CN217468331U - 一种电子束偏转器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电子束偏转器，包括：第一像消散线圈层和第二像消散线圈层，第一像消散线圈层和第二像消散线圈层构造相同，并且其中第一像消散线圈层包括第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈，第二像消散线圈层也包括第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈，并且其中第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈均包括：第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈，并且其中第一像消散线圈与第二像消散线圈串联，第三像消散线圈和第四像消散线圈独立存在。

Description

一种电子束偏转器

技术领域

本申请涉及电子元器件领域，特别是涉及一种电子束偏转器。

背景技术

扫描电子显微镜是一种用于研究物体微观结构及样品组成成分的电子成像设备。并且由于其存在景深大、分辨率高、成像直观和立体感强等优点，因此扫描电子显微镜被广泛用于生命科学、材料科学、化学、司法刑侦及工业生产等领域的微观研究。扫描电镜技术是利用聚焦的高能电子束来扫描样品，聚焦的高能电子束与待测物体相互作用，激发出各种物理信息。然后，利用各种探测器收集这些物理信息、放大这些物理信息并且对物体进行成像，以达到对物体微观形貌进行表征及观测的目的。其中，探测器可以为背散射电子探测器、二次电子探测器或高角度环形暗场探测器等。

在扫描电子显微镜使用过程中，聚焦电子束在偏转线圈作用下进行偏转，并且对样品的不同区域进行扫描成像。但是由于加工及装配误差，电子光学器件往往存在对中误差，这时候就需要偏转线圈对聚焦电子束进行对中操作，减小成像像差。同时偏转线圈中的消像散器还能对扫描电子显微镜中由于电子光学器件(电/磁透镜)非轴对称或者极靴污染等造成的电子束像散进行修正补偿。因此电子束偏转器件对扫描成像系统的正常工作起到至关重要的作用，而电子束偏转器件的设计又决定了电子束对中及偏转的操作复杂程度及最终成像效果。

因此，设计一种能够很好地提高稳定性和精度的像消散线圈尤为重要。

针对上述的现有技术中存在的现有的像消散线圈的稳定性较低和精度较差的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型提供了一种电子束偏转器，以至少解决现有技术中存在的现有的像消散线圈的稳定性较低和精度较差的技术问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种电子束偏转器，包括：第一像消散线圈层和第二像消散线圈层，第一像消散线圈层和第二像消散线圈层构造相同，并且其中第一像消散线圈层包括第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈，第二像消散线圈层也包括第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈并且其中第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈均包括：第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈，并且其中第一像消散线圈与第二像消散线圈串联，第三像消散线圈和第四像消散线圈独立存在。

可选地，还包括：绝缘管，其中绝缘管包括：管体、第一凹槽层和第二凹槽层，并且其中第一凹槽层和第二凹槽层按顺序依次设置于管体的下方，并且其中第一像消散线圈层设置于第一凹槽层内；以及第二像消散线圈层设置于第二凹槽层内。

可选地，还包括：第一对中线圈组、第二对中线圈组、第三对中线圈和第四对中线圈组，绝缘管还包括：第一层结构、第二层结构和第三层结构，其中第三层结构与第一凹槽层相邻，并设置于第一凹槽层的上方，第一层结构、第二层结构和第三层结构按顺序依次设置；第一对中线圈组、第二对中线圈组、第三对中线圈组和第四对中线圈组均是由4个构造相同的偏转线圈组成的，并且其中第一对中线圈组分别以管体和第一层结构为轴对称设置于第一层结构上；第二对中线圈组分别以管体和第二层结构为轴对称设置于第二层结构上；第三对中线圈组分别以管体和第二层结构为轴对称设置于远离第二层结构的第二对中线圈组的外缘；以及第四对中线圈组分别以管体和第三层结构为轴对称设置于第三层结构上。

可选地，第一像消散线圈层和第二像消散线圈层构造相同，其中第一像消散线圈层包括第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈，并且其中第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈均包括：第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈，并且其中第一像消散线圈与第二像消散线圈串联，第三像消散线圈和第四像消散线圈独立存在。

本实用新型设置有第一像消散线圈层和第二像消散线圈层，并且第一像消散线圈层和第二像消散线圈层均包括有第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈。第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈均是由第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈组成的。第一像消散线圈和第二像消散线圈串联，第三像消散线圈和第四像消散线圈独立存在。调整第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈的输出比例，观察在电流值发生变化的情况下电子束的束斑是否发生变化。若电子束的束斑在电流值发生变化的情况下无明显偏移，则此后按此比例进行电流输出。从而，通过上述产品结构达到了增加像消散线圈的稳定性和精度的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的像消散线圈的稳定性较低和精度较差的技术问题。

根据下文结合附图对本申请的具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本实用新型的上述以及其他目的、优点和特征。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

图1是根据本申请一个实施例的电子束偏转器的剖面示意图；

图2是根据本申请一个实施例的第一方向像消散线圈或第二方向像消散线圈的连接方式示意图；

图3是根据本申请一个实施例的第一方向像消散线圈或第二方向像消散线圈对电子束作用时产生的电子束束斑的示意图；

图4是根据本申请一个实施例的电子偏转器中的第一对中线圈的作用示意图；

图5是根据本申请一个实施例的电子偏转器中的第一对中线圈和第二对中线圈使电子束发生偏移的示意图；以及

图6是根据本申请一个实施例的电子偏转器的对中过程示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

图1是根据本申请一个实施例的电子束偏转器的剖面示意图；图2是根据本申请一个实施例的第一方向像消散线圈11或第二方向像消散线圈12的连接方式示意图。参考图1和图2所示，本实施例提供了一种电子束偏转器，包括：第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b，第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b构造相同，并且其中第一像消散线圈层10a包括第一方向像消散线圈11和第二方向像消散线圈12，第二像消散线圈层10b也包括第一方向像消散线圈11和第二方向像消散线圈12并且其中第一方向像消散线圈11 和第二方向像消散线圈12均包括：第一像消散线圈111，121、第二像消散线圈112，122、第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124，并且其中第一像消散线圈111，121与第二像消散线圈112，122串联，第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124独立存在。

正如背景技术中所述，在扫描电子显微镜使用过程中，聚焦电子束在偏转线圈作用下进行偏转，并且对样品的不同区域进行扫描成像。但是由于加工及装配误差，电子光学器件往往存在对中误差，这时候就需要偏转线圈对聚焦电子束进行对中操作，减小成像像差。同时偏转线圈中的消像散器还能对扫描电子显微镜中由于电子光学器件(电/磁透镜)非轴对称或者极靴污染等造成的电子束像散进行修正补偿。因此电子束偏转器件对扫描成像系统的正常工作起到至关重要的作用，而电子束偏转器件的设计又决定了电子束对中及偏转的操作复杂程度及最终成像效果。因此，设计一种能够很好地提高稳定性和精度的像消散线圈尤为重要。

针对提出的上述技术问题，本实施例主要提供了一种电子束偏转器。电子束偏转器包括有第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b。第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b构造相同，并且第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b均是由第一像消散线圈111，121、第二像消散线圈112，122、第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124组成的。第一像消散线圈111，121与第三像消散线圈113，123相对设置，第二像消散线圈112，122与第四像消散线圈114，124相对设置。并且，第一像消散线圈111，121 和第二像消散线圈112，122串联，第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124独立存在。

将第一像消散线圈111，121和第二像消散线圈112，122串联后再安装电源。将第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124分别安装电源。对第一像消散线圈111，121、第二像消散线圈112，122、第三像消散线圈113， 123和第四像消散线圈114，124同时施加相同大小的电流，调整电流并让电流在一定幅值内变化。然后调整第一像消散线圈111，121、第二像消散线圈112， 122、第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈9114的电流输出比例，观察此时电子束的束斑是否发生偏移。最后，直至在电流发生变化的情况下，电子束的束斑也无明显偏移，记录此时第一像消散线圈111，121、第二像消散线圈 112，122、第三像消散线圈113，123和第四像消散线圈114，124的电流输出比例，并调节第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b按此比例进行电流输出。

此外，该结构还解决了第一方向像消散线圈11和第二方向像消散线圈12 使用滑动变阻器进行分流输出时可能存在的热滞后现象以及增加时间成本的问题。

从而，通过上述产品结构达到了增加像消散线圈的稳定性和精度的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的像消散线圈的稳定性较低和精度较差的技术问题。

可选地，还包括：绝缘管20，其中绝缘管20包括：管体210、第一凹槽层 220和第二凹槽层230，并且其中第一凹槽层220和第二凹槽层230按顺序依次设置于管体210的下方，并且其中第一像消散线圈层10a设置于第一凹槽层220 内；以及第二像消散线圈层10b设置于第二凹槽层230内。

具体地，图3是根据本申请一个实施例的第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b中的第一方向像消散线圈11或第二方向像消散线圈12对电子束作用时产生的电子束的束斑的示意图。

参考图3所示，当电子束入射到第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b的位置处时，由第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b对进入物镜的电子束进行像消散。因此，经过第一像消散线圈层10a和第二像消散线圈层10b的作用的电子束的束斑变得更加清晰。

从而，通过上述产品结构达到了对电子束进行像消散，以获得最清晰明亮的电子束的束斑的技术效果。

可选地，还包括：第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组50和第四对中线圈组60，绝缘管20还包括：第一层结构240、第二层结构 250和第三层结构260，其中第三层结构260与第一凹槽层220相邻，并设置于第一凹槽层220的上方，第一层结构240、第二层结构250和第三层结构260 按顺序依次设置；第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组 50和第四对中线圈组60均是由4个构造相同的偏转线圈组成的，并且其中第一对中线圈组30分别以管体210和第一层结构240为轴对称设置于第一层结构 240上；第二对中线圈组40分别以管体210和第二层结构250为轴对称设置于第二层结构250上；第三对中线圈组50分别以管体210和第二层结构250为轴对称设置于远离第二层结构250的第二对中线圈组40的外缘；以及第四对中线圈组60分别以管体210和第三层结构260为轴对称设置于第三层结构260上。

具体地，参考图1所示，第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组50以及第四对中线圈组60均是由4个独立的偏转线圈组成的。并且第一对中线圈组30分别以管体210和第一层结构240为轴对称设置于第一层结构240上。第二对中线圈组40分别以管体210和第二层结构250为轴对称设置于第二层结构250上。第三对中线圈组50设置于第二对中线圈组40的外缘。第四对中线圈组60分别以管体210和第三层结构260为轴对称设置于第三层结构260上。

图4是根据本申请一个实施例的电子偏转器中的第一对中线圈30的作用示意图，参考图4所示。以第一对中线圈组30为例，第一对中线圈组30是由4 个构造相同的偏转线圈组成的。并且，这4个偏转线圈当中，两两相对的线圈相互串联并且产生的磁场方向相同。例如，对图2中的4个线圈供电，X方向的两个线圈串联，并且X方向的两个线圈产生的磁场相同。从而，两个X方向的线圈产生的磁场叠加就能够产生X方向的作用力。同理，两个Y方向的线圈产生的磁场叠加就能够产生Y方向的作用力。X方向的作用力和Y方向的作用力叠加就能够产生使得电子束偏移的作用力。因此，使得电子束偏移的作用力的方向就是电子束实际偏移的方向。

图5是根据本申请一个实施例的电子偏转器中的第一对中线圈30和第二对中线圈40使电子束发生偏移的示意图，参考图5所示。以第一对中线圈组30 和第二对中线圈组40为例。当电子束入射到第一对中线圈组30的位置时，电子束从原光轴发生偏移。当电子束按照偏移的光轴继续入射到第二对中线圈组 40的位置时，电子束继续发生偏移。此时，电子束的实际行进轨道相当于与原光轴发生了平移。

图6是根据本申请一个实施例的电子偏转器的对中过程示意图，参考图6 所示。图6中设置有一组孔径光阑，不同孔径的光阑限制了进入物镜的电子束角度，进一步影响了电子束的会聚角度以及样品表面上的束斑尺寸。在图6的示例当中，第一对中线圈组30和第二对中线圈组40就是用于选取不同孔径大小的光阑。以第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组50和第四对中线圈组60为例。当入射的电子束到达第一对中线圈组30的位置后，电子束从原光轴处发生偏移，并进入到目标孔径光阑内。当入射的电子束从目标孔径光阑的位置处到达第二对中线圈组40和第三对中线圈组50的位置处时，电子束再次发生偏移。第二对中线圈组40将电子束偏移至平行原光轴的位置，第三对中线圈组50再将平行原光轴的电子束偏移至靠近原光轴的位置。然后，电子束到达第四对中线圈组60，第四对中线圈组60将电子束对准至原光轴位置，从而使得电子束垂直经过物镜中心并聚焦于样品表面，减小成像像差并且提高分辨率。

从而，通过上述产品结构达到了能够使得入射的电子束聚焦于样品表面，减小成像像差以及提高成像分辨率的技术效果。

可选地，还包括：第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组80和第三扫描线圈组90，其中第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组80和第三扫描线圈组90 均是由4个构造相同的扫描线圈组组成的，并且其中第一扫描线圈组70分别以管体210和第一层结构240为轴对称设置于远离管体210的第一层结构240上，并与第一对中线圈组30抵接；第二扫描线圈组80分别以管体210和第二层结构250为轴对称设置于远离管体210的第二层结构250上，并分别与第二对中线圈组40和第三对中线圈组50抵接；以及第三扫描线圈组90分别以管体210 和第三层结构260为轴对称设置于远离管体210的第三层结构260上，并与第四对中线圈组60抵接。

具体地，参考图1所示，电子束偏转器上还设置有第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组80和第三扫描线圈组90。第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组 80和第三扫描线圈组90均是由4个构造相同的扫描线圈组成的。

参考图6所示，当电子束入射到达第一对中线圈组30和第一扫描线圈组70的位置处时，分别对第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组80和第三扫描线圈组90施加扫描波，这样就能够对光阑进行成像。因此，就可以知道此时电子束和光阑的确切位置。再对第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组50和第四对中线圈组60施加偏置电流，就能够挑选不同孔径大小的光阑，使得光阑像可以发生移动。从而，通过对第一对中线圈组30、第二对中线圈组40、第三对中线圈组50和第四对中线圈组60施加偏置电流，并对第一扫描线圈组70、第二扫描线圈组80和第三扫描线圈组90施加扫描波就能够将光阑像的位置调至成像视场中央，有利于节省电镜系统调节的时间，确定电子束的位置状态。

从而，通过上述产品结构达到了能够获取电子束的位置状态的技术效果。

本实用新型设置有第一像消散线圈层和第二像消散线圈层，并且第一像消散线圈层和第二像消散线圈层均包括有第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈。第一方向像消散线圈和第二方向像消散线圈均是由第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈组成的。第一像消散线圈和第二像消散线圈串联，第三像消散线圈和第四像消散线圈独立存在。调整第一像消散线圈、第二像消散线圈、第三像消散线圈和第四像消散线圈的输出比例，观察在电流值发生变化的情况下电子束的束斑是否发生变化。若电子束的束斑在电流值发生变化的情况下无明显偏移，则此后按此比例进行电流输出。从而，通过上述产品结构达到了增加像消散线圈的稳定性和精度的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的像消散线圈的稳定性较低和精度较差的技术问题。除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种电子束偏转器，其特征在于，包括：第一像消散线圈层(10a)和第二像消散线圈层(10b)，所述第一像消散线圈层(10a)和所述第二像消散线圈层(10b)构造相同，并且其中

所述第一像消散线圈层(10a)包括第一方向像消散线圈(11)和第二方向像消散线圈(12)，所述第二像消散线圈层(10b)也包括第一方向像消散线圈(11)和第二方向像消散线圈(12)并且其中

所述第一方向像消散线圈(11)和所述第二方向像消散线圈(12)均包括：第一像消散线圈(111，121)、第二像消散线圈(112，122)、第三像消散线圈(113，123)和第四像消散线圈(114，124)，并且其中

所述第一像消散线圈(111，121)与所述第二像消散线圈(112，122)串联，所述第三像消散线圈(113，123)和所述第四像消散线圈(114，124)独立存在。

2.根据权利要求1所述的电子束偏转器，其特征在于，还包括：绝缘管(20)，其中

所述绝缘管(20)包括：管体(210)、第一凹槽层(220)和第二凹槽层(230)，并且其中

所述第一凹槽层(220)和所述第二凹槽层(230)按顺序依次设置于所述管体(210)的下方，并且其中

所述第一像消散线圈层(10a)设置于所述第一凹槽层(220)内；以及

所述第二像消散线圈层(10b)设置于所述第二凹槽层(230)内。

3.根据权利要求2所述的电子束偏转器，其特征在于，还包括：第一对中线圈组(30)、第二对中线圈组(40)、第三对中线圈组(50)和第四对中线圈组(60)，所述绝缘管(20)还包括：第一层结构(240)、第二层结构(250)和第三层结构(260)，其中

所述第三层结构(260)与第一凹槽层(220)相邻，并设置于所述第一凹槽层(220)的上方，所述第一层结构(240)、所述第二层结构(250)和所述第三层结构(260)按顺序依次设置；

所述第一对中线圈组(30)、所述第二对中线圈组(40)、所述第三对中线圈组(50)和所述第四对中线圈组(60)均是由4个构造相同的偏转线圈组成的，并且其中

所述第一对中线圈组(30)分别以所述管体(210)和所述第一层结构(240)为轴对称设置于所述第一层结构(240)上；

所述第二对中线圈组(40)分别以所述管体(210)和所述第二层结构(250)为轴对称设置于所述第二层结构(250)上；

所述第三对中线圈组(50)分别以所述管体(210)和所述第二层结构(250)为轴对称设置于远离所述第二层结构(250)的所述第二对中线圈组(40)的外缘；以及

所述第四对中线圈组(60)分别以所述管体(210)和所述第三层结构(260)为轴对称设置于所述第三层结构(260)上。

4.根据权利要求3所述的电子束偏转器，其特征在于，还包括：第一扫描线圈组(70)、第二扫描线圈组(80)和第三扫描线圈组(90)，其中

所述第一扫描线圈组(70)、所述第二扫描线圈组(80)和所述第三扫描线圈组(90)均是由4个构造相同的扫描线圈组成的，并且其中

所述第一扫描线圈组(70)分别以所述管体(210)和所述第一层结构(240)为轴对称设置于远离所述管体(210)的所述第一层结构(240)上，并与所述第一对中线圈组(30)抵接；

所述第二扫描线圈组(80)分别以所述管体(210)和所述第二层结构(250)为轴对称设置于远离所述管体(210)的所述第二层结构(250)上，并分别与所述第二对中线圈组(40)和所述第三对中线圈组(50)抵接；以及

所述第三扫描线圈组(90)分别以所述管体(210)和所述第三层结构(260)为轴对称设置于远离所述管体(210)的所述第三层结构(260)上，并与所述第四对中线圈组(60)抵接。

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