CN217426746U - 功率模块封装结构 - Google Patents

Abstract

一种通过温度传感器与垂直引脚的结合，温度传感器可邻设于功率芯片附近，以提升温度传感器检测功率芯片温度的准确度的功率模块封装结构，包括基板、第一金属层、多个芯片、温度传感器、封胶体与多个第一引脚。第一金属层设置于基板的平面。多个芯片设置于第一金属层上，且电性连接第一金属层。温度传感器设置于第一金属层上，电性连接第一金属层。封胶体包覆基板、第一金属层、多个芯片与温度传感器。每一第一引脚包括金属座与金属柱，金属座的底端连接第一金属层，金属座的顶端与封胶体的顶面呈共平面，金属柱一端插置于金属座内。芯片电性连接至少一金属座。底端与温度传感器通过焊接方式共同地连接第一金属层，且温度传感器检测芯片的温度。

Description

功率模块封装结构

技术领域

本案涉及一种功率模块封装结构，尤其涉及一种功率模块封装结构，优化温度传感器与垂直引脚的设置，以提升温度传感器检测功率芯片温度的准确度，并强化封装结构的效能。

背景技术

一般而言，功率模块(power module)的封装结构系将各个电力电子组件，例如功率芯片设置于基板上，再以例如环氧树脂进行塑封成型，而向外连接所需的电气导通则通过多个横向引脚由内向外横向展开或再弯折脚位。然而，为实现模块化制造，各个电力电子学组件于基板上的布设需对应横向引脚的排列而设计。

另一方面，针对功率模块中功率芯片等发热电子组件，另有设置温度传感器的需求，以对功率芯片的温度进行检测。传统功率模块的封装结构系将温度传感器设置于模块的角落，以配合横向引脚的布局，但温度传感器将因远离功率芯片设置而使其温度检测不准确。又若考虑性能将温度传感器邻设于功率芯片的周围，则温度传感器与横向引脚的连接将会干涉功率芯片至横向引脚的电气导通，影响整体电路布局，同时减少功率芯片的有效散热铜面积。

有鉴于此，实有必要提供一种功率模块封装结构，优化温度传感器与垂直引脚的设置，提升温度传感器检测功率芯片温度的准确度，并强化封装结构的效能，以克服现有技术的缺失。

实用新型内容

本案的目的在于提供一种功率模块封装结构。通过温度传感器与垂直引脚的结合，温度传感器可邻设于功率芯片附近，以提升温度传感器检测功率芯片温度的准确度。此外，在限制封胶体尺寸的条件下，垂直引脚的设置有助于改善沿面距离/电气间隙的限制，增加封装设计布局的可调性以及缩小体积的可能性。另一方面，相较于横向引脚结构，由垂直引脚构成的封装结构在相同的封胶体尺寸条件下可进一步提升底部散热面积、提升单位产出量以及减少剪切成型模具支出。

本案另一目的在于提供一种功率模块封装结构。由于功率芯片与温度传感器向外的电气连接通过垂直引脚导接而出，可增加电路布局的可调性，亦可配合横向引脚，使沿面距离及电气间隙可更灵活的调适。另一方面，垂直引脚与基板上的金属层通过例如焊接方式堆栈设置，有助于减少组件覆盖面积(footprint area)，同时提升功率密度。再者，每一垂直引脚由金属座与金属柱架构而成，金属座可通过焊接方式直接连接至金属层或温度传感器的上方，并于封胶体形成后保持金属座的顶端与封胶体的顶面共平面(coplanar)，封胶体为金属座提供足够的结构支撑力，而金属柱则可以插置方式连接至金属座而完成垂直引脚的结构。于量产时，多个垂直引脚不干涉封胶体的横向联结，故封胶体条状联结的密度可大幅的增加，有助提升单位产品量，且不需使用传统剪切成型制程(trim and formprocess)，可减少模具的支出，降低制造成本。另外，相较于横向引脚结构需横向延伸封胶体来提供足够的结构支撑，垂直引脚通过封胶体的厚度实现金属座的结构支撑，在相同的封胶体尺寸条件下可包覆较大尺寸的基板及金属层，故可进一步提升底部散热面积，同时实现高功率密度的封装结构。

为达前述目的，本案提供一种功率模块封装结构，包括基板、第一金属层、多个芯片、温度传感器、封胶体以及多个第一引脚。第一金属层设置于基板的一平面上。多个芯片设置于第一金属层上，且电性连接第一金属层。温度传感器设置于第一金属层上，电性连接第一金属层。封胶体包覆基板、第一金属层、多个芯片以及温度传感器。其中每一第一引脚包括一金属座以及一金属柱，金属座的一底端通过一焊接方式连接至第一金属层，金属座的一顶端与封胶体的一顶面呈共平面，金属柱的一端由顶端插置于金属座内。每一芯片电性连接至少一多个第一引脚的金属座。多个第一引脚之一的金属座的底端与温度传感器通过焊接方式共同地连接第一金属层，且温度传感器用以检测电性连接于多个第一引脚之一的芯片的温度。

于一实施例中，每一第一引脚中的金属座的顶端具有一开口，且金属柱的另一端自开口向外凸伸。

于一实施例中，多个第一引脚自基板的平面向上延伸且贯穿封胶体。

于一实施例中，多个第一引脚中之一的金属座的底端设置于温度传感器的上方，且直接电性连接温度传感器，其中多个第一引脚在平面上的垂直投影与温度传感器在平面上的垂直投影至少部分重叠。

于一实施例中，多个第一引脚通过第一金属层分别电性连接多个芯片。

于一实施例中，功率模块封装结构更包括第二金属层，设置于基板的另一平面，且基板的另一平面在空间上相对于设置第一金属的平面。其中第二金属层的底面与封胶体的底面呈共平面，其中多个第一引脚在平面的垂直投影均位于第二金属层在平面的垂直投影范围内。

于一实施例中，功率模块封装结构还包括多个第二引脚，电性连接第一金属层，且沿平面延伸且贯穿封胶体的一侧壁。

于一实施例中，多个第一引脚与多个第二引脚在封胶体的表面具有一第一沿面距离，多个第二引脚在封胶体的表面具有一第二沿面距离，第一沿面距离大于第二沿面距离。

于一实施例中，多个第一引脚具有一第一电气间距，多个第二引脚具有一第二电气间距，第二沿面距离大于第一电气间距与第二电气间距。

于一实施例中，第一沿面距离与第二沿面距离不小于6.3mm，第一电气间距与第二电气间距不小于0.8mm。

附图说明

图1为本案第一实施例的功率模块封装结构于上方视角的立体结构图；

图2为本案第一实施例的功率模块封装结构于下方视角的立体结构图；

图3A及图3B为图1中沿AA’线段截取的剖面图；

图4为本案第一实施例的功率模块封装结构的上视图；

图5为本案第一实施例的功率模块封装结构的下视图；

图6为本案第一实施例的功率模块封装结构的单位产出量示范例；

图7A及图7B揭示本案第一实施例的功率模块封装结构通过切割方式产出；

图8为本案第二实施例的功率模块封装结构于上方视角的立体结构图；

图9为本案第二实施例的功率模块封装结构于下方视角的立体结构图；

图10为图8中沿BB’线段截取的剖面图；

图11为本案第二实施例的功率模块封装结构的上视图；

图12为本案第二实施例的功率模块封装结构的下视图。

附图标号说明：

1、1a：功率模块封装结构

10：基板

11：第一面

12：第二面

20：第一金属层

30：芯片

40：温度传感器

41：顶面

42：底面

50：封胶体

51：顶面

52：底面

53、54：侧壁

60、60a、60b：第一引脚

61：金属座

611：底端

612：顶端

613：开口

62：金属柱

621：下端

622：上端

70：第二金属层

71：底面

80：第二引脚

81：垂直延伸部

2：连片结构

5：条状联结体

9：切割刀

D1：第一沿面距离

D11：顶面段

D12：侧壁段

D2：第二沿面距离

G1：第一电气间距

G2：第二电气间距

AA’、BB’：线段

L：长度

W：宽度

T：厚度

X、Y、Z：轴

具体实施方式

体现本案特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本案的范围，且其中的说明及附图在本质上当作说明之用，而非用于限制本案。例如，若本案以下的内容叙述了将一第一特征设置于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所设置的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征设置于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本案不同实施例可能使用重复的参考符号和/或标记。这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例和/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一组件或特征部件与另一(复数)组件或(复数)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之上”、“下方”、“较下部”、“上方”、“较上部”、“顶”、“底”及类似的用语等。除了附图所示出的方位之外，空间相关用语用以涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。此外，当将一组件称为“连接到”或、“耦合到”另一组件时，其可直接连接至或耦合至另一组件，或者可存在介入组件。尽管本案广义范围的数值范围及参数为近似值，但尽可能精确地在具体实例中陈述数值。另外，可理解的是，虽然“第一”、“第二”、“第三”等用词可被用于申请专利范围中以描述不同的组件，但这些组件并不应被这些用语所限制，在实施例中相应描述的这些组件是以不同的组件符号来表示。这些用语是为了分别不同组件。例如：第一组件可被称为第二组件，相似地，第二组件也可被称为第一组件，而不会脱离实施例的范围。如此所使用的用语“和/或”包含了一或多个相关列出的项目的任何或全部组合。

请参阅图1至图5。图1及图2为本案第一实施例的功率模块封装结构的立体结构图。图3A及图3B为图1中沿AA’线段截取的剖面图。图4为本案第一实施例的功率模块封装结构的上视图。图5为本案第一实施例的功率模块封装结构的下视图。于本实施例中，功率模块封装结构1包括基板10、第一金属层20、多个芯片30、温度传感器40、封胶体50以及多个第一引脚60。基板10包括在空间上彼此相对的第一面11以及第二面12。第一金属层20例如设置于第一面11构成的平面。多个芯片30例如是功率芯片，设置于第一金属层20上，且通过例如打线接合(wire bonding)电性连接第一金属层20。于其他实施例中，芯片30例如与第一金属层20直接连接，本案并不以此为限。于本实施例中，温度传感器40设置于第一金属层20上，电性连接第一金属层20，邻设于多个芯片30中的一者，且组配检测相邻芯片30的温度。封胶体50包覆基板10、第一金属层20、多个芯片30以及温度传感器40。多个第一引脚60沿第一面11远离第二面12的方向(即Z轴方向)延伸且贯穿封胶体50，且分别电性连接芯片30以及温度传感器40。于本实施例中，温度传感器40邻设于第一面11上多个第一引脚60中的一者。如图3A所示，多个第一引脚60中的一者，即第一引脚60a设置于温度传感器40的上方，且通过黏着/焊接方式连接至温度传感器40的顶面41，使第一引脚60a直接电连接至温度传感器40上方。此时，多个第一引脚60在第一面11上的垂直投影与温度传感器40在第一面11上的垂直投影至少部分重叠。于其他实施例中，温度传感器40通过例如打线接合(wirebonding)电性连接多个第一引脚60中最接近者，即如图3B所示第一引脚60b。当然，本案并不以此为限。于本实施例中，第一引脚60与基板10上的第一金属层20通过例如焊接方式堆栈设置，有助于减少组件覆盖面积(footprint area)，同时提升功率密度。于本实施例中，通过温度传感器40与第一引脚60在Z轴方向堆栈的结合，温度传感器40邻设于多个芯片30之一的附近，可提升温度传感器40检测芯片30温度的准确度。再者，由于芯片30与温度传感器40向外的电气连接通过垂直于基板10的第一引脚60沿Z轴方向导接而出，多个第一引脚60的排列可视实际应用需求而调变，不受限于线性排列，有助于增加电路布局的可调性。

于本实施例中，每一第一引脚60包括金属座61以及金属柱62，金属座61的一底端611通过例如焊接方式连接至第一金属层20。于封胶体50灌胶成型包覆基板10、第一金属层20、多个芯片30以及温度传感器40时，金属座61嵌埋于封胶体50内，且金属座61的另一顶端612与封胶体50的顶面51呈共平面。于本实施例中，多个第一引脚60之一的金属座61的底端611与所对应相邻的温度传感器40通过焊接方式共同地连接第一金属层20，则温度传感器40即可用以检测电性连接于多个第一引脚60之一且最接近的芯片30的温度。另外，金属柱62的一下端621由金属座61的顶端612插置于金属座61内。于本实施例中，每一第一引脚60中的金属座61的顶端612具有一开口613，金属柱62的另一上端622则自开口613向外凸伸。于一实施例中，金属柱62的下端621更例如于封胶体50灌胶成型后再插置于对应的金属座61内，而金属柱62的另一上端622则自金属座61的顶端612沿Z轴方向外凸伸。需说明的是，每一垂直于基板10的第一引脚60更由金属座61与金属柱62架构而成，金属座61可通过焊接方式直接连接至第一金属层20或温度传感器40的上方，并于封胶体50灌胶成型后保持每一第一引脚60的金属座61的顶端612与封胶体50的顶面51共平面，则封胶体50可为金属座61提供足够的结构支撑力，而金属柱62则可于封胶体50灌胶成型后再插置于对应的金属座61而完成第一引脚60的结构。当然，本案并不以此为限。

于本实施例中，多个第一引脚60垂直于基板10，即沿Z轴方向延伸且彼此平行。任两相邻的第一引脚60可形成一电气间距，而多个第一引脚60具有一最小的第一电气间距G1。于本实施例中，多个第一引脚60例如对应至少一芯片30、温度传感器40或其他电子器件而在XY平面上不规则排列，形成不同的第一电气间距G1。其中最小的第一电气间距G1不小于0.8mm，即可使功率模块封装结构1符合安全规范。当然，本案并不受限于此。

于本实施例中，功率模块封装结构1还包括第二金属层70，设置于基板10的另一平面，即第二面12，第二面12在空间上相对于设置第一金属层20的第一面11，则第二金属层70可用以提供散热功能。于本实施例中，第二金属层70的底面71与封胶体50的底面52呈共平面，其中多个第一引脚60在第一面11的垂直投影均位于第二金属层70在第一面11的垂直投影范围内，封胶体50可通过增加Z轴方向的厚度而强化第一引脚60的金属座61的支撑，而不需于XY平面上再扩展。换言之，相较于横向引脚结构需横向延伸封胶体50来提供足够的结构支撑，本案垂直于基板10的第一引脚60通过封胶体50的厚度实现金属座61的结构支撑，在相同的封胶体50尺寸条件下可包覆较大尺寸的基板10及第二金属层70，故可进一步提升功率模块封装结构1的底部散热面积，同时实现高功率密度的封装结构。

图6为本案第一实施例的功率模块封装结构的单位产出量示范例。图7A及图7B揭示本案第一实施例的功率模块封装结构通过切割方式产出。参考图1至图7A与图7B。于本实施例中，多个功率模块封装结构1可例如以一连片结构2进行量产，以节省空间及制造成本。在长度L＝280mm与宽度W＝80mm的XY平面空间上，连片结构2上排列有2×6＝12个功率模块封装结构1而进行量产。于量产时，12个功率模块封装结构1例如同时通过一灌胶成型制程而形成封胶体50的条状联结体5，条状联结体5则可利用例如四方平面无引脚(Quad FlatNo leads，QFN)封装的切割方式，以切割刀9切割产出各别的功率模块封装结构1。于其他实施例中，对应不同封装尺寸的功率模块封装结构1，仅需做切割机台参数调整，即可产出所需尺寸，毋需使用额外的金属导线架或成型弯折模具，有效简化制造流程并降低生产成本。再者，由于多个沿Z轴延伸的第一引脚60不干涉封胶体50的横向联结，故封胶体50的条状联结体5的密度可大幅的增加，有助提升单位产品量，且毋需使用传统剪切成型制程(trimand form process)，可减少金属导线架以及成型弯折模具的支出，降低制造成本。当然，本案并不以此为限。

请参阅图8至图12。图8及图9为本案第二实施例的功率模块封装结构的立体结构图。图10为图8中沿BB’线段截取的剖面图。图11为本案第二实施例的功率模块封装结构的上视图。图12为本案第二实施例的功率模块封装结构的下视图。于本实施例中，功率模块封装结构1a与图1至图5所示的功率模块封装结构1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，功率模块封装结构1a除了包括基板10、第一金属层20、多个芯片30、温度传感器40、封胶体50、多个第一引脚60以及第二金属层70外，更包括多个第二引脚80，电性连接第一金属层20，且沿第一面11例如在X轴方向上延伸且分别贯穿封胶体50的两相对侧壁53、54。

于本实施例中，每一第二引脚80更包括一垂直延伸部81沿Z轴延伸。当然，于其他实施例中，第二引脚80可省略垂直延伸部81，本案并不以此为限。

于本实施例中，多个芯片30与温度传感器40向外的电气连接可通过沿Z轴延伸的第一引脚60导接而出外，亦可再配合沿X轴横向延伸的第二引脚80来增加电路布局的可调性。于本实施例中，当多个第一引脚60中的一者直接通过黏着/焊接等方式链接至温度传感器40的顶面41时，使温度传感器40与第一引脚60在Z轴方向堆栈的结合，温度传感器40邻设于多个芯片30之一的附近，可提升温度传感器40检测芯片30温度的准确度。于其他实施例中，邻设于芯片30的温度传感器40亦可通过打线焊接方式连接至多个第一引脚60中最接近温度传感器40者，本案并不受限于此。再者，于本实施例中，由于芯片30与温度传感器40向外的电气连接通过垂直于基板10的第一引脚60沿Z轴方向导接而出，亦可配合平行于基板10沿X轴横向延伸的第二引脚80导接而出，因此可进一步增加电路布局的可调性。当然，多个第一引脚60与第二引脚80的数量与排列可视实际应用需求而调变，本案并不以此为限。

于本实施例中，多个第一引脚60与多个第二引脚80在封胶体50的表面可例如架构一最小的一第一沿面距离D1，第一沿面距离D1包括顶面段D11及侧壁段D12。其中顶面段D11位于封胶体50的顶面51，侧壁侧D12位于封胶体50的侧壁54。另外，多个第二引脚80在封胶体50的侧壁54的表面亦可例如架构有最短的第二沿面距离D2。值得注意的是，第一沿面距离D1的侧壁段D12与封胶体50的厚度T具有相关性，当封胶体50的厚度T越大，侧壁段D12的值也会越大，则功率模块封装结构1a可架构的第一沿面距离D1也越大。于本实施例中，第一沿面距离D1与第二沿面距离D2均不小于6.3mm，以符合安全规范。通过增加封胶体50的厚度T，本案功率模块封装结构1a可更实现第一沿面距离D1大于第二沿面距离D2，使第一引脚60与第二引脚80架构的第一沿面距离D1与第二沿面距离D2可更灵活的调适。

另外，于本实施例中，多个第一引脚60沿Z轴延伸，设置于基板10上的第一金属层20时，多个第一引脚60彼此平行排列，且具有最小的第一电气间距G1。于本实施例中，多个第二引脚80沿X轴分别贯穿封胶体50的侧壁53、54时，多个第二引脚80彼此平行排列，具有最小的一第二电气间距G2。于本实施例中，为符合安全规范，第一电气间距G1与第二电气间距G2均不小于0.8mm，又第一沿面距离D1与第二沿面距离D2均不小于6.3mm。第二沿面距离D2大于第一电气间距G1与第二电气间距G2。通过增加封胶体50的厚度T以及调整第一引脚60与第二引脚80的排列，本案功率模块封装结构1a可更易于实现第一沿面距离D1大于第二沿面距离D2，第二沿面距D2离大于第一电气间距G1与第二电气间距G2的需求，使第一引脚60与第二引脚80架构的第一沿面距离D1、第二沿面距离D2、第一电气间距G1与第二电气间距G2可更灵活的调适。当然，于其他实施例中，封胶体50的厚度T、第一引脚60与第二引脚80的数量及排列方式等均可视实际应用需求调变，本案并不受限于此。

综上所述，本案提供一种功率模块封装结构。通过温度传感器与垂直引脚的结合，温度传感器可邻设于功率芯片附近，以提升温度传感器检测功率芯片温度的准确度。此外，在封胶体尺寸限制条件下，垂直引脚的设置有助于改善沿面距离/电气间隙的限制，增加封装设计布局的可调性以及缩小体积的可能性。另一方面，相较于横向引脚结构，由垂直引脚构成的封装结构在相同的封胶体尺寸条件下可进一步提升底部散热面积、提升单位产出量以及减少剪切成型模具支出。由于功率芯片与温度传感器向外的电气连接通过垂直引脚导接而出，可增加电路布局的可调性，亦可配合横向引脚，使沿面距离及电气间隙可更灵活的调适。另一方面，垂直引脚与基板上的金属层通过例如焊接方式堆栈设置，有助于减少组件覆盖面积(footprint area)，同时提升功率密度。再者，每一垂直引脚由金属座与金属柱架构而成，金属座可通过焊接方式直接连接至金属层或温度传感器的上方，并于封胶体形成后保持金属座的顶端与封胶体的顶面共平面，封胶体为金属座提供足够的结构支撑力，而金属柱则可以插置方式连接至金属座而完成垂直引脚的结构。于量产时，多个垂直引脚不干涉封胶体的横向联结，故封胶体条状联结的密度可大幅的增加，有助提升单位产品量，且不需使用传统剪切成型制程(trim and form process)，可减少模具的支出，降低制造成本。另外，相较于横向引脚结构需横向延伸封胶体来提供足够的结构支撑，垂直引脚通过封胶体的厚度实现金属座的结构支撑，在相同的封胶体尺寸条件下可包覆较大尺寸的基板及金属层，故可进一步提升底部散热面积，实现高功率密度的封装结构。

本案得由本领域技术人员任施匠思而为诸般修饰，然皆不脱如附申请权利要求所欲保护的。

Claims (10)

1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，设置于所述基板的平面上；

多个芯片，设置于所述第一金属层上，且电性连接所述第一金属层；

温度传感器，设置于所述第一金属层上，电性连接所述第一金属层；

封胶体，包覆所述基板、所述第一金属层、所述多个芯片以及所述温度传感器；以及

多个第一引脚，其中每一所述第一引脚包括金属座以及金属柱，所述金属座的底端通过焊接方式连接至所述第一金属层，所述金属座的顶端与所述封胶体的顶面呈共平面，所述金属柱的一端由所述顶端插置于所述金属座内；

其中每一所述芯片电性连接至少一所述多个第一引脚的所述金属座；

其中所述多个第一引脚之一的所述金属座的所述底端与所述温度传感器通过所述焊接方式共同地连接所述第一金属层，且所述温度传感器用以检测电性连接于所述多个第一引脚之一的所述芯片的温度。

2.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，每一所述第一引脚中的所述金属座的所述顶端具有开口，且所述金属柱的另一端自所述开口向外凸伸。

3.根据权利要求2所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述多个第一引脚自所述基板的所述平面向上延伸且贯穿所述封胶体。

4.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述多个第一引脚中之一的所述金属座的所述底端设置于所述温度传感器的上方，且直接电性连接所述温度传感器，其中所述多个第一引脚在所述平面上的垂直投影与所述温度传感器在所述平面上的垂直投影至少部分重叠。

5.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述多个第一引脚通过所述第一金属层分别电性连接所述多个芯片。

6.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，还包括第二金属层，设置于所述基板的另一平面上，且所述基板的所述另一平面在空间上相对于设置所述第一金属层的所述平面；

其中所述第二金属层的底面与所述封胶体的底面呈共平面，其中所述多个第一引脚在所述平面的垂直投影均位于所述第二金属层在所述平面的垂直投影范围内。

7.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，还包括多个第二引脚，电性连接所述第一金属层，且沿所述平面延伸且贯穿所述封胶体的侧壁。

8.根据权利要求7所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述多个第一引脚与所述多个第二引脚在所述封胶体的表面具有第一沿面距离，所述多个第二引脚在所述封胶体的表面具有第二沿面距离，所述第一沿面距离大于所述第二沿面距离。

9.根据权利要求8所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述多个第一引脚具有第一电气间距，所述多个第二引脚具有第二电气间距，所述第二沿面距离大于所述第一电气间距与所述第二电气间距。

10.根据权利要求9所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第一沿面距离与所述第二沿面距离不小于6.3mm，所述第一电气间距与所述第二电气间距不小于0.8mm。

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