸收板通过变压器T03与切割枪连接，所述主电路包括电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和二极管D1；稳压二极管Z2、稳压二极管Z1、二极管D1和电阻R3串联后与输出端口E连接，电阻R5和电容C2均并联在稳压二极管Z2和稳压二极管Z1的两端，使用时，IGBT电路安装在OUT1的正极与主电路之间，从而通过IGBT模块对主电路进行维弧，而且由二极管D2和三极管K1组成的IGBT电路具有电流大、耐压高、不用并联的特点，从而大大提高了电路的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及焊接设备领域，尤其涉及一种等离子切割用IGBT模块维弧电路。
背景技术
焊接就是运用各种可熔的合金联接金属部件的进程。焊锡的熔点比被焊材料的低，这样部件就会在不被熔化的情况下，通过其表面发生分子间的联络结束焊接，焊接机的种类很多，有单点单功能、单点双功能、单点多功能，焊机一般只有一个焊头，变换定位板的形式后可作90°角至180°角之间任意角度的焊接。还有两点、三点、四点乃至六点焊机及四角焊机等。不同种类的焊接机所具有的焊接功能和工作效率也不同。
申请人研究发现，现有的等离子切割用IGBT模块维护电路，在使用时，一般都是在电源与主电路之间安装一个交流接触器，交流接触器是通过机械触点控制通断，触点的开关速度会受机械限制，或者采用用IGBT单管受单颗管电流限制，但是为了保证使用安全必须要两个并联，从而降低了可靠性，而且单管IGBT在使用时容易发生击穿，导致电路的故障率比较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种等离子切割用IGBT模块维弧电路。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种等离子切割用IGBT模块维弧电路，包括OUT、主电路和IGBT电路，所述OUT通过所述IGBT电路与主电路连接，所述主电路与维弧输出连接，且吸收板通过变压器T03与切割枪连接，所述主电路包括电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和二极管D1；稳压二极管Z2、稳压二极管Z1、二极管D1和电阻R3串联后与输出端口E连接，电阻R5和电容C2均并联在稳压二极管Z2和稳压二极管Z1的两端，电阻R4并联在二极管D1和电阻R3的两端后于输出端口G连接；所述IGBT电路包括二极管D2和三极管K1；三极管K1的基极和发射极分别与电容C2的负极和正极连接，且三极管K1的集电极与OUT的正极连接，二极管D2的负极与三极管K1的集电极连接，且二极管D2的正极与三极管K1的发射极连接后与维弧输出连接。
进一步的，所述吸收板包括压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6、电容C1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R02、电阻R1和电阻R2；OUT的正极连接在电容C1上，电容C1和电阻R02串联后与OUT的负极连接，电容C4、电阻R2、电阻R1和压敏电阻RV6均并联在电容C1和电阻R02的两端，且电容C1串联电容C3后接地，并且电容C3上并联有压敏电阻RV4，电阻R02串联压敏电阻RV3后与维弧输出连接，且压敏电阻RV3上并联有电容C5。
进一步的，所述主电路中二极管D1的型号为BYV26E。
进一步的，所述主电路中电阻R3、电阻R4和电阻R5的参数分别为5.1R、15R和5.1KR。
进一步的，所述主电路中电容C2的参数为103J100。
进一步的，所述吸收板中电容C1的参数为225/630V，且所述吸收板中电容C3、电容C4和电容C5的参数均为472/3KV。
进一步的，所述吸收板中压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6的参数均为20D561K。
进一步的，所述吸收板中电阻R1和电阻R2的参数均为2W100K，且所述吸收板中电阻R02的参数为50W33R。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
使用时，IGBT电路安装在OUT1的正极与主电路之间，从而通过IGBT模块对主电路进行维弧，而且由二极管D2和三极管K1组成的IGBT电路具有电流大、耐压高、不用并联的特点，从而大大提高了电路的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的等离子切割用IGBT模块维弧电路的电路图。
上述附图中的标号说明：
1-OUT，2-主电路，3-吸收板，4-变压器T03，5-切割枪，6-维弧输出，7-IGBT电路。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，本实施例公开了一种等离子切割用IGBT模块维弧电路，包括OUT1、主电路3和IGBT电路7，OUT1通过IGBT电路7与主电路2连接，主电路2与维弧输出6连接，且吸收板2通过变压器T034与切割枪5连接，主电路2包括电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和二极管D1；稳压二极管Z2、稳压二极管Z1、二极管D1和电阻R3串联后与输出端口E连接，电阻R5和电容C2均并联在稳压二极管Z2和稳压二极管Z1的两端，电阻R4并联在二极管D1和电阻R3的两端后于输出端口G连接；IGBT电路7包括二极管D2和三极管K1；三极管K1的基极和发射极分别与电容C2的负极和正极连接，且三极管K1的集电极与OUT1的正极连接，二极管D2的负极与三极管K1的集电极连接，且二极管D2的正极与三极管K1的发射极连接后与维弧输出6连接。
吸收板3包括压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6、电容C1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R02、电阻R1和电阻R2；OUT1的正极连接在电容C1上，电容C1和电阻R02串联后与OUT1的负极连接，电容C4、电阻R2、电阻R1和压敏电阻RV6均并联在电容C1和电阻R02的两端，且电容C1串联电容C3后接地，并且电容C3上并联有压敏电阻RV4，电阻R02串联压敏电阻RV3后与维弧输出6连接，且压敏电阻RV3上并联有电容C5。
主电路2中二极管D1的型号为BYV26E。
主电路2中电阻R3、电阻R4和电阻R5的参数分别为5.1R、15R和5.1KR。
主电路2中电容C2的参数为103J100。
吸收板3中电容C1的参数为225/630V，且吸收板3中电容C3、电容C4和电容C5的参数均为472/3KV。
吸收板3中压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6的参数均为20D561K。
吸收板3中电阻R1和电阻R2的参数均为2W100K，且吸收板3中电阻R02的参数为50W33R。
本实用新型的工作过程和原理是：首先，IGBT电路安装在OUT1的正极与主电路2之间，当OUT1的正极通电时，电流通过吸收板3和主电路2后，会通过维弧输出6端口输出，变压器T034向切割枪5和OUT1的负极输出，从而使电路流通运作，在电流流通时，IGBT模块会对主电路进行维弧，而且由二极管D2和三极管K1组成的IGBT电路具有电流大、耐压高、不用并联的特点，从而大大提高了电路的可靠性。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种等离子切割用IGBT模块维弧电路，包括OUT、主电路和IGBT电路，所述OUT通过所述IGBT电路与主电路连接，所述主电路与维弧输出连接，且吸收板通过变压器T03与切割枪连接，其特征在于：
所述主电路包括电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和二极管D1；
稳压二极管Z2、稳压二极管Z1、二极管D1和电阻R3串联后与输出端口E连接，电阻R5和电容C2均并联在稳压二极管Z2和稳压二极管Z1的两端，电阻R4并联在二极管D1和电阻R3的两端后于输出端口G连接；
所述IGBT电路包括二极管D2和三极管K1；
三极管K1的基极和发射极分别与电容C2的负极和正极连接，且三极管K1的集电极与OUT的正极连接，二极管D2的负极与三极管K1的集电极连接，且二极管D2的正极与三极管K1的发射极连接后与维弧输出连接。
2.根据权利要求1所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述吸收板包括压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6、电容C1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R02、电阻R1和电阻R2；
OUT的正极连接在电容C1上，电容C1和电阻R02串联后与OUT的负极连接，电容C4、电阻R2、电阻R1和压敏电阻RV6均并联在电容C1和电阻R02的两端，且电容C1串联电容C3后接地，并且电容C3上并联有压敏电阻RV4，电阻R02串联压敏电阻RV3后与维弧输出连接，且压敏电阻RV3上并联有电容C5。
3.根据权利要求1所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述主电路中二极管D1的型号为BYV26E。
4.根据权利要求1所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述主电路中电阻R3、电阻R4和电阻R5的参数分别为5.1R、15R和5.1KR。
5.根据权利要求1所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述主电路中电容C2的参数为103J100。
6.根据权利要求2所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述吸收板中电容C1的参数为225/630V，且所述吸收板中电容C3、电容C4和电容C5的参数均为472/3KV。
7.根据权利要求2所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述吸收板中压敏电阻RV3、压敏电阻RV4、压敏电阻RV6的参数均为20D561K。
8.根据权利要求2所述的等离子切割用IGBT模块维弧电路，其特征在于：所述吸收板中电阻R1和电阻R2的参数均为2W100K，且所述吸收板中电阻R02的参数为50W33R。
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