CN217361602U - 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 - Google Patents
一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217361602U CN217361602U CN202220565960.2U CN202220565960U CN217361602U CN 217361602 U CN217361602 U CN 217361602U CN 202220565960 U CN202220565960 U CN 202220565960U CN 217361602 U CN217361602 U CN 217361602U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ternary material
- thin film
- novel ternary
- materials
- novel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RINGIGAJUKLHET-UHFFFAOYSA-N selanylidene(sulfanylidene)molybdenum Chemical compound S=[Mo]=[Se] RINGIGAJUKLHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYYDNLBOFQOSGT-UHFFFAOYSA-N [Bi]=O.[Se] Chemical compound [Bi]=O.[Se] SYYDNLBOFQOSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 23
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 3
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIWPWWQKBCCJTP-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Se]=O Chemical compound [Bi].[Se]=O GIWPWWQKBCCJTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- IKHZKATVXPFKTI-UHFFFAOYSA-N tellanylideneiron Chemical compound [Fe].[Te] IKHZKATVXPFKTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical group O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种基于新型三元材料的异质结光电探测器，利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料与其他薄膜材料组成异质结结构，通过差异化后热退火处理达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。本实用新型所述器件结构从下到上依次为衬底、绝缘层、新型三元材料、其他薄膜材料、金属电极。在二维半导体中，空气稳定和高迁移率的新型三元材料，具超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，新型三元材料还具有如强自旋轨道耦合、二聚硒空位和铁电性等物理特性，用这些特性，将其与其他薄膜材料复合可以拓宽器件的响应光谱范围和增强器件光电性能。该器件具有响应速度快、响应光谱范围广、响应速度可调等特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及新型材料光探测技术领域，具体涉及一种基于新型三元材料的异质结光电探测器。
背景技术
自1950年以来，硅(Si)一直是微电子行业的主要半导体。遵循摩尔定律，硅基集成电路(IC)技术到2020年底将发展到5纳米节点。然而，硅基电子产品也会面临各种挑战，例如载流子迁移率降低和亚10纳米节点的短沟道效应的增加。为了克服这些缺点，二维(2D)半导体因其固有的原子厚度、柔韧性和无悬挂键表面而成为下一代电子产品最具竞争力的候选材料之一。
在所有二维半导体中，空气稳定和高迁移率的半导体新型三元材料如硒氧铋(Bi2O2Se)、碲氧铋(Bi2O2Te)、钼硫硒(MoSSe)、铁碲硒(FeTeSe)、铋硒碲(Bi2Se1.5Te1.5)等，具有一些突出的优势，使其在电子行业中尤其受到欢迎。首先，新型三元材料表现出超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能。此外，新型三元材料还具有一些有趣的物理特性，如强自旋轨道耦合、二聚硒空位和铁电性等。利用这些特性，研究人员制造了高性能电子器件，包括逻辑器件、光电子器件、热电器件、传感器和存储器件等。
目前，新型三元材料主要通过化学气相沉积(CVD)在云母基板上生长，但新型三元材料与云母表面之间的静电相互作用不可避免地与硅/金属-氧化物-半导体(CMOS)工艺不兼容。其次，机械剥离法将新型三元材料转移到其他材料上形成异质结构，技术要求高，且使用腐蚀性溶剂。这些因素影响了新型三元材料基器件的性能，阻碍了它们的各种应用。同时，还应考虑对电流阵列成像器件材料的大规模需求。新型三元材料的高载流子浓度(1013cm-3～1017cm-3)导致器件的高暗电流(>10-6A)和较慢的光响应时间(～ms)，这阻碍了高开关比和快速响应光电探测器的发展。新型三元材料是一类很有前途的半导体，正如大量基于高性能新型三元材料的器件所证明的那样。因此，期待新型三元材料的独特特性可以提供额外的机会来补充或取代硅作为下一代电子行业的材料平台。而要填补与现实工艺之间的差距，还有大量研究工作，尤其是在大规模材料合成和系统器件集成这两方面。因此，迫切需要开发一种能制备大尺寸的新型三元材料基异质结器件，使其具有广泛的实际应用价值。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种基于新型三元材料的异质结光电探测器，采用新型三元材料和其他薄膜材料，制成大尺寸阵列器件，采用不同的新型三元材料和其他薄膜材料厚度比可以实现对器件响应度的调节，新型三元材料和其他薄膜材料之间接触区域形成内建电场，增强载流子的产生及分离速度，在金属电极两端外部电场的作用下，正负电荷定向移动，最终形成电流并被收集，解决了上述背景技术中提到的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于新型三元材料的异质结光电探测器，所述探测器结构从下到上依次包括：衬底(1)、绝缘层(2)、新型三元材料(3)、其他薄膜材料(4)、金属电极，金属电极包括金属漏电极(5a)和金属源电极(5b)；所述新型三元材料(3)、其他薄膜材料(4)形成了平面异质结结构，其中，新型三元材料(3)作为底部光敏层，其他薄膜材料(4)作为顶部光敏层。
优选的，所述的新型三元材料(3)、其他薄膜材料(4)之间接触区域形成内建电场，增强载流子的产生及分离速度。
优选的，所述的新型三元材料(3)、其他薄膜材料(4)与金属漏电极(5a)相连接，形成敏感沟道。
优选的，所述新型三元材料(3)、其他薄膜材料(4)的厚度为30～150纳米。
优选的，所述的新型三元材料(3)是硒氧铋、碲氧铋、钼硫硒、铁碲硒或铋硒碲；所述的其他薄膜材料(4)为氧化钼。
优选的，所述的新型三元材料(3)沉积生长在带有绝缘层的衬底上
优选的，所述衬底(1)的尺寸为20X20mm，厚度为700微米的单抛单晶硅。
本实用新型的有益效果是：相比以前的石墨烯基光电探测器，由于新型三元材料具有超高的载流子迁移率，与其他材料复合可以使得器件的响应度和响应速度都有极大的提升。并且利用不同温度差异化后退火处理新型三元材料和其他薄膜材料可以有效的提升器件探测光谱范围。同时新型三元材料和其他薄膜材料组成的两层异质结结构，比传统的器件工艺难度降低很多。由于采用新型三元材料和其他薄膜材料，很容易制成大尺寸阵列器件。采用不同的新型三元材料和其他薄膜材料厚度比可以实现对器件响应度的调节。
附图说明
图1为本实用新型器件具体结构示意图；
图2为本实用新型新型三元材料和其他薄膜材料接触能带结构示意图；
图3为本实用新型新型三元材料扫描隧道显微镜测试表面形貌图；
图中，1-衬底，2-绝缘层，3-新型三元材料，4-其他薄膜材料，5a-金属漏电极，5b-金属源电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-图3，本实用新型提供一种技术方案：一种基于新型三元材料的异质结光电探测器结构，如图1所示，其中器件结构从下到上依次为衬底1、绝缘层2、新型三元材料3、其他薄膜材料4、金属电极，金属电极包括金属漏电极5a和金属源电极5b。
所述新型三元材料3、其他薄膜材料4形成了平面异质结结构，接触能带结构如图2所示，其中，新型三元材料3作为底部光敏层，其他薄膜材料4作为顶部光敏层。
进一步的，所述的新型三元材料3、其他薄膜材料4与金属漏电极5a相连接，电极之间形成敏感沟道。新型三元材料扫描隧道显微镜测试表面形貌图如图3所示。
进一步的，所述衬底1的尺寸为20X20mm，厚度为700微米的单抛单晶硅。
进一步的，所述新型三元材料3、其他薄膜材料4的厚度为30～150纳米。
进一步的，所述新型三元材料3、其他薄膜材料4之间通过厚度变化可对探测器的探测光谱范围进行调节。
所述新型三元材料3经过不同温度差异化热退火处理，差异化后热退火处理的温度范围是40摄氏度～400摄氏度，退火时间30分钟，退火气氛氮气。
所述其他薄膜材料4经过不同温度差异化热退火处理，差异化后热退火处理的温度范围是80摄氏度～350摄氏度，退火时间30分钟，退火气氛氮气。
所述新型三元材料3和其他薄膜材料4之间接触形成内建电场，增强载流子的产生及分离速度。
本实施例中使用的新型三元材料为硒氧铋(Bi2O2Se)，该材料具有超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，在不同温度差异化热退或处理后硒氧铋展示出不同的光谱吸收范围。本实施例中使用的其他薄膜材料为氧化钼(MoO3)。两层薄膜材料的复合在接触区域形成内建电场，增强载流子的产生及分离速度。同时两层薄膜材料经过不同温度差异化热退火处理后，所得器件的响应度和响应速度都被有效调制。
本实用新型所述的基于新型三元材料的异质结光电探测器器件的制备方法，包含以下步骤：
步骤1：清洗带有绝缘层2的衬底1，清洗过程分为化学清洗和物理清洗两部分，使用双氧水清洗、去离子水超声、洗洁精清洗、丙酮超声、乙醇超声、去离子水超声；
步骤2：采用热蒸发沉积在步骤1中清洗完成的衬底/绝缘层上沉积生长100纳米厚度的新型三元材料硒氧铋3，沉积生长温度范围是580摄氏度；
步骤3：采用不同温度差异化热退火处理步骤2中沉积完成新型三元材料硒氧铋的衬底/绝缘层，差异化后热退火处理的温度范围是320摄氏度，退火时间30分钟，退火气氛氮气；
步骤4：采用热蒸发沉积在步骤3中不同温度差异化热退火处理完成的新型三元材料硒氧铋的衬底/绝缘层上沉积生长50纳米厚度的其他薄膜材料层氧化钼4，沉积生长温度范围是600摄氏度；
步骤5：采用不同温度差异化热退火处理步骤4中沉积完成其他薄膜材料层氧化钼/新型三元材料硒氧铋的衬底/绝缘层，差异化后热退火处理的温度范围是280摄氏度，退火时间30分钟，退火气氛氮气；
步骤6：采用热蒸发沉积方法在完成步骤5中差异化后热退火处理的其他薄膜材料层氧化钼/新型三元材料硒氧铋的衬底1/绝缘层2的新型三元材料3、其他薄膜材料层4上蒸镀金属漏电极5a，完成器件制备。
相比以前的石墨烯基光电探测器，由于新型三元材料具有超高的载流子迁移率，与其他材料复合可以使得器件的响应度和响应速度都有极大的提升。并且利用不同温度差异化后退火处理新型三元材料和其他薄膜材料可以有效的提升器件探测光谱范围。同时新型三元材料和其他薄膜材料组成的两层异质结结构，比传统的器件工艺难度降低很多。由于采用成熟简单的制备新型三元材料和其他薄膜材料的方法，很容易制成大尺寸阵列器件，制备过程不会造成环境污染。采用不同的新型三元材料和其他薄膜材料厚度比可以实现对器件响应度的调节。
在二维半导体中，空气稳定和高迁移率的新型三元材料，具超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能。此外，新型三元材料还具有一些奇特的物理特性，如强自旋轨道耦合、二聚硒空位和铁电性等，利用这些特性，将其与其他薄膜材料复合可以拓宽器件的响应光谱范围和增强器件光电性能。该器件具有响应速度快、响应光谱范围广、响应速度可调等特点。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种基于新型三元材料的异质结光电探测器，其特征在于，所述探测器结构从下到上依次包括：衬底(1)、绝缘层(2)、新型三元材料(3)、氧化钼薄膜材料(4)、金属电极，金属电极包括金属漏电极(5a)和金属源电极(5b)；所述新型三元材料(3)、氧化钼薄膜材料(4)形成了平面异质结结构，其中，新型三元材料(3)作为底部光敏层，氧化钼薄膜材料(4)作为顶部光敏层。
2.根据权利要求1所述的基于新型三元材料的异质结光电探测器，其特征在于：所述新型三元材料(3)、氧化钼薄膜材料(4)的厚度为30～150纳米。
3.根据权利要求1所述的基于新型三元材料的异质结光电探测器，其特征在于：所述的新型三元材料(3)是硒氧铋、碲氧铋、钼硫硒、铁碲硒或铋硒碲。
4.根据权利要求1所述的基于新型三元材料的异质结光电探测器，其特征在于：所述的新型三元材料(3)沉积生长在带有绝缘层的衬底上。
5.根据权利要求1所述的基于新型三元材料的异质结光电探测器，其特征在于：所述衬底(1)的尺寸为20X20mm，厚度为700微米的单抛单晶硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220565960.2U CN217361602U (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220565960.2U CN217361602U (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217361602U true CN217361602U (zh) | 2022-09-02 |
Family
ID=83051592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202220565960.2U Active CN217361602U (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217361602U (zh) |
-
2022
- 2022-03-15 CN CN202220565960.2U patent/CN217361602U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Patel et al. | Numerical study of a high‑performance thin film CIGS solar cell with a-Si and MoTe2 hole transport layer | |
| JP2013062547A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN109244246B (zh) | 一种基于拓扑绝缘体硒化铋电极的宽波段光电探测器 | |
| KR20180062236A (ko) | 이차원 물질을 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| CN103390640B (zh) | 一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法 | |
| CN113838943B (zh) | 一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法 | |
| CN109962124A (zh) | 基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法 | |
| CN107785452A (zh) | 双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器及其制备方法 | |
| CN109638152B (zh) | 一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法 | |
| CN112447858B (zh) | 结型场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN112687809B (zh) | 一种碲化锑光电探测器件及其制备方法 | |
| CN217361602U (zh) | 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器 | |
| CN114141956A (zh) | 一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用 | |
| CN114927586B (zh) | 一种基于新型三元材料的异质结光电探测器及制备方法 | |
| CN109950364B (zh) | 基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法 | |
| CN112054074A (zh) | 光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法 | |
| CN111864006A (zh) | 基于引入氧缺陷的多层TMDs光电器件及制备方法 | |
| Zhang et al. | Sulfur-passivated InSb nanowires for infrared photodetectors | |
| CN117577728A (zh) | 一种高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器及其制备方法 | |
| CN109616533A (zh) | 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN110739399B (zh) | 柔性垂直结构npb/氮掺杂石墨烯纳米异质结紫外探测器及其制备方法 | |
| CN217361601U (zh) | 一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器 | |
| CN114759143A (zh) | 基于铁电p-i-n结的光电探测器及其制备方法 | |
| TW202218175A (zh) | 鈣鈦礦金屬－半導體－金屬型光電探測器及其製法 | |
| CN114927587B (zh) | 一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |