CN217606829U - 一种太阳能电池 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种太阳能电池，包括：太阳能电池衬底，衬底上形成的PN结或钝化结构，PN结或钝化结构外表面的介质层，穿过介质层的电极层，电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；其中，转印种子层穿过介质层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。本实用新型提出的太阳能电池的电极采用了转印种子层，转印种子层是通过激光转印方式将所需图形的转印种子层材料转印至半成品的太阳能电池片上，由于该电池结构采用了转印种子层，减少了工艺步骤和工艺过程污染的几率，同时还可以大幅降低现有技术中激光对硅基底的损伤，降低了生产成本。

Description

一种太阳能电池

技术领域

本申请属于光伏技术领域，具体地，涉及一种太阳能电池。

背景技术

在太阳能电池、半导体功率器件、或光显示领域对于多层金属布线图案的需求越来越多，多层金属层的制备方式各有不同，很多半导体器件应用场合因特殊性能需要，最底层的金属层为种子层的形式，上层的多层金属可以兼容采用喷涂、电镀、丝网印刷、卷对卷工艺、掩膜蒸镀、溅射等多种工艺形式。

目前光伏晶硅电池的转换效率要求越来越高，电极栅线逐渐往更细方向发展，但常规制作电池电极的网版印刷技术由于其网版钢线交叉的固有结构，制备出来的电池结构很难达到更窄的线宽。并且，常规的金属电极制作工艺如网板版印刷银电极，制作成本高。

为获得更窄的线宽以提高转换效率并降低银浆耗量以降低制作成本，工艺上可以采用电镀的方法来制作金属电极，但制作出来的电池结构仍存在一些问题，除了制作成本高，硅基体受损大，电极与硅基体附着力偏低，电池的可靠性与电池效率有待提升。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池，包括：太阳能电池衬底，衬底上形成的PN结或钝化结构，PN结或钝化结构外表面的介质层，穿过所述介质层的电极层，所述电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；其中，所述转印种子层穿过所述介质层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

在一些可选的实施方案中，所述PN结或钝化结构外表面的介质层通过激光开槽或图案化刻蚀的方式形成具有图案化结构的开口区域，转印种子层转印至图案化的开口区域，烧结后与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

在一些可选的实施方案中，所述PN结或钝化结构外表面的介质层表面直接形成转印种子层，转印种子层上形成上层电极层前或形成上层电极层后烧结，转印种子层中的腐蚀成分与介质层反应并穿透介质层，烧结后转印种子层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

作为另一方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括：太阳能电池衬底，衬底上形成的异质结，异质结外表面的导电层，与导电层连接的电极层，所述电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；其中，所述转印种子层与所述导电层表面形成欧姆接触。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层的厚度为0.05μm～5μm，宽度为5μm～60μm。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层的厚度为0.05μm～2μm，宽度为5μm～20μm。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层的材质包括镍、铜、铝、银、铬、金、锡、铟的一种或者多种；所述上层电极层为单层或多层。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层与所述上层电极层之间还设置有过渡金属层，所述过渡金属层为单层或多层，所述过渡金属层的材质包括镍、铜、银、铬、锡、铟中的任意一种。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层中掺杂0.01％-10wt％比例的烧蚀介质层的材料。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层中掺杂0.01％-10wt％比例的烧蚀导电层表面保护层的材料。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层中包括一种或多种有机媒剂和附着增强剂，其掺杂比例为0.1％-20wt％。

在一些可选的实施方案中，所述转印种子层中包括种子层释放助剂。

在一些可选的实施方案中，所述上层电极层完全覆盖所述转印种子层。

在一些可选的实施方案中，所述太阳能电池包括HJT、TOPCON、IBC、HBC或PERC电池。

本申请的有益效果是：

本实用新型的太阳能电池的电极采用了转印种子层，转印种子层是通过转印方式将所需图形的转印种子层材料转印至半成品的太阳能电池片上，由于该电池结构采用了转印种子层，减少了工艺步骤和工艺过程污染的几率，同时还可以大幅降低现有技术中激光对硅基底的损伤，最重要的是降低生产成本。

同时本申请的太阳能电池具有更窄的种子层线宽，也就是具有更窄的电极线宽，电池效率更高；另外这种结构的电池中电极中的转印种子层与基底接触较好，可实现较高的电极拉力，增加电池的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为本申请提供的一种实施例的太阳能电池的结构示意图；

图2为本申请提供的另一种实施例的太阳能电池的结构示意图；

图3为本申请提供的另一种实施例的太阳能电池的结构示意图；

其中，101-衬底；102-背面电极；103-转印种子层；104-过渡金属层；105-上层电极层；106-钝化层；107-减反射层；108-减反钝化层；

201-衬底；202-背面电极；203-转印种子层；204-过渡金属层；205-上层电极层；206-隧穿氧化层；207-掺杂非晶硅层；208-钝化减反射层；209-钝化层及减反射层；

301-衬底；302-背面电极；303-转印种子层；304-过渡金属层；305-上层电极层；306-本征非晶硅层；307-N型掺杂非晶硅层；308-TCO层；310-本征非晶硅层；311-P型掺杂非晶硅层；312-TCO层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

本申请提供一种太阳能电池，包括：太阳能电池衬底，衬底上形成的PN结或钝化结构，PN结或钝化结构外表面的介质层，穿过介质层的电极层，电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；其中，转印种子层穿过介质层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

对上述太阳能电池电极的技术方案来说，为了使转印种子层与太阳能电池中的PN结的结表面或钝化结构表面形成良好的欧姆接触，将转印种子层设置在太阳能电池片上的方法至少有两种：

作为一种具体的实施例，PN结或钝化结构外表面的介质层通过激光开槽或图案化刻蚀的方式形成具有图案化结构的开口区域，转印种子层转印至图案化的开口区域，烧结后与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

作为另一种具体的实施例，PN结或钝化结构外表面的介质层表面直接形成转印种子层，转印种子层上形成上层电极层前或形成上层电极层后烧结，转印种子层中的腐蚀成分与介质层反应并穿透介质层，烧结后与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。针对此实施例，转印种子层材料中可掺杂一定比例的烧蚀介质层的材料(如含铅玻璃)，掺杂比例0.01％-10wt％。种子层中可进一步包含一种或多种的有机媒剂和附着增强剂，掺杂比例0.1-20wt％，以增加种子层的释放能力和图案图形控制能力。在一个实施例中，种子层材料包含至少85wt％的导电性材料镍以及至少约0.1％的含铅化合物。在一个实施例中，种子层材料包含至少90wt％的导电性材料铜以及至少约0.1％或至少约2wt％的含铅化合物。

其中，介质层为单层或者多层，包括钝化层、减反射层。介质层的材质包括a-Si，SiC，Si₃N₄，SiON，SiCN，Al₂O₃，AlN，MgF₂中的一种或多种的组合，适用于太阳能电池表面的减反射和/或钝化介质层均可。

本申请还提供了一种太阳能电池，包括：太阳能电池衬底，衬底上形成的异质结，异质结外表面的导电层，与导电层连接的电极层，电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；其中，转印种子层与导电层表面形成欧姆接触。

对上述太阳能电池电极的技术方案来说，为了使转印种子层与太阳能电池中的导电层表面形成良好的欧姆接触，将转印种子层设置在太阳能电池片上的方法至少有两种：

作为一种具体的实施例，在导电层表面形成保护层(如氮化硅或油墨层)，保护层通过激光开槽或图案化刻蚀的方式形成具有图案化结构的开口区域，转印种子层转印至图案化的开口区域，烧结后与导电层表面形成欧姆接触。

作为另一种具体的实施例，在导电层表面形成保护层，保护层表面直接形成转印种子层，转印种子层上形成上层电极层前或形成上层电极层后烧结，转印种子层中的腐蚀成分与保护层反应并穿透保护层，烧结后转印种子层与导电层表面形成欧姆接触。针对此实施例，种子层材料中可掺杂一定比例的烧蚀导电层表面保护层的材料(如含铅玻璃)，掺杂比例0.01％-10wt％。种子层中可进一步包含一种或多种的有机媒剂和附着增强剂，掺杂比例0.1-20wt％，以增加种子层的释放能力和图案图形控制能力。在一个实施例中，种子层材料包含至少85wt％的导电性材料镍以及至少约0.1％的含铅化合物。在一个实施例中，种子层材料包含至少90wt％的导电性材料铜以及至少约0.1％或至少约2wt％的含铅化合物。

本实用新型的太阳能电池的电极采用了转印种子层，转印种子层是通过转印方式将所需图形的转印种子层材料转印至半成品的太阳能电池片上，由于该电池结构采用了转印种子层，减少了工艺步骤和工艺过程污染的几率，同时还可以大幅降低现有技术中激光对硅基底的损伤，最重要的是降低生产成本。同时本申请的太阳能电池具有更窄的种子层线宽，也就是具有更窄的电极线宽，电池效率更高；另外这种结构的电池中电极中的转印种子层与基底接触较好，可实现较高的电极拉力，增加电池的可靠性。

进一步地，转印种子层中包括种子层释放助剂，当转印种子层材料至电池上对应主栅线或者pad点时，可用于进一步提高种子层释放能力。

进一步地，转印种子层的厚度为0.05μm～5μm，宽度为5μm～60μm，比如5μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm。进一步优选地，转印种子层的厚度为0.05μm～2μm，更优选地，0.1μm～1μm；宽度为5μm～20μm。

进一步地，转印种子层的材质包括镍、铜、铝、银、铬、金、锡、铟的一种或者多种；上层电极层为单层或多层。

进一步地，在转印种子层上制备上层电极层之前，在转印种子层上方电镀制备过渡金属层，该过渡金属层由与种子层金属有极好的合金化能力的金属材料组成，即在电池片结构中，转印种子层与上层电极层之间还可设置过渡金属层，过渡金属层为单层或多层，过渡金属层的材质包括镍、铜、银、铬、锡、铟中的任意一种。过渡金属层的作用是在转印种子层的粗糙表面设置过渡金属层后，使粗糙表面变得平滑，有利于在转印种子层上连接上层电极层。

进一步地，上层电极层完全覆盖转印种子层。

进一步地，太阳能电池包括HJT、TOPCON、IBC、HBC或PERC等电池。

下面以PERC电池、TOPCON电池、HJT电池为例进行更为具体的说明

实施例1

如图1所示，PERC电池，包括：衬底101，衬底上101形成的PN结(未在图中标出)，PN结外表面的介质层，穿过介质层的电极层，电极层包含转印种子层103和转印种子层上的上层电极层105；其中，转印种子层103穿过PN结外表面的介质层与PN结的结表面形成欧姆接触。

其中，本实施例的介质层指的太阳能电池背面的钝化层106与减反射层107，太阳能电池正面的减反钝化层108。

需要说明的是，该电池的背面电极102也可以包括转印种子层和转印种子层上的上层电极层，为简化图未分开示出。则，PERC电池正面的转印种子层103穿过减反钝化层108与PN结的结表面形成欧姆接触；PERC电池背面的转印种子层穿过钝化层106与减反射层107与PN结的结表面形成欧姆接触。

进一步地，在转印种子层103与上层电极层105之间包括过渡金属层104。

上述PERC电池的制备方法可以采用如下方式制备(其中，源基板有凹槽，种子层材料含铅，在减反钝化层108上烧蚀出窗口)：

(1)采用碱制绒的方式，将P型单晶硅衬底101于槽中去除损伤层并制绒，形成0.5μm-5μm高的金字塔绒面；

(2)采用三氯氧磷高温扩散，反应温度为700-880℃，反应时间为30-60min，在P型硅片表面形成N+层；

(3)在扩散面采用激光掺杂形成重掺杂N++层，形成SE结构；

(4)利用湿法刻蚀工艺去掉硅片背面及硅片边缘的N+层，并对柜面背面进行抛光处理；

(5)将衬底101放入氧化管进行热退火工艺，600-750℃条件下退火30-60min；

(6)采用原子层沉积或等离子增强化学气相沉积法在P型硅片背面依序沉积AlO_x钝化层106、SiN_x减反射层107，形成钝化减反叠层结构，其中沉积氧化铝(AlO_x)层采用TMA及O₂或N₂O的混合气体，反应温度为200-350℃；沉积氮化硅(SiN_x)层采用SiH₄和NH₃的混合气体，反应温度为300-550℃；

(7)采用等离子增强化学气相沉积法，在P型硅片正面形成单层或多层SiN_x钝化减反射层108，沉积氮化硅(SiN_x)层采用SiH₄和NH₃的混合气体，反应温度为300-550℃；

(8)采用喷涂、涂附或辊压的方式在源基板的凹槽内形成一层厚度均匀的金属种子层材料，厚度为0.5-5.0um；种子层材料保持在凹槽中，其中，种子层材料中掺杂一定比例的含铅元素的一种或多种材料；

(9)将保持有种子层材料的源基板设置在半成品太阳能电池片上方，且源基板保持有种子层材料的一面朝向半成品太阳能电池片，激光束从源基板另一面照射，依次使种子层材料分别从源基板上释放并转移至半成品太阳能电池片正面的SE激光光斑位置和背面对应位置(为简化，背面的制备过程未示意)；

(10)将半成品太阳能电池片放入烧结炉烧结，使正背面种子层103烧透氮化硅(减反钝化层108)与硅基体形成良好的欧姆接触；其中，种子层103的材质为镍，烧结温度700-800℃，烧结过后种子层103厚度0.5-5.0um；

(11)将印有种子层103的半成品电池片浸入电解液中，通过电化学沉积的方式将导电材料附着到种子层位置，化学沉积的方式为电镀或化学镀，电化学沉积的金属为镍、铜、锡、银、铋或铟中的任意一种或几种相叠，或以上几种金属的合金；或将形成有种子层的太阳能电池，采用喷涂、电镀、丝网印刷、掩膜蒸镀或溅射等工艺形式制备上层电极层105，以制备完成太阳能电池片的完整电极。

实施例2

如图2所示，TOPCON电池，包括：衬底201，衬底201正面形成的PN结(未在图中标出)或背面形成的钝化结构，PN结或钝化结构外表面的介质层，穿过介质层的电极层，电极层包含转印种子层203和转印种子层上的上层电极层205；其中，转印种子层203穿过PN结或钝化结构外表面的介质层，与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

其中，本实施例PN结外表面的介质层指的钝化层及减反射层209，本实施例的钝化结构指的背面依次设置的隧穿氧化层206与掺杂非晶硅层207，钝化结构外表面的介质层指的背面的钝化减反射层208。

需要说明的是，该电池的背面电极202也可以包括转印种子层和转印种子层上的上层电极层，为简化图未分开示出。则，TOPCON电池正面的转印种子层203穿过钝化层及减反射层209与PN结的结表面形成欧姆接触；TOPCON电池背面的转印种子层穿过钝化减反射层208与钝化结构表面形成欧姆接触。

进一步地，在转印种子层203与上层电极层205之间包括过渡金属层204。

上述TOPCON电池的制备方法可以采用如下方式制备(其中，源基板无凹槽，种子层材料不含铅，在电池片表面利用激光烧蚀部分钝化层及减反射层209进行开槽)：

(1)采用碱制绒的方式，将N型单晶硅衬底201于槽中去除损伤层并制绒，形成0.5μm-5μm高的金字塔绒面；

(2)采用三溴化硼高温扩散，反应温度为800-950℃，反应时间为50-100min，在N型硅片表面形成P+层；

(3)利用湿法碱抛工艺去掉硅片背面及硅片边缘的P+层，并对硅片背面进行抛光处理；

(4)利用等离子氧化及原位掺杂技术在碱抛面形成一层极薄的隧穿氧化层206及掺杂非晶硅层207，隧穿氧化层206的厚度0.5-2.5nm，掺杂非晶硅层207的厚度为50-200nm；

(5)将衬底201放入氧化管进行热退火工艺，700-950℃条件下退火30-60min；

(6)利用湿法设备去除正面非晶硅绕镀及BSG层；

(7)采用原子层沉积或等离子增强化学气相沉积法在N型硅片正面依序沉积AlO_x钝化层、单层或多层SiN_x减反射层即钝化层及减反射层209，形成钝化减反叠层结构，其中沉积所述氧化铝(AlO_x)层采用TMA及O₂或N₂O的混合气体，反应温度为200-350℃；沉积所述氮化硅(SiN_x)层采用SiH₄和NH₃的混合气体，反应温度为300-550℃；

(8)采用等离子增强化学气相沉积法，在N型硅片背面形成单层或多层SiN_x钝化减反射层208，沉积氮化硅(SiN_x)层采用SiH₄和NH₃的混合气体，反应温度为300-550℃；

(9)使用丝网印刷设备在电池背面印刷形成背电极及背电场，并烧结；

(10)在源基板上采用喷涂、涂附或辊压的方式形成一层厚度均匀的种子层材料，转印后的种子层厚度0.1-10um；优选地，0.05-2μm或0.1-1.0μm；

(11)将烧结后的半成品电池片正面利用激光在相应位置的P+层烧蚀钝化层打开10-25um的窗口，让硅层裸露；

(12)将保持有种子层材料的源基板设置在半成品太阳能电池片上方，且源基板保持有种子层材料的一面朝向半成品太阳能电池片，激光束从源基板另一面照射，使种子层材料从源基板上释放并转移至半成品太阳能电池片的激光开膜的位置；

(13)将有种子层203的一面浸入电镀液中，通过电化学沉积的方式将导电材料附着到种子层203位置，化学沉积的方式为电镀或化学镀，所述电化学沉积的金属为镍、铜、锡、银、铋或铟中的任意一种或几种相叠，或以上几种金属的合金；或将形成有种子层的太阳能电池，采用喷涂、电镀、丝网印刷、掩膜蒸镀或溅射等工艺形式制备上层电极层205，以制备完成太阳能电池片的完整电极。

实施例3

如图3所示，HJT电池，包括：衬底301，衬底301上形成的异质结(未在图中标出)，异质结外表面的导电层，与导电层连接的电极层，电极层包含转印种子层303和转印种子层上的上层电极层305；其中，转印种子层305与导电层表面形成欧姆接触。其中，本实施例的导电层指的TCO层308、TCO层312，此外，在太阳能电池衬底与背面TCO层308之间还包括依次设置的本征非晶硅层306、N型掺杂非晶硅层307，在太阳能电池衬底与正面TCO层312还包括依次设置的本征非晶硅层310、P型掺杂非晶硅层311。

需要说明的是，该电池的背面电极302也可以包括转印种子层和转印种子层上的上层电极层，为简化图未分开示出。则，HJT电池正面的转印种子层303与TCO层312表面形成欧姆接触；HJT电池背面的转印种子层与TCO层308表面形成欧姆接触。

进一步地，在转印种子层303与上层电极层305之间包括过渡金属层304。

上述HJT电池的制备方法可以采用如下方式制备(其中，源基板无凹槽，材料，在电池片表面利用激光烧蚀TCO层表面的保护层进行开槽)：

(1)采用RCA清洗工艺对N型单晶硅衬底301进行清洗处理、采用碱性溶液对单晶硅衬底进行制绒处理；

(2)采用PECVD或PVD工艺在N型硅衬底301的受光面和背光面上分别沉积本征非晶硅层306、310；

(3)采用PECVD工艺在N型硅衬底301上沉积的本征非晶硅层306、310上分别制备P型掺杂非晶硅层311和N型掺杂非晶硅层307；当然，也可以在本征非晶硅层306、310上分别制备N型掺杂非晶硅层311和P型掺杂非晶硅层307；

(4)采用直流磁控溅射工艺在P型掺杂非晶硅层311与N型掺杂非晶硅层307上分别沉积TCO层308、312；

(5)在电池背面TCO层308上印刷并烘干形成背电极；

(6)在电池正面TCO层308上制备保护层(例如氮化硅或油墨层)，利用激光烧蚀保护层打开5窗口，让TCO层308裸露；

(7)在源基板上采用喷涂、涂附或辊压的方式形成一层厚度均匀的种子层材料，转印至电池片上的种子层303厚度0.5-5.0um；

(8)将保持有种子层材料的源基板设置在半成品太阳能电池片上方，且源基板保持有种子层材料的一面朝向半成品太阳能电池片，激光束从源基板另一面照射，依次使种子层材料分别从源基板上释放并转移至半成品太阳能电池片正面保护层开窗区域位置，也就是栅线预设位置并和背面电极位置对应；

(9)将半成品太阳能电池片放入烘干炉烘干，使正背面金属种子层与TCO层在烘干后形成良好的物理接触；其中，种子层303的材质为镍或Cu或银，厚度优选为0.5-5.0um，烘干后种子层303厚度0.5-5.0um；

(10)将印有种子层的半成品电池片浸入电解液中，通过电化学沉积的方式将导电材料附着到种子层位置，化学沉积的方式为电镀或化学镀，电化学沉积的金属为镍、铜、锡、银、铋或铟中的任意一种或几种相叠，或以上几种金属的合金；或将形成有种子层的太阳能电池，采用喷涂、电镀、丝网印刷、掩膜蒸镀或溅射等工艺形式制备上层电极层305，以制备完成太阳能电池片的完整电极；

(11)制备完正面电极后，去除掉保护层。

应当注意:背面电极也可以采用转印种子层后电镀的方式沉积上层金属来形成,正面电极和背面电极均采用转印种子层时,正背面分别转印烘干后,浸入电解液中双面电镀上层金属层,形成完整的正、背面金属电极。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

太阳能电池衬底，衬底上形成的PN结或钝化结构，PN结或钝化结构外表面的介质层，穿过所述介质层的电极层，所述电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；

其中，所述转印种子层穿过所述介质层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述PN结或钝化结构外表面的介质层通过激光开槽或图案化刻蚀的方式形成具有图案化结构的开口区域，转印种子层转印至图案化的开口区域，烧结后与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述PN结或钝化结构外表面的介质层表面直接形成转印种子层，转印种子层上形成上层电极层前或形成上层电极层后烧结，转印种子层中的腐蚀成分与介质层反应并穿透介质层，烧结后转印种子层与PN结的结表面或钝化结构表面形成欧姆接触。

4.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

太阳能电池衬底，衬底上形成的异质结，异质结外表面的导电层，与导电层连接的电极层，所述电极层包含转印种子层和转印种子层上的上层电极层；

其中，所述转印种子层与所述导电层表面形成欧姆接触。

5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述转印种子层的厚度为0.05μm～5μm，宽度为5μm～60μm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述转印种子层的厚度为0.05μm～2μm，宽度为5μm～20μm。

7.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述转印种子层的材质包括镍、铜、铝、银、铬、金、锡、铟的一种；所述上层电极层为单层或多层。

8.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述转印种子层与所述上层电极层之间还设置有过渡金属层，所述过渡金属层为单层或多层，所述过渡金属层的材质包括镍、铜、银、铬、锡、铟中的任意一种。

9.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述上层电极层完全覆盖所述转印种子层。

10.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括HJT、TOPCON、IBC、HBC或PERC电池。

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