CN217011177U - 一种振膜及音响设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种振膜及音响设备，振膜包括：至少一个绝缘膜，绝缘膜为通过粘弹性材料制成的开放网或非开放膜；绝缘膜具有连接端，连接端上设有粘弹性连接结构；绝缘膜上设有磁极对应区；多个导电膜，每个导电膜至少与一个绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个导电膜的两侧分别设有磁极对应区；多个连通件，多个导电膜通过多个连通件串联，以形成通电电路。本申请实施例提供的技术方案中，粘弹性连接结构可吸收振膜传递过来的振动能量，减少反震对振膜自身振动带来的负面影响，粘弹性连接结构以及绝缘膜(网)为振膜提供张力，以及振动方向上的位移，提高振膜的振幅，减少声音产生时域上的延迟，以在声音播放时更好地展现出原声的状态。

Description

一种振膜及音响设备

技术领域

本申请涉及发声设备技术领域，尤其涉及一种振膜及音响设备。

背景技术

传统音箱中，由于受力振动元件(纸盆)和驱动元件(线圈)不是同一个，线圈驱动纸盆振动，所以无法实现单一元件覆盖全音域，所以很多音箱采用分频器使用多个单元，以覆盖更全的音域。

而现有技术中在试图使用单一元件制作的扬声器的过程中，由于高音所需的振膜需要足够轻薄，导致在振膜需要大振幅发低音的时候，振膜的强度不够。为了不使振膜损坏，只能将低音设置在200Hz以上，损失了部分低音信息。同时，振膜在振动时，会产生的时域偏差(时域偏差是指振膜振动消减是一个过程，信号结束后振动并未完全消失，导致声音产生时域上的延迟)，导致声音在播放时最终的结果并不能完美地展现出原声的状态。

实用新型内容

为解决或改善上述问题，本申请实施例提供了一种振膜及音响设备。

在本申请的一个实施例中提供了一种振膜，包括：

至少一个绝缘膜，所述绝缘膜为通过粘弹性材料制成的开放网或非开放膜；所述绝缘膜具有连接端，所述连接端上设有粘弹性连接结构；所述绝缘膜上设有磁极对应区；

多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；

多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。

可选地，所述绝缘膜为具有粘弹性特性的氨纶开放网、硅胶膜、橡胶膜、聚酯膜、聚酯纤维膜中的一个。

可选地，所述粘弹性连接结构为粘弹性体胶。

可选地，所述导电膜上设有多个用于降低所述导电膜强度的减弱结构。

可选地，所述减弱结构包括褶皱结构和/或孔结构。

可选地，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者

多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述第一面上，多个所述第二子膜设置在所述第二面上，所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。

可选地，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。

可选地，所述绝缘膜包括多个，多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。

可选地，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面，及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者，多个所述导电膜均与所述侧面连接；或者，所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜，所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接，与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。

可选地，所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜；或者

所述连通件包括导电线。

可选地，所述导电膜上设有反馈导线，所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。

可选地，每个所述导电膜包括多个分段膜，多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸；

从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜间隔分布。

可选地，从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜的尺寸相等，或者，越靠近所述磁极对应区，所述分段膜的尺寸越大。

相应地，本申请实施例还提供了一种音响设备，包括：如上述中所述的振膜，以及

多个磁体，多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。

可选地，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；

所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。

可选地，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；

多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧。

可选地，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。

另外，可选地，还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路；

所述信号输入电路与所述信号放大器连接，所述信号放大器与所述振膜连接；

所述反馈电路分别与所述振膜内的导电膜上的反馈导线及所述信号放大器连接，用于向所述信号放大器反馈所述振膜内的振膜的振动频率。

本申请实施例提供的技术方案中，通过在绝缘膜上设置粘弹性连接结构，绝缘膜通过粘弹性连接结构进行固定连接，当振膜在振动时，通过粘弹性连接结构吸收振膜传递过来的振动能量，减少振动遇到固定点后逆向传播，对振膜自身振动带来的负面影响，粘弹性连接结构以及绝缘膜(网)为振膜提供张力，以及振动方向上的位移，提高振膜的振幅，减少低音损失，同时，减少声音产生时域上的延迟，以在声音播放时更好地展现出原声的状态。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的一种振膜的平面结构示意图；

图2为本申请一实施例提供的一种振膜的振动状态示意图；

图3为本申请一实施例提供的振膜的立体结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的振膜的俯视结构示意图；

图5至图12为本申请一实施例提供的振膜的多种实现方式的示意图；

图13为本申请一实施例提供的一种发音单元的立体结构示意图；

图14为本申请一实施例提供的一种发音单元的俯视结构示意图；

图15为本申请一实施例提供的一种带有箱体的发音单元的结构示意图；

图16为本申请一实施例提供的另一种带有箱体的发音单元的结构示意图；

图17为本申请一实施例提供的第一结构为球形结构时的结构示意图；

图18为本申请一实施例提供的第一结构为具有筒型结构段及半球形结构段时的结构示意图；

图19为本申请一实施例提供的一种隔音结构的发音单元的结构示意图；

图20为本申请一实施例提供的第一结构为U型结构时的结构示意图；

图21为本申请一实施例提供的第一结构为矩形结构时的结构示意图；

图22a至图22f为本申请一实施例提供的第一结构的多种实现方式示意图；

图23为本申请一实施例提供的另一种振膜与磁体排布方式示意图；

图24为本申请一实施例提供的另一种发音单元的俯视结构示意图；

图25为本申请一实施例提供的一种振膜与磁体排布方式示意图；

图26为本申请一实施例提供的导磁件的布置结构示意图；

图27至图29为本申请一实施例提供的振膜与磁体多种布置方式的示意图；

图30为本申请一实施例提供的一种音响设备的电路示意图；

图31为本申请一实施例提供的一种发音单元的主视结构示意图；

图32为本申请一实施例提供的一种发音单元的俯视结构示意图；

图33为本申请一实施例提供的另一种发音单元的主视结构示意图；

图34为本申请一实施例提供的另一种发音单元的俯视结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于方便描述不同的部件或名称，而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

图1为本申请一实施例提供的一种振膜的平面结构示意图，图2为本申请一实施例提供的一种振膜的振动状态示意图，参见图1及图2所示。

在本申请的一个实施例中提供了一种振膜100，包括：至少一个绝缘膜1、多个导电膜2及多个连通件3。其中，绝缘膜1为通过粘弹性材料制成的开放网或非开放膜。绝缘膜1具有连接端，连接端上设有粘弹性连接结构600。绝缘膜 1上设有磁极对应区4。每个导电膜2至少与一个绝缘膜1连接，多个导电膜2 间隔设置，每个导电膜2的两侧分别设有磁极对应区4。多个导电膜2通过多个连通件3串联，以形成通电电路。

在使用时，振膜100通过粘弹性连接结构600固定连接，如固定连接在音箱的壳体上，振膜100的磁极对应区4处对应设有磁体200，从而使得振膜100 处于磁场中，当通电电路通电之后，配合磁体200的磁场，振膜100发生振动，振膜100在振动时，振动的能量传递至粘弹性连接结构600上，一部分能量消耗于粘弹性连接结构600的粘弹性形变内部耗能，以热的形式放出，再一部分能量作为弹性贮存于粘弹性连接结构600，这样从振膜100传来的能量被粘弹性连接结构600吸收，反弹回振膜100的能量很小甚至消失。

本申请实施例提供的技术方案中，通过在绝缘膜1上设置粘弹性连接结构 600，绝缘膜1通过粘弹性连接结构600进行固定连接，当振膜100在振动时，通过粘弹性连接结构600可吸收振膜100传递过来的振动能量，减少反震对振膜100自身振动带来的负面影响，粘弹性连接结构以及绝缘膜(网)为振膜提供张力，以及振动方向上的位移，提高振膜100的振幅，减少低音损失，同时，减少声音产生时域上的延迟，以在声音播放时更好地展现出原声的状态。

本申请实施例中，为确保绝缘膜1的弹性性能，绝缘膜1的实现方式包括但不限于为具有粘弹性特性的氨纶开放网、硅胶膜、橡胶膜、聚酯膜、聚酯纤维膜中的一个。粘弹性连接结构600的实现方式包括但不限于为粘弹性体胶。导电膜2包括但不限于通过如下材料制成，导电膜2包括金、银、铜、铁、铝、石墨、石墨烯、碳纤维、高分子材料及复合材料的其中一种。不同的材料具有不同的性能及音色，通过选用不同的材料制作不同的导电膜2，能满足不同用户的需要。

举例来说，振膜100上的导电膜2可选用一种金属箔膜，以铝箔膜为例，选用铝箔膜作为导电膜2，导电膜2可通过胶粘的方式与绝缘膜1连接，或者通过蚀刻的方式在绝缘膜1上蚀刻出多个导电膜2。绝缘膜1选择氨纶开放网或非开放的硅胶膜，绝缘膜1与固定结构连接的一端，采用粘弹性体胶吸能。

参见图1，需要说明的是，图1中所示的方案中示出的铝箔膜以两条为例，此处仅为示例，实际上可以一条到无数条，不以此为限。铝箔膜之间通过连通件连通，使得多个导电膜2相互串联。绝缘膜1采用氨纶开放网或非开放硅胶膜，此处所述的开放网对应非开放结构，指的是绝缘膜1相背的两面是否是封闭结构，开放网即指两面为非封闭的网状，非开放结构即两面呈封闭的膜状结构，且此处的氨纶和硅胶膜仅为示例，本申请实施例中，绝缘膜1的制作材料还包括其他多种具有类似于氨纶属性的材料，开放网的设计可为单独横向线排布，或单独纵向线排布，或者横竖交织的网状结构，可设计横竖线的疏密来调整单位面积开放网的重量。开放网与铝箔膜之间依靠粘接胶满粘连接。氨纶开放网和非开放硅胶膜的弹性好，不光可以提供振膜100振动时所需张力，参见图2，也可以在振膜100振动的方向上提供y轴方向的位移。图2中，以振膜 100振动的方向为y轴，以振膜100长度方向为x轴，建立振动坐标系，振膜 100在振动坐标系中沿y轴方向振动，图2中虚线所示为振膜100振动时的所处的示意位置。

由于导电膜2在振动时会发生形变，使得自身会产生异响，本申请实施例中，可通过减弱整片导电膜2的强度，来消除这种异响。一种可实现的方式是，导电膜2上设有多个用于降低导电膜2强度的减弱结构。由于减弱结构的强度小于导电膜2其他区域的强度，在导电膜2振动产生形变时，导电膜2会优先通过减弱结构处形变，这样就会有效消除异响。减弱结构的实现方式包括多种，减弱结构包括但不限于为褶皱结构，或者孔结构，或者两者的组合。

仍以导电膜2为铝箔膜为例，举例来说，对铝箔膜做一些减弱膜体强度的工作，例如对铝箔膜进行揉搓、弯折、展开等动作，反复几次，使其产生微弱的金属疲劳，形成褶皱结构，这样大面积铝箔膜就会变成小单位铝箔膜较为微弱的连接。在振动产生形变时，铝箔膜体内会优先在弱连接处形变，这样就会有效消除异响。或者，为了减弱膜体结构在铝箔膜上扎小孔或者对其做化学腐蚀，例如硫酸铜对铝箔膜做一定的腐蚀使其产生细微小孔，等等，都可以消除铝箔在振动时自身发出的异响。当然，这仅仅是对于铝箔膜的操作，相应地，导电膜2通过其他材料制作时，也可以对其他任意金属箔膜做对应的操作，从而消除自身异响。

由于导电膜2的振动带动绝缘膜1一起振动，如果绝缘膜1与固定结构直接固定，此时在固定处振动就会沿着来的方向返回去，导致绝缘膜1带着上一波的振动参与到导电膜2自身的振动中去，也就是产生时域差，影响导电膜2 的振动。因此，在绝缘膜1的连接端上设置粘弹性连接结构600，如粘弹性体胶，绝缘膜1通过粘弹性体胶固定在固定结构(如音箱的壳体)上。振膜100在振动时，振动的能量传递至粘弹性连接结构600上，一部分能量消耗于粘弹性连接结构600的粘弹性形变内部耗能，以热的形式放出，再一部分能量作为弹性贮存于粘弹性连接结构600，这样从振膜100传来的能量被粘弹性连接结构600 吸收，反弹回振膜100的能量很小甚至消失。当然，在本申请的一些可实现的实施例中，粘弹性连接结构600也可设置在音响设备的壳体上，壳体通过粘弹性连接结构600连接振膜100，也可实现上述效果。

参见图3及图4，在本申请的一些可实现的实施例中，根据不同的需求，连通件3的实现方式包括多种，连通件3的一种可实现方式是，连通件3包括设置在绝缘膜1上的连通膜。连通膜的制作材质可以与导电膜2的制作材质相同，当然，也可以不同，只要能够实现导电作用即可。连通件3的另一种可实现方式是，连通件3包括但不限于为导电线。导电线可设置在绝缘膜1的外部，也可设置在绝缘膜1上。当振膜100在磁场中，且振膜100上的导电膜2中有电流通过时，振膜100才会振动，为使每个导电膜2都能有预先设定流通方向的电流通过，通过设置连通件3的连接方式，将多个导电膜2串联，从而完成电流流通的方向。由于相邻导电膜2处在方向不同的磁场中，所以为使多个导电膜2在同一时间的振动方向相同，相邻导电膜2中的电流方向则不同。通过连通件3的串联，就能使相邻的导电膜2流通的电流方向不同。

在本申请实施例中，为简化振膜100的结构，参见图1及图4，连通件3为连通膜时，连通件3可设置在绝缘膜1上，同时连通件3横跨磁极对应区4实现两个导电膜2的连通，且使得电流在连通件3的流动方向与磁场方向相同或相反(电流的流动方向并不垂直于磁场)，从而使得当连通件3中有电流通过时，连通件3并不会与磁场产生力的作用而发生振动。

进一步地，为了减轻振膜100的重量，参见图3，连通件3可以为导电线，导电线的一端连接一个导电膜2的一端，另一端同时连接另一个导电膜2的一端，使得每个导电膜2分别与其两侧相邻的导电膜2实现串联，导电线设置在振膜100的外部，不会增加振膜100的重量。

下面对本申请实施例中提供的振膜100的实现方式做进一步地详细介绍。

在本申请实施例中，根据不同的需求，振膜100的实现方式也包括多种，参见图5及图6，绝缘膜1可包括一个，参见图7，绝缘膜1也可包括两个，参见图8至图10，绝缘膜1也可包括多个，位于最外侧的绝缘膜1设有粘弹性连接结构600。不同的绝缘膜1设置方式下，导电膜2与绝缘膜1的连接方式也不相同。下面分别进行介绍。

参见图5，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个导电膜2均与第一面11连接。多个导电膜2间隔设置，并通过多个连通件3串联，相邻的导电膜2之间间隔的距离可以相同也可以不同。每一个导电膜2的两侧设有磁极对应区4，(图5中虚线框所处区域为磁极对应区4，且图5中只出示部分的磁极对应区4，其他位置的磁极对应区4未在图5中示出并不代表其不存在，同时虚线框的面积大小并不代表磁极对应区4的面积大小，其只是用来表示磁极对应区4相对于振膜100的位置关系)，并且磁极对应区4 同时分布在绝缘膜1的第一面11及第二面12。多个导电膜2与绝缘膜1的连接方式包括多种，一种可实现的方式是多个导电膜2通过胶粘的方式与绝缘膜1 连接，再一种可实现的方式是通过在绝缘膜1上粘覆一层导电膜2的材料，然后通过蚀刻的方式在绝缘膜1上蚀刻出多个导电膜2。

参见图6，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，多个导电膜2中包括多个第一子膜201及多个第二子膜202，多个第一子膜201设置在第一面11上，多个第二子膜202设置在第二面12上，第一子膜201与第二子膜202间隔设置。多个第一子膜201间隔设置在绝缘膜1的第一面11，相邻的两个第一子膜201之间间隔一个第二子膜202，多个第二子膜 202间隔设置在绝缘膜1的第二面12，相邻的两个第二子膜202之间间隔一个第一子膜201，从而使得多个第一子膜201及多个第二子膜202上下交错设置，即第一子膜201与第二子膜202不但在横向方向上间隔设置，同时也在竖向方向上间隔设置(图6中，绝缘膜1的左右方向限定为横向方向，绝缘膜1的厚度方向限定为竖向方向)，相邻的第一子膜201与第二子膜202通过多个连通件3串联。相邻的第一子膜201与第二子膜202在横向方向上的间隔距离可以相同也可以不同，同时，对应的磁极对应区4的横向方向上的宽度也可以相同或不同。在本申请实施例提供的技术方案中，由于每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，当每个导电膜2的面积较大时，位于磁极对应区4的磁体200依然能为导电膜2提供较强的磁场。

参见图7，在本申请所提供的一种可实现的实施例中，绝缘膜1包括层叠设置的两个，多个导电膜2设置在两个绝缘膜1之间。多个导电膜2间隔设置，并通过多个连通件3串联，每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，将导电膜 2设置在两层绝缘膜1之间，能有效隔绝空气与导电膜2接触，延长导电膜2的使用寿命，同时还能增加振膜100的结构强度。进一步地，为将相邻的导电膜2 更好的隔绝，相邻的两个导电膜2之间设置绝缘结构。绝缘结构可以绝缘膜1 为同一材质制成。

参见图8至图10，绝缘膜1包括多个，多个绝缘膜1与多个导电膜2依次间隔连接。一个导电膜2的两侧分别连接一个绝缘膜1，同时一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2，从而制成一整体结构的振膜100。当然，位于振膜100 边缘处的绝缘膜1只与一个导电膜2连接，位于振膜100边缘处的绝缘膜1用于与音响设备的壳体连接。

绝缘膜1为多个时，导电膜2的一种连接方式是，参见图8，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，及设置位于第一面11与第二面12之间的侧面。多个导电膜2均与第一面11连接。导电膜2的两端分别连接两个绝缘膜1，绝缘膜1的第一面11的两端分别与两个导电膜2连接。多个导电膜2大致处于同一平面上，多个绝缘膜1也大致处于同一平面上，且导电膜2所在的平面与绝缘膜1所在的平面不在同一平面且相互平行。

参见图9，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，及设置位于第一面11与第二面12之间的侧面。多个导电膜2均与侧面连接。振膜100为一层结构，多个导电膜2与多个绝缘膜1大致处于同一平面上。一个导电膜2的两侧分别连接两个绝缘膜1，同样一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2。

参见图10，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12，导电膜2的两侧分别设置有绝缘膜1，导电膜2与其中一个绝缘膜1的第一面11连接，与另一个绝缘膜1的第二面12连接。导电膜2位于两个绝缘膜1之间，导电膜2 的分别与两个绝缘膜1连接，即导电膜2一端的上表面与一个绝缘膜1的第二面12连接，导电膜2一端的下表面与另一个绝缘膜1的第一面11连接。

进一步地，为了精准检测振膜100的振动频率及幅度，检测振膜100的振动频率及幅度也相当于检测发出声音的频率及音强，在本申请的一种可实现的实施例中，导电膜2上设有反馈导线，反馈导线沿通电电路中电流流动的方向延伸。反馈导线与导电膜2相互电路隔离(电路隔离是指反馈导线与导电膜2 相互绝缘，避免两者之间的电流干扰)设置，导电膜2上的电信号不会传导至反馈导线上，当导电膜2上有电信号时，导电膜2会在磁场的作用下发生振动，同时导电膜2上的反馈导线会随着导电膜2一同振动。由于反馈导线同样位于磁场中，其在振动的过程中，会沿着振动方向切割磁感线，并在反馈导线中产生感应电流(电压)，通过对感应电流(电压)进行检测，就能精准确定振膜 100的振动频率，从而能够检测到振膜100所发出声音的频率及音强，反馈电路在接收到感应电流的信号后，反馈电路能对音源信号和感应电流(电压)进行参数上的对比，从而完成对振膜发出声音精准性的检测。接着反馈电路通过信号放大器反馈调整信号电流的强度，从而使振膜发出的声音更加精准。

为了使每一个导电膜2各位置处的振动的幅度尽量保持一致，参见图4及图11，在本申请的一些可实现的实施例中，每个导电膜2包括多个分段膜，多个分段膜均沿着通电电路中电流的流动方向延伸。从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向，多个分段膜间隔分布。每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4，磁体200对应磁极对应区4设置，根据磁体200的磁场强度的规律，越靠近磁极对应区4的磁场强度越强，两个磁极对应区4中间位置的磁场强度最弱。由于导电膜2中的电流方向和大小相同，所以位于磁场强度更强处的导电膜2所受的磁场作用力越大，即导电膜2的振动幅度越大。通过将导电膜2 分成多个分段膜，再通过设置不同分段膜的宽度，使得改变分段膜的重量，从而调整其在磁场中的振幅。

例如，当磁场强度影响不是很强时，从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向，多个分段膜的尺寸相等。当磁场强度影响较大时，越靠近磁极对应区4，分段膜的尺寸越大。可定义越靠近磁极对应区4的磁场强度为高场强区域，两个磁极对应区4中间位置的磁场强度弱场强区域。位于高场强区域的分段膜的宽度大，重量大，位于弱场强区域的分段膜的宽度小，重量小。即位于不同磁场强度的不同分段膜的宽度不同，不同宽度的分段膜的重量不同。分段膜的宽度设计除了磁场外还应考虑死重(死重是指需要导电膜2拉扯着振动的物体的重量，振膜100的死重是指绝缘膜1的重量，绝缘膜1本身不受磁场的作用力，需要导电膜2拉扯着振动，它的重量就算死重)、固定端拉扯以及阻尼。位于磁场强度较强处的分段膜宽度越大，即重量越重，位于磁场强度较弱处的分段膜宽度越小，即重量越轻。重量越大惯性越大，当导电膜2在振动时，惯性因素能有效抵消磁场强度不均匀所带来的影响，从而保证各分段膜在不均匀的磁场中振动幅度大致相同。同时这样的设计相当于增加了磁场中导电膜2 的长度，其有效提高了振膜100的振动效率。

在本申请实施例中，根据不同的需求，分段膜的设置方式包括多种，一种可实现的方式是，参见图11，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个分段膜均与第一面11连接，相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。以分段膜为三个为例，导电膜2分为三个依次间隔分布的分段膜，其分别为第一分段膜21、第二分段膜22及第三分段膜23，三个分段膜之间通过绝缘材料分隔开。第一分段膜21和第三分段膜23的宽度大于第二分段膜22的宽度，即第一分段膜21和第三分段膜23的重量大于第二分段膜22的重量。当在磁极对应区4设有磁体200时，第一分段膜21和第二分段膜22所处位置的磁场强度较大，使得第一分段膜21和第二分段膜22的振动幅度较大，通过增加第一分段膜21和第二分段膜22的宽度，从而使第一分段膜21和第二分段膜22的重量增大，第一分段膜21和第二分段膜22在振动时能抵消一部分磁场力的影响，相对减少振动幅度。第二分段膜22所处位置的磁场强度较小，使得第二分段膜22的振动幅度较小，通过减小第二分段膜22的宽度，从而使第二分段膜22的重量较轻，相对增大振动幅度，从而保证不同分段膜的振动幅度大致相同。

分段膜的另一种设置方式是，参见图12，绝缘膜1包括一个，绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12。多个分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜，多个第一子段膜设置在第一面11上，多个第二子段膜设置在第二面12上，第一子段膜与第二子段膜间隔设置。仍以分段膜为三个为例，包括两个第一子段膜和一个第二子段膜，间隔的两个第一子段膜分别为第一分段膜21 及第三分段膜23，第二子段膜即为第二分段膜22，第一分段膜21和第三分段分别设置在绝缘膜1的第一面11，第二分段膜22设置在绝缘膜1的第二面12。通过在绝缘膜1的不同面设置不同的分段膜能有效使不同的分段膜隔绝开，从而使其不会相互影响。

进一步地，分段膜的再一种设置方式是，绝缘膜1包括层叠设置的两个，多个分段膜设置在两个绝缘膜1之间。导电膜2分成多个分段膜，不同分段膜大致位于同一平面上，其不同的分段膜相互间隔设置。在分段膜的上表面及下表面分别连接绝缘膜1，上下两层绝缘膜1能有效避免导电膜2与空气接触，从而使导电膜2的使用寿命延长。为使不同的分段膜之间绝缘，相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。

基于本申请实施例提供的振膜100，参见图13及图14，相应地，本申请实施例还提供了一种音响设备，包括：如上述中的振膜100以及多个磁体200。多个磁体200分别对应磁极对应区4设置，通电电路位于相邻且朝向振膜100的磁极相反的两个磁体200之间。音响设备包括但不限于为耳机、扩音器、音箱等。振膜的实现方式可参考、借鉴上述实施例中的内容，此处不再一一赘述。

在使用时，振膜100通过粘弹性连接结构600固定连接在音响设备的壳体上，振膜100的磁极对应区4处对应设有磁体200，从而使得振膜100处于磁场中，当通电电路通电之后，配合磁体200的磁场，振膜100发生振动，振膜100 在振动时，振动的能量传递至粘弹性连接结构600上，一部分能量消耗于粘弹性连接结构600的粘弹性形变内部耗能，以热的形式放出，再一部分能量作为弹性贮存于粘弹性连接结构600，这样从振膜100传来的能量被粘弹性连接结构 600吸收，反弹回振膜100的能量很小甚至消失。

本申请实施例中，振膜100可呈垂直状态使用，如图2中所示，振膜100 可沿着y轴方向前后振动从而产生声音。进一步地，为使得振膜100发出的声音效果更好，振膜100的一种可实现方式是，继续参见图13及图14，振膜100 呈第一结构，第一结构具有至少一个发声腔300。多个磁体200呈与第一结构匹配的第二结构排列。多个磁体200分别对应磁极对应区4设置，通电电路位于相邻且朝向振膜100的磁极相反的两个磁体200之间。

振膜100也可呈其他形状使用，举例说明，以振膜100呈筒状结构为例，即第一结构为筒状结构，筒状结构围合的空间即为发声腔300，沿筒状结构的周向方向，振膜100上间隔设置有磁极对应区4及通电电路。磁体200为条形磁铁，多个条形磁铁沿着筒状结构的周向方向间隔布置并分别对应振膜100上的磁极对应区4。相邻的两个磁体200朝向振膜100的磁极相反，图14中的N和 S表示磁体200朝向振膜100的磁极。

在使用时，振膜及磁体形成发音单元，发音单元设置在音响设备的壳体内，筒状结构的轴向的两端可以呈三种状态，一种状态是筒状结构的轴向的两端封闭，即发声腔300的开口处于封闭状态，也可以称为发声腔300的内部被完全封闭，这种结构下，振膜100依靠发声腔300的外侧发声，振膜100呈环状封闭，相当于只有单面，振膜100前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

另一种状态是筒状结构的周向外周被封闭，轴向的两端开放，即发声腔300 的开口处于敞开状态，发声腔300的外周封闭，这种结构下，振膜100依靠发声腔300的内部发声，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着筒状结构的径向方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从筒状结构的轴向方向传出。由于振膜100的外周封闭，声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，声音不光没有前后面抵消，同时还做了加强，从发声腔300的中空部分发出，发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

再一种状态是筒状结构的周向外周及轴向的两端均没有被封闭，这种结构下，振膜100不仅依靠发声腔300的内部发声，同时依靠发声腔300的外侧发声，避免振膜100前后面声音的抵消，同时还做了加强，降低振膜100前后面低音的损失。本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜100在磁体200的磁场作用下产生振动时，向发声腔300内及向发声腔300外振动，振膜100前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

下面对发声单元不同的发声方式进行详细介绍。

首先介绍的是，发声腔300的开口封闭的情况。参见图15及图16，为了实现振膜100及磁体200的安装，保持相应的设置位置，本申请实施例中，发声单元还包括箱体500，箱体500呈配合第一结构的第三结构，振膜100与磁体 200均设置在箱体500上。箱体500上设有密封结构，密封结构包括但不限于为封盖501，密封结构密封发声腔300的开口，以使发声腔300呈密封结构，振膜 100发出的声音从发声腔300外侧传出，或者，密封结构密封设置在发声腔300 的外侧，以使发声腔300的开口呈敞开状态，振膜100发出的声音从发声腔300 的开口传出。

结合图13及图14，参见图15及图16，举例来说，振膜100呈筒状结构，磁体200为条形磁铁，多个条形磁铁沿着筒状结构的周向方向间隔布置并分别对应振膜100上的磁极对应区4。相邻的两个磁体200朝向振膜100的磁极相反。振膜100级磁体200均设置在箱体500上，筒状结构的轴向的两端封闭，封闭的方式包括多种，一种可实现的方式是，筒状结构的一端通过与振膜100的材质相近的膜封盖，筒状结构的另一端通过封盖501密封，从而使得发声腔300 的两端开口处于封闭状态，也可以称为发声腔300的内部被完全封闭，筒状结构的内部设置有可消耗声能或者多角度反射声波的结构，这种结构下，振膜100 依靠发声腔300的外侧发声，振膜100呈环状封闭，相当于只有单面，振膜100 前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

另一种发声腔300呈封闭状态的实现方式是，参见图17，振膜100呈球形结构，即第一结构为球形结构，发声腔300即为球形结构的内腔。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100膨胀及内缩的振动，发声腔300的内部封闭，依靠发声腔300的外部发声。发声腔300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，不会损失低音。需要说明的是，本申请实施例中所述的球形结构，并不仅指为圆形的球状，还可以指为类似于球形的结构，本申请实施例中的球形结构包括但不限于为圆形球体，正N面体，N大于等于12。

举例来说，参见图17，一种可实现的球形结构为包括六个矩形和八个六边形组成的立体结构，形状接近圆形球体，每个顶点作为一个磁极对应区4，对应设置有磁体200或磁体组5，如，每个顶点处可设置一个磁体组5，每个磁体组 5由两个磁极对顶的磁体组5成，通电电路的设计遵循：电流经过每两个顶点之间的连线有且只有一次，且电流通过时，沿电流流动方向的电流左侧的磁体200 的磁极不发生变化，如始终为N极，相应地右侧也不发生变化，如始终是S极。

再一种发声腔300呈封闭状态的实现方式是，参见图18，第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，筒状结构段的至少一端设有半球形结构段。筒状结构可一端设有半球形结构段，也可以两端均设有半球形结构段。半球形结构段将筒状结构段的两端进行密封，使得发声腔300的内部呈封闭状态，振膜100 振动时，振膜100前后的声波不会抵消，不会损失低音，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

下面介绍的是，发声腔300的外侧封闭的情况。结合图13及图14，参见图 19，箱体500呈配合第一结构的第三结构，箱体500的一部分结构围绕振膜100 的外周设置，形成密封结构。发声腔300的开口呈敞开状态，振膜100发出的声音从发声腔300的开口传出。

继续参见图19，仍以振膜100为筒状结构为例，振膜100在振动时，同时向内或同时向外，这样振膜100振动发声在内部就会产生叠加的效果，而此时在振膜100背面，也就是振膜100与箱体500之间的空间内振动的声音被箱体 500阻隔，同时配合磁体200之间的隔音结构400，声音被吸收，这样就可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。振膜100依靠发声腔300的内部发声，声波从筒状结构的轴向方向的开口传出。由于振膜100的外周封闭，声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，声音不光没有前后面抵消，同时还做了加强，从发声腔300的中空部分发出，发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

振膜100除了可以为筒状结构之外，振膜100还可以呈其他形状结构，例如，一种可实现的方式是，参见图20，第一结构为U型结构，发声腔300为U 型结构的内腔。箱体500上的密封结构设置在振膜100的外周，阻挡振膜100 从外部发声。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着U型结构的内外方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从U型结构的开口端传出。发声腔300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，内部声波在U型结构的内腔内加强。发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

振膜100的另一种可实现的方式是，参见图21，第一结构为矩形结构，发声腔300为矩形结构的内腔。在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着矩形结构的内外方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从矩形结构的开口端传出。发声腔300有效避免正反方向的声波干涉抵消，有效保护低音，内部声波在矩形结构的内腔内加强。发声腔300的中空部分没有实物声源，所以这更像是一个虚拟声源，从而可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

以上实施例中分别介绍了振膜100的发声腔300的开口处于封闭状态及发声腔300外侧处于封闭状态的情况，下面介绍一下，发声腔300均为开放式的实现方式。

参见图22a至图22f，本申请实施例中，振膜100可呈多种形状的第一结构，第一结构包括但不限于为U型结构、C型结构、B型结构、J型结构及S型结构中的一种。第一结构均包括发声腔300，发声腔300的数量根据不同的形状，可为一个、两个或者多个。在使用时，振膜100的外周及发声腔300的开口处均没有封闭，通过这种结构，依靠振膜100本身的结构形状，通过合理设计振膜 100边缘的形态，降低前后面低音的损失。

参见图22b，以第一结构为C型结构为例，在使用时，振膜100上的通电电路通电，配合多个磁体200产生的磁场，从而振膜100可沿着C型结构的内外方向振动，发声腔300内外(也可称为振膜100的前后面，发声腔300的内部为振膜100的前面，发声腔300的外部为振膜100的后面)产生的声波相位差为180°，声波在传播过程中，对于障碍物的绕射，低频区域(即L区域)比较高频区域(即H区域)更容易绕射，因此，在振膜100振动过程中虽然会损失部分低音，但是在声影区(即S区域)可以听到低音，因为在声影区没有干涉声波。通过改变振膜100的结构形状，能够有效扩大声影区，更有效地减小了声波干涉，降低了低音的损失。第一结构为U型结构、J型结构、B型结构及S 型结构时，发音方式及设置方式与上述内容相似，均可有效扩大声影区，以减少低音损失，此处不再一一赘述。

下面对本申请实施例中通过的磁体200的布置方式进行详细介绍。

本申请实施例中，多个磁体200的布置方式包括多种，一种可实现的方式是，参见图13及图14，磁体200可为单根，多个磁体200间隔设置。另一种可实现的方式是，参见图23及图24，多个磁体200中包括多个磁体组5，多个磁体200间隔设置。

磁体200为单根设置时，一种可实现的方式是，多个磁体200中包括多个第一子磁体200a及多个第二子磁体200b，第一子磁体200a朝向振膜100的磁极与第二子磁体200b朝向振膜100的磁极相反。例如，第一子磁体200a以N 极朝向振膜100，第二子磁体200b以S极朝向振膜100。当然，也可以是，第一子磁体200a以S极朝向振膜100，第二子磁体200b以N极朝向振膜100。多个第一子磁体200a及多个第二子磁体200b的一种布置方式是，参见图13及图 14，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b间隔设置在振膜100的同一侧，如多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b均设置在筒状结构的外侧。再一种布置方式是，参见图25，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b 间隔且交错设置在振膜100的相背的两侧，如，多个第一子磁体200a间隔设置在振膜100的一侧(如上侧)，多个第一子磁体200a间隔布置，多个第二子磁体200b间隔设置在振膜100的另一侧(如下侧)，相邻的两个第二子磁体200b 之间间隔一个第一子磁体200a，相邻的两个第一子磁体200a之间间隔一个第二子磁体200b。

进一步地，当发声腔300为外侧封闭结构时，为加强发声腔300发出的声音的音强，参见图19至图21，多个第一子磁体200a与多个第二子磁体200b间隔设置在振膜100的同一侧时，第一子磁体200a与第二子磁体200b之间设有隔音结构400。隔音结构400包括但不限于为隔音棉、隔音海绵等，振膜100在振动时，振膜100整体向发声腔300内或整体向发声腔300外振动，这样振膜 100振动产生的声音在发声腔300的内部就会产生叠加的效果，而同时，在振膜 100的背面，也就是振膜100与磁体200之间的空间内振动的声音被隔音结构400阻隔及吸收，避免声音传出，从而在发声腔300内可以得到一个无论是低音还是高音都被加强了的音源。

继续参见图23及图24，多个磁体200中包括多个磁体组5，每个磁体组5 包括一对同极对置的磁体200，且每一对磁体200之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个磁体组5之间设置通电间隙。振膜100穿设于对置间隙中，通电电路设置于通电间隙中。参见图24，以振膜100为筒状结构为例，成对的磁体200朝向振膜100的磁极相同，如都是通过N极朝向振膜100，或者都是通过S极朝向振膜100。振膜100上的通电电路通电后，配合多个磁体组5产生的磁场，从而振膜100可沿着筒状结构的径向方向振动，使得发声腔300的内部空气受挤压振动产生声波，声波从筒状结构的轴向方向传出。进一步地，当发声腔300为外侧封闭结构时，为加强发声腔300发出的声音的音强，位于发声腔300外部的多个磁体200之间设有隔音结构400。当发声腔300为开口封闭结构时，为加强发声腔300外部发出的声音的音强，位于发声腔300内部的多个磁体200之间设有隔音结构400。

本申请实施例中，振膜100可呈多种形状的第一结构，第一结构包括但不限于为筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种。第一结构呈现的多个形状均包括发声腔300，发声腔 300的数量根据不同的形状，可为一个、两个或者多个。无论振膜100呈何种结构，磁体200的布置方式可为单根布置，或者以磁体组5的方式进行布置。

以第一结构为筒状结构为例，第一结构为筒状结构时，参见图13至图16，多个磁体200可间隔布置在筒状结构的外周，或者，参见图19及图24，多个磁体组5周向间隔布置，或者，参见图25，多个磁体200沿着筒状结构的周向方向，内外的交错间隔布置。

参见图8，以第一结构为U型结构为例，第一结构为U型结构时，多个磁体200可间隔布置在U型结构的外周，相邻的磁体200之间可设置隔音结构400，或者，多个磁体组5沿着U型结构的形状间隔布置，或者，多个磁体200沿着 U型结构的形状，内外的交错间隔布置。

参见图21，以第一结构为矩形结构为例，多个磁体200可间隔布置在矩形结构的外周，相邻的磁体200之间可设置隔音结构400，或者，多个磁体组5沿着矩形结构的形状间隔布置，或者，多个磁体200沿着矩形结构的形状，内外的交错间隔布置。第一结构为C型结构、J型结构、B型结构及S型结构时，发音方式及设置方式，与上述内容相似，此处不再一一赘述。

以第一结构为球形结构为例，参见图17，一种可实现的球形结构为包括六个矩形和八个六边形组成的立体结构，形状接近圆形球体，每个顶点作为一个磁极对应区4，对应设置有磁体200或磁体组5，如，每个顶点处可设置一个磁体组5，每个磁体组5由两个磁极对顶的磁体组5成，通电电路的设计遵循：电流经过每两个顶点之间的连线有且只有一次，且电流通过时，沿电流流动方向的电流左侧的磁体200的磁极不发生变化，如始终为N极，相应地右侧也不发生变化，如始终是S极。

参见图18，第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，筒状结构段的至少一端设有半球形结构段。筒状结构可一端设有半球形结构段，也可以两端均设有半球形结构段，磁体200设置的方式可参考上述内容中描述的设置方式，此处不再一一赘述。

为降低磁体200与磁体200之间的场强损失，参见图26，在本申请的一种可实现的实施例中，发音单元还包括多个导磁件6，导磁件6与相邻且朝向振膜 100的磁极相反的两个磁体200分别连接。导磁件6能有效引导磁体200与磁体 200之间所产生的磁场呈所需要的方向形成，从而降低场强损失。导磁件6包括但不限于为硅钢材料制成。

本申请实施例中，磁体200除了可按照如上述实施例中所示的方式排列之外，还包括另外的多种排列方式，参见图27，振膜100上的磁极对应区4可呈六边形结构排列，磁体200对应磁极对应区4设置，相邻的磁极对应区4处，磁体200朝向振膜100的磁极不同。图27中，磁极对应区4中的N或S，分别代表磁体200朝向振膜100的磁极为N极或S极。每个磁极对应区4可设置一个磁体200，或者一个磁体组5。导电膜2设置在相邻的磁极对应区4之间，多个导电膜2通过连通件3串联成一条完整的通电电路。通过在通电电路上施加电流信号，电流从通电电路的一端流向另一端，使得导电膜2在磁场中所受力的方向相同，从而使整个振膜100在同一时间内振动的幅度和方向相同。这种蜂窝结构可以很好地填满一个圆形结构，对于一些圆形的发音单元有更好的覆盖，磁极对应区4除了呈六边形排列之外，参见图28及图29，振膜100上的磁极对应区4还可呈矩形排列、菱形排列，且各种形状在实际应用中可以结合使用，例如，参见图17，球形振膜100的结构就采用了正六边形和正方形两种形状结合。当然，也可呈其他形状排列，此处不再一一赘述。

进一步地，在本申请的一种可实现的实施例中，参见图30，音响设备还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路。信号输入电路与信号放大器连接，信号放大器与音响设备连接。反馈电路分别与音响设备内的导电膜2上的反馈导线及信号放大器连接，用于向信号放大器反馈音响设备内的振膜100的振动频率。输入电路的输入端接收到一个音源信号后，将音源信号转换为相应的第一电信号，将第一电信号通过输入电路的输出端传输给信号放大器的输入端口。该第一电信号被信号放大器进行放大、滤波等处理后，在信号放大器上的输出端口会输出具有一定频率和强度的第二电信号给音响设备，第二电信号经振膜 100的通电电路作用在振膜100上，此时通电电路中的导电膜2通电，导电膜2 在磁场中会发生一定频率和强度振动，从而发出具有一定频率和音强的声音。

振膜100在振动的过程中，设置在导电膜2上的反馈导线，会随导电膜2 一起振动。由于反馈导线在振动的过程中，会产生相应的感应电流，该感应电流能准确反应出振膜100发出声音频率和音强。反馈电路在接收到感应电流的信号后，反馈电路能对音源信号转换的第一电信号和感应电流进行对比，从而完成对振膜100发出声音精准性的检测。接着反馈电路将检测结果反馈到信号放大器，信号放大器根据检测结果调整第二电信号，从而使振膜100发出的声音更加精准。

在本申请的另一个实施例中，信号放大器包括有反馈处理电路，信号放大器除了有信号放大的功能还有处理音源信号与感应电流的能力。输入电路的输出端与信号放大器的输入端口连接，同时信号放大器的输出端口与振膜100上的通电电路连接，反馈导线与信号放大器的输入端口连接。当振膜100在振动时，反馈导线中产生的感应电流直接传导给信号放大器，信号放大器中的反馈处理电路处理后，则信号放大器会输出新的信号电流，振膜100在新的信号电流的作用下发出的声音更加精准。

本申请所提供的一种技术方案中，反馈电路或信号放大器可以直接实时地从反馈导线中获得的电流(电压)详细参数，从而间接地判断播放出来的声音准确性。反观现有常见的音响反馈系统，通常是在播放端前获得的反馈电流(电压)的参数来对音响的信号电流做校正，这样的问题就在于信号在进入播放端后，播放端同样存在信号干扰或损失的情况，所以这类音响在播放端前获得的反馈信号其实并不能准确对信号电流做校正，播放端发出的声音也并不精准。而本申请所提供的一种技术方案中，可以在振膜100振动时获取实际的振动状态，通过反馈的电流(电压)的参数对发音信号进行调整，使音源输出更加稳定准确。

进一步地，为使得振膜100及磁体200所形成发音单元的整体性更高，参见图31至图34，在本申请所提供的一个实施例中，振膜100及磁体200均集成安装在安装支架7上，通过安装支架7使得振膜100及磁体200可形成一个整体，提高发音单元的模块化程度，以便于发音单元的装配。

安装支架7的一种可实现方式是，安装支架7包括第一支架板76和第二支架板77，其中，第一支架板76与第二支架板77对置设置，且第一支架板76与第二支架板77之间设有安装间隙78。磁体组5设置在安装间隙78中，且每个磁体组5中的一个磁体200与第一支架板76连接，另一个磁体200与第二支架板77连接。磁体200有多种方式与不同的支架板(支架板代表第一支架板76 与第二支架板77)连接，例如磁体200可以通过胶粘的方式固定设置在支架板上，或者在支架板上设置有固定限位结构，磁体200安装在固定限位结构中。

进一步地，安装间隙78可根据磁体组5的实际大小而灵活设置，其可以通过第一支架板76与第二支架板77之间的连接结构来控制。例如，连接结构包括但不限于为螺栓，通过调整连接第一支架板76和第二支架板77的螺栓的长度，从而使安装间隙78的大小发生改变。同时第一支架板76和第二支架板77 上设有透音结构，当振膜100发声时，声音穿过支架板被用户所听到。通过在支架板上设置透音结构，能有效解决声音被遮挡的问题。参见图31，支架板的一种实现方式是，支架板为回形结构，支架板中间的方形孔为透音结构。参见图33，支架板的另一种实现方式是，支架板上设置有多个方孔结构，多个方孔结构沿着支架板的长度方向间隔排列设置。同时在本申请的另一个实施例中，透音结构为在支架板上开设的多个孔结构，该孔结构可以为圆孔、方孔或异形孔。

进一步地，磁体组5设置在支架板之间的方式有多种情况，参见图31及图 32，在本申请的一个实施例中，每个磁体组5的长度方向与支架板的宽度方向相同，多个磁体组5沿支架板的长度方向间隔排列设置。同时在支架板的宽度方向上，除了可以设置一个磁体组5外，还可以并排设置多个(2个及2个以上) 磁体组5。参见图33及图34，在本申请的另一个实施例中，每个磁体组5的长度方向与支架板的长度方向相同，多个磁体组5沿支架板的宽度方向间隔排列设置。其中每个磁体组5中的磁体可以为一个长条形磁体，也可以为多个长条形磁体组5合成一个长度更长的长条形磁体。通过在安装间隙78中用不同的方式设置磁体组5，能使发音单元适应不同结构的振膜。综上，本申请实施例提供的技术方案中，通过在绝缘膜上设置粘弹性连接结构，绝缘膜通过粘弹性连接结构进行固定连接，当振膜在振动时，通过粘弹性连接结构吸收振膜传递过来的振动能量，减少反震对振膜自身振动带来的负面影响，通过粘弹性连接结构 600为振膜100提供足够的张力，提高振膜100的振幅，减少低音损失，同时，减少声音产生时域上的延迟，以在声音播放时更好地展现出原声的状态。同时，通电的振膜100在磁体200的磁场作用下产生振动时，向发声腔300内及向发声腔300外振动，振膜100前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (18)

1.一种振膜，其特征在于，包括：

至少一个绝缘膜，所述绝缘膜为通过粘弹性材料制成的开放网或非开放膜；所述绝缘膜具有连接端，所述连接端上设有粘弹性连接结构；所述绝缘膜上设有磁极对应区；

多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；

多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。

2.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述绝缘膜为具有粘弹性特性的氨纶开放网、硅胶膜、橡胶膜、聚酯膜、聚酯纤维膜中的一个。

3.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述粘弹性连接结构为粘弹性体胶。

4.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述导电膜上设有多个用于降低所述导电膜强度的减弱结构。

5.根据权利要求4所述的振膜，其特征在于，所述减弱结构包括褶皱结构和/或孔结构。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者

多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述第一面上，多个所述第二子膜设置在所述第二面上，所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，所述绝缘膜包括多个，多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。

9.根据权利要求8所述的振膜，其特征在于，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面，及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面；

多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者，多个所述导电膜均与所述侧面连接；或者，所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜，所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接，与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜；或者

所述连通件包括导电线。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，所述导电膜上设有反馈导线，所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的振膜，其特征在于，每个所述导电膜包括多个分段膜，多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸；

从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜间隔分布。

13.根据权利要求12所述的振膜，其特征在于，从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜的尺寸相等，或者，越靠近所述磁极对应区，所述分段膜的尺寸越大。

14.一种音响设备，其特征在于，包括：如权利要求1至13中任一项所述的振膜，以及

多个磁体，多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。

15.根据权利要求14所述的音响设备，其特征在于，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；

所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。

16.根据权利要求14所述的音响设备，其特征在于，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；

多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧。

17.根据权利要求16所述的音响设备，其特征在于，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。

18.根据权利要求14所述的音响设备，其特征在于，还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路；

所述信号输入电路与所述信号放大器连接，所述信号放大器与所述振膜连接；

所述反馈电路分别与所述振膜内的导电膜上的反馈导线及所述信号放大器连接，用于向所述信号放大器反馈所述振膜内的振膜的振动频率。

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