CN217509024U - 一种发音单元及音响设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种发音单元及音响设备，其中，发音单元包括：振膜，振膜呈第一结构，第一结构具有至少一个发声腔，发声腔具有开口；振膜上设有多个磁极对应区及多个导电区，多个导电区串联成通电电路；多个磁体，多个磁体呈与第一结构匹配的第二结构排列；多个磁体分别对应磁极对应区设置，通电电路位于相邻且朝向振膜的磁极相反的两个磁体之间。本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜在磁体的磁场作用下产生振动时，向发声腔内及向发声腔外振动，振膜前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

Description

一种发音单元及音响设备

技术领域

本申请涉及发声设备技术领域，尤其涉及一种发音单元及音响设备。

背景技术

传统音箱在设计上一般是通过磁场中的导电线圈带动纸盆振动产生声音，将电流转换为声音信号。但纸盆在振动过程中会消耗大量的能量用来抵消惯性，所以对于振动频率较高的信号，纸盆的能力受到限制，所以这样的属性就导致该设计更适用于低音信号。

现有技术中利用多个发音元件，通过分频器分频得到能够覆盖更全音域的扬声器，但是，不同发音元件在材料结构上的复杂性以及不一致性，使得最终得到的音响构造复杂，且音频曲线并不完美。且传统音响依靠大箱体来更好地吸音以实现更好的音质效果，但在很多场景中(例如车载)无法实现。

实用新型内容

为解决或改善上述问题，本申请实施例提供了一种发音单元及音响设备。

在本申请的一个实施例中提供了一种发音单元，包括：

振膜，所述振膜呈第一结构，所述第一结构具有至少一个发声腔，所述发声腔具有开口；所述振膜上设有多个磁极对应区及多个导电区，多个导电区串联成通电电路；

多个磁体，多个所述磁体呈与所述第一结构匹配的第二结构排列；多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。

可选地，还包括箱体，所述箱体呈配合所述第一结构的第三结构，所述振膜与所述磁体均设置在所述箱体上；

所述箱体上设有密封结构，所述密封结构密封所述发声腔的开口，以使所述发声腔呈封闭结构，所述振膜发出的声音从所述发声腔外侧传出；或者，

所述密封结构设置在所述发声腔的外侧，以使所述发声腔的开口呈敞开状态，所述振膜发出的声音从所述发声腔的开口传出。

可选地，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；

多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧。

可选地，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。

可选地，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；

所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。

可选地，所述第一结构包括筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C 型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种；或者

所述第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，所述筒状结构段的至少一端设有所述半球形结构段。

可选地，还包括多个导磁件，所述导磁件与相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体分别连接。

可选地，所述振膜包括：

至少一个绝缘膜，所述绝缘膜上设有磁极对应区；

多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；

多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。

可选地，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者

多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述第一面上，多个所述第二子膜设置在所述第二面上，所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。

可选地，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。

可选地，相邻的两个所述导电膜之间设置绝缘结构。

可选地，所述绝缘膜包括多个，多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。

可选地，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面，及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者，多个所述导电膜均与所述侧面连接；或者，所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜，所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接，与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。

可选地，所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜；或者

所述连通件包括导电线。

可选地，所述导电膜上设有反馈导线，所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。

可选地，每个所述导电膜包括多个分段膜，多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸；

从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜间隔分布。

可选地，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述分段膜均与所述第一面连接，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构；或者

多个所述分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜，多个所述第一子段膜设置在所述第一面上，多个所述第二子段膜设置在所述第二面上，所述第一子段膜与所述第二子段膜间隔设置。

可选地，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个分段膜设置在两个所述绝缘膜之间。

可选地，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构。

可选地，从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜的尺寸相等，或者，越靠近所述磁极对应区，所述分段膜的尺寸越大。

相应地，本申请实施例还提供了一种音响设备，包括：设备主体及设置在所述设备主体上的如上述中所述的发音单元。

另外，可选地，还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路；

所述信号输入电路与所述信号放大器连接，所述信号放大器与所述发音单元连接；

所述反馈电路分别与所述发音单元内的导电膜上的反馈导线及所述信号放大器连接，用于向所述信号放大器反馈所述发音单元内的振膜的振动频率。

本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜在磁体的磁场作用下产生振动时，向发声腔内及向发声腔外振动，振膜前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的一种发音单元的立体结构示意图；

图2为本申请一实施例提供的一种发音单元的俯视结构示意图；

图3为本申请一实施例提供的一种带有箱体的发音单元的结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的另一种带有箱体的发音单元的结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的第一结构为球形结构时的结构示意图；

图6为本申请一实施例提供的第一结构为具有筒型结构段及半球形结构段时的结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的一种隔音结构的发音单元的结构示意图；

图8为本申请一实施例提供的第一结构为U型结构时的结构示意图；

图9为本申请一实施例提供的第一结构为矩形结构时的结构示意图；

图10a至图10f为本申请一实施例提供的第一结构的多种实现方式示意图；

图11为本申请一实施例提供的另一种振膜与磁体排布方式示意图；

图12为本申请一实施例提供的另一种发音单元的俯视结构示意图；

图13为本申请一实施例提供的一种振膜与磁体排布方式示意图；

图14为本申请一实施例提供的导磁件的布置结构示意图；

图15至图17为本申请一实施例提供的振膜与磁体多种布置方式的示意图；

图18为本申请一实施例提供的振膜的立体结构示意图；

图19为本申请一实施例提供的振膜的俯视结构示意图；

图20至图27为本申请一实施例提供的振膜的多种实现方式的示意图；

图28为本申请一实施例提供的一种音响设备的电路示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于方便描述不同的部件或名称，而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

图1为本申请一实施例提供的一种发音单元的立体结构示意图，图2为本申请一实施例提供的一种发音单元的俯视结构示意图，参见图1及图2所示。

在本申请的一个实施例中提供了一种发音单元，包括：振膜100及多个磁体200。其中，振膜100呈第一结构，第一结构具有至少一个发声腔300，发声腔300具有开口。振膜100上设有多个磁极对应区4及多个导电区，多个导电区串联成通电电路。多个磁体200呈与第一结构匹配的第二结构排列。多个磁体200分别对应磁极对应区4设置，通电电路位于相邻且朝向振膜100的磁极相反的两个磁体200之间。

举例说明，继续图1及图2，以振膜100呈筒状结构为例，即第一结构为筒状结构，筒状结构围合的空间即为发声腔300，沿筒状结构的周向方向，振膜 100上间隔设置有磁极对应区4及通电电路。磁体200为条形磁铁，多个条形磁铁沿着筒状结构的周向方向间隔布置并分别对应振膜100上的磁极对应区4。相邻的两个磁体200朝向振膜100的磁极相反，图2中的N和S表示，磁体200 朝向振膜100的磁极。

在使用时，发音单元设置在音响设备的壳体内，筒状结构的轴向的两端可以呈三种状态，一种状态是筒状结构的轴向的两端封闭，即发声腔300的开口处于封闭状态，也可以称为发声腔300的内部被完全封闭，这种结构下，振膜 100依靠发声腔300的外侧发声，振膜100呈环状封闭，相当于只有单面，振膜 100前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

另一种状态是筒状结构的周向外周被封闭，轴向的两端开放，即发声腔300 的开口处于敞开状态，发声腔300的外周封闭，这种结构下，振膜100依靠发声腔300的内部发声，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着筒状结构的径向方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从筒状结构的轴向方向传出。由于振膜100的外周封闭，声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，声音不光没有前后面抵消，同时还做了加强，从发声腔300的中空部分发出，发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

再一种状态是筒状结构的周向外周及轴向的两端均没有被封闭，这种结构下，振膜100依靠发声腔300的外侧发声，降低振膜100前后面低音的损失。本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜100在磁体200的磁场作用下产生振动时，向发声腔300内及向发声腔300外振动，振膜100前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖，适用于较小的桌面音响。

下面对发声单元不同的发声方式进行详细介绍。

首先介绍的是，发声腔300的开口封闭的情况。参见图3及图4，为了实现振膜100及磁体200的安装，保持相应的设置位置，本申请实施例中，发声单元还包括箱体500，箱体500呈配合第一结构的第三结构，振膜100与磁体200 均设置在箱体500上。箱体500上设有密封结构，密封结构包括但不限于为封盖501，密封结构密封发声腔300的开口，以使发声腔300呈密封结构，振膜 100发出的声音从发声腔300外侧传出，或者，密封结构密封设置在发声腔300 的外侧，以使发声腔300的开口呈敞开状态，振膜100发出的声音从发声腔300 的开口传出。

结合图1及图2，参见图3及图4，举例来说，振膜100呈筒状结构，磁体 200为条形磁铁，多个条形磁铁沿着筒状结构的周向方向间隔布置并分别对应振膜100上的磁极对应区4。相邻的两个磁体200朝向振膜100的磁极相反。振膜 100级磁体200均设置在箱体500上，筒状结构的轴向的两端封闭，封闭的方式包括多种，一种可实现的方式是，筒状结构的一端通过与振膜100的材质相近的膜封盖，筒状结构的另一端通过封盖501密封，从而使得发声腔300的两端开口处于封闭状态，也可以称为发声腔300的内部被完全封闭，筒状结构的内部设置有可消耗声能或者多角度反射声波的结构，这种结构下，振膜100依靠发声腔300的外侧发声，振膜100呈环状封闭，相当于只有单面，振膜100前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

另一种发声腔300呈封闭状态的实现方式是，参见图5，振膜100呈球形结构，即第一结构为球形结构，发声腔300即为球形结构的内腔。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100膨胀及内缩的振动，发声腔300的内部封闭，依靠发声腔300的外部发声。发声腔 300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，不会损失低音。需要说明的是，本申请实施例中所述的球形结构，并不仅指为圆形的球状，还可以指为类似于球形的结构，本申请实施例中的球形结构包括但不限于为圆形球体，正N面体，N大于等于12。

举例来说，参见图5，一种可实现的球形结构为包括六个矩形和八个六边形组成的立体结构，形状接近圆形球体，每个顶点作为一个磁极对应区4，对应设置有磁体200或磁体组5，如，每个顶点处可设置一个磁体组5，每个磁体组5 由两个磁极对顶的磁体组5成，通电电路的设计遵循：电流经过每两个顶点之间的连线有且只有一次，且电流通过时，沿电流流动方向的电流左侧的磁体200 的磁极不发生变化，如始终为N极，相应地右侧也不发生变化，如始终是S极。

再一种发声腔300呈封闭状态的实现方式是，参见图6，第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，筒状结构段的至少一端设有半球形结构段。筒状结构可一端设有半球形结构段，也可以两端均设有半球形结构段。半球形结构段将筒状结构段的两端进行密封，使得发声腔300的内部呈封闭状态，振膜100振动时，振膜100前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

下面介绍的是，发声腔300的外侧封闭的情况。结合图1及图2，参见图7，箱体500呈配合第一结构的第三结构，箱体500的一部分结构围绕振膜100的外周设置，形成密封结构。发声腔300的开口呈敞开状态，振膜100发出的声音从发声腔300的开口传出。

继续参见图7，仍以振膜100为筒状结构为例，振膜100在振动时，同时向内或同时向外，这样振膜100振动发声在内部就会产生叠加的效果，而此时在振膜100背面，也就是振膜100与箱体500之间的空间内振动的声音被箱体500 阻隔，同时配合磁体200之间的隔音结构400，声音被吸收，这样就可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。振膜100依靠发声腔300的内部发声，声波从筒状结构的轴向方向的开口传出。由于振膜100的外周封闭，声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，声音不光没有前后面抵消，同时还做了加强，从发声腔300的中空部分发出，发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

振膜100除了可以为筒状结构之外，振膜100还可以呈其他形状结构，例如，一种可实现的方式是，参见图8，第一结构为U型结构，发声腔300为U 型结构的内腔。箱体500上的密封结构设置在振膜100的外周，阻挡振膜100 从外部发声。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着U型结构的内外方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从U型结构的开口端传出。发声腔300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，内部声波在U型结构的内腔内加强。发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

振膜100的另一种可实现的方式是，参见图9，第一结构为矩形结构，发声腔300为矩形结构的内腔。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着矩形结构的内外方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从矩形结构的开口端传出。发声腔300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，内部声波在矩形结构的内腔内加强。发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

以上实施例中分别介绍了振膜100的发声腔300的开口处于封闭状态及发声腔300外侧处于封闭状态的情况，下面介绍一下，发声腔300均为开放式的实现方式。

参见图10a至图10f，本申请实施例中，振膜100可呈多种形状的第一结构，第一结构包括但不限于为U型结构、C型结构、B型结构、J型结构及S型结构中的一种。第一结构均包括发声腔300，发声腔300的数量根据不同的形状，可为一个、两个或者多个。在使用时，振膜100的外周及发声腔300的开口处均没有封闭，通过这种结构，依靠振膜100本身的结构形状，通过合理设计振膜 100边缘的形态，降低前后面低音的损失。

参见图10b，以第一结构为C型结构为例，在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着C型结构的内外方向振动，发声腔300内外(也可称为振膜100的前后面，发声腔300的内部为振膜100的前面，发声腔300的外部为振膜100的后面)产生的声波相位差为180°，声波在传播过程中，对于障碍物的绕射，低频区域(即L区域)比较高频区域(即H区域)更容易绕射，因此，在振膜100振动过程中虽然会损失部分低音，但是在声影区(即S区域)可以听到低音，因为在声影区没有干涉声波。通过改变振膜100的结构形状，能够有效扩大声影区，更有效地减小了声波干涉，降低了低音的损失。第一结构为U型结构、J型结构、B型结构及S 型结构时，发音方式及设置方式与上述内容相似，均可有效扩大声影区，以减少低音损失，此处不再一一赘述。

下面对本申请实施例中通过的磁体200的布置方式进行详细介绍。

本申请实施例中，多个磁体200的布置方式包括多种，一种可实现的方式是，参见图1及图2，磁体200可为单根，多个磁体200间隔设置。另一种可实现的方式是，参见图11及图12，多个磁体200中包括多个磁体组5，多个磁体 200间隔设置。

磁体200为单根设置时，一种可实现的方式是，多个磁体200中包括多个第一子磁体200a及多个第二子磁体200b，第一子磁体200a朝向振膜100的磁极与第二子磁体200b朝向振膜100的磁极相反。例如，第一子磁体200a以N 极朝向振膜100，第二子磁体200b以S极朝向振膜100。当然，也可以是，第一子磁体200a以S极朝向振膜100，第二子磁体200b以N极朝向振膜100。多个第一子磁体200a及多个第二子磁体200b的一种布置方式是，参见图1及图2，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b间隔设置在振膜100的同一侧，如多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b均设置在筒状结构的外侧。再一种布置方式是，参见图13，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b间隔且交错设置在振膜100的相背的两侧，如，多个第一子磁体200a间隔设置在振膜100的一侧(如上侧)，多个第一子磁体200a间隔布置，多个第二子磁体 200b间隔设置在振膜100的另一侧(如下侧)，相邻的两个第二子磁体200b之间间隔一个第一子磁体200a，相邻的两个第一子磁体200a之间间隔一个第二子磁体200b。

进一步地，当发声腔300为外侧封闭结构时，为加强发声腔300发出的声音的音强，参见图7至图9，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b间隔设置在振膜100的同一侧时，第一子磁体200a与第二子磁体200b之间设有隔音结构400。隔音结构400包括但不限于为隔音棉、隔音海绵等，振膜100在振动时，振膜100整体向发声腔300内或整体向发声腔300外振动，这样振膜100 振动产生的声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，而同时，在振膜100 的背面，也就是振膜100与磁体200之间的空间内振动的声音被隔音结构400 阻隔及吸收，避免声音传出，从而在发声腔300内可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

继续参见图11及图12，多个磁体200中包括多个磁体组5，每个磁体组5 包括一对同极对置的磁体200，且每一对磁体200之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个磁体组5之间设置通电间隙。振膜100穿设于对置间隙中，通电电路设置于通电间隙中。参见图12，以振膜100为筒状结构为例，成对的磁体200朝向振膜100的磁极相同，如都是通过N极朝向振膜100，或者都是通过S极朝向振膜100。振膜100上的通电电路通电后，配合多个磁体组5产生的磁场，从而振膜100可沿着筒状结构的径向方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从筒状结构的轴向方向传出。进一步地，当发声腔300为外侧封闭结构时，为加强发声腔300发出的声音的音强，位于发声腔300外部的多个磁体200之间设有隔音结构400。当发声腔300为开口封闭结构时，为加强发声腔300外部发出的声音的音强，位于发声腔300内部的多个磁体200之间设有隔音结构400。

本申请实施例中，振膜100可呈多种形状的第一结构，第一结构包括但不限于为筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种。第一结构呈现的多个形状均包括发声腔300，发声腔 300的数量根据不同的形状，可为一个、两个或者多个。无论振膜100呈何种结构，磁体200的布置方式可为单根布置，或者以磁体组5的方式进行布置。

以第一结构为筒状结构为例，第一结构为筒状结构时，参见图1至图4，多个磁体200可间隔布置在筒状结构的外周，或者，参见图7及图12，多个磁体组5周向间隔布置，或者，参见图13，多个磁体200沿着筒状结构的周向方向，内外的交错间隔布置。

参见图8，以第一结构为U型结构为例，第一结构为U型结构时，多个磁体200可间隔布置在U型结构的外周，相邻的磁体200之间可设置隔音结构400，或者，多个磁体组5沿着U型结构的形状间隔布置，或者，多个磁体200沿着 U型结构的形状，内外的交错间隔布置。

参见图9，以第一结构为矩形结构为例，多个磁体200可间隔布置在矩形结构的外周，相邻的磁体200之间可设置隔音结构400，或者，多个磁体组5沿着矩形结构的形状间隔布置，或者，多个磁体200沿着矩形结构的形状，内外的交错间隔布置。第一结构为C型结构、J型结构、B型结构及S型结构时，发音方式及设置方式，与上述内容相似，此处不再一一赘述。

以第一结构为球形结构为例，参见图5，一种可实现的球形结构为包括六个矩形和八个六边形组成的立体结构，形状接近圆形球体，每个顶点作为一个磁极对应区4，对应设置有磁体200或磁体组5，如，每个顶点处可设置一个磁体组5，每个磁体组5由两个磁极对顶的磁体组5成，通电电路的设计遵循：电流经过每两个顶点之间的连线有且只有一次，且电流通过时，沿电流流动方向的电流左侧的磁体200的磁极不发生变化，如始终为N极，相应地右侧也不发生变化，如始终是S极。

参见图6，第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，筒状结构段的至少一端设有半球形结构段。筒状结构可一端设有半球形结构段，也可以两端均设有半球形结构段，磁体200设置的方式可参考上述内容中描述的设置方式，此处不再一一赘述。

为降低磁体200与磁体200之间的场强损失，参见图14，在本申请的一种可实现的实施例中，发音单元还包括多个导磁件6，导磁件6与相邻且朝向振膜 100的磁极相反的两个磁体200分别连接。导磁件6能有效引导磁体200与磁体 200之间所产生的磁场呈所需要的方向形成，从而降低场强损失。导磁件6包括但不限于为硅钢材料制成。

本申请实施例中，磁体200除了可按照如上述实施例中所示的方式排列之外，还包括另外的多种排列方式，参见图15，振膜100上的磁极对应区4可呈六边形结构排列，磁体200对应磁极对应区4设置，相邻的磁极对应区4处，磁体200朝向振膜100的磁极不同。图15中，磁极对应区4中的N或S，分别代表磁体200朝向振膜100的磁极为N极或S极。每个磁极对应区4可设置一个磁体200，或者一个磁体组5。导电膜2设置在相邻的磁极对应区4之间，多个导电膜2通过连通件3串联成一条完整的通电电路。通过在通电电路上施加电流信号，电流从通电电路的一端流向另一端，使得导电膜2在磁场中所受力的方向相同，从而使整个振膜100在同一时间内振动的幅度和方向相同。这种蜂窝结构可以很好地填满一个圆形结构，对于一些圆形的发音单元有更好的覆盖，磁极对应区4除了呈六边形排列之外，参见图16及图17，振膜100上的磁极对应区4还可呈矩形排列、菱形排列，且各种形状在实际应用中可以结合使用，例如，参见图5，球形振膜100的结构就采用了正六边形和正方形两种形状结合。当然，也可呈其他形状排列，此处不再一一赘述。

下面结合图1至图17，对本申请实施例中提供的振膜100的实现方式进行详细介绍。

参见图18及图19，本申请实施例中，振膜100的一种可实现方式是，振膜 100包括：至少一个绝缘膜1、多个导电膜2及多个连通件3。其中，绝缘膜1 上设有磁极对应区4。多个导电膜2中每个导电膜2至少与一个绝缘膜1连接，多个导电膜2间隔设置，每个导电膜2的两侧分别设有磁极对应区4。多个导电膜2通过多个连通件3串联，以形成通电电路。本申请实施例中，导电膜2所在区域即为导电区。

当通电电路通电之后，配合磁体200的磁场，振膜100发生振动，振膜100 在振动时，向发声腔300内及向发声腔300外振动，使得声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源，可以用较小的体积实现全音域的覆盖。绝缘膜1具有绝缘的作用，可将导电膜2有效分隔成多个，避免多个导电膜2之间发生不按预定设计发生的连通。同时，绝缘膜1还具有一定的弹性，当振膜100在振动时，绝缘膜1能进行一定的拉伸和收缩，以确保振膜100能够往复振动，并在停止通电后，回到初始位置。另外，通过合理设置每个振膜100的面积，由于在能量一定的情况下，振膜100的面积越大其振幅就越小，则能使每个振膜100也发出符合用户需求的低频音，从而使振膜100覆盖高中低音频谱。

本申请实施例中，导电膜2包括但不限于通过如下材料制成，导电膜2包括金、银、铜、铁、铝、石墨、石墨烯、碳纤维、高分子材料及复合材料的其中一种。不同的材料具有不同的性能及音色，通过选用不同的材料制作不同的导电膜2，能满足不同用户的需要。

进一步地，为了使绝缘材料具备一定的弹性及绝缘性能，同时还能为导电膜2提供一定的支撑性。绝缘膜1包括但不限于为通过氨纶材料、硅胶材料、橡胶材料、聚酯薄膜、聚酯纤维或其他高分子材料的其中一种制成。

在本申请实施例中，根据不同的需求，振膜100的实现方式也包括多种，参见图20及图21，绝缘膜1可包括一个，参见图22，绝缘膜1也可包括两个，参见图23至图25，绝缘膜1也可包括多个。不同的绝缘膜1设置方式下，导电膜2与绝缘膜1的连接方式也不相同。下面分别进行介绍。

参见图20，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个导电膜2均与第一面11连接。多个导电膜2间隔设置，并通过多个连通件3串联，相邻的导电膜2之间间隔的距离可以相同也可以不同。每一个导电膜2的两侧设有磁极对应区4，(图20中虚线框所处区域为磁极对应区4，且图20中只出示部分的磁极对应区4，其他位置的磁极对应区4未在图20中示出并不代表其不存在，同时虚线框的面积大小并不代表磁极对应区4的面积大小，其只是用来表示磁极对应区4相对于振膜100的位置关系)，并且磁极对应区4同时分布在绝缘膜1的第一面11及第二面12。多个导电膜2与绝缘膜1 的连接方式包括多种，一种可实现的方式是多个导电膜2通过胶粘的方式与绝缘膜1连接，再一种可实现的方式是通过在绝缘膜1上粘覆一层导电膜2的材料，然后通过蚀刻的方式在绝缘膜1上蚀刻出多个导电膜2。

参见图21，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，多个导电膜2中包括多个第一子膜201及多个第二子膜202，多个第一子膜201设置在第一面11上，多个第二子膜202设置在第二面12上，第一子膜201与第二子膜202间隔设置。多个第一子膜201间隔设置在绝缘膜1的第一面11，相邻的两个第一子膜201之间间隔一个第二子膜202，多个第二子膜 202间隔设置在绝缘膜1的第二面12，相邻的两个第二子膜202之间间隔一个第一子膜201，从而使得多个第一子膜201及多个第二子膜202上下交错设置，即第一子膜201与第二子膜202不但在横向方向上间隔设置，同时也在竖向方向上间隔设置(图21中，绝缘膜1的左右方向限定为横向方向，绝缘膜1的厚度方向限定为竖向方向)，相邻的第一子膜201与第二子膜202通过多个连通件3串联。相邻的第一子膜201与第二子膜202在横向方向上的间隔距离可以相同也可以不同，同时，对应的磁极对应区4的横向方向上的宽度也可以相同或不同。在本申请实施例提供的技术方案中，由于每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，当每个导电膜2的面积较大时，位于磁极对应区4的磁体200依然能为导电膜2提供较强的磁场。

参见图22，在本申请所提供的一种可实现的实施例中，绝缘膜1包括层叠设置的两个，多个导电膜2设置在两个绝缘膜1之间。多个导电膜2间隔设置，并通过多个连通件3串联，每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，将导电膜 2设置在两层绝缘膜1之间，能有效隔绝空气与导电膜2接触，延长导电膜2的使用寿命，同时还能增加振膜100的结构强度。进一步地，为将相邻的导电膜2 更好的隔绝，相邻的两个导电膜2之间设置绝缘结构。绝缘结构可以绝缘膜1 为同一材质制成。

参见图23至图25，绝缘膜1包括多个，多个绝缘膜1与多个导电膜2依次间隔连接。一个导电膜2的两侧分别连接一个绝缘膜1，同时一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2，从而制成一整体结构的振膜100。当然，位于振膜100 边缘处的绝缘膜1只与一个导电膜2连接，位于振膜100边缘处的绝缘膜1用于与箱体500连接。

绝缘膜1为多个时，导电膜2的一种连接方式是，参见图23，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，及设置位于第一面11与第二面12之间的侧面。多个导电膜2均与第一面11连接。导电膜2的两端分别连接两个绝缘膜 1，绝缘膜1的第一面11的两端分别与两个导电膜2连接。多个导电膜2大致处于同一平面上，多个绝缘膜1也大致处于同一平面上，且导电膜2所在的平面与绝缘膜1所在的平面不在同一平面且相互平行。

参见图24，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，及设置位于第一面11与第二面12之间的侧面。多个导电膜2均与侧面连接。振膜100为一层结构，多个导电膜2与多个绝缘膜1大致处于同一平面上。一个导电膜2 的两侧分别连接两个绝缘膜1，同样一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2。

参见图25，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，导电膜2的两侧分别设置有绝缘膜1，导电膜2与其中一个绝缘膜1的第一面11连接，与另一个绝缘膜1的第二面12连接。导电膜2位于两个绝缘膜1之间，导电膜2 的分别与两个绝缘膜1连接，即导电膜2一端的上表面与一个绝缘膜1的第二面12连接，导电膜2一端的下表面与另一个绝缘膜1的第一面11连接。

参见图18及图19，在本申请的一些可实现的实施例中，根据不同的需求，连通件3的实现方式包括多种，连通件3的一种可实现方式是，连通件3包括设置在绝缘膜1上的连通膜。连通膜的制作材质可以与导电膜2的制作材质相同，当然，也可以不同，只要能够实现导电作用即可。连通件3的另一种可实现方式是，连通件3包括但不限于为导电线。导电线可设置在绝缘膜1的外部，也可设置在绝缘膜1上。当振膜100在磁场中，且振膜100上的导电膜2中有电流通过时，振膜100才会振动，为使每个导电膜2都能有预先设定流通方向的电流通过，通过设置连通件3的连接方式，将多个导电膜2串联，从而完成电流流通的方向。由于相邻导电膜2处在方向不同的磁场中，所以为使多个导电膜2在同一时间的振动方向相同，相邻导电膜2中的电流方向则不同。通过连通件3的串联，就能使相邻的导电膜2流通的电流方向不同。

在本申请实施例中，为简化振膜100的结构，参见图19，连通件3为连通膜时，连通件3可设置在绝缘膜1上，同时连通件3横跨磁极对应区4实现两个导电膜2的连通，且使得电流在连通件3的流动方向与磁场方向相同或相反 (电流的流动方向并不垂直于磁场)，从而使得当连通件3中有电流通过时，连通件3并不会与磁场产生力的作用儿发生振动。

进一步地，为了减轻振膜100的重量，参见图18，连通件3可以为导电线，导电线的一端连接一个导电膜2的一端，另一端同时连接另一个导电膜2的一端，使得每个导电膜2分别与其两侧相邻的导电膜2实现串联，导电线设置在振膜100的外部，不会增加振膜100的重量。

进一步地，为了精准检测振膜100的振动频率及幅度，检测振膜100的振动频率及幅度也相当于检测发出声音的频率及音强，在本申请的一种可实现的实施例中，导电膜2上设有反馈导线，反馈导线沿通电电路中电流流动的方向延伸。反馈导线与导电膜2相互电路隔离(电路隔离是指反馈导线与导电膜2 相互绝缘，避免两者之间的电流干扰)设置，导电膜2上的电信号不会传导至反馈导线上，当导电膜2上有电信号时，导电膜2会在磁场的作用下发生振动，同时导电膜2上的反馈导线会随着导电膜2一同振动。由于反馈导线同样位于磁场中，其在振动的过程中，会沿着振动方向切割磁感线，并在反馈导线中产生感应电流(电压)，通过对感应电流(电压)进行检测，就能精准确定振膜 100的振动频率，从而能够检测到振膜100所发出声音的频率及音强，反馈电路在接收到感应电流的信号后，反馈电路能对音源信号和感应电流(电压)进行参数上的对比，从而完成对振膜发出声音精准性的检测。接着反馈电路通过信号放大器反馈调整信号电流的强度，从而使振膜发出的声音更加精准。为了使每一个导电膜2各位置处的振动的幅度尽量保持一致，参见图19及图26，在本申请的一些可实现的实施例中，每个导电膜2包括多个分段膜，多个分段膜均沿着通电电路中电流的流动方向延伸。从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向，多个分段膜间隔分布。每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，磁体200对应磁极对应区4设置，根据磁体200的磁场强度的规律，越靠近磁极对应区4的磁场强度越强，两个磁极对应区4中间位置的磁场强度最弱。由于导电膜2中的电流方向和大小相同，所以位于磁场强度更强处的导电膜2所受的磁场作用力越大，即导电膜2的振动幅度越大。通过将导电膜2分成多个分段膜，再通过设置不同分段膜的宽度，使得改变分段膜的重量，从而调整其在磁场中的振幅。

例如，当磁场强度影响不是很强时，从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向，多个分段膜的尺寸相等。当磁场强度影响较大时，越靠近磁极对应区4，分段膜的尺寸越大。可定义越靠近磁极对应区4的磁场强度为高场强区域，两个磁极对应区4中间位置的磁场强度弱场强区域。位于高场强区域的分段膜的宽度大，重量大，位于弱场强区域的分段膜的宽度小，重量小。即位于不同磁场强度的不同分段膜的宽度不同，不同宽度的分段膜的重量不同。分段膜的宽度设计除了磁场外还应考虑死重(死重是指需要导电膜2拉扯着振动的物体的重量，振膜100的死重是指绝缘膜1的重量，绝缘膜1本身不受磁场的作用力，需要导电膜2拉扯着振动，它的重量就算死重)、固定端拉扯以及阻尼。位于磁场强度较强处的分段膜宽度越大，即重量越重，位于磁场强度较弱处的分段膜宽度越小，即重量越轻。重量越大惯性越大，当导电膜2在振动时，惯性因素能有效抵消磁场强度不均匀所带来的影响，从而保证各分段膜在不均匀的磁场中振动幅度大致相同。同时这样的设计相当于增加了磁场中导电膜2 的长度，其有效提高了振膜100的振动效率。

在本申请实施例中，根据不同的需求，分段膜的设置方式包括多种，一种可实现的方式是，参见图26，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个分段膜均与第一面11连接，相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。以分段膜为三个为例，导电膜2分为三个依次间隔分布的分段膜，其分别为第一分段膜21、第二分段膜22及第三分段膜23，三个分段膜之间通过绝缘材料分隔开。第一分段膜21和第三分段膜23的宽度大于第二分段膜22的宽度，即第一分段膜21和第三分段膜23的重量大于第二分段膜22的重量。当在磁极对应区4设有磁体200时，第一分段膜21和第二分段膜22所处位置的磁场强度较大，使得第一分段膜21和第二分段膜22的振动幅度较大，通过增加第一分段膜21和第二分段膜22的宽度，从而使第一分段膜21和第二分段膜22的重量增大，第一分段膜21和第二分段膜22在振动时能抵消一部分磁场力的影响，相对减少振动幅度。第二分段膜22所处位置的磁场强度较小，使得第二分段膜22的振动幅度较小，通过减小第二分段膜22的宽度，从而使第二分段膜22的重量较轻，相对增大振动幅度，从而保证不同分段膜的振动幅度大致相同。

分段膜的另一种设置方式是，参见图27，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜，多个第一子段膜设置在第一面11上，多个第二子段膜设置在第二面12上，第一子段膜与第二子段膜间隔设置。仍以分段膜为三个为例，包括两个第一子段膜和一个第二子段膜，间隔的两个第一子段膜分别为第一分段膜21 及第三分段膜23，第二子段膜即为第二分段膜22，第一分段膜21和第三分段分别设置在绝缘膜1的第一面11，第二分段膜22设置在绝缘膜1的第二面12。通过在绝缘膜1的不同面设置不同的分段膜能有效使不同的分段膜隔绝开，从而使其不会相互影响。

进一步地，分段膜的再一种设置方式是，绝缘膜1包括层叠设置的两个，多个分段膜设置在两个绝缘膜1之间。导电膜2分成多个分段膜，不同分段膜大致位于同一平面上，其不同的分段膜相互间隔设置。在分段膜的上表面及下表面分别连接绝缘膜1，上下两层绝缘膜1能有效避免导电膜2与空气接触，从而使导电膜2的使用寿命延长。为使不同的分段膜之间绝缘，相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。

相应地，本申请实施例还提供了一种音响设备，包括：设备主体及设置在设备主体上的如上述实施例中的发音单元。音响设备包括但不限于为耳机、扩音器、音箱等。发音单元的实现方式可参考、借鉴上述实施例中的内容，此处不再一一赘述。

进一步地，在本申请的一种可实现的实施例中，参见图28，音响设备还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路。信号输入电路与信号放大器连接，信号放大器与发音单元连接。反馈电路分别与发音单元内的导电膜2上的反馈导线及信号放大器连接，用于向信号放大器反馈发音单元内的振膜100的振动频率。输入电路的输入端接收到一个音源信号后，将音源信号转换为相应的第一电信号，将第一电信号通过输入电路的输出端传输给信号放大器的输入端口。该第一电信号被信号放大器进行放大、滤波等处理后，在信号放大器上的输出端口会输出具有一定频率和强度的第二电信号给发音单元，第二电信号经振膜 100的通电电路作用在振膜100上，此时通电电路中的导电膜2通电，导电膜2 在磁场中会发生一定频率和强度振动，从而发出具有一定频率和音强的声音。

振膜100在振动的过程中，设置在导电膜2上的反馈导线，会随导电膜2 一起振动。由于反馈导线在振动的过程中，会产生相应的感应电流，该感应电流能准确反应出振膜100发出声音频率和音强。反馈电路在接收到感应电流的信号后，反馈电路能对音源信号转换的第一电信号和感应电流进行对比，从而完成对振膜100发出声音精准性的检测。接着反馈电路将检测结果反馈到信号放大器，信号放大器根据检测结果调整第二电信号，从而使振膜100发出的声音更加精准。

在本申请的另一个实施例中，信号放大器包括有反馈处理电路，信号放大器除了有信号放大的功能还有处理音源信号与感应电流的能力。输入电路的输出端与信号放大器的输入端口连接，同时信号放大器的输出端口与振膜100上的通电电路连接，反馈导线与信号放大器的输入端口连接。当振膜100在振动时，反馈导线中产生的感应电流直接传导给信号放大器，信号放大器中的反馈处理电路处理后，则信号放大器会输出新的信号电流，振膜100在新的信号电流的作用下发出的声音更加精准。

本申请所提供的一种技术方案中，反馈电路或信号放大器可以直接实时地从反馈导线中获得的电流(电压)详细参数，从而间接地判断播放出来的声音准确性。反观现有常见的音响反馈系统，通常是在播放端前获得的反馈电流(电压)的参数来对音响的信号电流做校正，这样的问题就在于信号在进入播放端后，播放端同样存在信号干扰或损失的情况，所以这类音响在播放端前获得的反馈信号其实并不能准确对信号电流做校正，播放端发出的声音也并不精准。而本申请所提供的一种技术方案中，可以在振膜100振动时获取实际的振动状态，通过反馈的电流(电压)的参数对发音信号进行调整，使音源输出更加稳定准确。

综上，本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜100在磁体200的磁场作用下产生振动时，向发声腔300内及向发声腔300外振动，振膜100前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积实现全音域的覆盖。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (22)

1.一种发音单元，其特征在于，包括：

振膜，所述振膜呈第一结构，所述第一结构具有至少一个发声腔，所述发声腔具有开口；所述振膜上设有多个磁极对应区及多个导电区，多个导电区串联成通电电路；

多个磁体，多个所述磁体呈与所述第一结构匹配的第二结构排列；多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。

2.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，还包括箱体，所述箱体呈配合所述第一结构的第三结构，所述振膜与所述磁体均设置在所述箱体上；

所述箱体上设有密封结构，所述密封结构密封所述发声腔的开口，以使所述发声腔呈封闭结构，所述振膜发出的声音从所述发声腔外侧传出；或者，

所述密封结构设置在所述发声腔的外侧，所述发声腔的开口呈敞开状态，所述振膜发出的声音从所述发声腔的开口传出。

3.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；

多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧。

4.根据权利要求3所述的发音单元，其特征在于，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。

5.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；

所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，所述第一结构包括筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种；或者

所述第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，所述筒状结构段的至少一端设有所述半球形结构段。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，还包括多个导磁件，所述导磁件与相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体分别连接。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，所述振膜包括：

至少一个绝缘膜，所述绝缘膜上设有磁极对应区；

多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；

多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。

9.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者

多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述第一面上，多个所述第二子膜设置在所述第二面上，所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。

10.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。

11.根据权利要求10所述的发音单元，其特征在于，相邻的两个所述导电膜之间设置绝缘结构。

12.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括多个，多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。

13.根据权利要求12所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面，及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者，多个所述导电膜均与所述侧面连接；或者，所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜，所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接，与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。

14.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜；或者

所述连通件包括导电线。

15.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述导电膜上设有反馈导线，所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。

16.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，每个所述导电膜包括多个分段膜，多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸；

从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜间隔分布。

17.根据权利要求16所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述分段膜均与所述第一面连接，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构；或者

多个所述分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜，多个所述第一子段膜设置在所述第一面上，多个所述第二子段膜设置在所述第二面上，所述第一子段膜与所述第二子段膜间隔设置。

18.根据权利要求16所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个分段膜设置在两个所述绝缘膜之间。

19.根据权利要求18所述的发音单元，其特征在于，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构。

20.根据权利要求16所述的发音单元，其特征在于，从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜的尺寸相等，或者，越靠近所述磁极对应区，所述分段膜的尺寸越大。

21.一种音响设备，其特征在于，包括：设备主体及设置在所述设备主体上的如权利要求1至权利要求20中任一项所述的发音单元。

22.根据权利要求21所述的音响设备，其特征在于，还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路；

所述信号输入电路与所述信号放大器连接，所述信号放大器与所述发音单元连接；

所述反馈电路分别与所述发音单元内的导电膜上的反馈导线及所述信号放大器连接，用于向所述信号放大器反馈所述发音单元内的振膜的振动频率。

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