CN217468431U - 一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，发光芯片的发光面粘结在荧光胶膜上，正极银胶层和负极银胶层分别包覆发光芯片的正极焊盘和负极焊盘，白色硅胶层位于环氧胶层靠近发光芯片的一侧表面，且包覆在发光芯片的外周，环氧胶层填充包覆在正极银胶层、负极银胶层以及发光芯片的正极焊盘和负极焊盘外周，且环氧胶层与正极银胶层以及负极银胶层的表面齐平。本实用新型在不改变现有封装尺寸和结构的基础上，扩大封装体的正负极焊盘面积以及正负极焊盘间距，使其不易出现焊接不良现象，不仅增大了封装体的散热面积，提高了产品的使用寿命，而且可以防止因为正负极焊盘间距过小而出现焊线锡膏是锡膏连接在一起的短路现象。
Description
技术领域
本实用新型属于发光芯片封装技术领域，特别涉及一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构。
背景技术
随着发光芯片技术的发展，现在的发光芯片尺寸越来越小，所对应发光芯片的封装也越做越小，有些甚至放弃了在PCB或支架上封装发光芯片，而是直接在发光芯片上进行封装，即CSP封装。这种封装结构可以省去PCB或支架的空间，把整个发光元器件的尺寸做得更小。但是封装尺寸做小之后，使得发光芯片在后续的实际运用中变得更加越困难。比如由于封装尺寸的缩小，外围没有多余的空间设计正负极的极性识别标志，而发光芯片本身的正负极识别标志又过小，导致无法快速正确识别产品正负极，在使用过程中容易出现贴片反向问题，不仅严重影响了良品率，而且降低了加工效率。
此外，由于封装尺寸缩小，使得正负极焊盘间距过小，导致在贴片过程中容易出现锡膏连接在一起造成短路故障，或者由于焊盘焊面太小，出现未能焊接到锡膏等吃锡不良的现象。且由于焊盘过小，导致焊盘散热不佳，经常出现因高温而丧失功能的现象。
上述问题在CSP封装的产品上尤为明显，甚至限制了CSP封装的发展。因此，在不改变封装尺寸以及保证良品率的前提下，如何将尺寸极小的发光元器件精准且牢靠地贴片到线路板中，以实现线路板功能，已成为SMT贴片行业内亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，在不改变现有封装尺寸和结构的基础上，扩大封装体的正负极焊盘面积以及正负极焊盘间距，使其不易出现焊接不良现象，不仅增大了封装体的散热面积，提高了产品的使用寿命，而且可以防止因为正负极焊盘间距过小而出现焊线锡膏是锡膏连接在一起的短路现象。
本实用新型的具体技术方案如下：
一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，包括荧光胶膜、环氧胶层、白色硅胶层、正极银胶层、负极银胶层和发光芯片，所述发光芯片的发光面粘结在荧光胶膜上，所述正极银胶层和负极银胶层分别包覆发光芯片的正极焊盘和负极焊盘，所述白色硅胶层位于环氧胶层靠近发光芯片的一侧表面，且包覆在所述发光芯片的外周，所述白色硅胶层与发光芯片远离荧光胶膜的一侧齐平，所述环氧胶层填充包覆在所述正极银胶层、负极银胶层以及所述发光芯片的正极焊盘和负极焊盘外周，且所述环氧胶层与正极银胶层以及负极银胶层的表面齐平。
优选地，所述正极银胶层露出正极焊盘靠近负极焊盘的一侧，并从正极焊盘其它三侧向外延伸，所述负极银胶层露出负极焊盘靠近正极焊盘的一侧，并从负极焊盘其它三侧向外侧延伸。
优选地，所述正极银胶层或负极银胶层上设有镂空的极性识别标志。
优选地，所述极性识别标志为三角形状。
优选地，所述正极银胶层、负极银胶层以及环氧胶层的厚度相同，且厚度范围为0.01-0.1mm。
有益效果：本实用新型公开了一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，具有如下优点：
（1）本实用新型扩大了封装体的焊盘面积，从而增大了散热面积，且由于银胶具有良好的导热特性，提高可焊盘散热效率，使得发光芯片寿命更长；
（2）本实用新型扩大了封装体的焊盘面积，从而增大了焊接面积，使得焊接更加牢靠，不易脱落；
（3）本实用新型扩大了正负极焊盘间距，防止由于正负极焊盘间距过小而出现焊线锡膏是锡膏连接在一起的短路现象；
（4）本实用新型利用银胶喷涂形成新的焊盘，新焊盘具有可塑性，使之能变化不同的形状，便于识别封装体的正负极性，在实际贴片过程中不易出错，提高了加工良品率和工作效率。
附图说明
图1为步骤S1中的正面结构示意图；
图2为步骤S1中的横截面结构示意图；
图3为步骤S2中的正面结构示意图；
图4为步骤S2中的横截面结构示意图；
图5为步骤S3中的正面结构示意图；
图6为步骤S3中的横截面结构示意图；
图7为步骤S4中的正面结构示意图；
图8为步骤S4中的横截面结构示意图；
图9为步骤S5中的正面结构示意图；
图10为步骤S5中的横截面结构示意图；
图11为步骤S6中的正面结构示意图；
图12为步骤S6中的横截面结构示意图；
图13为步骤S7中的结构示意图，即实施例1的产品结构示意图；
图14为传统芯片的封装结构示意图；
图中：发光芯片1、正极焊盘1-1、负极焊盘1-2、荧光胶膜2、白色硅胶层3、银胶层4、正极银胶层4-1、负极银胶层4-2、环氧胶层5，钢网A7、三角凸起7-1、钢网A开孔7-2、极性识别标志8、钢网B9、钢网B开孔9-1、环形胶坝10。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
实施例1
一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，包括荧光胶膜2、环氧胶层5、白色硅胶层3、正极银胶层4-1、负极银胶层4-2和发光芯片1，所述发光芯片1的发光面粘结在荧光胶膜2上；
所述正极银胶层4-1和负极银胶层4-2分别包覆发光芯片1的正极焊盘1-1和负极焊盘1-2，所述正极银胶层4-1露出正极焊盘1-1靠近负极焊盘1-2的一侧，并从正极焊盘1-1其它三侧向外延伸，所述负极银胶层4-2露出负极焊盘1-2靠近正极焊盘1-1的一侧，并从负极焊盘1-2其它三侧向外侧延伸；
所述正极银胶层4-1上设有镂空的三角形极性识别标志；所述正极银胶层4-1、负极银胶层4-2以及环氧胶层5的厚度相同，且厚度范围为0.05mm。
所述白色硅胶层3位于环氧胶层5靠近发光芯片1的一侧表面，且包覆在所述发光芯片1的外周，所述白色硅胶层3与发光芯片1远离荧光胶膜2的一侧齐平，所述环氧胶层5填充包覆在所述正极银胶层4-1、负极银胶层4-2以及所述发光芯片1的正极焊盘1-1和负极焊盘1-2外周，且所述环氧胶层5与正极银胶层4-1以及负极银胶层4-2的表面齐平。
实施例1的具体制备步骤如下：
S1、将发光芯片1以阵列的形式均匀整排布在荧光胶膜2上，其中，发光芯片1之间等间距排布，且发光芯片1的发光面朝向荧光胶膜一侧，发光芯片1的焊盘面朝上，如图1-2所示。
S2、在荧光胶膜2的四周使用围坝胶围一个环形胶坝10，并使用烤箱烘烤至固化，其中，烤箱温度为100℃，烘烤时间为1小时；然后使用不透光的白色硅胶填充到胶坝内，并使其填充在各发光芯片的间隙中形成白色硅胶层3，其中，白色硅胶层3的液面高度与发光芯片1高度相等，使用烤箱烘烤至固化，其中，烤箱温度为100℃，烘烤时间为1小时，如图3-4所示。
S3、使用预制的钢网A7贴附在发光芯片1的焊盘面上，如图5-6所示，其中，钢网A7上的开孔比发光芯片1的正极焊盘1-1以及负极焊盘1-2大，且开孔之间的间距大于发光芯片正负极焊盘之间的间距，且钢网A7位于正极焊盘1-1的开孔处设有一三角凸起7-1，钢网A7的厚度优选为0.07mm。
S4: 使用喷涂机将银胶均匀地喷涂在钢网A7及钢网A开孔7-2内形成银胶层4，如图7-8所示。其中，银胶层4的厚度优选为0.05mm。由于钢网A7上三角凸起7-1的遮挡，在每个发光芯片1的正极焊盘1-1处形成一个没有银胶覆盖的三角区域，作为封装体的正负极的极性识别标志8。喷涂完毕后，将钢网A7取下，并把荧光胶膜连同上面的发光芯片和银胶放入烤箱中进行烘烤，烘烤时间为1小时，烘烤温度为100℃。
S5: 使用预制的钢网B9贴附在发光芯片1的焊盘面，其中，钢网B开孔9-1为钢网A开孔7-2以外的区域，且钢网B9覆盖正极焊盘1-1处的三角区域，如图9-10所示。
S6: 使用喷涂机将环氧胶均匀地喷涂在钢网B9的开孔内形成环氧胶层5，如图11-12所示，用于覆盖发光芯片1上未喷涂到银胶的区域（除了三角区域），且环氧胶层5的液面与银胶层4的液面齐平，环氧胶层厚度优选为0.05mm。喷涂完毕后使用烤箱烘烤，烘烤时间为1小时，烘烤温度为100℃。
S7:最后使用切割刀片将荧光胶膜2切开，形成独立的封装体，其中，正极银胶层和负极银胶层分别作为发光芯片1新的正极焊盘和负极焊盘，如图13所示。
与如图14所示的传统发光芯片封装工艺相比，在不改变现有封装大小的前提下，本实用新型中的正负极银胶层的焊接面积以及正负极银胶层之间的间距均要优于传统工艺,且本实用新型根据极性识别标志8快速识别发光芯片的正负极。
本实用新型中，可通过对钢网A上凸起形状的设计，形成极性识别标志8，其形状可由本领域技术人员根据实际需求进行设计。
以上所述仅是本实用说明，为本实用新型的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来脱离本实用新型的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种可以改变焊盘的发光芯片封装结构，其特征在于，包括荧光胶膜、环氧胶层、白色硅胶层、正极银胶层、负极银胶层和发光芯片，所述发光芯片的发光面粘结在荧光胶膜上，所述正极银胶层和负极银胶层分别包覆发光芯片的正极焊盘和负极焊盘，所述白色硅胶层位于环氧胶层靠近发光芯片的一侧表面，且包覆在所述发光芯片的外周，所述白色硅胶层与发光芯片远离荧光胶膜的一侧齐平，所述环氧胶层填充包覆在所述正极银胶层、负极银胶层以及所述发光芯片的正极焊盘和负极焊盘外周，且所述环氧胶层与正极银胶层以及负极银胶层的表面齐平。
2.根据权利要求1所述的可以改变焊盘的发光芯片封装结构，所述正极银胶层露出正极焊盘靠近负极焊盘的一侧，并从正极焊盘其它三侧向外延伸，所述负极银胶层露出负极焊盘靠近正极焊盘的一侧，并从负极焊盘其它三侧向外侧延伸。
3.根据权利要求1所述的可以改变焊盘的发光芯片封装结构，其特征在于，所述正极银胶层或负极银胶层上设有镂空的极性识别标志。
4.根据权利要求3所述的可以改变焊盘的发光芯片封装结构，其特征在于，所述极性识别标志为三角形状。
5.根据权利要求1所述的可以改变焊盘的发光芯片封装结构，其特征在于，所述正极银胶层、负极银胶层以及环氧胶层的厚度相同，且厚度范围为0.01-0.1mm。
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