CN217356526U - 一种增强中心光强的cob模组光源 - Google Patents
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Abstract
一种增强中心光强的COB模组光源,包括基板、线路层、至少一发光二极管芯片;所述线路层布置于所述基板,所述发光二极管芯片布置于所述线路层;所述发光二极管芯片自所述基板的中心呈发散状由内向外设置;在所述发光二极管芯片处设有将其包裹住的硅胶质荧光体。通过改变COB光源不同位置发光二极管芯片的光线的输出角度,从中心往外的方向上,发光二极管芯片的发光角度逐渐变窄,使得发光面边缘光线发散程度大大降低,且更多地往中心区域折射,从而更多地聚集到中心区域,整体收窄COB的出光角度,显著增大中心光强。
Description
技术领域
本实用新型属于LED技术领域,具体的涉及一种增强中心光强的COB模组光源。
背景技术
随着LED半导体照明技术的普及,越来越多的照明设计使用发光二极管光源,同时由于节能,环保,体积小等优势,使得其在通用照明、特种照明、汽车照明等领域衍生出越来越多的应用设计方案。
在LED实际应用中,一些灯具如筒灯,射灯,轨道灯,应用于局部照明,对于中心光强或中心照度的要求日益增高,特别是15°、20°这些小角度的灯具。目前大部分的LED灯具是通过LED外部的二次光学设计达到在中心聚光的效果,增加中心光强或者中心照度,比如透镜、反射杯或将LED置于凹槽反射的方法;在Level 1光源级别上,COB则是通过增加中心区域的发光二极管的数量,密集排布,以达到增加中心光强的效果。
COB模组光源,是将发光二极管芯片直接布置在金属、陶瓷或者复合材料的基板上的高光效集成面光源,发光角度基本普遍都是120°,光线出光主要集中在±60°的中心区域范围内,故不能很好地聚焦在更小的一个中心区域内,这样中心区域能有效利用的光线就减少了很多,没有达到很高的中心光强的效果,参考图1。
增加中心区域发光二极管的数量,加密排布,可以增加中心区域的亮度输出,以达到增大中心光强的效果,但是在一定的中心区域内增加发光二极管数量,缩短发光二极管间的间隙,会导致:
1)发光二极管与发光二极管间的间隙过小,阻碍出光。
2)中心区域的热量集中,散热不均匀。
3)影响COB模组光源的亮度维持率/寿命,参考图2。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺点,本实用新型的目的在于提供一种增强中心光强的COB模组光源,旨在解决现有技术存在的封装尺寸大、封装亮度下降的问题。
本实用新型为达到其目的,所采用的技术方案如下:
一种增强中心光强的COB模组光源,包括:
基板、线路层、至少一发光二极管芯片;
所述线路层布置于所述基板,所述发光二极管芯片布置于所述线路层;
所述发光二极管芯片自所述基板的中心呈发散状由内向外设置;
在所述发光二极管芯片处设有将其包裹住的硅胶质荧光体。
优选的,所述硅胶质荧光体为与单个所述发光二极管芯片相对应包裹的硅胶帽,所述硅胶帽包裹于所述发光二极管芯片的四个侧面以及顶面,所述硅胶帽内设有一种或多种荧光转换材料。
优选的,所述硅胶帽采用透明硅胶、硅树脂、环氧树脂一种或者几种组合的硅胶帽;
所述荧光转换材料为红色、黄色、绿色荧光粉之中的一种或多种组合。
优选的,所述发光二极管芯片自所述基板的中心由内向外呈多个圈型排列设置。
优选的,置于同一圈型位置的所述硅胶帽的高度相同,且自所述基板的中心由内向外的方向,所述硅胶帽的高度依次增高。
优选的,所述圈型的形状为圆形、正方形、长方形、三角形、菱形中的一种或者几种组合。
优选的,所述硅胶质荧光体为与同一圈型位置的所述发光二极管芯片包裹的硅胶环,所述硅胶环内设有一种或多种荧光转换材料。
优选的,置于同一圈型位置的所述硅胶环的高度相同,且自所述基板的中心由内向外的方向,所述硅胶环的高度依次增高。
优选的,所述发光二极管芯片为蓝光、红光、红外光、黄光、绿光、紫外光的LED发光二极管芯片的一种或者几种组合;
所述基板为金属基板、陶瓷基板或多种复合型材料制作的基板中的一种或多种组合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型提供的增强中心光强的COB模组光源,通过改变COB光源不同位置发光二极管芯片的光线的输出角度,从中心往外的方向上,发光二极管芯片的发光角度逐渐变窄,使得发光面边缘光线发散程度大大降低,且更多地往中心区域折射,从而更多地聚集到中心区域,整体收窄COB的出光角度,显著增大中心光强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的COB模组光源的示意图。
图2为现有技术的COB模组光源的中心区域发光二极管的布局示意图。
图3为本实用新型的实施例一的俯视图。
图4为本实用新型的实施例一的正视方向剖视图。
图5为本实用新型的实施例二的俯视图。
图6为本实用新型的实施例二的正视方向剖视图。
附图标记说明:
1-基板,2-线路层,3-发光二极管芯片,4-硅胶帽,5-荧光转换材料,6- 硅胶环。
具体实施方式
为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
由图3至图6,本实用新型包括两个实施例,具体的如下:
实施例一:
增强中心光强的COB模组光源,包括一个基板1、布置于基板1上的线路层 2,布置于线路层2上的若干发光二极管芯片3,布置于发光二极管芯片3的硅胶帽4。
所述的发光二极管芯片3,自基板1的中心由内向外呈多个圈型排列设置。
所述的硅胶帽4,包裹发光二极管的四个侧面以及顶面,所述硅胶帽4内设有一种或多种荧光转换材料5。
所述的硅胶帽4与单个所述发光二极管芯片3相对应,形成若干个圈型,置于同一圈型位置的所述硅胶帽4的高度相同,且自所述基板1的中心由内向外的方向,所述硅胶帽4的高度依次增高;最外圈的硅胶帽4的高度最大,最内圈的硅胶帽4的高度最小;整体上形成一个中间底,外围高的渐变结构。
所述增强中心光强的COB模组光源还包含其他必要的元素如正负极以及字符、标识符号。
本实施例的基板1为金属基板、陶瓷基板或多种复合型材料制作的基板中的一种或多种组合。
发光二极管芯片3为蓝光、红光、红外光、黄光、绿光、紫外光的LED发光二极管芯片的一种或者几种组合。
硅胶帽4采用透明硅胶、硅树脂、环氧树脂一种或者几种组合的硅胶帽4,荧光转换材料5为红色、黄色、绿色荧光粉之中的一种或多种组合。
实施例二:
增强中心光强的COB模组光源,包括一个基板1、布置于基板1上的线路层2,布置于线路层2上的若干发光二极管芯片3,布置于发光二极管芯片3的硅胶环6。
所述的发光二极管芯片3,自基板1的中心由内向外呈多个圈型排列设置。
所述的硅胶环6,包裹发光二极管的四个侧面以及顶面,所述硅胶环6内设有一种或多种荧光转换材料5。
所述的硅胶环6与同一圈型位置的所述发光二极管芯片3相对应,形成若干个圈型,置于同一圈型位置的所述硅胶环6的高度相同,且自所述基板1的中心由内向外的方向,所述硅胶环6的高度依次增高;最外圈的硅胶环6的高度最大,最内圈的硅胶环6的高度最小;整体上形成一个中间底,外围高的渐变结构。
所述增强中心光强的COB模组光源还包含其他必要的元素如正负极以及字符、标识符号。
本实施例的基板1为金属基板、陶瓷基板或多种复合型材料制作的基板中的一种或多种组合。
发光二极管芯片3为蓝光、红光、红外光、黄光、绿光、紫外光的LED发光二极管芯片的一种或者几种组合。
硅胶环6采用透明硅胶、硅树脂、环氧树脂一种或者几种组合的硅胶帽4,荧光转换材料5为红色、黄色、绿色荧光粉之中的一种或多种组合。
本实用新型提供的增强中心光强的COB模组光源,通过改变COB光源不同位置发光二极管芯片的光线的输出角度,从中心往外的方向上,发光二极管芯片的发光角度逐渐变窄,使得发光面边缘光线发散程度大大降低,且更多地往中心区域折射,从而更多地聚集到中心区域,整体收窄COB的出光角度,显著增大中心光强。
于本文的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、等方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”,仅仅用于在描述上加以区分,并没有特殊的含义。
在本说明书的描述中,参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理,而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式,这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,包括:
基板、线路层、至少一发光二极管芯片;
所述线路层布置于所述基板,所述发光二极管芯片布置于所述线路层;
所述发光二极管芯片自所述基板的中心呈发散状由内向外设置;
在所述发光二极管芯片处设有将其包裹住的硅胶质荧光体。
2.根据权利要求1所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述发光二极管芯片自所述基板的中心由内向外呈多个圈型排列设置。
3.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述硅胶质荧光体为与单个所述发光二极管芯片相对应包裹的硅胶帽,所述硅胶帽包裹于所述发光二极管芯片的四个侧面以及顶面,所述硅胶帽内设有一种或多种荧光转换材料。
4.根据权利要求3所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述硅胶帽采用透明硅胶、硅树脂、环氧树脂一种或者几种组合的硅胶帽;
所述荧光转换材料为红色、黄色、绿色荧光粉之中的一种或多种组合。
5.根据权利要求3所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,置于同一圈型位置的所述硅胶帽的高度相同,且自所述基板的中心由内向外的方向,所述硅胶帽的高度依次增高。
6.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述圈型的形状为圆形、正方形、长方形、三角形、菱形中的一种或者几种组合。
7.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述硅胶质荧光体为与同一圈型位置的所述发光二极管芯片包裹的硅胶环,所述硅胶环内设有一种或多种荧光转换材料。
8.根据权利要求7所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,置于同一圈型位置的所述硅胶环的高度相同,且自所述基板的中心由内向外的方向,所述硅胶环的高度依次增高。
9.根据权利要求1所述的增强中心光强的COB模组光源,其特征在于,所述发光二极管芯片为蓝光、红光、红外光、黄光、绿光、紫外光的LED发光二极管芯片的一种或者几种组合;
所述基板为金属基板、陶瓷基板或多种复合型材料制作的基板中的一种或多种组合。
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