CN217216506U - 射频放大器电路和射频芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种射频放大器电路和射频芯片，射频放大器电路包括输入匹配电路、第一电容、偏置电路、射频放大晶体管、第一电感、输出匹配电路、低通滤波器、谐振网络模块、第二电阻以及第三电容，所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述谐振网络模块包括第一电阻和第四电容。与相关技术相比，采用本实用新型的射频放大器电路和射频芯片的电路稳定性好且增益高。

Description

射频放大器电路和射频芯片

技术领域

本实用新型涉及放大器电路领域，尤其涉及一种射频放大器电路和射频芯片。

背景技术

随着人类进入信息化时代，无线通信技术有了飞速发展，从手机，无线局域网，蓝牙等已成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信技术的进步离不开射频电路和微波技术的发展。目前，在无线收发系统中，射频放大器是重要的组成部分之一。

相关技术的射频放大器电路包括输入匹配电路、隔直电容、偏置电路、射频放大晶体管、扼流电感以及输出匹配电路。如图1所示的射频放大器电路为相关技术中常用的一种射频放大器电路。其中，所述射频放大器电路包括输入匹配电路U1、隔直电容C、偏置电路U2、射频放大晶体管Q、扼流电感L以及输出匹配电路U3。所述射频放大器电路的连接关系为：所述输入匹配电路U1的输入端作为所述射频放大器电路的输入端RFIN，所述输入匹配电路U1 的输出端连接至所述隔直电容C的第一端；所述隔直电容C的第二端分别连接至所述偏置电路U2的输出端和所述射频放大晶体管 Q的基极；所述射频放大晶体管Q的集电极分别连接至所述扼流电感L的第二端和所述输出匹配电路U3的输入端，所述射频放大晶体管Q的发射极连接至接地；所述扼流电感L的第一端连接至电源电压VCC；所述输出匹配电路U3的输出端作为所述射频放大器电路的输出端RFOUT。其中，所述偏置电路U2用于提供给所述射频放大器电路的基极电压。

然而，电路稳定性是指射频放大器电路抵抗潜在的杂散振荡的能力。振荡可能是全功率大信号问题，也可能是未经正确分析，无法觉察的隐蔽频谱问题。甚至是预期频率范围以外的无用信号，都可能导致系统振荡和增益性能下降。相关技术的射频放大器电路在低频时，一般约为频率为1.85GHz时，稳定性测量参数显示有一个明显的转折点。频率为1.85GHz是有条件和无条件保持稳定区域之间的转换频率。频率高于1.85GHz时，射频放大器电路无条件保持稳定；频率低于1.85GHz频率时，射频放大器电路有条件保持稳定。因此，如何在频率低于转换频率时，频放大器电路实现无条件保持稳定，并减少电路的增益性能下降，从而使得所述射频放大器电路在整个工作的频率范围内都具有无条件稳定性和减少增益性能下降是一个需要解决的技术问题。

因此，实有必要提供一种新的射频放大器电路和射频芯片解决上述问题。

实用新型内容

针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种电路稳定性好且增益高的射频放大器电路和射频芯片。

为了解决上述技术问题，第一方面，本实用新型的实施例提供了一种射频放大器电路，其包括输入匹配电路、第一电容、偏置电路、射频放大晶体管、第一电感、输出匹配电路、低通滤波器、谐振网络模块、第二电阻以及第三电容，所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述谐振网络模块包括第一电阻和第四电容；所述输入匹配电路的输入端作为所述射频放大器电路的输入端，所述输入匹配电路的输出端连接至所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端分别连接至所述第二电感的第一端、所述第一电阻的第一端以及所述第四电容的第一端；所述偏置电路的输出端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接至接地；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第二电感的第二端和所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接至接地；所述第一电阻的第二端分别连接至所述第四电容的第二端和所述射频放大晶体管的基极；所述射频放大晶体管的集电极分别连接至所述第一电感的第二端和所述输出匹配电路的输入端，所述射频放大晶体管的发射极连接至接地；所述第一电感的第一端连接至电源电压；所述输出匹配电路的输出端作为所述射频放大器电路的输出端。

优选的，所述第一电阻为可调参数的电阻，所述第四电容为可调参数的电容。

优选的，所述射频放大晶体管为NPN型双极性晶体管。

优选的，所述第二电感为可调参数的电感，所述第二电容为可调参数的电容。

优选的，所述第二电阻为可调参数的电阻。

优选的，所述第三电容为可调参数的电容。

第二方面，本实用新型的实施例还提供了一种射频芯片，所述射频芯片包括如本实用新型的实施例提供上述的射频放大器电路。

与相关技术相比，本实用新型的射频放大器电路和射频芯片通过在电路上增加低通滤波器和谐振网络模块，所述输入匹配电路的输入端依次通过第一电容、低通滤波器和谐振网络模块后连接至所述射频放大晶体管的基极。其中，所述第一电容作为隔直电容；所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述谐振网络模块包括第一电阻和和第四电容。所述谐振网络模块的第一电阻和第四电容实现无条件稳定性；第二电感和第二电容组成所述低通滤波器可以防止第一电阻和第四电容组成的所述谐振网络模块在更高频或者更低频下出现影响电路性能的作用，所述低通滤波器相当于一个LC 滤波网络。第二电阻相当于分压电阻，第二电阻对第一电阻和第四电容组成的所述谐振网络模块进行了一个分压，从而使得第一电阻和第二电阻共同形成一个电阻网络，该电阻网络的电阻数值可以用来调节射频放大晶体管的基极的电压，从而控制射频放大晶体管的工作状态以及稳定性。采样第三电容作为旁路电容，可以将高频信号从第三电容滤除，使得电源电压的无杂波干扰射频放大晶体管，避免射频放大晶体管产生震荡，从而提升电路的稳定性。该电路的元器件数量少，各个元器件相互作用，从而使得所述射频放大器电路在整个工作的频率范围内都具有无条件稳定性，并减少了增益的性能下降，从而实现本实用新型的射频放大器电路和射频芯片电路稳定性好且增益高。

附图说明

下面结合附图详细说明本实用新型。通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中,

图1为相关技术的射频放大器电路的电路结构图；

图2为本实用新型实施例的射频放大器电路的电路结构图；

图3为相关技术的射频放大器电路的最大增益与频率关系曲线图；

图4为相关技术的射频放大器电路的稳定性测量值与频率关系曲线图；

图5为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S11参数的史密斯圆图；

图6为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S12参数的史密斯圆图；

图7为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S21参数的史密斯圆图；

图8为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S22参数的史密斯圆图；

图9为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的输入稳定性圈；

图10为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的输出稳定性圈；

图11为本实用新型实施例的射频放大器电路中除去第四电容后的电路的最大增益与频率关系曲线图；

图12为本实用新型实施例的射频放大器电路的最大增益与频率关系曲线图；

图13为本实用新型实施例的射频放大器电路的稳定性测量值与频率关系曲线图；

图14为本实用新型实施例的射频放大器电路的电路仿真得出的输入稳定性圈；

图15为本实用新型实施例的射频放大器电路的电路仿真得出的输出稳定性圈。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

在此记载的具体实施方式/实施例为本实用新型的特定的具体实施方式，用于说明本实用新型的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本实用新型实施方式及本实用新型范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本实用新型的保护范围之内。

本实用新型提供一种射频放大器电路100。

请参考图2所示，图2为本实用新型实施例的射频放大器电路 100的电路结构图。

所述射频放大器电路100包括输入匹配电路1、第一电容C1、偏置电路2、射频放大晶体管Q1、第一电感L1、输出匹配电路3、低通滤波器4、谐振网络模块5、第二电阻R2以及第三电容C3。

所述低通滤波器4包括第二电感L2和第二电容C2。

所述谐振网络模块5包括第一电阻R1和第四电容C4。

所述射频放大器电路100的电路连接关系为：

所述输入匹配电路1的输入端作为所述射频放大器电路100的输入端RFIN。所述输入匹配电路1的输出端连接至所述第一电容 C1的第一端。

所述第一电容C1的第二端分别连接至所述第二电感L2的第一端、所述第一电阻R1的第一端以及所述第四电容C4的第一端。

所述偏置电路2的输出端分别连接至所述第二电阻R2的第一端和所述第三电容C3的第一端。所述第三电容C3的第二端连接至接地GND。

所述第二电阻R2的第二端分别连接至所述第二电感L2的第二端和所述第二电容C2的第一端。所述第二电容C2的第二端连接至接地GND。

所述第一电阻R1的第二端分别连接至所述第四电容C4的第二端和所述射频放大晶体管Q1的基极。

所述射频放大晶体管Q1的集电极分别连接至所述第一电感L1 的第二端和所述输出匹配电路3的输入端。所述射频放大晶体管 Q1的发射极连接至接地GND。

所述第一电感L1的第一端连接至电源电压VCC。

所述输出匹配电路3的输出端作为所述射频放大器电路100的输出端RFOUT。

所述射频放大器电路100的电路原理为：

所述输入匹配电路1用于将外部的输入特性阻抗进行匹配，输入特性阻抗一般为50Ω或75Ω。所述输入匹配电路1的内部供电电源电压通过连接至电源电压VCC实现。

所述第一电容C1作为隔直电容，用于隔离直流信号。

所述偏置电路2用于向所述射频放大晶体管Q1的基极提供电压。所述偏置电路2的内部供电电源电压通过连接至电源电压VCC 实现。

所述射频放大晶体管Q1用于放大信号。本实施例中，所述射频放大晶体管Q1为NPN型双极性晶体管。

所述第一电感L1作为扼流电感，用于防止所述射频放大晶体管Q1的集电极输出的射频信号泄露到电源电压VCC。

所述输出匹配电路3用于与输出负载的特性阻抗进行匹配，输出负载的特性阻抗一般为50Ω或75Ω。所述输出匹配电路3的内部供电电源电压通过连接至电源电压VCC实现。

所述低通滤波器4有利于所述射频放大器电路100的工作频率范围的稳定性，所述低通滤波器4需要与所述谐振网络模块5共同进行对电路进行作用。具体的，第二电感L2和第二电容C2组成所述低通滤波器4可以防止第一电阻R1和第四电容C4组成的所述谐振网络模块5在更高频或者更低频下出现影响电路性能的作用，所述低通滤波器相当于一个LC滤波网络。本实施例中，所述第二电感L2为可调参数的电感，所述第二电容C2为可调参数的电容。所述低通滤波器4的器件参数可调，有利于调整频率的滤波效果。

所述谐振网络模块5用于实现电路达到无条件保持稳定。具体的电路设置为：

所述第一电阻R1设置于所述第一电容C1的第二端和所述射频放大晶体管Q1的基极之间，所述第四电容C4并列设置于所述第一电阻R1上，可以通过调整第四电容C4的电容值来调节串行的所述第一电阻R1的频率，使所述第一电阻R1形成有效短路，并且提高所述射频放大器电路100的可用增益。本实施例中，所述第一电阻R1为可调参数的电阻。所述第四电容C4为可调参数的电容。所述谐振网络模块5的所述第一电阻R1和所述第四电容C4 的参数可调，有利于设计者通过调整所述第一电阻R1的电阻值和所述第四电容C4的电容值实现电路的稳定性。

所述第二电阻R2相当于分压电阻，所述第二电阻R2对所述第一电阻R1和所述第四电容C4组成的所述谐振网络模块5进行了一个分压，从而使得所述第一电阻R1和所述第二电阻R2共同形成一个电阻网络，该电阻网络的电阻数值可以用来调节所述射频放大晶体管Q1的基极的电压，从而控制所述射频放大晶体管Q1 的工作状态以及稳定性。本实施例中，所述第二电阻R2为可调参数的电阻。通过调整所述第二电阻R2的电阻值，可以灵活控制所述射频放大晶体管Q1的工作状态以及所述射频放大器电路100的稳定性。

采样所述第三电容C3作为旁路电容，可以将高频信号从所述第三电容C3滤除，使得电源电压VCC的无杂波干扰所述射频放大晶体管Q1，避免所述射频放大晶体管Q1产生震荡，从而提升所述射频放大器电路100的稳定性。本实施例中，所述第三电容C3为可调参数的电容。通过调整所述第三电容C3的电容值,可以提升所述射频放大器电路100的稳定性。

通过在相关技术的射频放大器电路的基础上，通过增加所述第二电阻R2、第二电感L2和第二电容C2组成所述低通滤波器4以及第一电阻R1和第四电容C4组成的所述谐振网络模块5。该增加的电路的元器件数量少，各个元器件相互作用，从而使得所述射频放大器电路100在整个工作的频率范围内都具有无条件稳定性，并减少了增益的性能下降，从而实现本实用新型的射频放大器电路 100的稳定性好且增益高。

以下通过所述射频放大器电路100与相关技术的射频放大器电路进行对比说明：所述射频放大器电路100的所述低通滤波器4 需要与所述谐振网络模块5配合共同实现所述射频放大器电路在整个工作的频率范围内都具有无条件稳定性。

在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用S参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些S参数数据来开发匹配网络相关的电路，以解决射频放大器电路的稳定性问题。所述射频放大器电路100在设计过程中使用基本的S参数、模型和电阻稳定性技术来帮助避免设备不稳定，从而增强电路稳定性。

稳定性是指所述射频放大器电路100抵抗潜在的杂散振荡的能力。振荡可能是全功率大信号问题，也可能是未经正确分析，无法觉察的隐蔽频谱问题。甚至是预期频率范围以外的无用信号，都可能导致系统振荡和增益性能下降。

稳定性可以分为两种类型：一种稳定性类型是有条件的稳定性。所述射频放大器电路100设计时在输入和输出呈现预期的特性阻抗Z0(50Ω或75Ω)时保持稳定，但可能因为其他输入或输出阻抗而受到振荡(输入或输出端口显示负阻抗)。另一种稳定性类型无条件的稳定性。在史密斯圆图内任何可能的正实部阻抗下，系统都保持稳定。任何系统设计在遭遇负实部阻抗(史密斯圆图以外) 时，都会发生振荡。一般情况下，如果系统被定义为无条件保持稳定，那么它在所有频率和所有正实部阻抗下，都能保持稳定。

为了检查无条件稳定性，本实施例中采用两个参数：参数k和参数b分别作为稳定性度量参数。参数k和参数b确定在给定偏置下引起不稳定的频率范围。这些数值由以下公式计算得出：

k＝{1-|S11|2-|S22|2+|S11*S22-S12*S21|2}/{2*|S12*S21|}

以及

b＝1+|S11|2-|S22|2-|S11*S22-S12*S21|2

无条件稳定性用k>1和b>0表示。因此可用一个更加简洁的公式，使用参数mu-prime进行计算：

mu_prime＝{1-|S22|2}/{|S11-conj(S22)*Delta|+|S21*S12|}

如果mu_prime>1，表示无条件保持(线性)稳定。

如上公式所述，可利用S参数数据来设计匹配网络以获得所述射频放大器电路100的稳定性。

通过对相关技术的射频放大器电路单级非线性模型实施线性S参数分析，如图1的射频放大器电路。在图1中，参数k、参数b和参数mu_prime可以利用器件的S参数计算得出。

请同时参考图3至图4所示，图3为相关技术的射频放大器电路的最大增益与频率关系曲线图；请参考图4所示，图4为相关技术的射频放大器电路的稳定性测量值与频率关系曲线图。

如图4显示稳定性系数的参数k、参数b和参数mu_prime的值。其中，曲线A1为参数b。曲线A2为参数mu_prime。曲线A3 为参数k。可以看出，稳定性测量值b>0，稳定性系数k>1。在约1.85GHz(m5直线对应的频率)时，稳定性测量参数显示有一个明显的转折点。这是有条件和无条件保持稳定区域之间的转换频率。分析后，我们可以得出：频率高于1.85GHz时，相关技术的射频放大器电路无条件保持稳定；频率低于1.85GHz频率时，相关技术的射频放大器电路有条件保持稳定。如图3显示M3直线对应的频率为3.5GHz时，此仿真参数表示的最大增益约为18.4dB。

从图1的相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S参数如图5至图8所示，图5为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S11参数的史密斯圆图。图6为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S12参数的史密斯圆图。图7为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S21参数的史密斯圆图。图8 为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的S22参数的史密斯圆图。S11和S22显示在史密斯圆图中，极区图则用于显示S21和S12。

请同时参考图9至图10所示，图9为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的输入稳定性圈；图10为相关技术的射频放大器电路的电路仿真得出的输出稳定性圈。

在输入和输出平面内绘制稳定性圈直观的判定是否处于稳定状态。这些圈的含义如下所述。在某个频率时，输入稳定性圈在图 8和图9中的稳定性圈表示，该稳定性圈上的每个点都表示一个Γs值，按照如下公式，每个值都可以得出一个等于1的Γout值。

Γout＝S22+S12*S21*{Γs/(1-S11*Γs)}

这个圈设定了Γout<1和Γout>1之间的边界，其意义在于，Γout>1对应输出端口的负阻抗，这种情况可能导致出现震荡。之后，问题变成，圈内或者圈外是否是不稳定(Γout>1)区域。在Γs＝ 0(即50Ω点)时，根据上述公式，Γout＝S22时,对所有频率下都小于1展开分析。由此，我们可以断定，圈外为稳定区域，圈内为不稳定区域。

对输出稳定性圈同理处理，公式如下：

Γin＝S11+S12*S21*{ΓL/(1-S22*ΓL)}

除了此时绘制的ΓL点的圈图中，Γin＝1。经过分析得出，图 10中所示的圈图内部对应的是不稳定区域。

所以，当射频放大器电路无法达到无条件保持稳定的要求时 (例如，在我们的示例中，频率低于1.85GHz)，利用两种电路方式增加所述射频放大器电路100的稳定性：第一种是添加匹配电阻网络提供稳定性；第二种是用电阻、电感和电容来提供选频特性来稳定电路，即采用本实用新型实施例的射频放大器电路100。

以下分别对上述两种增加所述射频放大器电路100的稳定性进行说明比较：

第一种添加匹配电阻网络提供稳定性。可以通过将所述射频放大器电路100的第四电容C4删除，利用所述射频放大器电路100 的剩余的第一电阻R1和第二电阻R2形成匹配电阻来增加电路稳定性。该删除第四电容C4的射频放大器电路的所述输入匹配电路 1通过添加串联第一电阻R1和并联第二电阻R2置。可调整第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值，可以实现该射频放大器电路无条件稳定性。另外，第二电感L2和第二电容C2形成了所述低通滤波器滤波4，使得该射频放大器电路在整个频率范围内都具有无条件稳定性。请参考图11，图11为本实用新型实施例的射频放大器电路中除去第四电容后的电路的最大增益与频率关系曲线图。由图11 中显示的M15直线对应的频率为3.5GHz时，此仿真参数表示的最大增益约为12.3dB。对比相关技术的射频放大器电路中，图3 的最大增益约为18.4dB，两种电路的最大可用增益降低了约6 dB。这是添加了纯电阻输入稳定网络造成的。

以下为第二种是用电阻、电感和电容来提供选频特性来稳定电路，即采用本实用新型实施例的射频放大器电路100情况。

通过图2中的射频放大器电路100进行说明，所述谐振网络模块5通过所述第一电阻R1和所述第四电容C4的电路设置，具体为：所述第一电阻R1设置于所述第一电容C1的第二端和所述射频放大晶体管Q1的基极之间，所述第四电容C4并列设置于所述第一电阻R1上，可以通过调整第四电容C4的电容值来调节串行的所述第一电阻R1的频率，使所述第一电阻R1形成有效短路，并且提高所述射频放大器电路100的可用增益。第二电感L2和第二电容C2形成了所述低通滤波器滤波4可以防止所述第一电阻R1 在更高的射频频率或者更低的射频频率下发挥作用，以实现射频放大器电路100的稳定性。

请参考图12，图12为本实用新型实施例的射频放大器电路100 的最大增益与频率关系曲线图。由图12中显示的M19直线对应的频率为3.5GHz时，此仿真参数表示的最大增益约为17.5dB。对比相关技术的射频放大器电路中，图3的最大增益约为18.4dB，本实用新型实施例的射频放大器电路100的最大增益相对于相关技术的射频放大器电路的最大可用增益降低了约1dB。也就是说，通过。射频放大器电路100通过所述谐振网络模块5和所述低通滤波器滤波4的共同作用，使得电路减少了增益的性能下降，从而实现本实用新型的射频放大器电路100增益高。

请参考图13，图13为本实用新型实施例的射频放大器电路100 的稳定性测量值与频率关系曲线图。如图13显示稳定性系数的参数k、参数b和参数mu_prime的值。其中，曲线B1为参数b。曲线B2为参数mu_prime。曲线B3为参数k。可以看出，稳定性测量值b>0，稳定性系数k>1。在约155.0MHz(m21直线对应的频率)时，稳定性测量参数显示有一个明显的转折点，与相关技术的1.85GHz的转换频率相比，本实用新型实施例的射频放大器电路100的转换频率155.0MHz的频率较低。分析后，所述低通滤波器4和所述谐振网络模块5有利于将本实用新型实施例的射频放大器电路100的频率工作范围扩宽。

请参考图14，图14为本实用新型实施例的射频放大器电路100 的电路仿真得出的输入稳定性圈。本实用新型实施例的射频放大器电路100的所述输入匹配电路1通过添加串联第一电阻R1和第四电容C4。可调整第一电阻R1的电阻值，第四电容C4的电容值可以实现射频放大器电路100无条件稳定性。另外，第二电感L2和第二电容C2形成了所述低通滤波器滤波4，使得射频放大器电路 100在整个频率范围内都具有无条件稳定性。

请参考图15，图15为本实用新型实施例的射频放大器电路100 的电路仿真得出的输出稳定性圈。在射频放大器电路100通过设置所述谐振网络模块5和所述低通滤波器滤波4，所述第二电阻R2 对所述第一电阻R1和所述第四电容C4组成的所述谐振网络模块5 进行了一个分压，从而使得所述第一电阻R1和所述第二电阻R2 共同形成一个电阻网络，该电阻网络的电阻数值可以用来调节所述射频放大晶体管Q1的基极的电压，从而控制所述射频放大晶体管 Q1的工作状态以及稳定性。采样所述第三电容C3作为旁路电容，可以将高频信号从所述第三电容C3滤除，使得电源电压VCC的无杂波干扰所述射频放大晶体管Q1，避免所述射频放大晶体管Q1 产生震荡，从而提升所述射频放大器电路100的稳定性。在输出稳定性圈的源和负载平面中，稳定性圈现在都落在史密斯圆图之外，使得射频放大器电路100在整个频率范围内都具有无条件稳定性。

本实用新型的实施例还提供一种射频芯片。所述射频芯片包括所述射频放大器电路100。

需要指出的是，本实用新型采用的相关电路模块、电阻、电容、电感及晶体管均为本领域常用的电路模块、元器件，对应的具体的指标和参数根据实际应用进行调整，在此，不作详细赘述。

与相关技术相比，本实用新型的射频放大器电路和射频芯片通过在电路上增加低通滤波器和谐振网络模块，所述输入匹配电路的输入端依次通过第一电容、低通滤波器和谐振网络模块后连接至所述射频放大晶体管的基极。其中，所述第一电容作为隔直电容；所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述谐振网络模块包括第一电阻和和第四电容。所述谐振网络模块的第一电阻和第四电容实现无条件稳定性；第二电感和第二电容组成所述低通滤波器可以防止第一电阻和第四电容组成的所述谐振网络模块在更高频或者更低频下出现影响电路性能的作用，所述低通滤波器相当于一个LC 滤波网络。第二电阻相当于分压电阻，第二电阻对第一电阻和第四电容组成的所述谐振网络模块进行了一个分压，从而使得第一电阻和第二电阻共同形成一个电阻网络，该电阻网络的电阻数值可以用来调节射频放大晶体管的基极的电压，从而控制射频放大晶体管的工作状态以及稳定性。采样第三电容作为旁路电容，可以将高频信号从第三电容滤除，使得电源电压的无杂波干扰射频放大晶体管，避免射频放大晶体管产生震荡，从而提升电路的稳定性。该电路的元器件数量少，各个元器件相互作用，从而使得所述射频放大器电路在整个工作的频率范围内都具有无条件稳定性，并减少了增益的性能下降，从而实现本实用新型的射频放大器电路和射频芯片电路稳定性好且增益高。

需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本实用新型而非限制本实用新型的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下对本实用新型进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本实用新型的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。

Claims (7)

1.一种射频放大器电路，其包括输入匹配电路、第一电容、偏置电路、射频放大晶体管、第一电感以及输出匹配电路，其特征在于，所述射频放大器电路还包括低通滤波器、谐振网络模块、第二电阻以及第三电容，所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述谐振网络模块包括第一电阻和第四电容；

所述输入匹配电路的输入端作为所述射频放大器电路的输入端，所述输入匹配电路的输出端连接至所述第一电容的第一端；

所述第一电容的第二端分别连接至所述第二电感的第一端、所述第一电阻的第一端以及所述第四电容的第一端；

所述偏置电路的输出端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接至接地；

所述第二电阻的第二端分别连接至所述第二电感的第二端和所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接至接地；

所述第一电阻的第二端分别连接至所述第四电容的第二端和所述射频放大晶体管的基极；

所述射频放大晶体管的集电极分别连接至所述第一电感的第二端和所述输出匹配电路的输入端，所述射频放大晶体管的发射极连接至接地；

所述第一电感的第一端连接至电源电压；

所述输出匹配电路的输出端作为所述射频放大器电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的射频放大器电路，其特征在于，所述第一电阻为可调参数的电阻，所述第四电容为可调参数的电容。

3.根据权利要求1所述的射频放大器电路，其特征在于，所述射频放大晶体管为NPN型双极性晶体管。

4.根据权利要求1所述的射频放大器电路，其特征在于，所述第二电感为可调参数的电感，所述第二电容为可调参数的电容。

5.根据权利要求1所述的射频放大器电路，其特征在于，所述第二电阻为可调参数的电阻。

6.根据权利要求1所述的射频放大器电路，其特征在于，所述第三电容为可调参数的电容。

7.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1-6中任意一项所述的射频放大器电路。

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