CN217116367U - 一种发音单元及音响设备 - Google Patents

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CN217116367U CN202122813263.2U CN202122813263U CN217116367U CN 217116367 U CN217116367 U CN 217116367U CN 202122813263 U CN202122813263 U CN 202122813263U CN 217116367 U CN217116367 U CN 217116367U
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China
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李�昊
袁泉
刘倩
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Beijing Dazhou Shengyang Technology Co.,Ltd.
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Tianjin Daguan Technology Co ltd
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Abstract

本申请实施例提供一种发音单元及音响设备,该发音单元包括:安装支架、多个磁体组及振膜,安装支架上具有磁体安装区及振膜安装区。多个磁体组设置在磁体安装区内并间隔分布,每个磁体组包括一对同极对置的磁体,且每一对磁体之间具有对置间隙,相邻且对置的磁极相反的两个磁体组之间设置电路间隙。振膜设置在振膜安装区内,振膜上设有多个磁极对应区及通电电路,振膜穿设于对置间隙中,每个磁体组均对应一个磁极对应区设置,通电电路设置于电路间隙中。本申请实施例提供的技术方案中,通过将多个磁体组设置在振膜上的磁极安装区内,则能实现将单位面积较大的振膜上的通电电路设置在较强的磁场中,从而使发音单元能有效覆盖高中低音频谱。

Description

一种发音单元及音响设备
技术领域
本申请涉及音响设备技术领域,尤其涉及一种发音单元及音响设备。
背景技术
传统音箱在设计上一般是通过磁场中的导电线圈带动纸盆振动产生声音,将电流转换为声音信号。但纸盆在振动过程中会消耗大量的能量用来抵消惯性,所以对于振动频率较高的信号,纸盆的能力受到限制,所以这样的属性就导致该设计更适用于低音信号。随着技术的发展一种带式扬声器越来越受到用户的欢迎,其原理是给放置在匀强磁场中的导电薄膜施加音频电流,当通电后的导电薄膜经过磁场时,会受磁场力的作用,通过改变音频电流方向和大小,则导电薄膜所受磁场力的方向和大小也改变,从而使导电薄膜受力振动并发出声音。
现如今,常规的带式扬声器能完美地重放高频和超高频的信号,且音色和音质独具特色,但是常规的带式扬声器并不能很好地发出低音,所以用户在使用常规的带式扬声器时,其并不能完美覆盖高中低音频谱,从而满足不了用户的使用需求。
实用新型内容
为解决或改善上述问题,本申请实施例提供了一种发音单元及音响设备。
在本申请的一个实施例中提供了一种发音单元,该发音单元包括:安装支架、多个磁体组及振膜,所述安装支架上具有磁体安装区及振膜安装区;
多个所述磁体组设置在所述磁体安装区内并间隔分布,每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体,且每一对所述磁体之间具有对置间隙,相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置电路安置区;
所述振膜设置在所述振膜安装区内,所述振膜上设有多个磁极对应区及通电电路,所述振膜穿设于所述对置间隙中,每个所述磁体组均对应一个磁极对应区设置,所述通电电路设置于所述电路安置区中。
优选地,所述磁体组沿所述安装支架的高度方向设置以形成磁体列,沿所述安装支架的宽度方向间隔排列有多个所述磁体列;
所述磁体列中设有一个所述磁体组,相邻所述的磁体列中的两个所述磁体组所对置的磁极相反;或者
所述磁体列中设有多个所述磁体组,多个所述磁体组沿所述安装支架的高度方向间隔排列,同一个所述磁体列中,相邻的两个所述磁体组对置的磁极相同,相邻所述的磁体列中的两个所述磁体组所对置的磁极相反。
优选地,还包括多个导磁件,多个所述导磁件沿所述安装支架的高度方向间隔布置,相邻的两个所述导磁件之间具有间隙;
所述导磁件沿所述安装支架的宽度方向延伸并横跨多个所述磁体列,并与相邻的所述磁体列中对置的磁极相反的所述磁体组分别连接。
优选地,所述磁体列背向所述振膜的一极上设有磁场导通件,所述导磁件与所述磁场导通件连接。
优选地,所述安装支架包括上支架板、下支架板及多对竖直板;
多对所述竖直板间隔设置在所述上支架板与所述下支架板之间,成对的两个所述竖直板之间具有容置间隙;
所述上支架板与所述下支架板中,至少一个上设有安装孔,所述安装孔沿多对所述竖直板的排列方向延伸,并与所述容置间隙对应;
所述竖直板朝向所述容置间隙的一侧为所述磁体安装区,所述容置间隙及所述安装孔形成所述振膜安装区。
优选地,所述安装支架包括第一支架板和第二支架板;
所述第一支架板与所述第二支架板对置设置,且所述第一支架板与所述第二支架板之间设有安装间隙;
所述磁体组设置在所述安装间隙中,且每个所述磁体组中的一个所述磁体与所述第一支架板连接,另一个所述磁体与所述第二支架板连接;
所述第一支架板和所述第二支架板上设有透音结构。
优选地,所述振膜包括:
至少一个绝缘膜,所述绝缘膜上设有磁极对应区;
多个导电膜,每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接,多个导电膜间隔设置,每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区;
多个连通件,多个所述导电膜通过多个所述连通件串联,以形成通电电路。
优选地,所述绝缘膜包括一个,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面;
多个所述导电膜均与所述第一面连接;或者
多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜,多个所述第一子膜设置在所述第一面上,多个所述第二子膜设置在所述第二面上,所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。
优选地,所述绝缘膜包括层叠设置的两个,多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。
优选地,相邻的两个所述导电膜之间设置绝缘结构。
优选地,所述绝缘膜包括多个,多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。
优选地,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面,及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面;
多个所述导电膜均与所述第一面连接;或者,多个所述导电膜均与所述侧面连接;或者,所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜,所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接,与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。
优选地,所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜;或者
所述连通件包括导电线。
优选地,所述导电膜上设有反馈导线,所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。
优选地,每个所述导电膜包括多个分段膜,多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸;
从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向,多个所述分段膜间隔分布。
优选地,所述绝缘膜包括一个,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面;
多个所述分段膜均与所述第一面连接,相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构;或者
多个所述分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜,多个所述第一子段膜设置在所述第一面上,多个所述第二子段膜设置在所述第二面上,所述第一子段膜与所述第二子段膜间隔设置。
优选地,所述绝缘膜包括层叠设置的两个,多个分段膜设置在两个所述绝缘膜之间。
优选地,相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构。
优选地,从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向,多个所述分段膜的尺寸相等,或者,越靠近所述磁极对应区,所述分段膜的尺寸越大。
在本申请的另一个实施例中提供了一种音响设备,该音响设备包括:设备主体及设置在所述设备主体上的如上述的发音单元。
另外,优选地,音响设备还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路;
所述信号输入电路具有输入端和输出端,所述输入端用于接收外部输入信号,所述输出端与所述信号放大器连接;
所述信号放大器具有输入端口和输出端口,所述输入端口与所述输出端连接,所述输出端口与振膜上的所述通电电路连接;
所述导电膜上的所述反馈导线与所述反馈电路的一端连接,所述反馈电路的另一端与所述输入端口连接。
本申请实施例提供的技术方案中,通过将多个磁体组及振膜设置在安装支架上且相邻的磁体组之间设有电路间隙,振膜上设有多个磁极对应区,每一个磁体组均对应一个磁极对应区设置,振膜上的通电电路设置在电路间隙中,从而能实现将单位面积较大的通电电路设置在较强的磁场中。由于在能量一定的情况下,位于工作磁场中的通电电路的面积越大其振幅就越小,则在低音信号的驱动下通电电路也能发出符合用户需求的低频音,从而这种发音单元能覆盖高中低音频谱。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的发音单元的立体结构示意图;
图2为图1中A-A方向的剖视结构示意图;
图2a为本申请一实施例提供的发音单元的部分结构示意图;
图3为本申请一实施例提供的振膜的一种结构示意图;
图4为本申请一实施例提供的发音单元的右视结构示意图;
图5为本申请一实施例提供的发音单元的主视结构示意图;
图6为图5中A-A方向的剖视结构示意图;
图7为本申请一实施例提供的另一发音单元的主视结构示意图;
图8为本申请一实施例提供的另一发音单元的俯视结构示意图;
图9为本申请一实施例提供的另一种发音单元的主视结构示意图;
图10为本申请一实施例提供的另一种发音单元的俯视结构示意图;
图11为本申请一实施例提供的振膜的立体结构示意图;
图12为本申请一实施例提供的振膜的俯视结构示意图;
图13为本申请一实施例提供的振膜的另一种结构示意图;
图14为本申请一实施例提供的振膜的另一立体结构示意图;
图15为本申请一实施例提供的多个绝缘膜及多个导电膜结构示意图;
图16为本申请一实施例提供的多个绝缘膜及多个导电膜另一结构示意图;
图17为本申请一实施例提供的多个绝缘膜及多个导电膜另一种结构示意图;
图18为本申请一实施例提供的具有多个分段膜的振膜的立体结构示意图;
图19为本申请一实施例提供的具有多个分段膜的振膜的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于方便描述不同的部件或名称,而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
图1为本申请一实施例提供的发音单元的立体结构示意图,图2为图1中A-A方向的剖视结构示意图,图3为本申请一实施例提供的振膜的一种结构示意图。参见图1至图3,在本申请一实施例所提供了一种发音单元,该发音单元包括:安装支架7、多个磁体组5及振膜,安装支架7上具有磁体安装区及振膜安装区16。多个磁体组5设置在磁体安装区内并间隔分布,每个磁体组5包括一对同极对置的磁体,且每一对磁体之间具有对置间隙,相邻且对置的磁极相反的两个磁体组5之间设置电路安置区8。振膜设置在振膜安装区16内,振膜上设有多个磁极对应区4及通电电路15,且磁极对应区4分布在振膜的两侧,振膜穿设于对置间隙中,每个磁体组5均对应一个磁极对应区4设置,通电电路15设置于电路安置区8中(图中虚线框所处区域为电路安置区8,同时虚线框的面积大小并不代表电路安置区8的实际面积大小,其只是用来表示电路安置区8相对于振膜的位置关系),从而使得磁体组5能为通电电路15提供较强的磁场。
本申请实施例提供的技术方案中,通过将多个磁体组5及振膜设置在安装支架7上且相邻的磁体组5之间设有电路间隙,振膜上设有多个磁极对应区4,每一个磁体组5均对应一个磁极对应区4设置,磁体组5中的两个磁体分别设置在振膜的两侧。振膜上的通电电路15设置在电路间隙中,从而能实现将单位面积较大的通电电路15设置在较强的磁场中。由于在能量一定的情况下,位于工作磁场中的通电电路15的面积越大其振幅就越小,则在低音信号的驱动下通电电路15也能发出符合用户需求的低频音,从而这种发音单元能覆盖高中低音频谱。
下面对本申请实施例提供的技术方案做进一步地详细介绍。
在本申请所提供的一个实施例中,参见图1至图6,磁体组5沿安装支架7的高度方向设置以形成磁体列9,沿安装支架7的宽度方向间隔排列有多个磁体列9(文中所述的多个包含2个及2个以上)。在一个具体实施例中,如图1所示,沿安装支架7的宽度方向只有一个磁体列9,当然在本申请另外的实施例中也可以包含有多个磁体列9,不同磁体列9沿着安装支架7的宽度方向间隔排列。当沿安装支架7的宽度方向只有一个磁体列9时,磁体列9中只设有一个磁体组5,相邻的磁体列9中的两个磁体组5所对置的磁极相反。或者在本申请的另一个实施例中,如图4中,磁体列9中设有多个磁体组5,多个磁体组5沿安装支架7的高度方向间隔排列,相邻的磁体组5之间设有导磁材料,多个磁体与多个导磁材料连接以形成磁体列9。同一个磁体列9中,相邻的两个磁体组5对置的磁极相同,相邻的磁体列9中的两个磁体组5所对置的磁极相反。通过使用不同的磁体组5安装方式,从而使发音单元能安置不同形状的振膜。
进一步地,参见1及图2,在本申请的一个实施例中,发音单元包括3个磁体列9,相邻的两个磁体列9中设有电路安置区8,三个磁体列9中设有2个电路安置区8,通电电路15设置在电路安置区8内。但在本申请的另一个实施例中发音单元包括2个磁体列9,相邻的两个磁体列9中只设有一个电路安置区8,通电电路15设置在电路安置区8内。或者,发音单元包括三个及三个以上个数的磁体列9,相邻的两个磁体列9设有电路安置区8,多个磁体列9之间设有多个电路安置区8。这样的设置方式能满足不同用户的使用需求,例如当用户需要结构小巧,音量较小的设备是,就可以使用只有一个电路安置区8的发音单元,当用户需要音量较大的设备时,就可以使用具有多个电路安置区8的发音单元。
进一步地,参见图1及图2,发音单元还包括多个导磁件10,多个导磁件10沿安装支架7的高度方向间隔布置,相邻的两个导磁件10之间具有间隙。导磁件10沿安装支架7的宽度方向延伸并横跨多个磁体列9,并与相邻的磁体列9中对置的磁极相反的磁体组5分别连接。导磁件10能有效减小磁体组5的对置磁极相反的一极所产生的磁场干扰位于两磁体组5中间的磁场,从而防止磁场场强损失。相邻的两个导磁件10之间设置的间隙,其能有效防止导磁件10对声音的阻挡,但间隙并不会影响到导磁件10的功能。在本申请的另一个实施例中,多个导磁件10为一体结构,其表面上设有多个槽孔结构,该槽孔结构能有效防止导磁件10对声音的阻挡。或者导磁件10上设有多个通孔结构。
为使导磁件10有效导通相邻磁体列9的磁场,参见图1及图2,磁体列9背向振膜的一极上设有磁场导通件14,导磁件10与磁场导通件14连接。磁场导通件14设置在导磁件10与磁体列9之间,导磁件10为多片硅钢片或者多块硅钢块堆叠而成,再或者导磁件10为一体结构,其两侧分别与多个导磁件10和磁体列9连接。通过导磁件10的作用,磁体列9的磁场能有效被收集,并导通至导磁件10上。在本申请的一个实施例中,磁场导通件14为多片硅钢片或多块硅钢块堆叠而成,磁场导通件14的主要作用是将磁体列9背向振膜的一极上的磁场导通至导磁件10上,由于相邻的导磁件10之间间隔设置,其不能有效收集并导通磁场,所以在磁体列9与导磁件10之间设置磁场导通件14,从而能有效将磁场导通至导磁件10上。
在本申请的另一个实施例中,参见图2a,图中虚线及箭头大致代表磁体产生的部分磁感线及其方向。每个磁体组5中的两个磁体相互对置的一极上设置有磁场导通件14,其能有效聚集磁体组5中两个磁体产生的磁场,从而减少磁体组5的磁场损失。振膜设置在两个磁体组之间,通过磁场导通件14,能有效将磁场集中在两磁体组5之间的空间范围内,从而保证振膜能处于较强的磁场中。例如在一个磁体组5中,其中的两个磁体相距较远,由于磁场会相互影响,所以相互对置的磁体产生的磁场会有一定的损失。通过在两个磁体上分别增加磁场导通件14,能有效导通磁场,从而能有效减少磁场的损失。
参见图1及图2,在本申请所提供的一个实施例中,安装支架7包括上支架板71、下支架板72及多对竖直板73,多对竖直板73间隔设置在上支架板71与下支架板72之间,成对的两个竖直板73之间具有容置间隙75。磁体列9设置在容置间隙75中,磁体列9与竖直板73固定连接,竖直板73用于为磁体列9提供支撑力。或者,磁场导通件14固定在竖直板73,竖直板73用于为磁场导通件14提供支撑力,磁体列9与磁场导通件14固定连接。
进一步地,上支架板71与下支架板72中,至少一个上设有安装孔74,安装孔74沿多对竖直板73的排列方向延伸,并与容置间隙75对应。安装孔74的设置可以用于固定振膜,或者用于安置发音单元的信号导线或电源导线。竖直板73朝向容置间隙75的一侧为磁体安装区,容置间隙75及安装孔74形成振膜安装区16。通过设置有一定范围的振膜安装区16,能使发音单元适应不同形状或结构的振膜。
参见图7至图10,在本申请所提供的一个实施例中,安装支架7包括第一支架板76和第二支架板77,其中第一支架板76与第二支架板77对置设置,且第一支架板76与第二支架板77之间设有安装间隙78。磁体组5设置在安装间隙78中,且每个磁体组5中的一个磁体与第一支架板76连接,另一个磁体与第二支架板77连接。磁体有多种方式与不同的支架板(支架板代表第一支架板76与第二支架板77)连接,例如磁体可以通过胶粘的方式固定设置在支架板上,或者在支架板上设置有固定限位结构,磁体安装在固定限位结构中。
进一步地,安装间隙78可根据磁体组5的实际大小而灵活设置,其可以通过第一支架板76与第二支架板77之间的连接结构来控制。例如,通过调整连接第一支架板76和第二支架板77的螺栓的长度,从而使安装间隙78的大小发生改变。同时第一支架板76和第二支架板77上设有透音结构。由于振膜设置在磁体组5的电路安置区8内,当振膜发声时,声音必须穿过支架板才能被用户所听到。通过在支架板上设置透音结构,能有效解决声音被遮挡的问题。参见图7,支架板为回形结构,支架板中间的方形孔为透音结构。参见图9,支架板上设置有多个方孔结构,多个方孔结构沿着支架板的长度方向间隔排列设置。同时在本申请的另一个实施例中,透音结构为在支架板上开设的多个孔结构,该孔结构可以为圆孔、方孔或异形孔。
进一步地,磁体组5设置在支架板之间的方式有多种情况,参见图7及图8,在本申请的一个实施例中,每个磁体组5的长度方向与支架板的宽度方向相同,多个磁体组5沿支架板的长度方向间隔排列设置。同时在支架板的宽度方向上,除了可以设置一个磁体组5外,还可以并排设置多个(2个及2个以上)磁体组5。参见图9及图10,在本申请的另一个实施例中,每个磁体组5的长度方向与支架板的长度方向相同,多个磁体组5沿支架板的宽度方向间隔排列设置。其中每个磁体组5中的磁体可以为一个长条形磁体,也可以为多个长条形磁体组5合成一个长度更长的长条形磁体。通过在安装间隙78中用不同的方式设置磁体组5,能使发音单元适应不同结构的振膜。
在本申请所提供的一个实施例中,发音单元包括一种振膜中,参见图11及图12,该振膜包括至少一个绝缘膜1、多个(多个表示2个及2个以上)导电膜2及多个连通件3。其中绝缘膜1上设有磁极对应区4,该磁极对应区4用于安置磁体,每个导电膜2至少与一个绝缘膜1连接,多个导电膜2间隔设置,每个导电膜2的两侧分别设有磁极对应区4。多个导电膜2通过多个连通件3串联,以形成通电电路15。绝缘膜1不但具有绝缘的作用,同时还具有一定的弹性,当振膜在振动是,绝缘膜1能进行一定的拉伸和收缩。本申请实施例提供的技术方案中,通过设置使至少一个绝缘膜1与多个间隔设置的导电膜2连接,同时每个导电膜2的两侧分别设有磁极对应区4。在一个具体实施例中可在磁极对应区4设置磁体,并通过合理设置每个导电膜2的面积,由于在能量一定的情况下,导电膜2的面积越大其振幅就越小,则能使每个导电膜2也发出符合用户需求的低频音,从而使导电膜2能覆盖高中低音频谱。
进一步地,当发音单元只有一组磁体列9时,在本申请的另一个实施例中,振膜包括一个绝缘膜1和一个导电膜2,其中绝缘膜1上设有四个磁极对应区4,一组磁体列9中的四个磁体分别设置在所对应的四个磁极对应区4内。
参见图3,在本申请的一个实施例中,振膜包括一个绝缘膜1,同时绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12,多个导电膜2均与第一面11连接。多个导电膜2平行且间隔设置,相邻的导电膜2之间间隔的距离可以相同也可以不同。每一个导电膜2的两侧设有磁极对应区4,(图中虚线框所处区域为磁极对应区4,且图中只出示部分的磁极对应区4,其他位置的磁极对应区4未在图中示出并不代表其不存在,同时虚线框的面积大小并不代表磁极对应区4的面积大小,其只是用来表示磁极对应区4相对于振膜的位置关系),并且磁极对应区4同时分布在绝缘膜1的第一面11及第二面12。在多个导电膜2与绝缘膜1的连接方式有多种情况,其中一种方式是多个导电膜2通过胶粘的方式与绝缘膜1连接,或者还有一种方式是通过在绝缘膜1上粘覆一层导电膜2的材料,然后通过蚀刻的方式在导电膜2上蚀刻出多个导电膜2。
在本申请所提供的另一个实施例中,如图13所示,振膜包括一个绝缘膜1,同时绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12,多个导电膜2中包括多个第一子膜201及多个第二子膜202,多个第一子膜201设置在第一面11上,多个第二子膜202设置在第二面12上,第一子膜201与第二子膜202间隔设置。其中第一子膜201与第二子膜202不但在横向方向上间隔设置,同时也在竖向方向上间隔设置(图9中,绝缘膜1的长度方向限定为横向方向,绝缘膜1的厚度方向限定为宽度方向)。相邻的第一子膜201与第二子膜202在横向方向上的间隔距离可以相同也可以不同,同时对应的磁极对应区4的横向方向上的宽度也可以相同或不同,在具体实施过程中,间隔距离由相邻的磁极对应区4放置的磁体体积的大小决定。在本申请实施例提供的技术方案中,由于每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4,当每个导电膜2的面积较大时,位于磁极对应区4的磁体依然能为导电膜2提供较强的磁场。
参见图14,在本申请所提供的一个实施例中,振膜包括层叠设置的两个绝缘膜1,多个导电膜2设置在两个绝缘膜1之间。多个导电膜2平行设置,每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4,且在振膜的两侧都分布有磁极对应区4,相邻的导电膜2间隔设置。将导电膜2设置在两层绝缘膜1之间,能有效隔绝空气与导电膜2接触,延长导电膜2的使用寿命,同时还能增加振膜的结构强度。
进一步地,为使相邻的导电膜2之间有更好的绝缘性,相邻的两个导电膜2之间可以设置绝缘结构,并且绝缘结构的厚度与导电膜2的厚度相同,同时绝缘结构也位于两个绝缘膜1之间。在本申请的另外一个实施例中,相邻的两个导电膜2之间也可以将两个绝缘膜1直接粘接,同样可以起到绝缘作用。
在本申请所提供的一个实施例中,当上述发音单元包括有多个磁体列9时,参见图15,发音单元中的振膜包括多个绝缘膜1与多个导电膜2,多个绝缘膜1与多个导电膜2依次间隔连接。一个导电膜2的两侧分别连接一个绝缘膜1,同时一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2(除了振膜两个末端处的绝缘膜1或导电膜2)。
进一步地,绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12,及设置位于第一面11与第二面12之间的侧面13。参见图15,多个导电膜2均与第一面11连接,导电膜2的两端分别连接两个绝缘膜1,绝缘膜1的第一面11的两端分别与两个导电膜2连接。多个导电膜2大致处于同一平面上,多个绝缘膜1也大致处于同一平面上,且导电膜2所在的平面与绝缘膜1所在的平面不在同一平面且相互平行。
在本申请的另一个实施例中,参见图16,多个导电膜2均与侧面13连接,振膜为一层结构,多个导电膜2与多个绝缘膜1大致处于同一平面上。一个导电膜2的两侧分别连接两个绝缘膜1,同样一个绝缘膜1的两侧分别连接两个导电膜2。或者,参见图15,导电膜2的两侧分别设置有绝缘膜1,导电膜2与其中一个绝缘膜1的第一面11连接,与另一个绝缘膜1的第二面12连接。导电膜2位于两个绝缘膜1之间,一个导电膜2的每一端分别与两个绝缘膜1连接,且导电膜2一端的上表面与一个绝缘膜1的第二面12连接,导电膜2一端的下表面与另一个绝缘膜1的第一面11连接。通过使多个导电膜2与多个绝缘膜1连接,能有效减轻振膜的重量。
在本申请所提供的一个实施例中,参见图11及图12,连通件3包括设置在绝缘膜1上的连通膜,或者连通件3包括导电线。当振膜在磁场中时,振膜上的导电膜2中有电流通过时,振膜才会振动,为使每个导电膜2都能有预先设定流通方向的电流通过,及可以通过连通件3将多个导电膜2连通。由于相邻导电膜2处在方向不同的磁场中,所以为使多个导电膜2在同一时间的振动方向相同,相邻导电膜2中的电流方向则不同。通过连通件3的串联,就能使相邻的导电膜2流通的电流方向不同。
进一步地,为简化振膜的结构,参见图12,连通件3设置也设置在绝缘膜1上,同时连通件3位于磁极对应区4的两端,且电流在连通件3的流动方向与磁场方向相同或相反(电流的流动方向并不垂直于磁场),从而使得当连通件3中有电流通过时,连通件3并不会与磁场产生力的作用而发生振动。
进一步地,为了减轻振膜的重量,参见图11,连通件3可以为导电线,导电线的一端连接一个导电膜2的一端,另一端同时连接另一个导电膜2的一端,每个导电膜2的两端分别与其两侧的两个相邻的不同导电膜2之间分别通过两段导线连接,且这两端导线分别位于导电膜2的两端。
为了精准检测导电膜2或者振膜的振动频率及幅度,检测振膜的振动频率及幅度也相当于检测发出声音的频率及音强,在本申请的一个实施例中,导电膜2上设有反馈导线(图中未出示),反馈导线与导电膜2相互电路隔离(电路隔离是指反馈导线与导电膜2相互绝缘)设置,导电膜2上的电流信号不会传导至反馈导线上,反馈导线沿通电电路中电流流动的方向延伸。当导电膜2上有电信号时,导电膜2会在磁场的作用下发生振动,同时导电膜2上的反馈导线会随着导电膜2一同振动。由于反馈导线同样位于磁场中,其在振动的过程中,会沿着振动方向切割磁感线,并在反馈导线中产生感应电流,通过对感应电流进行检测,就能精准确定导电膜2或振膜的振动频率,也间接检测到振膜所发出声音的频率及音强。
在本申请所提供的一个实施例中,导电膜2至少包括金、银、铜、铁、铝、石墨、石墨烯、碳纤维、高分子材料及复合材料的其中一种。不同的材料具有不同的性能及音色,通过选用不同的材料制作不同的导电膜2,能满足不同用户的需要。
进一步地,为了使绝缘材料具备一定的弹性及绝缘性能,同时还能为导电膜2提供一定的支撑性。绝缘膜1至少包括氨纶材料、硅胶材料、橡胶材料、聚酯薄膜、聚酯纤维或高分子聚合物的其中一种。
为了使每一个导电膜2振膜的幅度一致,参见图18,在本申请的实施例中,每个导电膜2包括多个分段膜,从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向,多个分段膜的尺寸相等,或者,越靠近磁极对应区4,分段膜的尺寸越大。多个分段膜均沿着通电电路15中电流的流动方向延伸,从一个磁极对应区4到另一个磁极对应区4方向,多个分段膜间隔分布。每个导电膜2的两侧都设有磁极对应区4,磁极安置在磁极对应区4内,根据磁体磁场强度的规律,越靠近磁极对应区4的磁场强度越强,两个磁极对应区4中间位置的磁场强度最弱。
由于导电膜2中的电流方向和大小相同,所以位于磁场强度更强处的导电膜2所受的磁场作用力越大,即导电膜2的振动幅度越大。通过将导电膜2沿导电膜2的长度方向分成多个分段膜,位于不同磁场强度的不同分段膜的宽度不同,不同宽度的分段膜的重量不同。分段膜的宽度设计除了磁场外还应考虑死重(死重是指比如导电膜旁边的绝缘膜,本身不受磁场的作用力,需要导电膜拉扯着振动,它的重量就算死重)、固定端拉扯以及阻尼。位于磁场强度较强处的分段膜宽度越大,即重量越重,位于磁场强度较弱处的分段膜宽度越小,即重量越轻。重量越大惯性越大,当导电膜2在振动时,惯性因素能有效抵消磁场强度不均匀所带来的影响,从而保证各分段膜在不均匀的磁场中振动幅度大致相同。同时这样的设计相当于增加了磁场中导电膜2的长度,其有效提高了振膜的振动效率。
在本申请所提供的一个实施例中,参见图18及图19,导电膜2分为三个分段膜,其分别为第一分段膜21、第二分段膜22及第三分段膜23,三个分段膜之间通过绝缘材料分隔开。第一分段膜21和第三分段膜23的宽度大于第二分段膜22的宽度,即第一分段膜21和第三分段膜23的重量大于第二分段膜22的重量。当在磁极对应区4设有磁体时,第一分段膜21和第二分段膜22所处位置的磁场强度较大,即其振动的幅度越大通过增加分段膜的宽度,从而使分段膜的惯性增大,分段膜在振动时能抵消一部分磁场力的影响,从而保证不同分段膜的振动幅度大致相同。
进一步地,参见图19,振膜包括一个绝缘膜1,绝缘膜1包括相背设置的第一面11及第二面12,多个分段膜均与第一面11连接,相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。每一个导电膜2分成三段分段膜,其第一分段膜21和第二分段莫设置在绝缘膜1的第一面11,第二分段膜22设置在绝缘膜1的第二面12。第一分段膜21与第三分段膜23间隔设置。通过在绝缘膜1的不同面设置不同的分段膜能有效使不同的分段膜隔绝开,从而使其不会相互影响。
进一步地,多个分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜,多个第一子段膜设置在第一面11上,多个第二子段膜设置在第二面12上,第一子段膜与第二子段膜间隔设置。在本申请的实施例中,导电膜2可分为多个不同宽度或相同宽度的子段膜,相邻的子段膜分别设置在绝缘膜1的不同面上,从而使其相互分隔开。
进一步地,绝缘膜1包括层叠设置的两个,多个分段膜设置在两个绝缘膜1之间。在本申请的一个实施例中,导电膜2分成多个分段膜,不同分段膜大致位于同一平面上,其不同的分段膜相互间隔设置。在分段膜的上表面及下表面分别设有绝缘膜1,上下两层绝缘膜1能有效避免导电膜2与空气接触,从而使导电膜2的使用寿命延长。
进一步地,为使不同的分段膜之间绝缘,相邻的两个分段膜之间设置绝缘结构。
在本申请的一个实施例中还提供了一种音响设备,该音响设备包括:设备主体及设置在设备主体上的上述的发音单元。设备主体可以为发音单元的外壳。例如耳机设备或桌面音响,设备主体为耳机或桌面音响的外壳,发音单元设置在外壳的内部或者其空腔结构中。同样设备主体还可以为安装支架,例如大型音响,发音单元安装在安装支架上。
进一步地,在本申请的一个实施例中,音响设备还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路,信号输入电路具有输入端和输出端,输入端用于接收外部输入信号,输出端与信号放大器连接。信号放大器具有输入端口和输出端口,输入端口与输出端连接,输出端口与振膜上的通电电路15连接。导电膜上的反馈导线与反馈电路的一端连接,反馈电路的另一端与输入端口连接。
首先信号输入电路的输入端接收到一个音源信号后,接着通过输入电路的输出端传输给信号放大器的输入端口。该音源信号被信号放大器处理后,在信号放大器上的输出端口会输出具有一定频率和强度的信号电流,接着信号电流作用在振膜上,此时通电电路15中的导电膜2会发生一定频率和强度振动,从而发出具有一定频率和音强的声音。振膜在振动的过程中,设置在导电膜2上的反馈导线,会随导电膜2一起振动。由于反馈导线在振动的过程中,会产生相应的感应电流,该感应电流能准确反应出振膜发出声音频率和音强。反馈电路在接收到感应电流的信号后,反馈电路能对音源信号和感应电流进行参数上的对比,从而完成对振膜发出声音精准性的检测。接着反馈电路通过信号放大器反馈调整信号电流的频率和强度,从而使振膜发出的声音更加精准。
在本申请的另一个实施例中,信号放大器包括有反馈处理电路,信号放大器除了有信号放大的功能还有处理音源信号与感应电流的能力。输入电路的输出端与信号放大器的输入端口连接,同时信号放大器的输出端口与振膜上的通电电路15连接,反馈导线与信号放大器的输入端口连接。当振膜在振动时,反馈导线中产生的感应电流直接传导给信号放大器,信号放大器中的反馈处理电路处理后,则信号放大器会输出新的信号电流,振膜在新的信号电流的作用下发出的声音更加精准。
本申请所提供的一种技术方案中,反馈电路或信号放大器可以直接实时地从反馈导线中获得的电流(电压)详细参数,从而间接地判断播放出来的声音准确性。反观现有常见的音响反馈系统,通常是在播放端前获得的反馈电流(电压)的参数来对音响的信号电流做校正,这样的问题就在于信号在进入播放端后,播放端同样存在信号干扰或损失的情况,所以这类音响在播放端前获得的反馈信号其实并不能准确对信号电流做校正,播放端发出的声音也并不精准。而本申请所提供的一种技术方案中,可以在振膜振动时获取实际的振动状态,通过反馈的电流(电压)的参数对发音信号进行调整,使音源输出更加稳定准确。
综上所述,本申请实施例提供的技术方案中,通过将多个磁体组及振膜设置在安装支架上且相邻的磁体组之间设有电路间隙,振膜上设有多个磁极对应区,每一个磁体组均对应一个磁极对应区设置,振膜上的通电电路设置在电路间隙中,从而能实现将单位面积较大的通电电路设置在较强的磁场中。由于在能量一定的情况下,位于工作磁场中的通电电路的面积越大其振幅就越小,则在低音信号的驱动下通电电路也能发出符合用户需求的低频音,从而这种发音单元能覆盖高中低音频谱。同时通过将每一个导电膜分成多个分段膜,在不同的磁场强度中,不同的分段膜的宽度不同,从而使每个分段膜的振动幅度大致相同,使振膜的发音更加精准。并且在导电线路上设置反馈导线,其可以在振膜振动时获取实际的振动状态,然后通过反馈的电流(电压)的参数对发音信号进行调整,使音源输出更加稳定准确。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (21)

1.一种发音单元,其特征在于,包括:
安装支架,所述安装支架上具有磁体安装区及振膜安装区;
多个磁体组,多个所述磁体组设置在所述磁体安装区内并间隔分布,每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体,且每一对所述磁体之间具有对置间隙,相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置电路安置区;
振膜,所述振膜设置在所述振膜安装区内,所述振膜上设有多个磁极对应区及通电电路,所述振膜穿设于所述对置间隙中,每个所述磁体组均对应一个磁极对应区设置,所述通电电路设置于所述电路安置区中。
2.根据权利要求1所述的发音单元,其特征在于,所述磁体组沿所述安装支架的高度方向设置以形成磁体列,沿所述安装支架的宽度方向间隔排列有多个所述磁体列;
所述磁体列中设有一个所述磁体组,相邻所述的磁体列中的两个所述磁体组所对置的磁极相反;或者
所述磁体列中设有多个所述磁体组,多个所述磁体组沿所述安装支架的高度方向间隔排列,同一个所述磁体列中,相邻的两个所述磁体组对置的磁极相同,相邻所述的磁体列中的两个所述磁体组所对置的磁极相反。
3.根据权利要求2所述的发音单元,其特征在于,还包括多个导磁件,多个所述导磁件沿所述安装支架的高度方向间隔布置,相邻的两个所述导磁件之间具有间隙;
所述导磁件沿所述安装支架的宽度方向延伸并横跨多个所述磁体列,并与相邻的所述磁体列中对置的磁极相反的所述磁体组分别连接。
4.根据权利要求3所述的发音单元,其特征在于,所述磁体列背向所述振膜的一极上设有磁场导通件,所述导磁件与所述磁场导通件连接。
5.权利要求1至4中任一项所述的发音单元,其特征在于,所述安装支架包括上支架板、下支架板及多对竖直板;
多对所述竖直板间隔设置在所述上支架板与所述下支架板之间,成对的两个所述竖直板之间具有容置间隙;
所述上支架板与所述下支架板中,至少一个上设有安装孔,所述安装孔沿多对所述竖直板的排列方向延伸,并与所述容置间隙对应;
所述竖直板朝向所述容置间隙的一侧为所述磁体安装区,所述容置间隙及所述安装孔形成所述振膜安装区。
6.权利要求1至4中任一项所述的发音单元,其特征在于,所述安装支架包括第一支架板和第二支架板;
所述第一支架板与所述第二支架板对置设置,且所述第一支架板与所述第二支架板之间设有安装间隙;
所述磁体组设置在所述安装间隙中,且每个所述磁体组中的一个所述磁体与所述第一支架板连接,另一个所述磁体与所述第二支架板连接;
所述第一支架板和所述第二支架板上设有透音结构。
7.权利要求1至4中任一项所述的发音单元,其特征在于,所述振膜包括:
至少一个绝缘膜,所述绝缘膜上设有磁极对应区;
多个导电膜,每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接,多个导电膜间隔设置,每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区;
多个连通件,多个所述导电膜通过多个所述连通件串联,以形成通电电路。
8.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括一个,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面;
多个所述导电膜均与所述第一面连接;或者
多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜,多个所述第一子膜设置在所述第一面上,多个所述第二子膜设置在所述第二面上,所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。
9.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括层叠设置的两个,多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。
10.根据权利要求9所述的发音单元,其特征在于,相邻的两个所述导电膜之间设置绝缘结构。
11.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括多个,多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。
12.根据权利要求11所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面,及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面;
多个所述导电膜均与所述第一面连接;或者,多个所述导电膜均与所述侧面连接;或者,所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜,所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接,与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。
13.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜;或者
所述连通件包括导电线。
14.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,所述导电膜上设有反馈导线,所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。
15.根据权利要求7所述的发音单元,其特征在于,每个所述导电膜包括多个分段膜,多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸;
从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向,多个所述分段膜间隔分布。
16.根据权利要求15所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括一个,所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面;
多个所述分段膜均与所述第一面连接,相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构;或者
多个所述分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜,多个所述第一子段膜设置在所述第一面上,多个所述第二子段膜设置在所述第二面上,所述第一子段膜与所述第二子段膜间隔设置。
17.根据权利要求15所述的发音单元,其特征在于,所述绝缘膜包括层叠设置的两个,多个分段膜设置在两个所述绝缘膜之间。
18.根据权利要求17所述的发音单元,其特征在于,相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构。
19.根据权利要求15所述的发音单元,其特征在于,从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向,多个所述分段膜的尺寸相等,或者,越靠近所述磁极对应区,所述分段膜的尺寸越大。
20.一种音响设备,其特征在于,包括:设备主体及设置在所述设备主体上的如权利要求1至权利要求19中任一项所述的发音单元。
21.根据权利要求20所述的音响设备,其特征在于,还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路;
所述信号输入电路具有输入端和输出端,所述输入端用于接收外部输入信号,所述输出端与所述信号放大器连接;
所述信号放大器具有输入端口和输出端口,所述输入端口与所述输出端连接,所述输出端口与振膜上的所述通电电路连接;
所述导电膜上的所述反馈导线与所述反馈电路的一端连接,所述反馈电路的另一端与所述输入端口连接。
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WO2024140380A1 (zh) * 2022-12-27 2024-07-04 北京大觥声扬科技有限公司 一种发音单元及音响设备

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